JP2005019442A

JP2005019442A - 半導体素子の検査方法および検査装置

Info

Publication number: JP2005019442A
Application number: JP2003178096A
Authority: JP
Inventors: Kenji Yamada; 健司山田; Tomoyuki Nakayama; 知之中山
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-06-23
Filing date: 2003-06-23
Publication date: 2005-01-20

Abstract

【課題】不良素子電極に絶縁被膜を形成する工程において、絶縁被膜となる樹脂塗布工程の安定化と塗布品質の信頼性向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハ１に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に電圧を印加して、複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する際に、不良素子による他の素子への影響がないように、不良素子の電極に絶縁被膜を形成する工程を含み、絶縁被膜を形成する樹脂塗布時に、ディスペンサ１３によりウエハ電極塗布面に樹脂を吐出する前にガラス板に塗布し、ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する。これにより、実際の製品ではなくガラス板を設けて塗布することで高精度に樹脂の吐出量を測定することが可能となる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ウエハの不良素子電極上に紫外線硬化性樹脂を用いて絶縁被膜を形成する樹脂塗布安定化技術における半導体素子の検査方法および検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
先ず、絶縁被膜形成を行う半導体素子電極回りの関係を図６から図８を用いて説明する。図６のウエハと半導体素子の配列説明図に示すようにウエハ１の半導体素子領域２内に複数の半導体素子を配置している。また、図７の半導体素子とスクライブレーンの関係を説明する図に示すようにウエハ状態で行う全ての検査終了後に半導体素子３を個片状態にするための切断代であるスクライブレーン４が半導体素子３の周辺に設けてある。更に、図８の素子と電極の配列を説明する図に示すように半導体素子３内に絶縁保護膜（回路部）６を囲うように絶縁被膜形成を行う電極５が配置されている。
【０００３】
電極５表面に絶縁被膜形成を行うための方法は、半導体ウエハを所定の位置に位置決めするＸＹＺステージ１５と、前記半導体ウエハ面に対して４５°に傾けらけられた樹脂塗布用ノズル７及び制御部より構成された装置において、前記ＸＹＺステージ１５に載置された半導体ウエハ内の不良素子電極を所定の場所に位置決め後、ＸＹＺステージ１５を上昇させノズル７先端を電極５表面に接触させ紫外線硬化性樹脂９を所定量滴下した後ＸＹＺステージ１５を下降させて１回の処理を終了させる（本発明の図１参照）。この動作を不良素子の該当電極全てに対して行うことにより、最初の不良素子に対する絶縁被膜形成のための樹脂塗布処理が終わる。以上の動作をウエハ内の全不良素子に対して行うことにより１ウエハの不良素子に対する絶縁被膜形成のための樹脂塗布処理が終了する。その後、ウエハ全体に紫外線を照射し樹脂を硬化させることにより絶縁被膜形成が完了する。
【０００４】
樹脂塗布処理工程において、品質を決定する上で微量樹脂の吐出量を一定にするディスペンサ装置の定量化技術が最も重要である。
【０００５】
この定量化対策のために、さまざまなディスペンサ装置が開発されている。
