JP2005019484A - 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の強磁性膜が非磁性中間層を介して積層された磁気抵抗効果素子において、電気伝導性の改善された高分極率を有する強磁性合金・化合物層を強磁性膜と積層して配置し、かつ非磁性中間層との界面に中間強磁性層を配置した構成とすることにより、スピン依存伝導の増幅、結晶性の改善、拡散防止の効果を得、これによって磁気抵抗効果が高まる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
文献1(特開平9−16920号公報)には積層逆平行ピン止め層と反強磁性交換バイアス層を用いたスピンバルブ磁気抵抗センサの記載がある。
【0003】
文献2(特開平7−169026号公報)には反強磁性的結合膜を用いたスピンバルブセンサの記載がある。
【0004】
文献3(特開2000−156530号公報)には磁化が実質的に固定された第二の磁性層に酸化物などの第三の層を含んだ磁気抵抗効果素子の記述がある。
【0005】
また、文献4(日本応用磁気学会第23回学術講演概要集6aA−5)に極薄酸化層を含んだ磁化固着層を有するスピンバルブ膜の記載がある。
【0006】
文献5(Digests of Intermag 2000、 FA−08)には薄い酸化物も用いた巨大磁気抵抗効果(GMR)膜の記載がある。
【0007】
文献6(Digests of Intermag 2000、 FA−07)には酸化物の保護膜を自由層に積層したGMR膜の記載がある。
【0008】
文献7(Digests of Intermag 2000、 BQ−12)には酸化物の保護膜を自由層に積層したGMR膜の記載がある。
【0009】
文献8(Digests of Intermag 2000、 FA−09)には磁性酸化層を用いたスピンバルブ膜の記載がある。
【0010】
文献9(Digests of Intermag 1999、 DB−01)には酸化層を挿入した固定層を用いたスピンバルブ膜の記載がある。
【0011】
文献10(特開2000−340859号公報)には磁性層にスピン分極率の高い酸化物を用い、膜面に垂直に電流を流す磁気抵抗効果型ヘッドの記載がある。
【0012】
文献11(特開2000−150985号公報)には高分極率膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子の記載がある。
【0013】
文献12(特開平11−135857号公報)にはトンネルバリア層側に高分極率膜を用いた磁気抵抗効果素子の記載がある。
【0014】
文献13(特開平11−289115号公報)には非磁性層を介して強磁性体と半導体あるいはハーフメタルを接続したスピン偏極素子の記載がある。
【0015】
文献14(アプライド フィジックス レターズ誌第73巻1008〜1010項(Appl. Phys. Lett., 73, 1008 (1998)))にはハーフメタルとしてLaSrMnO3を用いた強磁性トンネル結合に関する記載がある。
【0016】
文献15(アプライド フィジックス レターズ誌第74巻4017〜4019項(Appl. Phys. Lett., 74, 4017 (1999)))には鉄酸化物とCoを用いた強磁性トンネル磁気抵抗効果の記載がある。
【0017】
文献16(特開平11−97766号公報)にはハーフメタル酸化物層を用いた強磁性トンネル接合素子の記載がある。
【0018】
文献17(特表平8−504303号公報)にはFe3O4などの半金属材料を用いた磁気抵抗デバイスの記載がある。
【0019】
文献18(特開平6−267742号公報)にはハーフメタルから成る磁性層を用いた磁気抵抗効果素子の記載がある。
【0020】
文献19(特開2000−348935号公報)には酸化物薄層を含んだスピンバルブセンサの記載がある。
【0021】
文献20(米国特許US6,407,890B1)にはFe3O4などの鉄酸化物を積層したデュアルスピンバルブ膜の記載がある。
【0022】
近年、強磁性金属層を非磁性金属層を介して積層した多層膜の磁気抵抗効果、いわゆる巨大磁気抵抗が大きいことが知られている。この場合、磁気抵抗効果は、非磁性層で隔てられた強磁性層の、磁化と磁化のなす角度によって電気抵抗が変化する。
【0023】
この巨大磁気抵抗効果を磁気抵抗効果素子として用いる場合には、スピンバルブとよばれる構造が提唱されている。即ち、反強磁性膜/強磁性金属層/非磁性金属層/軟磁性金属層の構造を有し、反強磁性膜/強磁性金属層界面に発生する交換結合磁界によって反強磁性膜と密着した強磁性金属層の磁化を実質的に固定し、他方の軟磁性金属層が外部磁界によって磁化回転することで出力を得ることができる。
【0024】
上記固定の効果を固定バイアス、この効果を生じる反強磁性膜を固定バイアス膜とよぶことにする。また、上記磁化が実質的に固定される強磁性金属層を固定層、もしくは強磁性固定層と呼ぶことにする。同様に外部磁場によって磁化回転する軟磁性金属膜を自由層もしくは軟磁性自由層と呼ぶことにする。固定層は、感知すべき磁界に対して、実質的に磁化が固定されていることがその機能であり、反強磁性膜の代わりに硬磁性膜、すなわち比較的大きな磁界が加わらない限り磁化が変化しない材料で代換することもできる。
【0025】
さらに近年着目されている技術として、積層膜の膜厚方向に感知電流を印加して外部磁界による電気抵抗の変化を再生出力として得るセンサおよび磁気ヘッドが提唱されている。有力な技術として、トンネル磁気抵抗および垂直電流(Curent Perpendicular Plane、CPP)磁気抵抗がある。
【0026】
両者とも磁気抵抗を生じる部分の構成は、一般にすでに述べた巨大磁気抵抗効果によるスピンバルブとほぼ同様である。
【0027】
トンネル磁気抵抗の場合は、スピンバルブ膜の非磁性導電層の代わりに絶縁障壁層が配置されてなる。絶縁障壁層は一般に金属アルミを薄膜形成し、これを酸化してアルミナを形成してなる。垂直電流巨大磁気抵抗の場合は、面内電流の巨大磁気抵抗と同様の物理効果を用いるものであるので、スピンバルブ膜と同じく非磁性導電層はCuなどの金属層で形成してなる。これらのような、感知電流を膜厚方向に通電して出力を得るセンサでは、磁気的な材料や磁化機構が従来の膜面方向に通電するセンサと同様な部分がある一方で、逆に違った物理機構と、構造が重要になっているのである。
【0028】
【文献1】
特開平9−16920号公報
【文献2】
特開平7−169026号公報
【文献3】
特開2000−156530号公報
【文献4】
日本応用磁気学会第23回学術講演概要集6aA−5
【文献5】
Digests of Intermag 2000、 FA−08
【文献6】
Digests of Intermag 2000、 FA−07
【文献7】
Digests of Intermag 2000、 BQ−12
【文献8】
Digests of Intermag 2000、 FA−09
【文献9】
Digests of Intermag 1999、 DB−01
【文献10】
特開2000−340859号公報
【文献11】
特開2000−150985号公報
【文献12】
特開平11−135857号公報
【文献13】
