JP2005019533A - 光半導体素子，及び光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子の温度が変化した場合にも温度制御機構を用いずに，安定した変調特性を得ることができ，低コスト化に対応した光半導体素子，及び光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上に形成された下側クラッド層１５０と，下側クラッド層１５０上の一側に形成された光吸収層１４５と，光吸収層１４５上に形成された上側クラッド層１５５とを含むことにより構成される電解吸収型光変調器と；下側クラッド層１５０と下側クラッド層上の他側に形成された光活性層１４０と，光活性層１４０上に形成された上側クラッド層１５５と，光吸収層１４５と光活性層１４０との境界位置に上側クラッド層上面側から光活性層１４０と略垂直に形成されて光活性層１４０を導波する光を反射する溝１８０と，を含むことにより構成されるファブリーペロー型半導体レーザと；をモノリシックに集積する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，光通信及び光情報処理システム等の光源として用いられる，電界吸収型半導体光変調器と半導体レーザとを集積した素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年，光通信システムの大容量化に伴い，実装コストの低減や光損失の低減，或いは実装面積の低減を目的として，電気信号を光信号に変換する，半導体レーザと電界吸収型半導体光変調器（ＥＡＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）をモノリシックに集積化した素子が盛んに開発されている。
【０００３】
例えば非特許文献１に開示されているようなものがある。一般的に発光素子には分布帰還形（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ）半導体レーザが用いられ，その先端に光を変調するためのＥＡ変調器がモノリシックに集積された構造になっている。
【０００４】
図４に従来の光半導体素子４００の模式図を示す。１つの基板４１０上にＤＦＢレーザ４２０とＥＡ変調器４３０とが形成されている。ＤＦＢレーザ（ＬＤ）４２０は，基板４１０上に下側クラッド層４５０，その上に光活性層４４０，上側クラッド層４５５，電極とのコンタクトを取るオーミックコンタクト層（図示せず），上側電極４７２が順次形成されて構成されており，ＥＡ変調器４３０においては基板４１０上に下側クラッド層４５０，光吸収層４４５，上側クラッド４５５層，電極とのコンタクトを取るオーミックコンタクト層，上側電極４７３が順次形成されて構成されている。
【０００５】
また，基板４１０の裏面には，ＤＦＢレーザ４２０及びＥＡ変調器４３０に共通の下側電極４７０が形成されている。さらにＥＡ変調器４３０の出力側の端面には，出力光の端面での不要な反射を防止するため，ＡＲコート膜４６０が形成されている。
【０００６】
また，他に本発明に関係する従来技術として，波長偏移のないパルス光源について記載された特許文献１，変調信号を高精度に制御して波長偏移を低減した光送信機について記載された特許文献２，簡略化された波長変換装置ついて記載された特許文献３がある。
【０００７】
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１３，Ｎｏ．９，ｐｐ．９５４“ＥＡＭ−ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ＤＦＢｌａｓｅｒ ｍｏｄｕｌｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｒｅ ｔｈａｎ ４０−ＧＨｚｂａｎｄｗｉｄｔｈ”
【特許文献１】
特開平８−１３９４１５号公報
【特許文献２】
特開２００２−６３５５号公報
【特許文献３】
特開２００２−１５２１３９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが，ＤＦＢレーザとＥＡ変調器とを集積したＥＡ変調器集積型ＤＦＢレーザにおいては，ＤＦＢレーザの発振波長の温度依存性は１Å／℃程度であるが，ＥＡ変調器の最適動作波長の温度依存性は４Å／℃程度であり，ＤＦＢレーザとＥＡ変調器との温度依存性が異なる。そのため素子の温度が変わった場合，ＥＡ変調器の変調特性が大きく変わってしまうという問題があった。