あるいは、特許文献１の液体吐出装置及びその吐出量制御方法にあるような実際の製品に吐出した半田の量をイメージチェッカーにより面積を求めてディスペンサへフィードバックをかけるシステムにより、吐出量の一定化を実現しようとしている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２１２４８７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術には次のような問題がある。すなわち半導体素子の微細化にともない、電極面積約６０μｍ×６０μｍと非常に小さくなっていることで塗布の樹脂量は、約０．００１ｍｇと非常に微量であり、その定量化が求められてきている。また、微細化とは逆に塗布を行う電極数は増えており、処理スピードも１個の電極当たり０．２５秒以上の高速化も合わせて求められてきている。
【０００８】
このように、樹脂塗布に求められる条件が大きく変化している中で、従来の定量化対応ディスペンサであっても、微量樹脂塗布用ノズル７の穴径３０μｍの小径ノズルから吐出される樹脂を長期間使用する場合において、周辺温度変化による樹脂の粘度変化や、あるいは嫌気性樹脂の特徴でもある細管内での膜張り現象による吐出量の変化に対応するには大きな課題がある。更に、高速化対策を行う上で樹脂塗布用ノズル７の小型、軽量化は電極へのストレス低減の意味においても必須項目であり、定量化対応ディスペンサのみで対応するには課題がある。
【０００９】
また、実際に電極上に塗布した樹脂の状態をイメージチェッカーにて画像処理する場合においても、図９の塗布状態を説明する図のように、電極５やその周辺の表面状態により紫外線硬化性樹脂９の広がりが大きく変化する。特に粘度の低い１０００ｃｐｓ程度の樹脂ではそのばらつきが著しい。あるいは樹脂が透明であることや、樹脂の厚みが２〜３μｍと非常に薄い場合などでは、画像処理がうまく出来ずに測定誤差を発生させ、樹脂量を面積評価できない事や、最終の塗布状態検査を行う場合に誤検査発生の課題がある。
【００１０】
したがって、この発明の目的は、複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する場合に、電源線と接地線が短絡しているような不良素子による他素子への影響がないように、事前に前記不良素子電極に絶縁被膜を形成する工程において、絶縁被膜となる樹脂塗布工程の安定化と塗布品質の信頼性向上を図ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載の半導体素子の検査方法は、半導体ウエハに形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に電圧を印加して、前記複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する際に、不良素子による他の素子への影響がないように、前記不良素子の電極に絶縁被膜を形成する工程を含み、前記絶縁被膜を形成する樹脂塗布時に、ディスペンサによりウエハ電極塗布面に樹脂を吐出する前にガラス板に塗布し、前記ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する。
【００１２】
このように、絶縁被膜を形成する樹脂塗布時に、ディスペンサによりウエハ電極塗布面に樹脂を吐出する前にガラス板に塗布し、ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定するので、実際の製品ではなくガラス板を設けて塗布することで高精度に樹脂の吐出量を測定することが可能となる。
【００１３】
請求項２記載の半導体素子の検査方法は、請求項１記載の半導体素子の検査方法において、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量を画像処理により測定した結果に基づいて、ディスペンサの樹脂吐出量を制御する。このように、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量を画像処理により測定した結果に基づいて、ディスペンサの樹脂吐出量を制御するので、自動的に樹脂吐出量を安定化させることが可能となる。また、実際のウエハ電極に塗布する前の吐出量を管理することになり、吐出量不良検査後のフィードバックとならないので品質の信頼性も向上する。
【００１４】