特開平11−289115号公報
【文献14】
アプライド フィジックス レターズ誌第73巻1008〜1010項(Appl. Phys. Lett., 73, 1008 (1998))
【文献15】
アプライド フィジックス レターズ誌第74巻4017〜4019項(Appl. Phys. Lett., 74, 4017 (1999))
【文献16】
特開平11−97766号公報
【文献17】
特表平8−504303号公報
【文献18】
特開平6−267742号公報
【文献19】
特開2000−348935号公報
【文献20】
米国特許US6,407,890B1
【0029】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、記録密度の充分に高い磁気記録装置、特にその再生部に外部磁界に対して十分な感度と出力で作用する磁気抵抗効果素子を実現し、さらに十分に対称性の良い良好な特性を得ることが出来ず、記憶装置としての機能を実現することが困難であった。
【0030】
上記のような膜厚方向に通電して出力を得るセンサにおいても、スピンバルブ型磁気抵抗効果積層膜を用いることができ、やはり強磁性層//非磁性層/軟磁性層の部分がその磁気抵抗効果の大きさを決定する部分である。軟磁性金属層も強磁性金属層の一種であるから、強磁性金属層/非磁性金属層の界面が上記効果の本質をになうことになる。公知の技術で強磁性金属層に酸化物を挿入したり、強磁性金属層の一部を酸化したりすることで抵抗変化率を向上できることが知られている。
【0031】
また、一方で高分極率材料の適用によって磁気抵抗効果を増大せしめることも提唱されているが、実際に強磁性金属層などの金属薄膜層と、高分極率を有する酸化物などの化合物層とを積層して磁気抵抗効果素子を実現することはきわめて困難であった。
【0032】
これはすなわち、高分極率材料はもっぱら酸化物や複雑な結晶構造を有する金属間化合物などの化合物からなるために、金属層と積層すると、結晶学的に異質な積層構造となって電子の非弾性散乱を増大させると共に、結晶学的な欠陥構造およびに結晶成長の阻害を発生させ、良好な磁気抵抗効果を得ることが極めて困難であるからである。
【0033】
例えばハーフメタルの一種類であると言われているホイスラー合金も、高分極率材料として提唱されているが、例えばL21構造と呼ばれる複雑な規則構造でないと強磁性などの特性を有さないため、通常の成膜工程で作製するとアモルファスや微結晶、もしくは異なる結晶構造が形成される問題がある。
【0034】
さらに、金属層と積層すると、金属層と反応し、あるいは化合物成分が金属層へ拡散して非化学量論組成となって、特性を悪化させるためである。さらに、通常の成膜工程で作製するとアモルファスや微結晶、もしくは異なる結晶構造が形成される問題がある。例えばハーフメタル材料として知られるマグネタイトFe3O4の場合、マグネタイトのターゲットを用いて室温にてスパッタリング法により作製した薄膜は、バルクのマグネタイトの磁化の物性である0.6テスラの1/3から半分程度しか示さない。
【0035】
良好な結晶性のマグネタイト薄膜を得るには基板温度を500℃程度にあげる必要があるが、そのような高い基板温度での形成は、他の金属層の連続形成を困難にし、また極薄い金属層の平坦な形成を妨げるだけでなく、高分極率層(強磁性体材料における分極率が通常の材料より大きい材料を含有する層)と他の金属層、例えばCoFe層との反応をきわめて促進し、やはり良好な高分極率層の形成を妨げてしまうことから高分極率層と金属層を積層した磁気抵抗効果膜の積層は困難であった。
【0036】
別の例としては、日本応用磁気学会第25回学術講演集および日本応用磁気学会誌においてCo2MnGeホイスラー合金薄膜の形成が述べられているが、熱処理温度400℃でホイスラー合金の規則化が認められている。
【0037】
良好な結晶性のホイスラー薄膜を得るには熱処理温度を400℃程度にあげる必要があるとすると、そのような高い板温度での熱処理は、他の金属層との極薄い積層構成の形成を困難にし、また極薄い金属層との平坦な界面形成を妨げるだけでなく、高分極率層と他の金属層、例えばCoFe層との反応をきわめて促進し、やはり良好な高分極率層の形成を妨げてしまうことから高分極率層と金属層を積層した磁気抵抗効果膜の積層は困難であった。
【0038】
さらに、酸化物のような化合物の高分極率材料を用いたい場合、電気抵抗上の問題があった。すなわち、化合物である高分極率材料の層を巨大磁気抵抗効果積層膜中に形成すると、化合物の電気抵抗の高い特性によって、積層方向に電流を流すことを困難にするからである。仮に大きな電圧を印加するなどの方法で積層方向に電流を流すことを可能にしたとしても、電気抵抗の高い化合物層を流れる電子は非弾性散乱によってそのスピン情報を失ってしまい、磁気抵抗効果を発揮することが著しく損なわれるからである。
【0039】
本発明は、このような問題に鑑みて提案されたものであり、高分極率材料を適用しつつ、抵抗変化率の高いCPP型の磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【0040】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するために、本発明に係る磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドは、一対の強磁性層を非磁性中間層を介して積層し、一方の強磁性層は外部の磁界に応じて磁化が回転する自由層であり、他方の強磁性層は実質的にその磁化の方向が固定されている固定層であり、外部の磁界に応じて上記強磁性層の互いの磁化の方向の相対角度が変わって磁気抵抗効果を生じる積層体と、上記積層体の膜厚方向に感知電流を通電する一対の電極と、少なくとも一方の前記強磁性層と前記非磁性中間層との間に形成される高分極率層と、前記高分極率層と前記非磁性中間層との間に形成される中間強磁性金属層とを有し、前記高分極率層は、強磁性金属であるCo、Ni、Feの合金に比べてフェルミ順位でのスピンの状態密度の差異の比率が大きい高分極率材料を含有することを主な特徴とする。また、高分極率層は、導電性が高いことを特徴とする。
【0041】
以上のように構成された膜厚方向電流通電型の磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果が高く、再生出力が向上し、高い記録密度においても良好な再生出力を得られる。
【0042】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドについて詳細に説明する。
【0043】
本発明を適用した磁気抵抗効果素子では、電気伝導性の改善された高分極率を有する強磁性合金・化合物層を強磁性膜と積層して配置し、かつ非磁性中間層との界面に中間強磁性層を配置することを特徴とする。
【0044】
本発明では膜厚方向に通電して出力を得る、高記録密度に対応した磁気抵抗効果、特に巨大磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子を磁気ヘッドに搭載した磁気記録装置を提供するために、上記磁気抵抗効果素子として用いるスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果積層膜、すなわち、軟磁性自由層/非磁性中間層/強磁性固定層/反強磁性膜の積層構造を有する磁気抵抗効果素子を用いる。
