JP2005033086A - 高圧熱処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 常時高圧に維持された高圧熱処理室で被処理体の熱処理中にロードロック室で昇降圧操作及び被処理体の出し入れ操作を行うことができると共に、大口径の被処理体を高圧化で迅速に熱処理することができ、スループットの向上が図れる高圧熱処理装置を提供する。
【解決手段】 一枚の被処理体wを収容して高圧雰囲気下で所定の熱処理を施す高圧処理室10と、該高圧処理室10に遮蔽扉20を介して連結され、高圧処理室10内の圧力と略同一の圧力に維持された搬送室30と、該搬送室30に一端が第1のゲートバルブ40を介して連結されると共に他端が第2のゲートバルブ50を介して大気側に開口され、被処理体wを出し入れするための昇降圧可能なロードロック室60とを備え、前記搬送室30内にはロードロック室60と高圧処理室10との間で被処理体wを搬送する搬送機構35が設けられている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、被処理体を一枚ずつ高圧雰囲気下で熱処理するための高圧熱処理装置に関する。
従来のこの種の装置としては、例えば特開平3−69120号公報に記載されているバッチ式の高圧酸化炉(前者)や特開平5−74757号公報に記載されている枚葉式の高圧酸化炉(後者)が知られている。前者の高圧酸化炉は、一端側より酸素及び水素ガスを供給される炉心管を抱合し、この炉心管の外周囲を囲みウエハを加熱するヒータを内蔵すると共に窒素ガスで高圧状態にされた高圧容器と、この高圧容器の他端に第1の遮蔽扉を介して取付けられていると共に前記高圧容器の圧力に維持するようにガス導入口を持つ予備室と、この予備室内に位置されると共に複数枚のウエハを搭載したボートを炉心管内に取入れたり、取出したりするボートローダと、前記予備室の他端に第2の遮蔽扉を介して接続されると共にウエハを大気より取入れ取出す室(ウエハ装填室、昇圧室及び減圧室)とを備えて構成されている。
一方、後者の高圧酸化炉は、加圧タンク内に設けられた炉心管と、この炉心管内に設けられウエハを水平に保持するウエハホルダと、前記炉心管の周囲に設けられた赤外線ランプとを備えて構成されている。炉心管と加圧タンクはそれぞれの一端が大気側に開口され、それぞれが炉心管キャップと加圧タンクキャップで閉塞されるようになっている。前記いずれの高圧酸化炉も、高圧雰囲気中でウエハに熱酸化処理を施してウエハ面に酸化膜を形成するすため、通常の熱酸化装置に比べて酸化温度を低く、しかも、短時間で酸化膜を形成することが可能である。
特開平3−69120号公報
特開平5−74757号公報
しかしながら、前者の高圧酸化炉においては、複数枚のウエハをボートに搭載して熱処理する構造上、大口径例えば直径300mmのウエハを熱処理することは難しい。特に、予備室にウエハ装填室、昇圧室及び減圧室を接続する構造であるため、構造の煩雑化及び装置の大型化を招く問題がある。
後者の高圧酸化炉においては、枚葉式であるため、大口径のウエハの熱処理に適するが、ロードロック室を備えていないため、ウエハの搬入搬出の度に炉心管及び加圧タンク内の昇降圧操作及び炉心管キャップと加圧タンクキャップの開け閉めを行わなければならず、これらの操作に多くの時間がかかり、スループットが低い。また、昇温時間を短縮するために赤外線ランプが用いられているが、加圧タンク内に赤外線ランプが設けられているため、赤外線ランプが高圧力下で破損する恐れがある。
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、常時高圧に維持された高圧処理室で被処理体の熱処理中にロードロック室で昇降圧操作及び被処理体の出し入れ操作を行うことができると共に、大口径の被処理体を高圧下で迅速に熱処理することができ、スループットの向上が図れる高圧熱処理装置を提供することを目的とする。
本発明のうち、請求項1の発明は、一枚の被処理体を収容して高圧雰囲気下で所定の熱処理を施す高圧処理室と、該高圧処理室に遮蔽扉を介して連結され、高圧処理室内の圧力と略同一の圧力に維持された搬送室と、該搬送室に一端が第1のゲートバルブを介して連結されると共に他端が第2のゲートバルブを介して大気側に開口され、被処理体を出し入れするための昇降圧可能なロードロック室とを備え、前記搬送室内にはロードロック室と高圧処理室との間で被処理体を搬送する搬送機構が設けられていることを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の高圧熱処理装置において、前記遮蔽扉が高圧処理室内から搬送室内への熱放射を遮蔽する遮熱扉であることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1または2に記載の高圧熱処理装置において、前記第1のゲートバルブがロードロック室側に配置した弁座に弁体を着座させて閉弁する構造であることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の高圧熱処理装置において、前記第2のゲートバルブが大気側に配置した弁座に弁体を着座させて閉弁する構造であることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の高圧熱処理装置において、前記ロードロック室が前記搬送室に2つ連結され、その1つが熱処理後の被処理体を冷却する冷却機構を備えた冷却室とされていることを特徴とする。