請求項３記載の半導体素子の検査方法は、請求項１記載の半導体素子の検査方法において、ガラス板をウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量測定の画像処理によりウエハ電極での塗布状態を評価する。このように、ガラス板をウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量測定の画像処理によりウエハ電極での塗布状態を評価するので、実際のウエハの樹脂塗布状態検査も同じ画像処理にて行うことが可能となり、樹脂塗布の安定化と同時に装置コストを抑えることも可能となる。
【００１５】
請求項４記載の半導体素子の検査装置は、半導体ウエハに形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に電圧を印加して、前記複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する際に、不良素子による他の素子への影響がないように、前記不良素子の電極に絶縁被膜を形成することができる半導体素子の検査装置であって、ウエハ位置決め用のＸＹＺステージと、前記絶縁被膜を形成するために樹脂塗布するディスペンサと、前記ディスペンサより吐出した際の樹脂形状が安定するガラス面を有するガラス板と、前記ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する画像処理装置と、前記ガラス板の保持と吐出した樹脂の画像処理時の樹脂形状を認識するために表面に鏡面加工を施した樹脂吐出量測定ステージとを備えた。
【００１６】
このように、ウエハ位置決め用のＸＹＺステージと、絶縁被膜を形成するために樹脂塗布するディスペンサと、ディスペンサより吐出した際の樹脂形状が安定するガラス面を有するガラス板と、ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する画像処理装置と、ガラス板の保持と吐出した樹脂の画像処理時の樹脂形状を認識するために表面に鏡面加工を施した樹脂吐出量測定ステージとを備えたので、実際の製品ではなく樹脂形状の安定する樹脂吐出量測定ステージおよびガラス板を設けて塗布することで高精度に樹脂の吐出量を測定することが可能となる。
【００１７】
一般的に定量吐出を特徴とするディスペンサであっても時間経過による温度変化や例えば、微量樹脂塗布ノズルの穴径３０μｍで樹脂吐出量０．００１ｍｇ程度の微量吐出量で定量化が求められる場合においては、安定した吐出量を継続することは出来ない。そこで一定時間毎に塗布ノズルからの吐出量を高精度に測定し、その情報を樹脂吐出ディスペンサにフィードバックしながら塗布を行う事で、吐出条件の変化に対してもほとんど影響なく常に安定した樹脂塗布を行う事が可能となる。このフィードバックを行いながら樹脂塗布を行う場合に最も重要になるのは、吐出された樹脂量を高精度に測定できるかどうかにある。樹脂の吐出量を測定する方法には重量測定という方法もあるが、吐出量が０．００１ｍｇと微量で生産装置内での測定では装置振動等で測定誤差を大きく発生する不具合や、連続して測定する場合に、吐出するステージを都度交換する必要があるために設備が複雑になり都合が悪い。そこで、吐出された樹脂の表面積を画像処理にて測定し、吐出量とするのが精度良く計れる方法となる。しかし、実際のウエハ電極上の測定では電極やその周辺の前工程プロセス条件差による表面状態の違いによる樹脂広がりが違うことや、樹脂が透明の場合、樹脂の厚みが２〜３μｍと非常に薄い場合には、画像処理がうまく出来ずになり、高精度に樹脂量を測定できない。その解決手段として、塗布ノズルより吐出された樹脂の形状が安定するステージを設けて樹脂塗布を行う事と合わせて、透明樹脂でも画像処理が行いやすいように、ステージ面を画像処理に使用する照明の反射率の良いものにする事で樹脂部とその周辺の明暗がはっきりし、高精度に樹脂の吐出量を測定できるので、吐出条件の変化が進んだ場合においてもディスペンサへ吐出量制御のフィードバックを確実に行う事が可能となる。
【００１８】
請求項５記載の半導体素子の検査装置は、請求項４記載の半導体素子の検査装置において、画像処理装置とディスペンサを、ディスペンサの樹脂吐出量を変えるエアー圧を制御するシーケンサで接続することで、前記画像処理装置の測定結果に基づいて前記ディスペンサの樹脂吐出量を制御可能とした。このように、画像処理装置とディスペンサを、ディスペンサの樹脂吐出量を変えるエアー圧を制御するシーケンサで接続することで、画像処理装置の測定結果に基づいてディスペンサの樹脂吐出量を制御可能としたので、樹脂吐出量の測定結果をシーケンサにてディスペンサへフィードバックすることができ、自動で常に一定の樹脂を吐出することが出来る。その結果、実際の電極上での塗布状態検査項目を必要最低限に削減できるので、画像処理装置での誤検査削減、検査時間の低減も可能となる。