【0045】
ここで反強磁性膜は強磁性固定層の磁化を実質的に固定するための交換結合バイアスを印可するものであって、直接強磁性固定層に密着して形成するか、あるいは間接的に磁気的結合を経て効果をもたらしてもよい。あるいは反強磁性膜の代わりに他のバイアス印可手段、例えば、硬磁性膜の残留磁化を用いたり、電流バイアスを用いてもよい。
【0046】
本発明では課題を解決して高記録密度に対応した磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置を得るために、磁気抵抗効果素子を形成する少なくとも2層の強磁性層の強磁性固定層を強磁性金属層と高分極率層の積層膜とし、かつ、上記強磁性金属層を非磁性中間層との界面に配置する。以後、この非磁性中間層と高分極率層の間に配置した強磁性金属層を中間強磁性金属層と称する。
【0047】
同様に、軟磁性自由層を中間強磁性金属層と高分極率層の積層膜とし、かつ、上記中間強磁性金属層を非磁性中間層との界面に配置してもよい。さらに強磁性固定層と軟磁性自由層の双方を中間強磁性金属層と高分極率層の積層膜としてもよい。
【0048】
軟磁気特性や磁歪の適正化の観点から、強磁性固定層に用いるのが容易である一方で、軟磁性自由層に上記構成を適用すると出力増大効果をさらに高めることができるので、用途と要求に応じて構成を選択することができる。
【0049】
高分極率層は、ハーフメタルなどの強磁性化合物もしくは強磁性化合物と金属の混合体であって、具体的には特にマグネタイトとこれの組成的なバリエーションであるフェライトとFeなどの強磁性金属を混合した強磁性金属・酸化物混合層か、あるいはホイスラー合金で形成するとよい。これはすなわち、ホイスラー合金は高い分極率を持つハーフメタルであることが報告されている材料であるとともに、合金であるため、ある程度良好な導電性を有しているため、膜厚方向に電流を流す素子に特に有効であるからである。
【0050】
また、同様に、酸化物であるマグネタイトも高分極率材料として知られているが、このような電気抵抗が金属に比べて何桁も高い化合物を含む層を膜厚方向に電流が通る場合に電子のスピン情報が失われないようにするために、高分極化合物材料と強磁性金属を混合した高分極率層を用いる。特に、マグネタイトはFeの酸化物であるので、強磁性金属であるFeと混合体とした高分極率層として用いることで化学的に安定で、作製が容易、さらに強磁性体としても安定に得ることができる。
【0051】
高分極率層に含まれる強磁性化合物としては、具体的には、主にマグネタイトまたは酸素の欠損を有するマグネタイトと0〜60at%のFeとの混合体であることが好ましい。
【0052】
また、高分極率層に含まれる強磁性化合物としては、具体的には、主にMFe2O4−x(M=Fe、Co、Ni、Mn、Cr、Zn、xは0から1)の組成からなる強磁性酸化物か、あるいは上記強磁性酸化物とFe、Co、Niなどからなる強磁性金属との混合物であることが好ましい。
【0053】
Fe+Fe3O4層は、スパッタリングなどの手段で室温もしくは200℃以下の基板温度で他の金属層と連続積層して形成し、その後熱処理を行ってFe+Fe3O4層中にFeとFe3O4またはFe3O4− xを析出させて形成することができる。ここでFe+Fe3O4層と述べているのは、Feあるいは酸素原子を固溶したFeと、強磁性鉄酸化物であるマグネタイトまたはFe3O4−x(xは0から1)であるマグネタイトFe3O4の化学量論組成よりも酸素が欠乏した強磁性鉄酸化物、との混合物である。
【0054】
成膜時にはFe+Fe3O4層はアモルファス、あるいは微結晶状態でもっぱらFe中に酸素が固溶したような結晶構造をとっていても、200℃から400℃程度の適切な熱処理を行うことでFe+Fe3O4二元系の平衡状態に近い組成、すなわちFe−Fe3O4二相に近づく方向に結晶の析出現象を生じて磁気抵抗を変化率を発生せしめるための高分極率を有する相を層中に形成することができる。このような作製手段と構成によって結晶性の良好な高分極率層、特にマグネタイト含有層を形成し、かつ、強磁性固定層と軟磁性自由層の間の強磁性的な結合磁界、いわゆる層間結合磁界を低減することができる。
【0055】
または高分極率層として用いる場合にマグネタイトは、組成のFeを一部Ni,Co,Mn,Cr,Mnなどで置き換えたいわゆるフェライト組成を主成分としても良い。同様に混合する強磁性金属はFeに置き換えてCo、Niを加えることも可能であろう。
【0056】
同様にホイスラー合金層はスパッタリングなどの手段で室温もしくは200℃以下の基板温度で他の金属層と連続積層して形成し、その後熱処理を行ってホイスラー合金の規則構造相を析出させて形成する。ここでホイスラー合金層とは、X2ZY(X=Co,Cu,Pt、Z=Mn,Cr,Fe、Y=Ge,Al,Si)型のホイスラー合金、すなわち、L21構造もしくはB12構造をとる合金の層である。多少の化学量論組成からのずれがあっても強磁性を保つことができる。特にCo2MnGe合金は作製が容易であって望ましい。
【0057】
強磁性固定層は、非磁性中間層/中間強磁性金属層/高分極率層/強磁性金属層/反平行結合層/強磁性金属層/反強磁性層のような構成として、いわゆる積層フェリ構造とし、互いの磁化状態が反平行にむいた状態を実現して高い抵抗変化率と、高い交換結合磁界、および適切な波形対称性を有する磁気ヘッドを実現することができる。ここでは積層構造を明確にするために非磁性中間層を加えた構成で記述してある。同様に反平行結合層としてはRuなどの貴金属が有用である。また、軟磁性自由層としては非磁性中間層/高分極率層/Co合金層/NiFe合金層などとして、高い抵抗変化率と軟磁気特性を実現することができる。
【0058】
また、高分極層の厚さは1ナノメートル以上とすることで抵抗変化率を向上することができ、また5ナノメートル以下とすると軟磁気特性を良好とし、さらに層間結合磁界を低減する効果がある。特に1ナノメートルから3ナノメートルの厚さとすると高い抵抗変化率と層間結合磁界の低減を両立できるので望ましい。
【0059】
同様に中間強磁性金属層の厚さは0.2ナノメートル以上で、3ナノメートル以下とするととすることで抵抗変化率や抵抗変化量を向上することができる。中間強磁性金属層の電子散乱の寄与を、最大限に生かすため、上記厚さが望ましい。
【0060】
これはすなわち、非磁性中間層を介して2層の強磁性層、特に軟磁性自由層と強磁性固定層の磁化方向に依存したスピン依存散乱もしくはスピン伝導をを大きくすることで磁気抵抗効果を大きくできるわけであるが、高分極率層と、特に中間強磁性金属層の厚さを適切にすることで強分極率層からのスピンの寄与と、中間強磁性金属層からのスピンの寄与を多重に、重畳して得ることができるのである。特に1ナノメートルから2ナノメートルの厚さとすると高い抵抗変化率を得ることができ、また層間結合磁界の低減できるので望ましい。
【0061】
また、中間強磁性金属層は、Co合金、Fe合金、Ni合金あるいはCo、Fe、Niを主成分とする金属を含有することが好ましい。
【0062】
