JP2005017334A - グレーティング型光部品製造方法、グレーティング型光部品製造装置及びグレーティング型光部品製造装置を用いて作製された光部品 - Google Patents

グレーティング型光部品製造方法、グレーティング型光部品製造装置及びグレーティング型光部品製造装置を用いて作製された光部品 Download PDF

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明 坂元
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Abstract

【課題】光導波路において、光感受性を有するコアにサンプルドグレーティングを作製する際に、スリット幅が狭い強度変調マスクを用いても、フレネル回折の影響を抑え、かつ紫外光に対する感受性を増大させる。
【解決手段】光感受性を有するコアをもつ光ファイバ27を高圧容器111に収納し、高圧水素113雰囲気で光ファイバ27内部に水素を拡散させ、単色の非干渉性UVランプ光131を強度変調マスクスリット177を介して光ファイバ27に照射し、加熱したオーブン151中にて、光ファイバから水素153を放出させ、干渉性UVレーザ光171を照射する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光感受性(Photosensitivity)を有する光導波路に関して、紫外(Ultra Violet、以下、UVと略す)光を用いて屈折率および光感受性を上昇させる方法と、その方法を用いて作製した光部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
石英系の材料は、光透過性に優れていることから光通信の導波路や光学レンズなど多方面で使用されている(例えば、特許文献1参照)。とりわけ光通信線路である光ファイバの材料が石英系であることから、その線路中で光の波長選択フィルタ、分岐合流器、分波合波器、減衰器などの機能性光部品を作製するにあたって、光ファイバとの結合性(屈折率、コア径、融着接続の際の融点など)を考慮すると、石英系材料からこれらの機能性光部品を作製することには優位性が存在する。
【0003】
ゲルマニウム、リン、ボロンなどの光感受性を高める添加物(以後、光増感物質と呼ぶ)を含む光ファイバあるいは平面導波路(以下、PLC:Planer Lightwave Circuitと略す)などの光導波路に、適当波長のUV光を照射して、周期的に光導波路中の屈折率を変化させたものをグレーティングと呼び、上述の波長選択性フィルタなどに応用できる光部品である。
【0004】
図13及び14に示すように、その目的に応じて、光導波路100の長さ方向にわたって、ある一定の周期をもって屈折率を変化させることが一般的であるが、図15及び16に示すように、屈折率を連続的に徐々に変化させる場合もある。
【0005】
グレーティングの中でも光ファイバ(以下、光ファイバ100という)1中に形成されたグレーティングを、ファイバグレーティング(Fiber Grating、以下FGと略す)102と呼び、光通信において重要な光部品となっている。このファイバグレーディングの内、光導波路を伝搬してきた光を反射するタイプのグレーティングを反射型グレーティングまたはファイバブラッググレーティング(Fiber Bragg Grating、以下FBGと略す)と呼ぶ。
【0006】
なお、これ以下、特に断りなき時は、光ファイバが光導波路を代表するものとする。同様に、以下の記述では、FBGが光導波路中に形成されたグレーティングを代表するものとする。また、FBGの屈折率変化領域は光導波路中のコア又は、コアに近接したクラッド部分に形成されるが、これ以下、特に断りのなき時は、コア中のFBGがクラッド部分のFBGを含むものとする。
【0007】
仮に、コア中に形成されたFBG周期がある一定の周期Λoとすると、
【数1】
Λo=m x λ/(2neff)・・・(1)
を満たす光の波長λでは、FBG各点での反射波が同相となり、かつ各点の反射パワー自体は非常に小さいものであるが、後述するように数千箇所での反射波を総和すると大きな反射となる。ここで、neff:光導波路実効屈折率(石英系コアではneff≒1.45)、m=1、2、・・・、n(整数)である。一般的には、m=2以上の高次のモードは結合が小さく動作波長も異なるため、m=1とする。すなわち、(1)式にm=1を代入して、
【数2】
Λo=λ1/(2neff)・・・(2)
