JP2010153451A - 半導体レーザ,およびこれを備えたラマン増幅器 - Google Patents
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Abstract
【構成】半導体レーザ1は,半導体基板11の上方に,量子ドット層14を含む発振器部1Aおよび量子井戸層15を含む増幅器部1Bが,光軸方向に連なって反射端面から出射端面にかけて形成されている。発振器部1Aにおいて生成されたレーザ光が増幅器部1Bにおいて増幅された後,出射される。
【選択図】図1
Description
図1は第1実施形態の半導体レーザをその出射端面側から見た斜視図により示している。図2は図1のII−II線に沿う断面図を示している。図2において,分かりやすくするために,ハッチングの図示が省略されている。また,図1および図2において,図示の便宜上,各半導体層の厚さが強調して描かれている。
図3は第2実施形態の半導体レーザ2を,図2に相当する断面図によって示している。次に説明するように,第1実施形態の半導体レーザ1(図1,図2)とは発振器部2Aの構成が異なっている。半導体レーザ1と同じ構成部分には同一符号を付し,重複説明を避ける。
図5は,上述した半導体レーザ1または2を励起光用光源として用いたラマン増幅器のブロック図を示している。
1A,2A 発振器部
1B,2B 増幅器部
14 量子ドット層
15 量子井戸層
21,22 上面電極
23 下面電極
30 反射用溝
35 回折格子
40 ラマン増幅器
42 増幅用光ファイバ
Claims (8)
- 半導体基板の上方に,第1の活性層を含む発振器部と,前記第1の活性層と連続して形成された第2の活性層を含む増幅器部とが光軸方向に並んで形成され,
前記第1の活性層が量子ドット構造を有しており,
前記発振器部において生成されたレーザ光を前記増幅器部において増幅させ,増幅されたレーザ光を出射端面から出射させる,
半導体レーザ。 - 前記第1の活性層と前記第2の活性層の境界位置に,反射端面との間で光反射を繰返すための反射用溝が,前記第1の活性層および前記第2の活性層の近傍に至る深さを持って形成されている,
請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記発振器部は,前記第1の活性層の上方または下方に形成された回折格子を有している,
請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記第2の活性層が量子井戸構造または量子ドット構造を有している,
請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記第1の活性層および前記第2の活性層のそれぞれに独立に電流を注入するための電極を備えている,請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の活性層の幅が,前記出射端面に向かうにしたがって広がっている,
請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記第2の活性層を導波する光の光軸線と前記出射端面とが,直角でない角度で交差している,請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体レーザ,および
前記半導体レーザからのレーザ光が励起光として入射し,誘導ラマン増幅を生じさせる光ファイバ,
を備えたラマン増幅器。
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2008
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