巨大磁気抵抗効果を用いる場合、非磁性中間層としてはCuが望ましいが、あるいはAu、Ag、Al、Pt、Pd、Pt、Os、Re、Ru、Rhなどの導電性金属を適宜用いるか、合金化しても良い。また、トンネル磁気抵抗効果を用いる場合、非磁性中間層としてはAl2O3、Al−Nなどの絶縁もしくは非導電性のトンネル障壁層が用いられ、あるいは他の酸化物や共有結合性化合物を用いてもよい。
【0063】
積層構成からなる磁気抵抗効果素子には電流を印加して出力を感知する少なくとも一対の電極を配置する。上記電流は、上記電流は積層構成の層構造に垂直に電流を流して、高分極率層の分極した電子が界面を透過して磁気抵抗を生じるようにして磁気抵抗効果を感知する。
【0064】
本発明を磁気ヘッドに適用する場合には、磁気抵抗効果素子は軟磁性自由層を単磁区化してノイズの発生を防止するための単磁区化構成を有するとよい。例えば磁気抵抗効果素子の膜面方向でかつ感知すべき磁界の方向に垂直な両端部に残留磁化を有する硬磁性膜などを配置する。あるいは磁気抵抗効果素子の膜厚方向に隣接して配置した残留磁化を有する硬磁性膜などを配置して、磁気抵抗効果素子の積層構成と硬磁性膜を同一形状の端部を有するようにして端部の静磁気結合により単磁区化を実現しても良い。
【0065】
本発明ではこのような材料、構成、を用いた磁気抵抗効果型磁気抵抗効果素子と、これを再生部とした磁気記録再生装置において、高記録密度、すなわち記録媒体上に記録される記録波長が短く、また、記録トラックの幅が狭い記録を実現して、十分な再生出力を得、記録を良好に保つことができる。
【0066】
本発明の巨大磁気抵抗積層膜を構成する薄膜は、高周波マグネトロンスパッタリング装置により以下のように作製した。
【0067】
アルゴン1から6ミリトールの雰囲気中にて、厚さ1ミリのセラミックス基板に以下の材料を順次積層して作製した。スパッタリングターゲットとしてタンタル、ニッケル−20at%鉄合金、銅、コバルト、MnPt、ルテニウム、Fe3O4(マグネタイト)の各ターゲットを用いた。Coターゲット上には、FeおよびNiの1センチ角のチップを適宜配置して組成を調整した。同様にマグネタイトターゲット上にはFeなどの1センチ角のチップを適宜配置して組成を調整した。
【0068】
以下、Fe+Fe3O4層の設定組成はマグネタイトFe3O4にFeを加えた量でも表記し、例えばFe3O4層においてFe30 at%の表記はFe3O4 70 at%−Fe 30 at%を意味し、これはFe−53.8at%Oと同組成を意味する。
【0069】
積層膜は、各ターゲットを配置したカソードに各々高周波電力を印加して装置内にプラズマを発生させておき、各カソードごとに配置されたシャッターを一つずつ開閉して順次各層を形成した。膜形成時には永久磁石を用いて基板に平行におよそ80エルステッドの磁界を印加して、一軸異方性をもたせた。形成した膜を、真空中、磁場中で270℃、3時間の熱処理を行って反強磁性膜を相変態させるとともにFe+Fe3O4層中に高分極率化合物相を析出させ、室温での磁気抵抗を測定して評価した。基体上の素子の形成はフォトレジスト工程によってパターニングした。その後、基体はスライダー加工し、磁気記録装置に搭載した。
【0070】
なお、本発明において、高分極率材料、高分極率層、と称する高分極、とは、強磁性体材料における分極率が通常の材料より大きいことを意味する。分極率とは、その強磁性材料の電子のエネルギー状態を記述した場合のフェルミレベルにおける電子の状態密度において、メジャーのスピンの状態密度をn1、これと逆方向のマイナーのスピンの状態密度をn2としたときに分極率Pはn1/(n1+n2)で表される。
【0071】
通常の材料であるCoFe合金などは、分極率が0.3程度であるので、本発明の高分極率層、あるいは高分極率材料はこれを上回る分極率0.4以上1以下の材料である。さらに、ハーフメタルは、上記分極率がほぼ1である材料および物性のことであり、したがって、本発明の高分極率層、高分極率材料として望ましい。
【0072】
以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【0073】
図1は本発明の磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成例である。図は磁気媒体に対向する対向面から眺めた模式図になっている。紙面で左右方向が磁気ヘッドにおけるトラック幅方向、紙面奥行きが素子高さ方向である。
【0074】
基体50上に下部磁気シールド35、下部導電ギャップ膜71を形成し、その上に、磁気抵抗効果積層膜101および磁区制御膜45が形成されてなり、さらに上部導電ギャップ膜74、上部磁気シールド36を形成して、再生信号を検出する再生ギャップ43を形成してなる。
【0075】
絶縁膜75が所定のサイズにパターニングした磁気抵抗効果積層膜101のトラック幅および素子高さ方向の周囲を多い、感知電流は図示されていない電極から下部磁気シールド35、下部導電ギャップ71、磁気抵抗効果積層膜101、磁区制御膜45、上部導電ギャップ74、および図示されていない電極を通じて通電する。あるいは逆経路でも同様である。
【0076】
感知電流は磁気抵抗効果積層膜101の膜厚方向に通電し、電気抵抗の変化の検出を行う。磁気抵抗効果積層膜101は、図1の例である基本構成として、下地膜14上に反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13を積層してなる。磁気抵抗効果積層膜101の詳細な構成例は、例えば図2から図4などで後述するが、磁区制御膜45を積層配置する積層面側に軟磁性自由層13が配置された構成が望ましい。したがって磁区制御膜45は図1では磁気抵抗効果積層膜101の上部磁気シールド側にあるが、下部磁気シールド側にあっても支障はなく、磁気抵抗効果積層膜101の図示されていない軟磁性自由層が磁区制御膜45の側にあるように配置されていればよい。
【0077】
磁区制御膜45は、硬磁性膜あるいは反強磁性膜と交換結合して残留磁化を有する磁性膜などから形成して磁気抵抗効果積層膜101にわずかに乖離して積層配置し、磁気抵抗効果積層膜101に単磁区化のためのバイアス効果を及ぼす機能を有する。図1の構成例では、磁区制御膜45は非磁性分離層411を介して軟磁性自由層13に隣接して積層した単磁区化強磁性層412、および単磁区化強磁性層412に交換結合バイアスを印加してその磁化を実質的に素子高さ方向に固定する反強磁性膜413からなる。
【0078】
図中、反強磁性膜11をトラック幅方向に、磁気抵抗効果積層膜101のほかの部分と別のサイズに構成した例を示してあるが、このように感知電流が反強磁性膜11を部分的に迂回して流れたりする構成としてもよく、あるいは反強磁性膜11を磁気抵抗効果積層膜101の他の部分と同じ幅で構成してもよい。再生磁気ギャップ43は磁気抵抗効果積層膜101の軟磁性自由層13をおよそギャップの中央部に保持し、磁気的信号の再生磁気ギャップ43に漏入する部分の高分解能な再生を可能にすることが望ましい。
【0079】
