JP2005039161A - 半導体集積回路チップの三次元高密度実装方式 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】搭載すべき半導体集積回路チップ群とは別に、トランジスタを含まない1層あるいは2層の金属配線からなる配線チップ1を使用する。搭載する半導体集積回路チップ群と配線チップは、配線チップのパッド3上に設けられたバンプ7を介して、お互いのパッドの存在する面どうしが、物理的・電気的に接合される。外部信号への接続は、配線チップ上のボンデリングパッド5より、ワイヤー・ボンディング或いはリード・ボンディングで接続される。外部信号に対する静電保護には、半導体集積回路チップ群に存在する静電保護素子10が使用され、配線チップには、特に静電保護用の素子を設ける必要は無い。
【選択図】図1
Description
2:半導体集積回路チップ
3:配線チップ1のパッド
4:半導体集積回路チップ2のパッド
5:チップ1の外部接続用パッド
6:チップ1がマウントされるパッケージまたはプリント基板
7:チップ1とチップ2を物理的・電気的に接続するバンプ
8:外部リードまたはプリント基板上の端子
9:ボンディング・ワイヤー
10:チップ2に形成された、静電保護等の素子
11:チップ2上の内部配線
12:アルミ・銅等の金属配線層
13:酸化膜・窒化膜等の絶縁膜層
14:チップのパッシベーション膜(パッド・スルーホール層)
15:配線チップ
16〜18:半導体集積回路チップ
19:電源安定化用の容量チップ
20:金属配線で形成された、外部ボンディング・パッド
21:金属配線で形成された、半導体集積回路チップ接続バンプ用のパッド
22:アルミ・銅等の金属配線層
23:配線チップ
24〜26:半導体集積回路チップ
27:電源安定化用の容量チップ
28:金属配線で形成された、内部ボンディング・パッド
29:第1層目の金属配線層
30:第2層目の金属配線層
31:図5の断面図の切断線
32:内部ボンディング・ワイヤー
33〜34:半導体集積回路チップ
35:リードフレーム
36:封入されたモールド
37:ボンディング・ワイヤー
Claims (5)
- 1つのパッケージ或いはプリント基板内に、半導体基板上に形成された金属配線層からなる配線チップと、複数の特定機能を有する半導体集積回路チップ群を含み、且つ前述の配線チップと前述の半導体集積回路チップ群の少なくとも1つのチップが、パッド開口部どうしが向き合うように配置しバンプまたは半田ボールで物理的・電気的に接続され、且つ前述の配線チップのみに外部端子に接続されるパッドが存在する半導体集積回路チップの三次元高密度実装方式。
- 請求項1の実装方式において、前述の配線チップと前述の半導体集積回路チップ群のパッド開口部どうしを接続するバンプを前述の配線チップ側のパッドから形成した、半導体集積回路チップの三次元高密度実装方式。
- 請求項1の実装方式において、前述の配線チップが1層または2層の金属配線のみから構成され、外部接続に対する静電気保護が、接続される半導体集積回路チップ群内に含まれる保護素子を用いて行われる事を特徴とした、半導体集積回路チップの三次元高密度実装方式。
- 請求項1の実装方式において、前述の配線チップに金属配線に接続された抵抗・容量・インダクタ等の受動素子を含む、半導体集積回路チップの三次元高密度実装方式。
- 請求項1の実装方式において、前述の配線チップの最小線幅が搭載される半導体集積回路チップ群内の最小の線幅に対して2倍以上あることを特徴とした、半導体集積回路チップの三次元高密度実装方式。
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2003
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