【０００９】
また，上記問題点により，ＥＡ変調器集積型ＤＦＢレーザにおいては，素子の温度が常に一定になるようにペルチェ素子などを用いて温度をコントロールした状態で使用することが求められた。このように温度制御を要することから，最近の低コストに対応した温度制御フリーの光モジュールには，使用することができなかった。
【００１０】
本発明は，従来の光半導体素子に関する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，素子の温度が変化した場合にも変調特性が変わってしまうことがなく，温度制御が不要で，低コスト化に対応した，新規かつ改良された光半導体素子，及び光半導体素子の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明によれば，半導体基板上に，電解吸収型光変調器（ＥＡ変調器）とファブリーペロー型半導体レーザ（ＦＰレーザ）とがモノリシックに集積され，ＦＰレーザから発振されるレーザ光をＥＡ変調器が受光し，ＥＡ変調器に印加された電気信号を光信号に変調することの可能な光半導体素子が提供される。
【００１２】
上記光半導体素子において，ＥＡ変調器は，基板上に形成された下側クラッド層と，下側クラッド層上の一側に形成された光吸収層と，光吸収層上に形成された上側クラッド層とを含むことにより構成され，ＦＰレーザは，下側クラッド層と，下側クラッド層上の他側に形成された光活性層と，光活性層上に形成された上側クラッド層と，光吸収層と光活性層との境界位置に，上側クラッド層上面側から，光活性層と略垂直に形成された，光活性層を導波する光を反射する溝とを含むことにより構成される。また，さらに上側クラッド層上には光変調器上側電極と半導体レーザ上側電極とが，基板裏面には共通の下側電極が形成されている。
【００１３】
従来ＥＡ変調器と集積されていたＤＦＢレーザは，発振波長の温度依存性がＥＡ変調器の最適動作波長の温度依存性と異なるため，素子の温度が変わった場合，ＥＡ変調器の変調特性が大きく変わってしまうという問題があったが，ＦＰレーザを用いることにより，素子の温度が変化しても，ＥＡ変調器の最適動作波長とＦＰレーザの発振波長がほぼ同様に変化するので，温度制御がなくともＥＡ変調器による変調特性を損なうことなく，広い温度範囲で用いることが可能となる。
【００１４】
ここで溝の深さ及び幅は，ＦＰレーザ発振を可能とする反射率（約２％以上）となる深さ及び幅である必要があり，溝の深さは，溝底面が光活性層の上方０．８μｍ程度以内の範囲に達していることが好ましい。また，溝の側面と素子端面は略平行となっており，ＥＡ変調器出力側の端面には光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることが望ましい。
【００１５】
ＦＰレーザの発振のためには，２つの反射鏡によって光を反射，往復させる共振器が必要であり，そのために素子端面を１つの反射鏡とし，もう１つの反射鏡を溝を形成することにより２つの反射鏡を得ている。従来のＤＦＢレーザは，この共振器が光活性層内部に設けられたグレーティングによって自動的に形成されるため，ミラー共振器構造を形成する必要がなかったが，こうして光活性層近傍に至る溝を形成して光の反射率が変わることにより素子端面との間に共振が起こり，ＦＰレーザの発振を起こすことができ，ＥＡ変調器との集積も可能となった。
【００１６】
また，ＥＡ変調器とＦＰレーザとの間に形成する溝を光活性層を貫通する深さにすることもできる。溝が光活性層を貫通する場合は，溝が光活性層に達していない場合に比べて反射率を大きくすることが可能となり，より低い閾値電流のＦＰレーザ発振を起こし，高い光出力特性を得ることができる。
【００１７】
上記の光半導体素子を得るために，本発明によれば，基板上に下側クラッド層を形成する工程と，下側クラッド層上の一側にＥＡ変調器の光吸収層，他側にＦＰレーザの光活性層を形成する工程と，光吸収層及び光活性層上に上側クラッド層を形成する工程と，光吸収層と光活性層との境界位置に，上側クラッド層上面側から，光活性層と略垂直に溝を形成する工程と，さらに上側クラッド層上には光変調器上側電極及び半導体レーザ上側電極を形成する工程と，基板裏面には共通の下側電極を形成する工程と，を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法が提供される。