図2は本発明の磁気抵抗効果素子に用いる磁気抵抗効果積層膜の構成例である。図中の表記、例えば、「NiFe3」は、積層構成の例としての構成材料と、その厚さをナノメートルで示したものである。磁気抵抗効果積層膜101は、図2では以下の構成例のような構造を有する。図示されていない基体上に、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13を連続して形成してなる。上記積層構成は、巨大磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果として、強磁性固定層15の磁化の方向と、軟磁性自由層13の磁化の方向の互いのなす角度に応じて電気抵抗が変化する。下地膜14はここではNiFeCr膜の例を示したが、他の構成、例えばTa/NiFe膜などの積層構成の構成であってもよい。また省略した構成としても本発明の主旨に反するものではない。下地膜14は、磁気抵抗効果積層膜101の、下地膜14上の部分の結晶性を向上させ、平坦性を良好にし、また、結晶配向性を高める効果がある。
【0080】
本発明の図1の構成例でもっとも重要な主旨は、強磁性固定層15の構成中に高分極率層を含む点にある。図2では強磁性固定層15を第一の強磁性膜/反平行結合層154/第二の強磁性膜152/高分極率層16/中間強磁性固定層171の構成としている。これは、非磁性中間層12に接する中間強磁性固定層171の界面でスピン依存散乱もしくはスピン依存伝導を発生させるとともに、強磁性固定層171/高分極率層16界面によってもスピン依存散乱もしくはスピン依存伝導を発生させることによって高い抵抗変化率を得る構成である。中間強磁性固定層171は、比較的薄いCo合金、例えばCo90Fe10合金やCo80Fe8Ni12合金などから形成して高分極率層16および非磁性中間層12との間にスピン依存現象を引き起こすことができるよう材料を選択する。
【0081】
同時に、中間強磁性固定層171は、高分極率層16と非磁性中間層12との間の拡散、化学的な混合を抑制し、作製容易で耐熱性、安定性の高い極薄膜積層構成を実現して所定の特性を発現せしめる。上記積層体は強磁性固定層15として磁気的に結合するよう形成してなり、所定の方向をむいた磁化状態を取って磁気的に一体として扱える。反平行結合層154から形成し、さらに反平行結合層154は第一の強磁性膜151と第二の強磁性膜152が反平行の方向の磁化を持つように結合せしめて成り、結果として第一の強磁性膜151の磁化と、第二の強磁性膜152、高分極率層16および中間強磁性金属固定層171の磁化とが反平行に配置される。
【0082】
上記構成は強磁性固定層15のパターニングした端部から出る静磁界の量を調整し、磁気ヘッドとして再生波形対称性を良好にする効果がある。したがって上記強磁性固定層の反平行結合層を含む構成は磁気ヘッドへの適用に効果的であって、他の構成および用途に用いる場合は反平行結合層を含まない構成であっても本発明の主旨に反するものではない。
【0083】
高分極率層16はフェルミ面近傍での状態密度がスピンの方向に寄って大きく異なる高分極率材料で構成し、特に図2ではホイスラー合金の例を示した。ホイスラー合金層はL21構造またはB2構造をもつ強磁性ホイスラー合金、例えばCo2MnGe、Co2MnAl、Co2MnSi、Co2Fe0.6Cr0.4Alなどから構成するとよい。
【0084】
さらにホイスラー合金層はその厚さを5ナノメートル以下、特に1ナノメートルから3ナノメートルとすると磁気特性に優れ、非磁性中間層12を介して軟磁性自由層13と強磁性固定層15の間の層間結合を低減し、高い抵抗変化率を示す。ホイスラー合金はその結晶格子の1ユニット以上、すなわち0.5ナノメートル以上の厚さにするとよい。ホイスラー合金のかわりに、同様にハーフメタルであって、高いスピン分極率を有するマグネタイトFe3O4やCrO2を用いても有効であり図4にはその構成例を示してある。
【0085】
軟磁性自由層13は非磁性中間層12に接する側の第一の軟磁性膜131と、接しない側の第二の軟磁性膜132とからなり、さらに図2では界面散乱層134を加えた構成例を示した。界面散乱層134は極薄く作製して第一の軟磁性膜131および第二の軟磁性膜132を一体の磁性膜として機能させると共に、界面散乱層134と第一及び第二の軟磁性膜との界面で電子の散乱を生じせしめ、磁気抵抗効果を増大せしめる機能を有する。界面散乱層134を有しない図3、図4のような構成としても本発明の主旨に反するものではない。
【0086】
同様に、図3は本発明の磁気抵抗効果素子に用いる磁気抵抗効果積層膜の構成例である。基本構成および原理は図1と同様である。図示されていない基体上に、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13を連続して形成してなる。上記積層構成は、巨大磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果として、強磁性固定層15の磁化の方向と、軟磁性自由層13の磁化の方向の互いのなす角度に応じて電気抵抗が変化する。強磁性固定層15の構成は図2と同様に、第一の強磁性膜/反平行結合層154/第二の強磁性膜152/高分極率層16/中間強磁性固定層171の構成としており、図2の構成と同様の効果を得る。
【0087】
軟磁性自由層13は、図2の例と同様に機能する非磁性中間層12に接する側の第一の軟磁性膜131と、接しない側の第二の軟磁性膜132、第一および第二の軟磁性自由層の間に位置する界面散乱層134に加えて、さらに図3では界面散乱層135およびスクリーニング層51を積層した構成例を示した。
【0088】
界面散乱層135は、界面散乱層134と同様に、極薄く作製して第一の軟磁性膜131および第二の軟磁性膜132を一体の磁性膜として機能させると共に、界面散乱層134と第一及び第二の軟磁性膜との界面で電子の散乱を生じせしめ、磁気抵抗効果を増大せしめる機能を有する。界面散乱層135を有しない構成としても本発明の主旨に反するものではない。
【0089】
スクリーニング層51は一対の電極を経由して磁気抵抗効果膜を電流が膜厚方向に通電する通電経路中に、通電経路を横断する構造で配置される層状の構造体であって、(1)上記層状構造体の面内で、絶縁体もしくは非導電体からなる層中に穴状の導電部もしくは局所的な導電領域が存在する層状構造体であって、(2)上記構造により、膜厚方向、すなわち面に垂直に流れる電流の経路を、スクリーニング層内部の導電部分に限定して絞込む効果があり、磁気抵抗効果膜と近接して積層することによって、この絞込み効果を磁気抵抗効果膜の電気抵抗の実質的増幅として機能させる構造体、である。
【0090】
スクリーニング層はCoFeの酸化層や、アルミの酸化層などを用いることができる。図3の構成例ではスクリーニング層51は軟磁性自由層13の積層構成内に配置され、磁気抵抗効果積層膜101の膜厚方向の電気抵抗を実質的に増加せしめる効果を有する。スクリーニング層51の配置位置は磁気抵抗効果積層膜101の軟磁性自由層13内以外にも、強磁性固定層15内や軟磁性自由層13の外側、すなわち非磁性導電層12と接しない側などに配置してもよく、別の構成例を図4に示す。
【0091】