本発明の高圧熱処理装置によれば、一枚の被処理体を収容して高圧雰囲気下で所定の熱処理を施す高圧処理室と、該高圧処理室に遮蔽扉を介して連結され、高圧処理室内の圧力と略同一の圧力に維持された搬送室と、該搬送室に一端が第1のゲートバルブを介して連結されると共に他端が第2のゲートバルブを介して大気側に開口され、被処理体を出し入れするための昇降圧可能なロードロック室とを備え、前記搬送室内にはロードロック室と高圧処理室との間で被処理体を搬送する搬送機構が設けられているため、常時高圧に維持された高圧処理室で被処理体の熱処理中にロードロック室で昇降圧操作及び被処理体の出し入れ操作を行うことができると共に、大口径の被処理体を高圧下で迅速に熱処理することができ、スループットの向上が図れる。
高圧処理室と搬送室とは略同じ圧力に維持されているため、高圧処理室と搬送室を仕切る遮蔽扉としては、気密性の高いゲートバルブである必要はなく、熱遮蔽扉で足りる。熱遮蔽扉とすることにより、構造の簡素化及び装置コストの低減が図れると共に高圧処理室内から搬送室内への放射熱による熱影響を防止することができる。
第1のゲートバルブが、ロードロック室側に配置した弁座に弁体を着座させて閉弁する構造とされていることにより、搬送室側とロードロック室側の圧力差を利用して閉弁時の気密状態を容易に維持することができる。
第2のゲートバルブが、大気側に配置した弁座に弁体を着座させて閉弁する構造とされていることにより、ロードロック室側と大気側の圧力差を利用して閉弁時の気密状態を容易に維持することができる。
ロードロック室が前記搬送室に2つ連結され、その1つが熱処理後の被処理体を冷却する冷却機構を備えた冷却室とされていることにより、未処理の被処理体の搬送操作と処理済の被処理体の搬送操作とを並列的または同時的に行って、スループットの向上が図れると共に、特別な占有スペースを必要とする専用のクーリングチャンバを必要とすることなく処理済みの高温の被処理体を搬送過程で冷却することができ、構造の簡素化及び装置コストの低減が図れる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を基に詳述する。図1は本発明の実施の形態である高圧熱処理装置を概略的に示す平面図、図2は図1の要部拡大縦断面図である。
これらの図において、1は被処理体例えば半導体ウエハwに高圧雰囲気下で所定の熱処理を施す高圧熱処理装置である。この高圧熱処理装置1は、一枚のウエハwを水平に収容して高圧雰囲気下で所定の熱処理例えば熱酸化処理を施す高圧処理室10と、この高圧処理室10に遮蔽扉20を介して連結され、高圧処理室10内の圧力と略同一の圧力または同一圧力に維持された搬送室30と、この搬送室30に一端が第1のゲートバルブ40を介して連結されると共に他端が第2のゲートバルブ50を介して大気側に開口され、ウエハwを出し入れするための昇降圧可能なロードロック室60とを備えている。前記搬送室30内にはロードロック室60と高圧処理室10との間でウエハを搬送する搬送機構35が設けられている。
前記高圧処理室10は、大口径例えば直径300mmのウエハを収容可能な石英製の扁平箱型の反応管11と、この反応管11外の上部と下部に配置され、ウエハwを上下両面から所定の温度例えば800〜1100℃程度に加熱するヒータ12と、このヒータ12を含む反応管11を収容し、反応管11が内外の圧力差で破損しないように内部空間を反応管11内の圧力とほぼ同じまたは同一の高圧に維持する圧力容器13とから主に構成されている。反応管11内にはウエハwを載置するための複数例えば3本の支持ピン14が設けられている。
反応管11の一端部にはウエハwを出し入れする開口部11aが設けられ、反応管11の他端部にはガスボンベから圧力調整手段(レギュレータ)を介して圧力調整された不活性ガス例えば窒素Nガスを反応管内に供給して反応管内を所定の高圧例えば2〜10Kg/cm程度に維持すると共に処理ガス例えば酸素Oガスや水蒸気HOを所定の流量で供給するガス供給管15が接続されていると共に、処理ガスを排気するための排気管16が接続されている。