【００１９】
請求項６記載の半導体素子の検査装置は、請求項４記載の半導体素子の検査装置において、ガラス板および樹脂吐出量測定ステージをウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、画像処理装置によりウエハ電極での塗布状態を評価可能とした。このように、ガラス板および樹脂吐出量測定ステージをウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、画像処理装置によりウエハ電極での塗布状態を評価可能としたので、一つの画像処理装置で樹脂吐出量と塗布状態検査が行えるので、装置コストも抑えることが実現できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１は本発明の実施形態において塗布装置構成を説明する図、図２は吐出量測定ステージ上での樹脂状態を説明する図である。
【００２１】
この半導体素子の検査装置は、半導体ウエハに形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に電圧を印加して、複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する際に、電源線と接地線が短絡しているような不良素子による他の素子への影響がないように、事前に不良素子の電極に絶縁被膜を形成するように構成される。この際、絶縁被膜を形成する樹脂塗布時の樹脂吐出量安定化に吐出量の測定が重要である。その手段として、ウエハ位置決め用のＸＹＺステージ１５と、絶縁被膜を形成するために樹脂塗布するディスペンサ１３と、ディスペンサ１３より吐出した際の樹脂形状が安定するガラス面を有するガラス板１４と、ガラス板１４上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する画像処理装置１１と、ガラス板１４の保持と吐出した樹脂の画像処理時の樹脂形状を認識するために表面に鏡面加工を施した樹脂吐出量測定ステージ１２とを備えている。
【００２２】
先ず、従来例で示した図９の塗布状態について、電極５に樹脂塗布を行った時の状態を説明する。絶縁被膜を形成するために塗布を行う半導体素子３の電極５部分をＸＹＺステージ１５にて樹脂塗布ノズル７の先端部分に移動し、ＸＹＺステージ１５を上昇させて電極５と樹脂塗布ノズル７を接触させる。それと同時に紫外線硬化性樹脂９をディスペンサ１３で、樹脂塗布用ノズル７からを一定量吐出し、大きさ約６０μｍ×６０μｍの電極５に樹脂を塗布する。その後にＸＹＺステージ１５を下降させることで樹脂塗布動作の１サイクルを完了する。この間約０．２５秒のスピードで樹脂塗布が行われる。そのために樹脂塗布時の樹脂塗布用ノズル７と電極５の接触スピードが約１００ｍｍ／秒となり、電極５面へのストレスも当然大きくなる。その対策として樹脂塗布用ノズル７の接触圧を１５ｇ以下に設定する必要があり、その条件でも電極５の接触時に樹脂塗布用ノズル７が跳ね上がらないように樹脂塗布用ノズル７ヘッドの軽量化による慣性の最小化も必要となる。吐出量の一定化を特徴としたディスペンサ装置が使用できないのは、そのヘッド部分が大きく、重いためでもある。
【００２３】
塗布された紫外線硬化性樹脂９は、電極５および周辺のダム８、絶縁保護膜６あるいは、吐出量が多いとスクライブレーン４へと溢れてしまい品質不良となる。当然、吐出量が少ないと電極５全体に広がらずに絶縁被膜不良となり、樹脂塗布時の紫外線硬化性樹脂９の一定量吐出が必要となる。
【００２４】
紫外線硬化性樹脂９の広がりは、電極５、ダム８、絶縁保護膜６の表面状態により大きく影響される。特に絶縁保護膜６の材質ポリイミドは周辺環境の湿度差などにより樹脂の広がりの差を激しくする。また、その広がり方が一様ではないことや、電極５上の樹脂膜厚が２〜３μｍしかなく画像処理を行う際に樹脂形状をうまく取り込めないので面積計算による吐出量判定が困難となる。