図4は本発明の磁気抵抗効果素子に用いる磁気抵抗効果積層膜の構成例である。基本構成および原理は図1、2と同様である。図示されていない基体上に、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13を連続して形成してなる。上記積層構成は、巨大磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果として、強磁性固定層15の磁化の方向と、軟磁性自由層13の磁化の方向の互いのなす角度に応じて電気抵抗が変化する。強磁性固定層15の構成は図2、3と同様に、第一の強磁性膜/反平行結合層154/第二の強磁性膜152/高分極率層16/中間強磁性固定層171の構成としており、図2、3の構成と同様の効果を得る。図4では高分極率層16としてFeを添加したマグネタイトFe3O4からなる強磁性層を用いている。
【0092】
軟磁性自由層13は、図4の構成例では非磁性中間層12に接する側からの中間軟磁性金属自由層/高分極率層16/第一の軟磁性膜131/反平行結合層136/第二の軟磁性膜132/第三の軟磁性膜133を積層してなり、さらに、スクリーニング層51を軟磁性自由層13上に積層してなる。スクリーニング層51はCoFeの酸化層や、アルミの酸化層などからなり、膜厚方向に磁気抵抗効果積層膜101を通電する電流の導電領域を絞り込み、磁気抵抗効果積層膜101の膜厚方向の電気抵抗を実質的に増加せしめる効果を有する。
【0093】
図5はCoMnGeホイスラー合金と中間軟磁性金属自由層を用いたCPP−GMR素子の出力波形を示した図である。CoMnGeホイスラー合金薄膜は100〜200μΩcm程度の電気抵抗率を示し、十分に金属的な伝導性を有している。磁区制御層などを省略した素子であるためヒステリシスが大きいが、出力関係を把握することができる。
【0094】
図5において、実線の曲線は、強磁性固定層および軟磁性自由層としてCoFe膜を用いたCPP−スピンバルブ素子の出力特性である。同様に、△はCoMnGeホイスラー合金を自由層に用い、中間軟磁性金属自由層を用いていないCPP−スピンバルブ素子、○はCoMnGeホイスラー合金および中間軟磁性金属自由層を軟磁性自由層に用いたCPP−スピンバルブ素子の出力である。出力はΔRAで示されるが、CoFeのみを用いたCPP−スピンバルブ素子では、ΔRAはおよそ0.9mΩμm2、CoMnGeホイスラー合金のみを用いたCPP−スピンバルブ素子では0.8mΩμm2であり、ホイスラー合金のみを用いた場合でも出力は得られている反面、出力の増大は得られていない。それに対してCoMnGeホイスラー合金および中間軟磁性金属自由層を軟磁性自由層に用いたCPP−スピンバルブ素子ではΔRA〜1.5mΩμm2であり、出力が1.5倍程度に増大していることがわかる。
【0095】
図6にCoMnGeホイスラー合金と中間強磁性層を用いたCPP−GMR素子の膜構成を示す。CoMnGeホイスラー合金を、強磁性固定層、軟磁性自由層、および双方に組み込んだ構成について、さらに中間強磁性層であるCoFe層を非磁性中間層Cuとの界面に厚さを変えて挿入した素子を作製して出力等の特性を検討した。
【0096】
結果を図7に示す。図7はCoMnGeホイスラー合金と中間強磁性層を固定層、自由層に用いたCPP−スピンバルブ素子の特性を示した図である。実験的なばらつきはあるが、素子の面積抵抗は中間強磁性層であるCoFe層の厚さにあまりよらずにほぼ0.12Ωμm2程度であり、これはCoFeのみを用いた場合よりやや大きい程度である。
【0097】
これはホイスラー合金が100〜200Ωcmの金属的な電気抵抗率を有するため、膜厚方向の電流に対して深刻な電気抵抗の増大を生じないからである。出力である面積抵抗変化ΔRAはホイスラー合金の構成位置によって特性が異なるが、中間強磁性層CoFeの厚さがゼロの付近では著しく低いのに対して、中間強磁性層CoFeの厚さを増していくと増大し、0.2から2ナノメートル、あるいはそれ以上の中間強磁性層の挿入が出力を増大させていることがわかる。
【0098】
この結果はMR比で示した図でも認められ、ホイスラー合金の構成位置が固定層、自由層、および双方のいずれの場合においても中間強磁性層による出力増大効果が認められることがわかる。図には示していないが、中間強磁性層の厚さを5ナノメートル程度までは効果が認められるようである。
【0099】
図15は高分極率層と中間強磁性層を用いた場合の磁気抵抗のエンハンス機構のモデルを示した図である。巨大磁気抵抗効果は強磁性層内と強磁性層/非磁性中間層界面のスピンの情報が他方の強磁性層側に伝播して生じる。CoFe、NiFe等の強磁性層を用いた場合、非磁性中間層のCuと良好な結晶整合性を有するため、図15の左図のように、スピン情報を持った電子は容易に非磁性中間層を通過して他方の強磁性層のスピンと相互作用し、磁気抵抗効果を発生する。CoMnGeホイスラー合金のような高分極率層を用いた場合、強磁性体である高分極率層のスピン情報が、他方の強磁性体(図15では同じく高分極率層のCoMnGeホイスラー合金)に伝播すれば磁気抵抗効果を発生するわけだが、高分極率層と非磁性中間層の界面にスピン情報を持った電子の通過を阻害する要因があるため、観測される磁気抵抗効果は低減されてしまう。
【0100】
この阻害要因とは、高分極率層と非磁性中間層との間に形成された反応層や、結晶構造・結晶格子が異なることに起因する格子欠陥で、図15右図のように電子の比弾性散乱を生じて電子のスピン情報を喪失させてしまう。本発明の中間強磁性層は、図15下図のように、上記阻害要因の発生を防止して電子のスピン情報の喪失を防ぐと共に、中間強磁性層からのスピン情報と、高分極率層からのスピン情報の双方を磁気抵抗効果として発現可能とし、磁気抵抗効果を増大せしめるのである。
【0101】
図8はFeを添加したマグネタイトFe3O4層と中間軟磁性金属層を用いたCPP−GMR素子の出力波形を示した図である。磁区制御層などを省略した素子であるためヒステリシスが大きいが、出力関係を把握することができる。図8において、実線の曲線は、強磁性固定層および軟磁性自由層としてCoFe膜を用いたCPP−スピンバルブ素子の出力特性である。
【0102】
同様に、△はFeを添加したマグネタイトFe3O4層を強磁性固定層および軟磁性自由層に用い、中間軟磁性金属自由層を用いていないCPP−スピンバルブ素子、○はFeを添加したマグネタイトFe3O4層および中間軟磁性金属自由層を軟磁性自由層および強磁性固定層に用いたCPP−スピンバルブ素子の出力である。出力はΔRAで示されるが、CoFeのみを用いたCPP−スピンバルブ素子では、ΔRAはおよそ0.9mΩμm2であるが、Feを添加したマグネタイトFe3O4層のみを用いたCPP−スピンバルブ素子では0.2mΩμm2であり、出力は高分極率層であるFeを添加したマグネタイトFe3O4層を用いたことでむしろ低下している。
【0103】
これはマグネタイトとCu層との間に反応層が形成されたり、マグネタイト層から酸素原子が拡散して構造を破壊したり、あるいは単純に強磁性固定層と軟磁性自由層との間に強い層間結合が発生して磁気抵抗の減少を招いたと考えられる。これに対して、Feを添加したマグネタイトFe3O4層および中間軟磁性金属自由層を強磁性固定層および軟磁性自由層に用いたCPP−スピンバルブ素子ではΔRA〜2mΩμm2であり、出力がCoFeのみの場合の2倍、中間強磁性金属層を用いなかった場合の10倍程度に増大していることがわかる。このように高分極率材料にマグネタイトなどの酸化物を含有した層を用いた場合にも中間強磁性層を用いることで特性を大きく改善できるのである。
