JP2005026260A - 樹脂封止型光電変換集積装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、従来の光電変換集積装置に比べても安価で、熱よる影響を低減できる樹脂封止型光電変換集積装置の提供を目的とする。
【解決手段】受光部２２を有した光電変換素子２１と、光電変換素子２１を載置し光電変換素子２１と電気的に接続されたリードフレーム２４と、光電変換素子２１の一部分とリードフレーム２４の一部分とを封止する封止樹脂モールド２０とを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールド２０に開口部２６，２７を設け、開口部２６は少なくとも光電変換素子２１の受光部２２が外部に露出するように設けられ、開口部２７はリードフレーム２４において光電変換素子２１を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられた。
【選択図】 図３
【解決手段】受光部２２を有した光電変換素子２１と、光電変換素子２１を載置し光電変換素子２１と電気的に接続されたリードフレーム２４と、光電変換素子２１の一部分とリードフレーム２４の一部分とを封止する封止樹脂モールド２０とを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールド２０に開口部２６，２７を設け、開口部２６は少なくとも光電変換素子２１の受光部２２が外部に露出するように設けられ、開口部２７はリードフレーム２４において光電変換素子２１を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられた。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク装置などの受光手段として用いられる樹脂封止型光電変換集積装置に関するものであり、特に青紫色半導体レーザ用光電変換集積装置の受光部構造改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスク用ピックアップ装置のディスク反射光検出装置としては、（特許文献１）に示されるような透明樹脂でモールド封止した光電変換集積装置が使用されてきた。
【０００３】
図６，図７，図８はそれぞれ従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す表面斜視図，裏面斜視図，断面図である。
【０００４】
図６，図７，図８において、１は封止樹脂モールドで、封止樹脂モールド１中には受光集積回路を構成した光電変換素子２が埋設されており、この光電変換素子２には受光部３が設けられている。４はリードフレームで、リードフレーム４は光電変換素子２を搭載しており、しかも光電変換素子と電気的に接続され、端部を封止樹脂モールド１からはみ出した構成となっている。また、受光部３上の封止樹脂モールド１には凹部５が設けられている。
【０００５】
以上のように構成された樹脂封止型光電変換集積装置を光ディスク用ピックアップ装置のディスク反射光検出装置に用いた場合の機能／動作について説明する。
【０００６】
ディスクに照射されたレーザ光の反射光６は、凹部５から樹脂封止型光電変換集積装置に入射され、封止樹脂モールド１を透過して受光集積回路チップの受光部３に照射される。
【０００７】
反射光６が照射されると、受光部３は入射光量に比例した光電流を発生し、光電変換素子２内部で電流から電圧に変換され、リードフレーム４から外部に出力される。
【０００８】
一方、光ディスクの大容量化と高密度化の流れの中で光源として青紫色半導体レーザが用いられるようになり、その波長はおよそ４０５ｎｍであり、封止樹脂モールド１の同波長帯域での透過率は低く、更に長期間に渡り青紫色の光を照射されると変質してしまうという問題があった。
【０００９】
即ち、受光部３上の封止樹脂モールド１の部分が変質してしまい受光部３に到達する光量が激減し、ディスク反射光検出装置としての本質的な機能である光電変換を正常に行なうことができなくなってしまうという問題があった。
【００１０】
この問題に対する一つの解決手段として、従来の樹脂封止型構造とは全く違った構造、すなわち、図９および図１０に一例を示すような青紫色の光が透過する部分に樹脂を使用しない中空モールド硝子封止パッケージの提案がなされている。
【００１１】
図９および図１０において受光集積回路チップ９は、樹脂あるいはセラミック製のパッケージ本体７に格納され硝子製の蓋８により封止されている。
【００１２】
受光集積回路チップ９の受光部１０は、空隙１１を介してディスク反射光を受光する構成となっており、樹脂劣化の問題を回避できる。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１−２２３３１８号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂封止型光電変換集積装置で問題となる青紫色レーザ光による樹脂劣化を回避するための中空モールド硝子封止パッケージ構造等では従来の装置と比べて構造が複雑であり、非常に高価であるという課題を有していた。また、密封されているが故に、高速再生や高速記録の際に、高周波の信号が加わることになり、発熱量が非常に大きく、時には誤動作することがあった。
【００１５】
本発明は上記の課題を解決するものであり、従来の光電変換集積装置に比べても安価で、熱による影響を低減できる樹脂封止型光電変換集積装置の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の光電変換集積装置の構成は、受光部を有した光電変換素子と、光電変換素子を載置し光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、光電変換素子の一部分とリードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、第２の開口部はリードフレームにおいて光電変換素子を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の発明は、受光部を有した光電変換素子と、光電変換素子を載置し光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、光電変換素子の一部分とリードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、第２の開口部はリードフレームにおいて光電変換素子を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたことを特徴とする樹脂封止型光電変換集積装置であり、コスト的に有利であり、しかも受光部状には樹脂材料が存在しないので、青紫レーザなどによる曇りの発生を抑止でき、しかも放熱効果を向上させることができる。