【００２５】
吐出量判定が、ウエハ電極塗布前に必要になるのは、絶縁被膜形成のための必要樹脂量が吐出できているかの最低樹脂量のチェックをすることは当然であるが、スクライブレーン４への溢れが、隣接半導体素子３の品質に大きく影響するためであり、吐出量の過多も品質を決定する重点管理項目になっている。
【００２６】
次に、本実施形態の塗布樹脂安定化方法を説明する。前記のように、塗布ユニット１０、樹脂塗布用ノズル７とＸＹＺステージ１５によって実際のウエハの電極５に紫外線硬化性樹脂９を塗布するが、その前にＸＹＺステージ１５上に設置された吐出測定用ステージ１２をＸＹＺステージ１５にて樹脂塗布ノズル７先端部分に移動させて、吐出測定用ステージ１２のガラス板１４上の空きスペースに、実際に樹脂塗布を行うウエハ電極５の樹脂吐出条件で紫外線硬化性樹脂９を吐出させる。次にガラス板１４上に吐出した紫外線硬化性樹脂９の位置にＸＹＺステージ１５にて画像処理装置１１の位置まで移動させ、吐出された紫外線硬化性樹脂９の形状を画像処理装置１１にて画像取り込みを行い、面積測定して吐出量の測定を行う。この時の樹脂形状は、円形で直径約１００μｍ〜１５０μｍと微小なため、画像処理装置１１のレンズ等で約１００倍に拡大し画像処理を行う。紫外線硬化性樹脂９の吐出をガラス板１４上に行うと、ガラス板１４表面状態と樹脂の表面張力により、ガラス板１４の表面に紫外線硬化性樹脂９が広がらずに非常に安定した厚みのある円形状態となる。この状態と吐出測定用ステージ１２の表面を鏡面加工することより、画像処理装置１１で使用している照明の反射率が良くなるので、吐出された透明の紫外線硬化性樹脂９以外の周辺部分が白く強調されるため、透明の紫外線硬化性樹脂９であっても、その明暗がはっきりと現れて、画像処理装置１１での画像の取り込みを安定させることが可能となる。
【００２７】
ここで、図３，４はガラス板上での画像処理状態を説明する図、図５はウエハ電極上での画像処理状態を説明する図で、透明である紫外線硬化性樹脂９の画像処理の難しさについて説明する。
【００２８】
透明樹脂を画像処理画面に取り込む場合に、白黒のどちらかに分類する必要があり、そのために照明の工夫が必要となる。今回の実施形態では樹脂塗布を行う電極５がアルミパッドであり、照明の反射率が非常に良く、電極部分は取り込み画面上で白に分類される。ここで、アルミパッドと樹脂が同じ白に分類するようにすれば、当然その差である明暗がはっきりとせず、樹脂とその周辺の区別がつかず、樹脂の面積を測定することが出来ないので、樹脂は黒の分類になるようにする必要がある。
【００２９】
透明樹脂を黒に分類するための方法を、図３，４のガラス板上での画像処理状態を説明する図で説明する。ガラス板１４に塗布された紫外線硬化性樹脂９を画像処理画面に取り込むときの照明で、図４は拡散光を用いたもので、拡散光により、あらゆる角度で照明光１６が発光されているために照明光が紫外線硬化性樹脂９に当たって反射する反射光も拡散し、その一部が上面に設置されたカメラにも入光するため、図４（ｂ）の拡散光での画像処理画面イメージ図のように樹脂部分と周辺の明暗がはっきりしない。図３は、カメラと同軸で発光される平行光のみを使用することで、角度のある凹凸部に光が当たると真直ぐにカメラに反射光１７が戻らないので、その部分のみが黒く認識されて画像取り込みされることになる。また、紫外線硬化性樹脂９が無いガラス板１４、吐出測定ステージ１２部分は、より白と分類するために吐出測定用ステージの表面を鏡面加工し、光の反射率を上げることで白が強調されるようにしている。これにより図３（ｂ）の平行光での画像処理画面イメージ図のように樹脂の形状がはっきりとし、高精度に樹脂量として測定できることが可能となる。
【００３０】
一方、ウエハ電極上での画像取り込みの場合は、同じように樹脂を黒に分類するために照明に平行光を使用する訳だが、電極５に樹脂を塗布する場合の条件として樹脂厚みの規定がある。絶縁被膜としての機能のために１μｍ以上の厚みが必要でまた、後工程での検査のために厚すぎる事の不具合もあり５μｍ以内にする必要がある。そのために樹脂粘度を１０００ｃｐｓ程度の低粘度樹脂を使用し、樹脂と馴染みの良い電極５やその周辺に広がるようにして、厚み精度を確保している。その結果、図５のウエハ電極上での画像処理状態を説明する図のように電極５上の紫外線硬化性樹脂９が電極５面とほぼ平行状態で角度がつかないので、照明に平行光を使用しても、カメラに反射光が真直ぐ戻ってくるので、図５（ｂ）のように電極およびその周辺の明暗がはっきりとせず、画像処理での誤検査が発生してしまう結果となる。