【0104】
図9にFeを添加したマグネタイトFe3O4層と中間強磁性層を用いたCPP−GMR素子の膜構成を示す。Feを添加したマグネタイトFe3O4層を、強磁性固定層と軟磁性自由層、および軟磁性自由層のみに組み込んだ構成について、さらに中間強磁性層であるCoFe層を非磁性中間層Cuとの界面に厚さを変えて挿入した素子を作製して出力等の特性を検討した。
【0105】
結果を図10に示す。図10はFeを添加したマグネタイトFe3O4層と中間強磁性層を強磁性固定層と軟磁性自由層、および軟磁性自由層のみに用いたCPP−スピンバルブ素子の特性を示した図である。Feの添加量はおよそ30at%である。素子の面積抵抗は中間強磁性層であるCoFe層の厚さで多少変化し、ほぼ0.1〜0.15Ωμm2程度であり、これはCoFeのみを用いた場合よりやや大きい程度である。
【0106】
出力である面積抵抗変化ΔRAはFeを添加したマグネタイトFe3O4層の構成位置によって特性が異なるが、中間強磁性層CoFeの厚さがゼロの付近では著しく低いのに対して、中間強磁性層CoFeの厚さを増していくと増大し、0.5から2ナノメートル、あるいはそれ以上の中間強磁性層の挿入が出力を増大してΔRAで1〜2.5mΩμm2を示していることがわかる。
【0107】
この結果はMR比で示した図でも認められ、Feを添加したマグネタイトFe3O4層の構成位置が固定層と自由層、および自由層のみのいずれの場合においてもMR比が1%以上に増大し、Feを添加したマグネタイトFe3O4層と中間強磁性層の組み合わせによる出力増大効果が認められることがわかる。図には示していないが、中間強磁性層の厚さを5ナノメートル程度までは効果が認められるようである。
【0108】
図11はFeを添加したマグネタイトFe3O4層の組成と膜厚によるCPP−スピンバルブ素子の特性を示した図である。ここではFe+Fe3O4層の組成を、Fe3O4に対するFeの添加量の形で示した。Fe+Fe3O4層は固定層および自由層に用い、中間強磁性層はCoFeで厚さ1ナノメートルとした。Fe+Fe3O4層を厚くすると素子の面積抵抗RAは増大していくが、増大の程度はFe+Fe3O4層の組成がFeリッチになるほど小さい。
【0109】
具体的にはFe添加量が15at%では面積抵抗RAの増大は、Fe+Fe3O4層が30000μΩcm程度の電気抵抗率をもつ程度であるが、Fe添加量が30at%ではFe+Fe3O4層が3000μΩcm、Fe添加量が50at%ではFe+Fe3O4層が1000μΩcm程度の電気抵抗率をもっていると考えられる挙動を示している。これはマグネタイトFe3O4の電気抵抗が一般の金属より数桁大きく、膜厚方向に電気を流す素子の電気抵抗を著しく増大させるのに対し、Feを添加したFe+Fe3O4層はFeの混合によって電気抵抗がマグネタイト単体より下げることができ、素子の抵抗を極端に上げてしまうことがないからである。
【0110】
次に出力について述べると、面積抵抗変化ΔRAはFe+Fe3O4層を厚くしていくと増大していく。これはFe+Fe3O4層が厚くなるほどFe+Fe3O4層の伝導の寄与が素子内で支配的になるためと考えられる。しかしながら、面積抵抗の増大の方が面積抵抗変化の増大より大きいため、抵抗変化率MRは、Fe+Fe3O4層の厚さに対して単調に増加はしていない。抵抗変化率MRはFe+Fe3O4層の組成によって最適な厚さが異なるが、Fe+Fe3O4の厚さが0.5から3ナノメートル程度の範囲で最大になっていることがわかる。
【0111】
図12はそれぞれのFe+Fe3O4層のFe添加量に対して、最大の抵抗変化率MRをMRmaxとして示した図である。MRmaxはFe+Fe3O4層のFe添加量に対して極大を持つように変化しており、Fe添加量が20〜60at%程度の範囲で最大になる結果となった。これはすなわち、マグネタイトにFeを添加して導電性を改善したFe+Fe3O4層を用いることで、電気抵抗の高いマグネタイト単層を用いるよりも大きな抵抗変化率を得ることができる結果である。
【0112】
これは、導電性の改善により、高分極率層をスピン情報を失わずに通過する電子が増えるためと考えられる。このように本発明では導電性を改善した化合物の高分極率層を用いることで、ホイスラー合金による導電性の高い高分極率層を用いたときと同様に出力を増大したCPP−GMR素子および再生ヘッドを得ることができるのである。
【0113】
図13は本発明の磁気抵抗効果素子を搭載した磁気ヘッドの概念図である。スライダーを兼ねる基体50上に磁気抵抗効果積層膜101、磁区制御膜45、導電ギャップ40、下部磁気シールド35、上部磁気シールド36、下部磁気コア84、コイル42、上部コア83を形成してなり、対向面63を形成してなる。本図では上部磁気シールドと下部磁気コアを備えた構造になっているが、上部磁気シールドと下部磁気コアとを兼用した構造としても本発明の主旨を損なうものではない。また、本図では一般的な面内記録形式の記録ヘッドを例示してあるが、垂直磁気記録方式の記録ヘッドと組み合わせても本発明の主旨に反するものではない。
【0114】
図14は本発明の磁気記録再生装置の構成例である。磁気的に情報を記録する記録媒体91を保持するディスク95をスピンドルモーター93にて回転させ、アクチュエーター92によってヘッドスライダー90をディスク95のトラック上に誘導する。即ち磁気ディスク装置においてはヘッドスライダー90上に形成した再生ヘッド、及び記録ヘッドがこの機構に依ってディスク95上の所定の記録位置に近接して相対運動し、信号を順次書き込み、及び読み取るのである。アクチュエーター92はロータリーアクチュエーターであることが望ましい。
【0115】
記録信号は信号処理系94を通じて記録ヘッドにて媒体上に記録し、再生ヘッドの出力を、信号処理系94を経て信号として得る。さらに再生ヘッドを所望の記録トラック上へ移動せしめるに際して、本再生ヘッドからの高感度な出力を用いてトラック上の位置を検出し、アクチュエーターを制御して、ヘッドスライダーの位置決めを行うことができる。
【0116】
本図ではヘッドスライダー90、ディスク95を各1個示したが、これらは複数であっても構わない。またディスク95は両面に記録媒体91を有して情報を記録してもよい。情報の記録がディスク両面の場合ヘッドスライダー90はディスクの両面に配置する。
【0117】
上述したような構成について、本発明の磁気ヘッドおよびこれを搭載した磁気記録再生装置を試験した結果、充分な出力と、良好なバイアス特性を示し、また動作の信頼性も良好であった。
【0118】
【発明の効果】
本発明によれば、良好な特性と出力の高い磁気抵抗効果素子と、これを用いた磁気ヘッドが得られる。特に高い記録密度において良好な再生出力とバイアス特性を有する磁気ヘッドおよび高密度磁気記録再生装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成例である。
【図2】本発明の磁気抵抗効果素子に用いる磁気抵抗効果積層膜の構成例である。
【図3】本発明の磁気抵抗効果素子に用いる磁気抵抗効果積層膜の構成例である。
【図4】本発明の磁気抵抗効果素子に用いる磁気抵抗効果積層膜の構成例である。
【図5】CoMnGeホイスラー合金と中間軟磁性金属自由層を用いたCPP−GMR素子の出力波形を示した図である。