【００１８】
請求項２記載の発明は、第１及び第２の開口部は封止樹脂モールド表面側よりも光電変換素子側の断面が小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置であり、光電変換素子とリードフレームとの電気的接合部をより厚く封止樹脂モールドで覆うことができるので、耐候性などを向上させることができる。
【００１９】
請求項３記載の発明は、第１の開口部を塞ぐ透明部材を設けたことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置であり、受光部の塵などによる特性劣化を防止でき、しかも密閉状態による放熱か第２の開口部を介して行うことができる。
【００２０】
請求項４記載の発明は、第１の開口部を一時的に塞ぐ部材を設け、装置などに組み込む際に部材を取り除くことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置であり、輸送途中などで塵による受光部の損傷を防止できる。
【００２１】
以下に、本実施の形態について、説明する。
【００２２】
図１，図２，図３，図４はそれぞれ本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す表面斜視図，裏面斜視図，横断面図，分解斜視図である。
【００２３】
図１〜図４において、２０は封止樹脂モールドで、エポキシ樹脂などの絶縁性を有する樹脂材料で好適に形成される。２１は封止樹脂モールド２０中に一部埋設された光電変換素子で、光電変換素子２１は受光集積回路が形成されており、しかも受光部２２が半導体形成技術などによって、形成されている。光電変換素子２１には光電変換素子２１中に形成された回路と、電気的に接続された電極パッド２３が複数形成されており、この電極パッド２３は複数の端子部を有するリードフレーム２４に電気的にワイヤ２５で接続されている。また、光電変換素子２１はリードフレーム２４のアイランド２４ａ上に接着などで取り付けられている。
【００２４】
２６は封止樹脂モールド２０に設けられた開口部で、開口部２６には少なくとも受光部２２が露出するように構成されている。すなわち、受光部２２上には封止樹脂モールド２０が存在しないので、青紫レーザなどを長期間受光しても従来のような樹脂の曇りなどは発生しない。この開口部２６は受光部２２側に行くに従って開口が小さくなるように構成されており、この構成によって、リードフレーム２４とワイヤ２５の接合部やワイヤ２５と電極パッド２３との接合部をより多くの封止樹脂モールド２０で覆うことができるため、電気的接合がはずれたりすることはなく、安定した特性を得ることができる。
【００２５】
また、図２に示すように、開口部２６が設けられた側と反対側にも開口部２６と同様な開口部２７が設けられており、リードフレーム２４のアイランド２４ａの一部が少なくとも表出している構成となっている。この様に開口部２７を設けることによって、光ディスク装置において高速記録や高速再生を行う際に発生する高周波駆動などによって光電変換素子２１が発熱し高温になったとしても、この開口部２７を設けていることによって、アイランド２４ａを介して外部に放熱され、特性劣化などを抑えることができる。
【００２６】
また、この開口部２６，２７を設けることによって、リードフレーム２４上に光電変換素子２１を搭載した状態で、上下から図示しない治具などで、リードフレーム２４及び光電変換素子２１を挟んで、封止樹脂モールド２０を設けることで、非常に受光部２２の位置精度を高めることができる。
【００２７】
更に開口部２７を設けることで、樹脂封止型光電変換集積装置を回路光電変換素子上などに実装した場合に、開口部２７の隙間に回路基板上に実装された他の電子部品等を収納できるので、回路基板の大きさを小さくすることもできる。
【００２８】
また、図５に示すように、開口部２６を塞ぐように封止樹脂モールド２０上に青紫レーザによって劣化を生じないガラスなどでできた透明な透明部材２８を設けることで受光部２２を塵などから守ることができる。この様に透明部材２８を設けることで、従来の技術では放熱問題が生じたが、本実施の形態では、開口部２７を設け、裏面から効率よく放熱させることができるので、熱問題は生じにくくなる。さらに、上記構成では、透明部材２８を設けなければならず、しかもその透明部材２８は青紫レーザなどに対して劣化しない材料で構成しなければならないので、コスト面や工数が多く係り不具合が生じる可能性がある。
【００２９】
従って、この透明部材２８に変えて、透明或いは不透明の樹脂性フィルムなどを一時的に貼り付ける構成としても良い。すなわち、工場で生産された後に、樹脂製フィルムなどで開口部２６を塞ぐことで、輸送中などに塵により受光部２２の特性が劣化してしまうのを防止し、しかも光ディスク装置を組み立てる行程では、例えばこの樹脂製フィルムを剥がして、装置に組み込むようにすれば、安定した特性を維持させることができる。なお、樹脂フィルムでなくても開口部２６，２７に挿入される栓状体の様なものでも良い。
【００３０】
尚、本実施の形態では、封止樹脂モールド２０の構成材料として、として従来から使用されてきた透明樹脂を用いて成形することを前提に例を示したが、開口部２６により光の入射経路の透過率は保証されるので透明樹脂にこだわる必要性は全くなく、機械的特性、温度特性などの性能優先あるいは価格優先の選択により樹脂を決定することにより、安価な樹脂封止型光電子集積装置を得ることもできる。
【００３１】