前記ヒータ12は、反応管11を収容可能な金属製のケース12aを有し、このケース12a内の上部と下部に抵抗発熱体からなる面状の加熱部17a,17bが設けられている。加熱部17a,17bと反応管11の間には均熱材18が配置されていることが好ましい。前記圧力容器13は金属製であり、前記反応管11の開口部11aと対応する開口部13aが設けられていると共に、内部を所定の高圧に維持するためにガスボンベからレギュレータを介して圧力調整された不活性ガス例えば窒素Nガスを導入する図示しないガス導入管が接続されている。反応管11と圧力容器13とは、同一圧力にするために、開閉弁を有する連通管により連通可能とされていてもよい。
搬送室30の一端には前記高圧処理室10が遮蔽扉20を介して連結され、搬送室30の他端には未処理のウエハの搬送操作と処理済のウエハの搬送操作とを並列的または同時的に行って、スループットの向上を図るために複数例えば2つのロードロック室60,60がそれぞれ第1のゲートバルブ40,40を介して連結されていることが好ましい。前記搬送室30の一端には遮蔽扉20を介して前記高圧処理室10の圧力容器13の開口部13aと連通する開口部31が設けられ、搬送室30の他端には2つのロードロック室60,60のそれぞれの一端の開口部61と第1のゲートバルブ40,40を介して連通する2つの開口部32,32が設けられている。各ロードロック室60の他端は第2のゲートバルブ50を介して大気側と連通する開口部62が設けられている。
搬送室30にはガスボンベからレギュレータを介して圧力調整された不活性ガス例えば窒素Nガスを搬送室内に供給して搬送室内を高圧処理室内と略同じ圧力に維持するガス供給管が接続されている(図示省略)。搬送室30内に設けられた搬送機構35は、ウエハwを水平に保持する平面U字状の保持部36を有し、水平旋回、水平方向への伸縮及び上下方向の移動が可能なアーム機構からなっている。
高圧処理室10と搬送室30とは略同じ圧力に維持されているため、高圧処理室10と搬送室30を仕切る遮蔽扉20としては、気密性の高いゲートバルブである必要はなく、高圧処理室10内から搬送室30内への高温の放射熱(輻射熱)を遮断する熱遮蔽扉が好ましい。ゲートバルブは弁体と弁座の間に気密材例えばOリングを備えているのに対し、熱遮蔽扉はOリングを備えていないので、構造の簡素化及び装置コストの低減が図れる。図示例の遮蔽扉(熱遮蔽扉)20は、搬送室側の弁座21に弁体(扉体)22を着座させて閉鎖(閉弁)し、弁体22を高圧処理室10側に移動させ更に下方に退避させて開弁するようになっているが、高圧処理室10側の弁座に弁体を着座させて閉鎖し、弁体22を搬送室30側に移動させ更に下方に退避させて開弁するようになっていてもよい。高圧処理室10である反応管11または圧力容器13と搬送室30とは、同一圧力にするために、開閉弁を有する連通管により連通可能とされていてもよい。
一方、ロードロック室60にはガスボンベからレギュレータを介して圧力調整された不活性ガス例えば窒素Nガスをロードロック室内に供給してロードロック室内を搬送室内と略同じ圧力に昇圧するガス供給管と、ロードロック室内の不活性ガスを排気してロードロック室内の圧力を大気圧に降圧する排気管が接続されている(図示省略)。ロードロック室60は、大気側に連通開放されるときには大気側と略同じ圧力(大気圧)に降圧され、搬送室側に連通開放されるときには搬送室側と略同じ圧力(高圧)に昇圧され、搬送室とロードロック室との間、ロードロック室と大気側との間には圧力差が生じるので、気密性を確保するためのOリングを有する第1のゲートバルブ40及び第2のゲートバルブ50が用いられている。
この場合、前記圧力差を利用して閉弁時の気密状態を容易に維持するために、第1のゲートバルブ40は、ロードロック室60側に配置した弁座41に弁体42をOリング43を介して着座させて閉弁する構造とされており、第2のゲートバルブ50は、大気側に配置した弁座51に弁体52をOリング53を介して着座させて閉弁する構造とされている。更に詳しく説明すると、第1のゲートバルブ40は弁体41を搬送室30側に移動させ更に下方に退避させて開弁し、第2のゲートバルブ50は弁体51をロードロック室60側に移動させ更に下方に退避させて開弁するようになっている。搬送室30とロードロック室60とは、同一圧力にするために、開閉弁を有する連通管により連通可能とされていてもよい。
ロードロック室60内には、ウエハwを水平に支持する複数例えば3本の支持ピン63が設けられている。特別な占有スペースを必要とする専用のクーリングチャンバを必要とすることなく処理済みの高温のウエハを搬送過程で冷却し、構造の簡素化及び装置コストの低減を図るために、2つのロードロック室60,60のうちの1つは、熱処理後のウエハを冷却する水冷式または空冷式の冷却機構を備えた冷却室65とされていることが好ましい。
前記高圧熱処理装置1の大気側には複数例えば25枚程度のウエハを上下方向に所定間隔で収容した運搬容器であるカセット(キャリアともいう)70を載置するカセット載置台75が図示例では並列に2つ設置され、これらカセット設置台75と前記ロードロック室60との間にはカセット70とロードロック室60との間でウエハwを一枚ずつ搬送する大気側搬送機構80が設けられている。前記カセット70は、搬送ロボットまたは作業員により前記カセット載置台75上に搬送載置され、また、カセット載置台75上から搬出されるようになっている。