【図6】CoMnGeホイスラー合金と中間強磁性層を用いたCPP−GMR素子の膜構成を示す。
【図7】CoMnGeホイスラー合金と中間強磁性層を固定層、自由層に用いたCPP−スピンバルブ素子の特性を示した図である。
【図8】Feを添加したマグネタイトFe3O4層と中間軟磁性金属層を用いたCPP−GMR素子の出力波形を示した図である。
【図9】Feを添加したマグネタイトFe3O4層と中間強磁性層を用いたCPP−GMR素子の膜構成を示す。
【図10】Feを添加したマグネタイトFe3O4層と中間強磁性層を強磁性固定層と軟磁性自由層、および軟磁性自由層のみに用いたCPP−スピンバルブ素子の特性図。
【図11】Feを添加したマグネタイトFe3O4層の組成と膜厚によるCPP−スピンバルブ素子の特性図。
【図12】それぞれのFe3O4層のFe添加量に対して、最大の抵抗変化率MRをMRmaxとして示した特性図。
【図13】本発明の磁気抵抗効果素子を搭載した磁気ヘッドの概念図である。
【図14】本発明の磁気記録再生装置の構成例である。
【符号の説明】
101...磁気抵抗効果積層膜、11...反強磁性膜、12...非磁性中間層、13…軟磁性自由層、131…第一の軟磁性膜、132...第二の軟磁性膜、133...第三の軟磁性膜、134、135...界面散乱層、136...反平行結合層、35...界面散乱層、14...下地膜、15... 強磁性固定層、151...第一の強磁性膜、152...第二の強磁性膜、154...反平行結合層、16...高分極率層、171...中間強磁性金属固定層、172...中間軟磁性金属自由層、30...保護膜、35...下部磁気シールド、36...上部シールド、37...保護膜兼導電膜、40...導電ギャップ、41...磁区制御膜、411...非磁性分離層、412...単磁区化強磁性層、413...反強磁性層、415...結合層、42...コイル、43...再生ギャップ、44...記録トラック、45...積層型磁区制御層、50...基体、51...スクリーニング層、63...対向面、71... 下部導電ギャップ膜、74...上部導電ギャップ膜、75...絶縁膜、83...上部磁気コア、84...下部磁気コア、90...ヘッドスライダー、91...記録媒体、92...アクチュエーター、93...スピンドル、94...信号処理系、95…磁気ディスク。
Claims (14)
- 一対の強磁性層を非磁性中間層を介して積層し、一方の強磁性層は外部の磁界に応じて磁化の方向が回転する自由層であり、他方の強磁性層は実質的にその磁化の方向が固定されている固定層であり、外部の磁界に応じて上記強磁性層の互いの磁化の方向の相対角度が変わって磁気抵抗効果を生じる積層体と、
上記積層体の膜厚方向に感知電流を通電する一対の電極と、
少なくとも一方の前記強磁性層と前記非磁性中間層との間に形成される高分極率層と、
前記高分極率層と前記非磁性中間層との間に形成される中間強磁性金属層とを有し、
前記高分極率層は、強磁性金属であるCo、Ni、Feの合金に比べてフェルミ順位でのスピンの状態密度の差異の比率が大きい高分極率材料を含有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記高分極率層は、導電性が高いことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記一対の電極の間の所定の位置に形成され、酸化物などの非導電層の面内に実質的な局所的導電部分を有して電流絞込み効果を発揮するスクリーニング層を備えることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間強磁性金属層及び高分極率層は、前記非磁性中間層と自由層との間に形成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間強磁性金属層及び高分極率層は、前記非磁性中間層と固定層との間に形成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間強磁性金属層及び高分極率層は、前記非磁性中間層と自由層との間及び前記非磁性中間層と固定層との間に形成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記中間強磁性金属層は、Co合金、Fe合金、Ni合金あるいはCo、Fe、Niを主成分とする金属を含有し、その厚さが0.2ナノメートルから3ナノメートルであることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記高分極率層に含まれる強磁性化合物は、マグネタイトまたは酸素の欠損を有するマグネタイトと0〜60at%のFeとの混合体であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記高分極率層に含まれる強磁性化合物は、X2MnY(X=Co,Cu,Pt、Y=Ge,Al,Si)型の組成を有するホイスラー合金、もしくはL21型もしくはZ2MnM(Z=Cu,Pt、Y=Ge,Al,Si)型の結晶構造を有するホイスラー合金であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記高分極率層に含まれる強磁性化合物は、MFe2O4−x(M=Fe、Co、Ni、Mn、Cr、Zn、xは0から1)の組成からなる強磁性酸化物、あるいは上記強磁性酸化物とFe、Co、Niなどからなる強磁性金属との混合物であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記高分極率層の厚さが、1ナノメートルから5ナノメートルであることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記積層体の膜厚方向に感知電流を通電する一対の電極と、磁気抵抗効果素子とを備える磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子は、一対の強磁性層を非磁性中間層を介して積層し、一方の強磁性層は外部の磁界に応じて磁化の方向が回転する自由層であり、他方の強磁性層は実質的にその磁化の方向が固定されている固定層であり、外部の磁界に応じて上記強磁性層の互いの磁化の方向の相対角度が変わって磁気抵抗効果を生じる積層体であり、更に、少なくとも一方の前記強磁性層と前記非磁性中間層との間に形成される高分極率層と、前記高分極率層と前記非磁性中間層との間に形成される中間強磁性金属層とを有し、前記高分極率層は、強磁性金属であるCo、Ni、Feの合金に比べてフェルミ順位でのスピンの状態密度の差異の比率が大きい高分極率材料を含有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記高分極率層は、導電性が高いことを特徴とする請求項12記載の磁気ヘッド。
- 前記一対の電極の間の所定の位置に形成され、酸化物などの非導電層の面内に実質的な局所的導電部分を有して電流絞込み効果を発揮するスクリーニング層を備えることを特徴とする請求項12記載の磁気ヘッド。
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