更に、本実施の形態では、開口部２６，２７はそれぞれ断面方形状となる様に構成したが、断面円形状，多角形状，楕円形状としても良く、更には、開口部２６，２７それぞれで断面形状を異ならせても良い。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように本発明の樹脂封止型光電子集積装置によれば、受光部を有した光電変換素子と、光電変換素子を載置し光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、光電変換素子の一部分とリードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、第２の開口部はリードフレームにおいて基板を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたものであるので、コスト的に有利であり、しかも受光部上には樹脂材料が存在しないので、青紫レーザなどによる曇りの発生を抑止でき、しかも放熱効果を向上させることができる
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す表面斜視図
【図２】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す裏面斜視図
【図３】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す横断面図
【図４】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す分解斜視図
【図５】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す裏面斜視図
【図６】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す表面斜視図
【図７】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す裏面斜視図
【図８】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す断面図
【図９】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す表面斜視図
【図１０】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す断面図
【符号の説明】
２０ 封止樹脂モールド
２１ 光電変換素子
２２ 受光部
２４ リードフレーム
２６，２７ 開口部
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク装置などの受光手段として用いられる樹脂封止型光電変換集積装置に関するものであり、特に青紫色半導体レーザ用光電変換集積装置の受光部構造改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスク用ピックアップ装置のディスク反射光検出装置としては、（特許文献１）に示されるような透明樹脂でモールド封止した光電変換集積装置が使用されてきた。
【０００３】
図６，図７，図８はそれぞれ従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す表面斜視図，裏面斜視図，断面図である。
【０００４】
図６，図７，図８において、１は封止樹脂モールドで、封止樹脂モールド１中には受光集積回路を構成した光電変換素子２が埋設されており、この光電変換素子２には受光部３が設けられている。４はリードフレームで、リードフレーム４は光電変換素子２を搭載しており、しかも光電変換素子と電気的に接続され、端部を封止樹脂モールド１からはみ出した構成となっている。また、受光部３上の封止樹脂モールド１には凹部５が設けられている。
【０００５】
以上のように構成された樹脂封止型光電変換集積装置を光ディスク用ピックアップ装置のディスク反射光検出装置に用いた場合の機能／動作について説明する。
【０００６】
ディスクに照射されたレーザ光の反射光６は、凹部５から樹脂封止型光電変換集積装置に入射され、封止樹脂モールド１を透過して受光集積回路チップの受光部３に照射される。
【０００７】
反射光６が照射されると、受光部３は入射光量に比例した光電流を発生し、光電変換素子２内部で電流から電圧に変換され、リードフレーム４から外部に出力される。
【０００８】
一方、光ディスクの大容量化と高密度化の流れの中で光源として青紫色半導体レーザが用いられるようになり、その波長はおよそ４０５ｎｍであり、封止樹脂モールド１の同波長帯域での透過率は低く、更に長期間に渡り青紫色の光を照射されると変質してしまうという問題があった。
【０００９】
即ち、受光部３上の封止樹脂モールド１の部分が変質してしまい受光部３に到達する光量が激減し、ディスク反射光検出装置としての本質的な機能である光電変換を正常に行なうことができなくなってしまうという問題があった。
【００１０】
この問題に対する一つの解決手段として、従来の樹脂封止型構造とは全く違った構造、すなわち、図９および図１０に一例を示すような青紫色の光が透過する部分に樹脂を使用しない中空モールド硝子封止パッケージの提案がなされている。
【００１１】
図９および図１０において受光集積回路チップ９は、樹脂あるいはセラミック製のパッケージ本体７に格納され硝子製の蓋８により封止されている。
【００１２】
受光集積回路チップ９の受光部１０は、空隙１１を介してディスク反射光を受光する構成となっており、樹脂劣化の問題を回避できる。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１−２２３３１８号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂封止型光電変換集積装置で問題となる青紫色レーザ光による樹脂劣化を回避するための中空モールド硝子封止パッケージ構造等では従来の装置と比べて構造が複雑であり、非常に高価であるという課題を有していた。また、密封されているが故に、高速再生や高速記録の際に、高周波の信号が加わることになり、発熱量が非常に大きく、時には誤動作することがあった。
【００１５】