【００１８】
さらに，溝及び素子端面が反射鏡として機能するために，チップ化の際には，素子両端面が平行で平坦な平面となるように，例えばへき開により切断されることが望ましい。
【００１９】
ここで，光活性層及び光吸収層は，従来のバルク構造で形成してもよいが，多重量子井戸構造で形成することにより，より高効率で高性能の素子を得ることができる。
【００２０】
また，溝の深さ及び幅は，溝側面での光の反射率が約２％以上となるように形成することが望ましい。溝は，へき開によっても形成できるが，ドライエッチングにより形成することが望ましく，所望の深さまで，光活性層に対して垂直なエッチング面を形成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる光半導体素子，及び光半導体素子の製造方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態について，図１（ａ）にＥＡ変調器とＦＰレーザが集積された光半導体素子１００の概略平面図，図１（ｂ）に概略断面図を示す。１つの基板１１０上にＦＰレーザ部１２０とＥＡ変調器部１３０とが形成されている。ＦＰレーザ部１２０とＥＡ変調器部１３０との間に形成された溝１８０により，ＦＰレーザ部１２０のレーザ動作を可能とし，ＥＡ変調器部１３０との集積を可能としている。
【００２３】
ＦＰレーザ部１２０の構造は，基板１１０上に下側クラッド層１５０，その上に光活性層１４０，上側クラッド層１５５，電極とのコンタクトを取るオーミックコンタクト層（図示せず），半導体レーザ上側電極１７２が順次形成されたものである。ＥＡ変調器１３０の構造は，基板１１０上に下側クラッド層１５０，光吸収層１４５，上側クラッド層１５５，電極とのコンタクトを取るオーミックコンタクト層，光変調器上側電極１７３が順次形成されている。また，光活性層１４０と光吸収層１４５との境界上部に溝１８０が形成されている。ここで光活性層１４０及び光吸収層１４５は，各々レーザストライプ部１２５及びＥＡ変調器ストライプ部１３５を有するストライプ構造に形成する。
【００２４】
また，基板１１０の裏面には，ＦＰレーザ部１２０とＥＡ変調器部１３０とに共通の下側電極１７０が形成されている。さらに，ＥＡ変調器１３０の出力側の端面には，出力光の端面での不要な反射を防止するための反射防止膜であるＡＲコート膜１６０が形成されている。
【００２５】
ＦＰレーザは，ファブリーペロー共振器を用いる半導体レーザであり，２つの反射鏡（ミラー）によって光を反射させ，往復させることで，レーザ発振を起こすものである。従来，ＥＡ変調器と集積されていたＤＦＢレーザは，この共振器が光活性層内部に設けられたグレーティングによって自動的に形成されるため，ミラー共振器構造を形成する必要がなく，そのためＥＡ変調器との集積光源として用いられていた。
【００２６】
ところが，ＤＦＢレーザは，温度変化に伴いグレーティングでの光の屈折率が変わることにより発振波長が変化（温度依存性１Å／℃）するのに対し，ＥＡ変調器は，温度変化によるバンドギャップの変動に対して最適動作波長が変化（温度依存性４Å／℃）するため，素子の温度が変わった場合，ＤＦＢレーザとＥＡ変調器との温度変化が合わず，ＥＡ変調器の変調特性が大きく変わってしまうという問題があった。そのため，素子の温度が常に一定になるようにペルチェ素子などを用いて温度をコントロールする必要があり，低コスト化に対応することができなかった。
【００２７】
一方ＦＰレーザは，ＥＡ変調器と同様に温度変化によるバンドギャップの変動に対して最適動作波長が変化（温度依存性４Å／℃）するため，本実施の形態で，ＦＰレーザをＥＡ変調器と集積可能としたことで，ＥＡ変調器の変調特性の温度依存性を改善することができる。さらに，素子の温度をコントロールの必要がなくなるため，低コストの素子を提供することが可能となる。
【００２８】
ここで，ＦＰレーザの動作を可能とする溝の深さは，本実施の形態の場合，光活性層にまで達していない。レーザ光は光活性層外の両クラッド層側に染み出しており，溝がこの染み出し部分に至っていれば，反射が起こるためである。ただし所望の反射率に達していなければレーザ動作は起こらない。