【００３１】
ウエハ上での品質としてスクライブレーン４への紫外線硬化性樹脂９の溢れを確認する必要があるが、その溢れについては、ダム８との高さの差約１０μｍにより紫外線硬化性樹脂９に角度がつくこと、また溢れについてはその量ではなく、溢れている事のみを検出できれば良いので誤検査の可能性は極めて少ない。
【００３２】
ガラス板１４上に吐出した樹脂の画像処理装置１１での測定結果が正常ならばウエハ１上の電極５に順次塗布を行う。測定結果が異常ならばディスペンサ１３の吐出制御のエアー圧をシーケンサ１８にて変更し、正常の樹脂量になるまでガラス板１４上に塗布、画像処理装置１１による測定を繰り返す動作を行う。
【００３３】
ここで、シーケンサ１３にて吐出量を制御する場合に、ガラス板１４に紫外線硬化性樹脂９を吐出した時の樹脂面積とウエハ電極５上に塗布を行ったときの塗布状態のデータ収集と、吐出量を変化させるディスペンサ１３のエアー圧を変化させたときの樹脂面積の変化データを収集し、それぞれの相関関係を求めておく必要がある。その相関関係データを元に適切なエアー圧をシーケンサ１３にて選択、制御することで、常に紫外線硬化性樹脂９の吐出量を一定にする事が可能となる。
【００３４】
ガラス板１４への塗布は、図２の吐出量測定ステージ上での樹脂状態を説明する図のように塗布毎にＸＹＺステージ１５により順次塗布位置を少しずつ、移動させてステージ面積を有効に使用できるようにしている。
【００３５】
吐出量測定は、ウエハ１上の電極５への塗布の一定時間間隔で行うようにし、また、ウエハ１の塗布が全て終了後に任意の電極部を画像処理装置１１までＸＹＺステージ１５にて移動し、電極５上の塗布状態検査を行う。その結果、樹脂の吐出量と塗布品質の安定化を大幅に向上することが可能となった。
【００３６】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体素子の検査方法によれば、絶縁被膜を形成する樹脂塗布時に、ディスペンサによりウエハ電極塗布面に樹脂を吐出する前にガラス板に塗布し、ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定するので、実際の製品ではなくガラス板を設けて塗布することで高精度に樹脂の吐出量を測定することが可能となる。
【００３７】
請求項２では、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量を画像処理により測定した結果に基づいて、ディスペンサの樹脂吐出量を制御するので、自動的に樹脂吐出量を安定化させることが可能となる。また、実際のウエハ電極に塗布する前の吐出量を管理することになり、吐出量不良検査後のフィードバックとならないので品質の信頼性も向上する。
【００３８】
請求項３では、ガラス板をウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量測定の画像処理によりウエハ電極での塗布状態を評価するので、実際のウエハの樹脂塗布状態検査も同じ画像処理にて行うことが可能となり、樹脂塗布の安定化と同時に装置コストを抑えることも可能となる。
【００３９】
この発明の請求項４記載の半導体素子の検査装置によれば、ウエハ位置決め用のＸＹＺステージと、絶縁被膜を形成するために樹脂塗布するディスペンサと、ディスペンサより吐出した際の樹脂形状が安定するガラス面を有するガラス板と、ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する画像処理装置と、ガラス板の保持と吐出した樹脂の画像処理時の樹脂形状を認識するために表面に鏡面加工を施した樹脂吐出量測定ステージとを備えたので、実際の製品ではなく樹脂形状の安定する樹脂吐出量測定ステージおよびガラス板を設けて塗布することで高精度に樹脂の吐出量を測定することが可能となる。
【００４０】