本発明は上記の課題を解決するものであり、従来の光電変換集積装置に比べても安価で、熱による影響を低減できる樹脂封止型光電変換集積装置の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の光電変換集積装置の構成は、受光部を有した光電変換素子と、光電変換素子を載置し光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、光電変換素子の一部分とリードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、第２の開口部はリードフレームにおいて光電変換素子を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の発明は、受光部を有した光電変換素子と、光電変換素子を載置し光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、光電変換素子の一部分とリードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、第２の開口部はリードフレームにおいて光電変換素子を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたことを特徴とする樹脂封止型光電変換集積装置であり、コスト的に有利であり、しかも受光部状には樹脂材料が存在しないので、青紫レーザなどによる曇りの発生を抑止でき、しかも放熱効果を向上させることができる。
【００１８】
請求項２記載の発明は、第１及び第２の開口部は封止樹脂モールド表面側よりも光電変換素子側の断面が小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置であり、光電変換素子とリードフレームとの電気的接合部をより厚く封止樹脂モールドで覆うことができるので、耐候性などを向上させることができる。
【００１９】
請求項３記載の発明は、第１の開口部を塞ぐ透明部材を設けたことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置であり、受光部の塵などによる特性劣化を防止でき、しかも密閉状態による放熱か第２の開口部を介して行うことができる。
【００２０】
請求項４記載の発明は、第１の開口部を一時的に塞ぐ部材を設け、装置などに組み込む際に部材を取り除くことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置であり、輸送途中などで塵による受光部の損傷を防止できる。
【００２１】
以下に、本実施の形態について、説明する。
【００２２】
図１，図２，図３，図４はそれぞれ本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す表面斜視図，裏面斜視図，横断面図，分解斜視図である。
【００２３】
図１〜図４において、２０は封止樹脂モールドで、エポキシ樹脂などの絶縁性を有する樹脂材料で好適に形成される。２１は封止樹脂モールド２０中に一部埋設された光電変換素子で、光電変換素子２１は受光集積回路が形成されており、しかも受光部２２が半導体形成技術などによって、形成されている。光電変換素子２１には光電変換素子２１中に形成された回路と、電気的に接続された電極パッド２３が複数形成されており、この電極パッド２３は複数の端子部を有するリードフレーム２４に電気的にワイヤ２５で接続されている。また、光電変換素子２１はリードフレーム２４のアイランド２４ａ上に接着などで取り付けられている。
【００２４】
２６は封止樹脂モールド２０に設けられた開口部で、開口部２６には少なくとも受光部２２が露出するように構成されている。すなわち、受光部２２上には封止樹脂モールド２０が存在しないので、青紫レーザなどを長期間受光しても従来のような樹脂の曇りなどは発生しない。この開口部２６は受光部２２側に行くに従って開口が小さくなるように構成されており、この構成によって、リードフレーム２４とワイヤ２５の接合部やワイヤ２５と電極パッド２３との接合部をより多くの封止樹脂モールド２０で覆うことができるため、電気的接合がはずれたりすることはなく、安定した特性を得ることができる。
【００２５】
また、図２に示すように、開口部２６が設けられた側と反対側にも開口部２６と同様な開口部２７が設けられており、リードフレーム２４のアイランド２４ａの一部が少なくとも表出している構成となっている。この様に開口部２７を設けることによって、光ディスク装置において高速記録や高速再生を行う際に発生する高周波駆動などによって光電変換素子２１が発熱し高温になったとしても、この開口部２７を設けていることによって、アイランド２４ａを介して外部に放熱され、特性劣化などを抑えることができる。
【００２６】
また、この開口部２６，２７を設けることによって、リードフレーム２４上に光電変換素子２１を搭載した状態で、上下から図示しない治具などで、リードフレーム２４及び光電変換素子２１を挟んで、封止樹脂モールド２０を設けることで、非常に受光部２２の位置精度を高めることができる。
【００２７】
更に開口部２７を設けることで、樹脂封止型光電変換集積装置を回路光電変換素子上などに実装した場合に、開口部２７の隙間に回路基板上に実装された他の電子部品等を収納できるので、回路基板の大きさを小さくすることもできる。
【００２８】
また、図５に示すように、開口部２６を塞ぐように封止樹脂モールド２０上に青紫レーザによって劣化を生じないガラスなどでできた透明な透明部材２８を設けることで受光部２２を塵などから守ることができる。この様に透明部材２８を設けることで、従来の技術では放熱問題が生じたが、本実施の形態では、開口部２７を設け、裏面から効率よく放熱させることができるので、熱問題は生じにくくなる。さらに、上記構成では、透明部材２８を設けなければならず、しかもその透明部材２８は青紫レーザなどに対して劣化しない材料で構成しなければならないので、コスト面や工数が多く係り不具合が生じる可能性がある。
【００２９】
従って、この透明部材２８に変えて、透明或いは不透明の樹脂性フィルムなどを一時的に貼り付ける構成としても良い。すなわち、工場で生産された後に、樹脂製フィルムなどで開口部２６を塞ぐことで、輸送中などに塵により受光部２２の特性が劣化してしまうのを防止し、しかも光ディスク装置を組み立てる行程では、例えばこの樹脂製フィルムを剥がして、装置に組み込むようにすれば、安定した特性を維持させることができる。なお、樹脂フィルムでなくても開口部２６，２７に挿入される栓状体の様なものでも良い。