【００２９】
図３に，溝底面の活性層からの距離Ｘに対する，反射率を表すシミュレーション結果の一例を示す。レーザ動作が起こる反射率として約５％を得るためには，Ｘとして０．８μｍ以下である必要があり，つまり溝底面は光活性層の上方０．８μｍ程度以内に達していればよい。
【００３０】
また，溝部分では光軸方向に半導体／空気／半導体という３層構造になるため，屈折率の異なる箇所では反射が起こり，溝の両側面の干渉によって結果として反射率が変わる。空気層の厚み，つまり溝の幅によって反射率が大きく左右されるので，溝の深さと同様に所望の反射率を得られる溝の幅に形成する必要がある。光の波長をλとすると，反射率は，λ／４の奇数倍になった時に極大値０．６７となる。溝形成する時は，所望のレーザ動作が得られる反射率になるように，この溝の深さと幅を設計する必要がある。
【００３１】
上記集積素子の構造を得るための製造方法は，例えば，インジウムリン（ＩｎＰ）基板上に下側クラッド層としてｎ型ＩｎＰ，光活性層や光吸収層としてバルク構造，または多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造のノンドープのインジウムガリウムヒ素リン（ＩｎＧａＡｓＰ），上側クラッド層としてｐ型ＩｎＰ，を有機金属気相薄膜成長法（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）などにより形成する。
【００３２】
光活性層や光吸収層は，多重量子井戸構造とすることにより，ＥＡ変調器及びＦＰレーザをより高性能にすることができる。また，ＦＰレーザの光活性層とＥＡ変調器の光吸収層は，組成が異なり，光吸収層でのバンドギャップ波長を光活性層より短くして，レーザ光が不要に吸収されるのを防いでいる。
【００３３】
さらに高濃度のｐ型コンタクト層を形成後，フォトリソグラフィによって作製したシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）などのエッチングマスクを用いて，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により光活性層近傍に至るまでの溝を形成する。この溝は，対をなす反射鏡となる素子端面と略平行な平面からなる必要がある。そのため，溝及び素子端面は光活性層に対して略垂直に形成する。また本素子をチップ化する際には素子端面が溝側面と同様に反射鏡として機能するために，へき開により，素子両端面が平行で平坦な平面となるように切断する。
【００３４】
溝のエッチングについては，例えば，ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系材料やＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系材料をエッチングする場合は，反応ガスとして塩素（Ｃｌ_２）とアルゴン（Ａｒ）の混合ガスを用いてＲＩＥを行う。例えば，基板温度３５０℃，ＲＦパワー７０Ｗ，Ｃｌ_２ガス流量０．１ｓｃｃｍ，Ａｒガス流量７０ｓｃｃｍ，のようなエッチング条件でエッチングを行い，ほぼ垂直で平坦なエッチング側面を形成することができる。
【００３５】
溝が素子端面と平行でない場合，或いはエッチング側面が垂直でない場合は，反射率が低下し，所望の値（約２％）より低い時は動作不能となる。溝の深さと幅は，溝での反射率が２％以上になれば十分であり，上側クラッド層中で光活性層に達しなくてもよいので，容易に溝を形成することができる。その後，ＦＰレーザとＥＡ変調器とのそれぞれの上側電極を形成し，基板裏面には，ＦＰレーザとＥＡ変調器と共通の下側電極を形成する。素子出力部端面には，出力光の素子内への反射を防止した，ＡＲコート膜を形成する。
【００３６】
以上説明したように，本実施の形態によれば，レーザとＥＡ変調器との間に光反射を誘起する溝が形成され，この溝とレーザの反対側端面との間で，ＦＰレーザが発振動作をすることを可能としたので，ＥＡ変調器の動作波長温度依存性がほぼ同じＦＰレーザとＥＡ変調器を集積することができた。これにより，素子の温度が変化しても，ＥＡ変調器の最適動作波長とＦＰレーザの発振波長がほぼ同様に変化するので，ＥＡ変調器による変調特性を損なうことなく，広い温度範囲で，温度制御を用いずに変調することが可能となる。