請求項５では、画像処理装置とディスペンサを、ディスペンサの樹脂吐出量を変えるエアー圧を制御するシーケンサで接続することで、画像処理装置の測定結果に基づいてディスペンサの樹脂吐出量を制御可能としたので、樹脂吐出量の測定結果をシーケンサにてディスペンサへフィードバックすることができ、自動で常に一定の樹脂を吐出することが出来る。その結果、実際の電極上での塗布状態検査項目を必要最低限に削減できるので、画像処理装置での誤検査削減、検査時間の低減も可能となる。
【００４１】
請求項６では、ガラス板および樹脂吐出量測定ステージをウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、画像処理装置によりウエハ電極での塗布状態を評価可能としたので、一つの画像処理装置で樹脂吐出量と塗布状態検査が行えるので、装置コストも抑えることが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態において塗布装置構成を示す説明図である。
【図２】吐出量測定ステージ上での樹脂状態を示す説明図である。
【図３】平行光での画像処理画面イメージ図である。
【図４】拡散光での画像処理画面イメージ図である。
【図５】ウエハ電極上での画像処理状態を示す説明図である。
【図６】ウエハーと半導体素子の配列説明図である。
【図７】半導体素子とスクライブレーンの関係を示す説明図である。
【図８】半導体素子と電極の配列説明図である。
【図９】塗布状態の説明図である。
【符号の説明】
１ウエハ
２半導体領域
３半導体素子
４スクライブレーン
５電極
６絶縁保護膜（回路部）
７樹脂塗布用ノズル
８ダム
９紫外線硬化性樹脂
１０塗布ユニット
１１画像処理装置
１２吐出量測定ステージ
１３ディスペンサ
１４ガラス板
１５ＸＹＺステージ
１６照明光
１７反射光
１８シーケンサ

Claims

半導体ウエハに形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に電圧を印加して、前記複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する際に、不良素子による他の素子への影響がないように、前記不良素子の電極に絶縁被膜を形成する工程を含み、前記絶縁被膜を形成する樹脂塗布時に、ディスペンサによりウエハ電極塗布面に樹脂を吐出する前にガラス板に塗布し、前記ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定することを特徴とする半導体素子の検査方法。
ガラス板上に塗布した樹脂吐出量を画像処理により測定した結果に基づいて、ディスペンサの樹脂吐出量を制御する請求項１記載の半導体素子の検査方法。
ガラス板をウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、ガラス板上に塗布した樹脂吐出量測定の画像処理によりウエハ電極での塗布状態を評価する請求項１記載の半導体素子の検査方法。
半導体ウエハに形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極に電圧を印加して、前記複数の半導体集積回路素子の電気特性をウエハ状態で一括して検査する際に、不良素子による他の素子への影響がないように、前記不良素子の電極に絶縁被膜を形成することができる半導体素子の検査装置であって、ウエハ位置決め用のＸＹＺステージと、前記絶縁被膜を形成するために樹脂塗布するディスペンサと、前記ディスペンサより吐出した際の樹脂形状が安定するガラス面を有するガラス板と、前記ガラス板上に塗布した樹脂形状から画像処理により樹脂面積を求めて樹脂吐出量を測定する画像処理装置と、前記ガラス板の保持と吐出した樹脂の画像処理時の樹脂形状を認識するために表面に鏡面加工を施した樹脂吐出量測定ステージとを備えた半導体素子の検査装置。
画像処理装置とディスペンサを、ディスペンサの樹脂吐出量を変えるエアー圧を制御するシーケンサで接続することで、前記画像処理装置の測定結果に基づいて前記ディスペンサの樹脂吐出量を制御可能とした請求項４記載の半導体素子の検査装置。
ガラス板および樹脂吐出量測定ステージをウエハ位置決め用ＸＹＺステージ上に配置し、画像処理装置によりウエハ電極での塗布状態を評価可能とした請求項４記載の半導体素子の検査装置。