【００３０】
尚、本実施の形態では、封止樹脂モールド２０の構成材料として、として従来から使用されてきた透明樹脂を用いて成形することを前提に例を示したが、開口部２６により光の入射経路の透過率は保証されるので透明樹脂にこだわる必要性は全くなく、機械的特性、温度特性などの性能優先あるいは価格優先の選択により樹脂を決定することにより、安価な樹脂封止型光電子集積装置を得ることもできる。
【００３１】
更に、本実施の形態では、開口部２６，２７はそれぞれ断面方形状となる様に構成したが、断面円形状，多角形状，楕円形状としても良く、更には、開口部２６，２７それぞれで断面形状を異ならせても良い。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように本発明の樹脂封止型光電子集積装置によれば、受光部を有した光電変換素子と、光電変換素子を載置し光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、光電変換素子の一部分とリードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、第２の開口部はリードフレームにおいて基板を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたものであるので、コスト的に有利であり、しかも受光部上には樹脂材料が存在しないので、青紫レーザなどによる曇りの発生を抑止でき、しかも放熱効果を向上させることができる
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す表面斜視図
【図２】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す裏面斜視図
【図３】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す横断面図
【図４】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す分解斜視図
【図５】本発明の一実施の形態における樹脂封止型光電変換集積装置を示す裏面斜視図
【図６】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す表面斜視図
【図７】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す裏面斜視図
【図８】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す断面図
【図９】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す表面斜視図
【図１０】従来の樹脂封止型光電変換集積装置の一例を示す断面図
【符号の説明】
２０ 封止樹脂モールド
２１ 光電変換素子
２２ 受光部
２４ リードフレーム
２６，２７ 開口部
Claims (4)
- 受光部を有した光電変換素子と、前記光電変換素子を載置し前記光電変換素子と電気的に接続されたリードフレームと、前記光電変換素子の一部分と前記リードフレームの一部分とを封止する封止樹脂モールドとを備えた樹脂封止型光電変換集積装置であって、封止樹脂モールドに第１の開口部と第２の開口部を設け、前記第１の開口部は少なくとも光電変換素子の受光部が外部に露出するように設けられ、前記第２の開口部は前記リードフレームにおいて前記光電変換素子を載置した側とは反対側となる部分が少なくとも露出するように設けられたことを特徴とする樹脂封止型光電変換集積装置。
- 第１及び第２の開口部は封止樹脂モールド表面側よりも光電変換素子側の断面が小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置。
- 第１の開口部を塞ぐ透明部材を設けたことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置。
- 第１の開口部を一時的に塞ぐ部材を設け、装置などに組み込む際に前記部材を取り除くことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型光電変換集積装置。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2005026260A true JP2005026260A (ja) | 2005-01-27 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2005026260A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007037221A1 (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 機能素子パッケージ及びその製造方法 |
| JP2008053546A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Tdk Corp | 受光素子 |
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003186824A patent/JP2005026260A/ja active Pending
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| JP2008053546A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Tdk Corp | 受光素子 |
| US7826332B2 (en) | 2006-08-25 | 2010-11-02 | Tdk Corporation | Light-receiving element, optical head using the same, and optical recording/reproducing apparatus using the same |
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