カセット70としては、カセット本体におけるウエハ取出口に蓋を着脱可能に取付けた蓋付きカセットであっても良い。前記大気側搬送機構80は、カセット載置台75の並列方向に沿って水平移動可能で、且つ水平旋回、水平方向への伸縮及び上下方向の移動が可能な搬送アーム81を備えている。
以上の構成からなる高圧熱処理装置1においては、初期状態として、高圧処理室10、搬送室30及び冷却室65が所定の圧力に昇圧されており、冷却室65でない方のロードロック室60の圧力が大気圧に降圧されている。このロードロック室60の第2のゲートバルブ50を開き、大気側搬送機構80によりカセット載置台75上のカセット70から未処理ウエハwを取り出して、前記ロードロック室60に搬入する。
次いで、このロードロック室60の第2のゲートバルブ50を閉じてロードロック室60内を所定の圧力に昇圧させたなら、第1のゲートバルブ40と遮蔽扉20を開き、搬送室30内の搬送機構35によりロードロック室60から高圧処理室10の反応管11内に未処理ウエハwを搬送し、第1のゲートバルブ40と遮蔽扉20を閉じ、未処理ウエハwに所定の熱処理例えば熱酸化処理を施す。所定の熱処理時間経過後に、遮蔽扉20と冷却室65の第1のゲートバルブ40を開き、反応管11から冷却室65に高温の処理済ウエハwを搬送し、遮蔽扉20と冷却室65の第1のゲートバルブ40を閉じ、冷却室65を大気圧に降圧して該冷却室65で処理済ウエハwの冷却を行う。
この冷却中に、次の未処理ウエハwを前述と同様にカセット70から取り出し、ロードロック室60、搬送室30を経由して反応管11内に搬入し、所定の熱処理を行う。一方、この熱処理中に、前記冷却室65での冷却が終了すると、冷却室65の第2のゲートバルブ50を開き、大気側搬送機構80により冷却室65内から処理済ウエハwを取り出してカセット載置台75上のカセット70内に挿し込む。このようにしてウエハを一枚ずつ順次連続的に高圧雰囲気下で熱酸化処理することができる。
前記高圧熱処理装置1によれば、一枚のウエハwを収容して高圧雰囲気下で所定の熱処理を施す高圧処理室10と、該高圧処理室10に遮蔽扉20を介して連結され、高圧処理室10内の圧力と略同一または同一の圧力に維持された搬送室30と、該搬送室30に一端が第1のゲートバルブ40を介して連結されると共に他端が第2のゲートバルブ50を介して大気側に開口され、ウエハwを出し入れするための昇降圧可能なロードロック室60とを備え、前記搬送室30内にはロードロック室60と高圧処理室10との間でウエハwを高圧雰囲気中で搬送する搬送機構35が設けられているため、常時高圧に維持された高圧処理室10でウエハwの熱処理中にロードロック室60で昇降圧操作及びウエハの出し入れ操作を行うことができると共に、大口径のウエハを高圧下で迅速に熱処理することができ、スループットの向上が図れる。
高圧処理室10と搬送室30とは略同じ圧力または同一圧力に維持されているため、高圧処理室10と搬送室30を仕切る遮蔽扉20としては、気密性の高いゲートバルブである必要はなく、熱遮蔽扉で足りる。熱遮蔽扉とすることにより、構造の簡素化及び装置コストの低減が図れると共に高圧処理室10内から搬送室30内への放射熱による熱影響を防止することができる。第1のゲートバルブ40が、ロードロック室60側に配置した弁座41に弁体42を着座させて閉弁する構造とされていることにより、搬送室30側とロードロック室60側の圧力差を利用して閉弁時の気密状態を容易に維持することができる。
また、第2のゲートバルブ50が、大気側に配置した弁座51に弁体52を着座させて閉弁する構造とされていることにより、ロードロック室60側と大気側の圧力差を利用して閉弁時の気密状態を容易に維持することができる。更に、ロードロック室60が前記搬送室30に2つ連結され、その1つが熱処理後のウエハwを冷却する冷却機構を備えた冷却室65とされていることにより、未処理のウエハwの搬送操作と処理済のウエハwの搬送操作とを並列的または同時的に行って、スループットの向上が図れると共に、特別な占有スペースを必要とする専用のクーリングチャンバを必要とすることなく処理済みの高温のウエハwを搬送過程で冷却することができ、構造の簡素化及び装置コストの低減が図れる。
以上、本発明の実施の形態ないし実施例を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態ないし実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、本発明は、高圧下での熱酸化処理以外に、高圧下での熱CVD処理や熱拡散処理等にも適用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハ以外に、LCD基板、ガラス基板等も適用可能である。