【００３７】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態について，図２にＥＡ変調器とＦＰレーザが集積された光半導体素子２００の概略断面図を示す。１つの基板２１０上にＦＰレーザ部２２０とＥＡ変調器部２３０とが形成されている。ＦＰレーザ部２２０とＥＡ変調器部２３０との間には，第１の実施の形態と同様に，溝２８０が設けられる。
【００３８】
ＦＰレーザ部２２０の構造は，基板２１０上に下側クラッド層２５０，その上に光活性層２４０，上側クラッド層２５５，電極とのコンタクトを取るオーミックコンタクト層（図示せず），半導体レーザ上側電極２７２が順次形成されたもので，ＥＡ変調器部２３０の構造は，基板２１０上に下側クラッド層，光吸収層２４５，上側クラッド層２５５，電極とのコンタクトを取るオーミックコンタクト層，光変調器上側電極２７３が順次形成されている。
【００３９】
第１の実施の形態では，溝の深さは，光活性層の近傍で，光活性層にまでは至っていないが，本実施の形態では，図２に示すように，光活性層を貫通する構造としている。先にも記したように，光は光活性層の両クラッド層側に染み出しているので，溝が光活性層を貫通していれば，溝における反射率は，第１の実施の形態に比し，より大きくすることができる。反射率を大きくすることにより，ＦＰレーザ発振の閾値電流を下げることができ，より高い光出力特性を持つＦＰレーザを得ることができる。
【００４０】
溝幅についても，第１の実施の形態同様に反射率に関わるので，溝深さと合わせて，所望のレーザ動作が得られる反射率になるように，この溝の幅を変える必要がある。上記構造を得るための製造方法は，第１の実施の形態と同様であり，詳細な説明は省略する。溝形成については，反射率を左右するので，素子端面と略平行に，エッチング側面が垂直になるような条件にて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により形成する。
【００４１】
以上のように本実施の形態によれば，ＦＰレーザとＥＡ変調器との間に光活性層を貫通する溝を設けることにより，溝における反射率をさらに大きくすることが可能となり，ＦＰレーザの閾値電流を下げることができると同時に，素子の温度が変化しても，ＥＡ変調器の最適動作波長とＦＰレーザの発振波長がほぼ同様に変化するので，温度制御無しにＥＡ変調器による変調特性を損なうことなく，広い温度範囲で用いることが可能となる。
【００４２】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる光半導体素子，及び光半導体素子の製造方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば，ＥＡ変調器と光源となるレーザとを集積した光半導体素子において，光源として従来のＤＦＢレーザを用いるのではなく，ＥＡ変調器との間に溝を形成して反射面を設けることによりＦＰレーザを用いることが可能となった。そのため，ＥＡ変調器とＦＰレーザとの動作温度依存性がほぼ同じになり，素子の温度制御を行わなくても，安定した変調特性を得ることができ，低コスト化にも対応できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかる光半導体素子であるＥＡ変調器集積型ＦＰレーザの概略図であり，（ａ）は平面図であり，（ｂ）は断面図である。
【図２】第２の実施の形態にかかる光半導体素子であるＥＡ変調器集積型ＦＰレーザの概略断面図である。
【図３】第１の実施の形態にかかる光半導体素子のＦＰレーザにおいて，溝の活性層からの距離Ｘに対する溝面での反射率を表したシミュレーション結果である。
【図４】従来技術による光半導体素子であるＥＡ変調器集積型ＤＦＢレーザの概略断面図である。
【符号の説明】
１００ 光半導体素子
１１０ 基板
１２０ ＦＰレーザ部
１３０ ＥＡ変調器部
１４０ 光活性層
１４５ 光吸収層
１５０ 下側クラッド層
１５５ 上側クラッド層
１６０ ＡＲコート膜
１７０ 下側電極
１７２ 上側電極
１７３ 上側電極
１８０ 溝

Claims (14)

1. 光半導体素子であって，