を満たす波長λ1で反射を生じるようにFBG周期Λoを設計する。一例として、公共光通信網で用いられる波長λ1=1550[nm]を、上記(2)式に代入すると、FBG周期Λo≒500[nm] ≒0.5[μm] が得られる。コアの長さ方向1mmにわたって上述のFBG周期が作製された時、約2000の屈折率変調となる。
【0008】
この様なFBGのうち、図11(b)に示すように、短いFBGが特定の間隔を置いて連続的に連なった状態でファイバ中に作製されたものをサンプルドFBGと呼ぶ。
【0009】
以下に、従来方法によるサンプルド(Sampled)FBGの作製方法を示す。
【0010】
まず、図9(a)に示すように、高圧容器111内に光ファイバ127を収納する。この際の光ファイバ127の形状としては、数キロメートルから数百メートルリール巻きされた被覆付光ファイバ、あるいは数メートルに切断加工した被覆付光ファイバ、あるいは図示するように、光ファイバ127を数メートル単位に切断加工し、これを被覆する被覆部材129の一部を除去し、中間部を露出させたものでも良い。
【0011】
次に、水素(H)または重水素(D)を充填、加圧(例えば100気圧)した状態で放置して、高圧水素113あるいは重水素が光ファイバ127のクラッド125を通過してコア123に至るまで拡散させる。通常、水素あるいは重水素の拡散速度を大きくするために、加熱状態(例えば55℃)で放置する。なお、上記の工程を水素拡散工程と呼ぶ。
【0012】
上記の水素拡散工程の目的としては、光ファイバ127のコア123内に水素あるいは重水素が拡散していると、後述するように、コア123に干渉性UVレーザ光を照射した際に、このコア123の光感受性を高めることができるからである。つまり、FBGを作製する時に、水素あるいは重水素が拡散していないコアと比較して、水素あるいは重水素が拡散したコア123中では屈折率上昇速度を約50倍にも促進できることが知られているからである。この際、高圧容器内温度を常温より上げると拡散速度が増すことは前述の通りであり、その加熱温度と水素拡散に必要な時間との関係を図10に示す。
【0013】
上記の水素拡散工程において、光ファイバ127に水素あるいは重水素を拡散させた後、これにUVレーザ光を照射するには被覆部材129を除去しなければならない。これは、被覆部材129の樹脂がUVレーザ光を吸収して、コアにまで達するのを阻害するからである。
【0014】
次に、図9(b)に強度変調マスク175と位相マスク173を使用したサンプルドFBGの例を示す。強度変調マスク175には、一定間隔で、複数個の一定幅の強度変調マスクスリット177が設けられている。干渉性UVレーザ光171を、強度変調マスクスリット177を通過させてから、特定周期を有する位相マスク173に照射すると、光ファイバのコア(水素拡散)123に、間歇的に干渉縞が生じ、その高輝度点で屈折率上昇をもたらす。このようにして、間歇的に一定の周期からなるサンプルドFBG(水素拡散)121を作製できる。なお、上記の工程を露光工程と呼ぶ。
【0015】
次に、図9(c)示すように、FBGを作製した光ファイバをオーブン151内に収納し、高温加熱(例:温度120℃)した状態で、一定時間(例:12時間)放置することにより、光ファイバ127中に拡散した水素153あるいは重水素を外部に放出さることにより除去する。なお、上記の工程を水素除去工程と呼ぶ。なお、図中の光ファイバ(水素無)117は、水素除去工程を経て水素が除去された光ファイバであり、光ファイバ被覆部材(水素無)119は、同じく水素が除去された被覆部材である。
【0016】
次に、前述の各工程を経て作製されたサンプルドFBG121の詳細を図11に示す。
【0017】
本図に示す例では、FBG一単位長をLg、間歇的FBGの繰り返し周期をLs、FBGが作製された長さ全体をLtとした。
【0018】
また図11(a)のFBG周期Λと、図11(b)の反射中心波長λとの関係は、上記(2)式からの変形で、
【数3】
λ=2neffΛ・・・(3)
となる。
【0019】
FBG周期Λと、間歇的FBGの繰り返し周期Lsの相互作用によって、反射中心波長近傍の波長λ±Δλ、λ±2Δλ、λ±3Δλ、・・・でも反射が生じる。
【0020】
ここで隣接反射波長間の間隔Δλは、下式で表される。
【0021】
【数4】
Δλ=Λλ/Ls・・・(4)
あるいは、上記(3)式を(4)式に代入することによって、
【数5】
Δλ=λ /(2neff Ls)・・・(5)
が得られる。
【0022】