本発明の実施の形態である高圧熱処理装置を概略的に示す平面図である。 図1の要部拡大縦断面図である。
符号の説明
1 高圧熱処理装置
10 高圧処理室
20 遮蔽扉
30 搬送室
35 搬送機構
40 第1のゲートバルブ
50 第2のゲートバルブ
60 ロードロック室
65 冷却室

Claims (5)

  1. 一枚の被処理体を収容して高圧雰囲気下で所定の熱処理を施す高圧処理室と、該高圧処理室に遮蔽扉を介して連結され、高圧処理室内の圧力と略同一の圧力に維持された搬送室と、該搬送室に一端が第1のゲートバルブを介して連結されると共に他端が第2のゲートバルブを介して大気側に開口され、被処理体を出し入れするための昇降圧可能なロードロック室とを備え、前記搬送室内にはロードロック室と高圧処理室との間で被処理体を搬送する搬送機構が設けられていることを特徴とする高圧熱処理装置。
  2. 前記遮蔽扉は、高圧処理室内から搬送室内への熱放射を遮蔽する遮熱扉であることを特徴とする請求項1に記載の高圧熱処理装置。
  3. 前記第1のゲートバルブは、ロードロック室側に配置した弁座に弁体を着座させて閉弁する構造であることを特徴とする請求項1または2に記載の高圧熱処理装置。
  4. 前記第2のゲートバルブは、大気側に配置した弁座に弁体を着座させて閉弁する構造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の高圧熱処理装置。
  5. 前記ロードロック室は、前記搬送室に2つ連結され、その1つが熱処理後の被処理体を冷却する冷却機構を備えた冷却室とされていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高圧熱処理装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009539231A (ja) * 2006-02-10 2009-11-12 プンサン マイクロテック カンパニー リミティッド 高圧ガスアニーリング装置及び方法
JP7017284B1 (ja) * 2021-11-16 2022-02-08 株式会社Foreground 屋外コンセント

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置,処理システム及び処理方法
US20080217293A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Tokyo Electron Limited Processing system and method for performing high throughput non-plasma processing
JP6719993B2 (ja) 2016-06-30 2020-07-08 株式会社Screenホールディングス 熱処理方法および熱処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6127176Y2 (ja) * 1978-04-28 1986-08-13
JPS60165729A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Toshiba Corp 半導体高圧酸化装置
JPH01300527A (ja) * 1988-05-30 1989-12-05 Tel Sagami Ltd 酸化方法およびその装置
US5167717A (en) * 1989-02-15 1992-12-01 Charles Boitnott Apparatus and method for processing a semiconductor wafer
JPH0793348B2 (ja) * 1989-05-19 1995-10-09 アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置
JPH0369120A (ja) * 1989-08-08 1991-03-25 Nec Yamagata Ltd 高圧酸化炉
JPH0574757A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Nec Yamagata Ltd 半導体装置用高圧酸化炉

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009539231A (ja) * 2006-02-10 2009-11-12 プンサン マイクロテック カンパニー リミティッド 高圧ガスアニーリング装置及び方法
JP7017284B1 (ja) * 2021-11-16 2022-02-08 株式会社Foreground 屋外コンセント

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