   電解吸収型光変調器とファブリーペロー型半導体レーザとがモノリシックに集積されており，
   前記電解吸収型光変調器は，
   基板と，
   前記基板上に形成された下側クラッド層と，
   前記下側クラッド層上の一側に形成された光吸収層と，
   前記光吸収層上に形成された上側クラッド層と，
   前記上側クラッド層上に形成された光変調器上側電極と，
   前記基板裏面に形成された下側電極と，
   を含み，
   前記ファブリーペロー型半導体レーザは，
   前記基板と，
   前記下側クラッド層と，
   前記下側クラッド層上の他側に形成された光活性層と，
   前記光活性層上に形成された前記上側クラッド層と，
   前記光吸収層と前記光活性層との境界位置に，前記上側クラッド層上面側から，前記光活性層と略垂直に形成された，前記光活性層を導波する光を反射する溝と，
   前記上側クラッド層上に形成された半導体レーザ上側電極と，
   前記基板裏面に形成された前記電解吸収型光変調器と共通の前記下側電極と，
   を含むことを特徴とする光半導体素子。
2. 前記溝は，前記溝側面での光の反射率が約２％以上となるような深さ及び幅を有することを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子。
3. 前記溝側面と素子端面とは，略平行となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体素子。
4. 前記電解吸収型光変調器の出力端には，出力光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１，２または３のいずれかに記載の光半導体素子。
5. 前記溝は，前記溝底面が光活性層の上方約０．８μｍ以内の範囲に達していることを特徴とする請求項１，２，３または４のいずれかに記載の光半導体素子。
6. 前記溝は，前記光活性層及び前記光吸収層を貫通して前記下側クラッド層に達していることを特徴とする請求項１，２，３または４のいずれかに記載の光半導体素子。
7. 基板上に下側クラッド層を形成する工程と，
   前記下側クラッド層上の一側に電解吸収型光変調器の光吸収層，他側にファブリーペロー型半導体レーザの光活性層を形成する工程と，
   前記光吸収層及び前記光活性層上に上側クラッド層を形成する工程と，
   前記光吸収層と前記光活性層との境界位置に，前記上側クラッド層上面側から，前記光活性層と略垂直に溝を形成する工程と，
   前記上側クラッド層上に前記電解吸収型光変調器の光変調器上側電極及び前記ファブリーペロー型半導体レーザの半導体レーザ上側電極を形成する工程と，
   前記基板裏面に，前記電解吸収型光変調器及び前記ファブリーペロー型半導体レーザに共通の下側電極を形成する工程と，
   を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
8. チップ化の際には，素子両端面が平行な平面となるように切断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の光半導体素子の製造方法。
9. 前記光吸収層は，多重量子井戸構造により形成することを特徴とする請求項７または８に記載の光半導体素子の製造方法。
10. 前記光活性層は，多重量子井戸構造により形成することを特徴とする請求項７，８または９のいずれかに記載の光半導体素子の製造方法。
11. 前記溝は，前記溝側面での光の反射率が約２％以上となるような深さ及び幅に形成することを特徴とする請求項７，８，９または１０のいずれかに記載の光半導体素子の製造方法。
12. 前記溝は，ドライエッチングにより形成することを特徴とする請求項７，８，９，１０または１１のいずれかに記載の光半導体素子の製造方法。
13. 前記溝は，前記溝底面が光活性層の上方約０．８μｍ以内の範囲に達するように形成することを特徴とする請求項７，８，９，１０，１１または１２のいずれかに記載の光半導体素子の製造方法。
14. 前記溝は，前記光活性層及び前記光吸収層を貫通して形成することを特徴とする請求項７，８，９，１０，１１または１２のいずれかに記載の光半導体素子の製造方法。

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