【特許文献1】
特開平5−341142号公報(第2頁、第1図)
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
サンプルドFBGを作製するにあたっては、干渉性UVレーザ光171→強度変調マスク175→位相マスク173→光ファイバのコア123の順序に配列する。その理由は、位相マスク173と光ファイバのコア123との距離は、短いほど精度良く干渉法によるFBGの作製が可能であるからである。また、位相マスク173における周期が約1ミクロンの微細加工を施した部分が強度変調マスク175と直接接触することを避けることも理由として挙げられる。
【0024】
上記の理由から、強度変調マスク175と光ファイバのコア123間に厚さ2〜3mmの位相マスク173が存在することが必然となる。これに起因する問題点を以下に挙げる。
【0025】
図12に、波長248nmの干渉性UVレーザ光171が、強度変調マスクスリット177を通過して、距離3mmの地点に達した際の光強度分布を示す。これは、フレネル回折の式を用いて計算した結果であり、本図では、強度変調マスクスリット177幅を、3mm、2mm、1mm、0.5mm、0.3mm、0.1mmと変化させた際の相違を示している。本図からも明らかなように、強度変調マスクスリット177の幅が狭いほど、回折の影響により強度分布が完全な方形から乱れることが確認できる。また、位相面も乱れることにより位相マスクで回折した後の干渉領域において所望の特性が得られない。
【0026】
また、もう一つの問題点は、干渉性UVレーザ光171のパワー密度が非常に高いため、強度変調マスクスリット177幅にかかわらず、強度変調マスク175自体の劣化が生じる点にある。
【0027】
本発明は,上記課題に鑑みてなされたもので,その目的としては、光導波路において、光感受性を有するコアにサンプルドグレーティングを作製する際に、スリット幅が狭い強度変調マスクを用いても、フレネル回折の影響を抑え、かつ紫外光に対する感受性を増大させることが可能なグレーティング型光部品製造方法、グレーティング型光部品製造装置及びグレーティング型光部品製造装置を用いて作製された光部品を提供することにある。
【0028】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、上記課題を解決するため、紫外光に対し光感受性を有する石英系光導波路に水素と重水素のうちの少なくとも一方を拡散させる水素拡散工程と、光源により発生させられた光を強度変調マスクを介して石英系光導波路に照射する光照射工程と、石英系光導波路に拡散している水素と重水素を石英系光導波路から取り除く水素除去工程と、石英系光導波路に干渉パターンを照射するパターン照射工程とを備えたことを要旨とする。
【0029】
請求項2に記載の発明は、上記課題を解決するため、光源として紫外線光域で単色発光する光を発生させる非干渉光源を用いることを要旨とする。
【0030】
請求項3に記載の本発明は、上記課題を解決するため、非干渉光源により発生させられる光の波長は、150nmから280nmの範囲にあることを要旨とする。
【0031】
請求項4に記載の発明は、上記課題を解決するため、干渉パターンは、干渉性を有する紫外光による干渉パターンであることを要旨とする。
【0032】
請求項5記載の発明は、上記課題を解決するため、光源としてエキシマランプを用いることを要旨とする。
【0033】
請求項6記載の発明は、上記課題を解決するため、エキシマランプにより発生させられる光の波長は、172nmであることを要旨とする。
【0034】
請求項7記載の発明は、上記課題を解決するため、エキシマランプにより発生させられる光の波長は、222nmであることを要旨とする。
【0035】
請求項8記載の発明は、上記課題を解決するため、強度変調マスクによる強度分布は、周期的であることを要旨とする。
【0036】
請求項9記載の発明は、上記課題を解決するため、強度変調マスクは、光が通過するスリットを備え、スリットの幅は、1mm以下であることを要旨とする。
【0037】
請求項10記載の発明は、上記課題を解決するため、干渉パターンを照射するにあたって、位相マスク法を用いることを要旨とする。
【0038】
請求項11記載の発明は、上記課題を解決するため、石英系導波路は、光ファイバであることを要旨とする。
【0039】
請求項12記載の発明は、上記課題を解決するため、紫外光に対し光感受性を有する石英系光導波路に水素と重水素のうちの少なくとも一方を拡散させる水素拡散手段と、強度変調マスクと、強度変調マスクを介して石英系光導波路に光を照射する光照射手段と、石英系光導波路に拡散している水素と重水素のうちの少なくとも一方を石英系光導波路から取り除く水素除去手段と、石英系光導波路に干渉パターンを照射するパターン照射手段とを備えたことを要旨とする。
【0040】
請求項13記載の本発明は、上記課題を解決するため、光照射手段は、紫外線光域で単色発光する光を発生させる非干渉光源を備えたことを要旨とする。
【0041】
請求項14記載の発明は、上記課題を解決するため、非干渉光源により発生させられる光の波長は、150nmから280nmの範囲にあることを要旨とする。
【0042】
請求項15記載の発明は、上記課題を解決するため、干渉パターンは、干渉性を有する紫外光による干渉パターンであることを要旨とする。
【0043】
請求項16記載の発明は、上記課題を解決するため、光照射手段は、エキシマランプを備えたことを要旨とする。
【0044】
請求項17記載の発明は、上記課題を解決するため、エキシマランプにより発生させられる光の波長は、222nmあるいは172nmであることを要旨とする。
【0045】
請求項18記載の発明は、上記課題を解決するため、強度変調マスクによる強度分布は、周期的であることを要旨とする。
【0046】
請求項19記載の発明は、上記課題を解決するため、強度変調マスクは、光が通過するスリットを備え、スリットの幅は、1mm以下であることを要旨とする。
【0047】
請求項20記載の発明は、上記課題を解決するため、パターン照射手段は、位相マスク法を用いることを要旨とする。
【0048】
請求項21記載の発明は、上記課題を解決するため、石英系導波路は、光ファイバであることを要旨とする。
【0049】
請求項22記載の発明は、請求項12から21のいずれか1項に記載のファイバグレーティング型光部品製造装置を用いて作製されたことを要旨とする。
【0050】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
まず、個々の実施例について説明する前に全ての実施例に共通する事項を述べる。
【0051】
図1(a)に示すように、高圧容器111内に光ファイバ27を収納する。この際の光ファイバ27の形状としては、数キロメートルから数百メートルリール巻きされた被覆付光ファイバ、あるいは数メートルに切断加工した被覆付光ファイバ、あるいは図示するように、光ファイバ27を数メートル単位に切断加工し、これを被覆する被覆部材29の一部を除去し、中間部を露出させたものでも良い。
【0052】
次に、水素(H)または重水素(D)を充填、加圧(100気圧)した状態で、温度を55℃に保ちつつ、3から7日間放置して、高圧水素113あるいは重水素が光ファイバ27のクラッド25を通過してコア23に至るまで拡散させる。なお、上記の工程を水素拡散工程と呼ぶ。
【0053】
上記の水素拡散工程の目的としては、光ファイバ27のコア23内に水素あるいは重水素が拡散していると、後述するように、コア23に非干渉性UVランプ光131を照射した際に、このコア23の光感受性を高めることができるからである。
【0054】
次に、図1(b)に示すように、エキシマランプのような広い面積を照射可能な非干渉性UVランプ光131を用いて、この光を強度変調マスクスリット177を介して、水素あるいは重水素を拡散させた多数の光ファイバ(水素拡散)27に照射する。これにより、図1(b)の非干渉性UVランプ光照射部24a、24b及び24cは、図3(d)に示すように、照射時間に応じて一定量だけ屈折率が上昇(図中の“UVランプ光照射による屈折率上昇分ΔNc55”)するとともに、後工程でのFBG作製時の光感受性を高め、FBG形成時の屈折率が上昇する(“図中のFBG屈折率差ΔNb53”)。このΔNb53は非干渉UVランプの照射時間にもよるが、図3(b)の従来方法による屈折率上昇分(図中の“FBG屈折率差ΔNa51”)と同程度となる。
【0055】
このような屈折率変化を得るために必要なUV光の波長は、添加する増感物質にもよるが、通常280nm以下である必要がある。これは、280nm以上の光では光感受性が非常に小さく、所望の屈折率変化を得ることが困難だからである。
【0056】
一方、波長が150nm以下の光は、増感物質を添加しない純粋石英での光吸収が非常に大きく、光が透過しないため、照射波長は150nm以上とする必要がある。
【0057】
上記の点から、図4に示したエキシマランプのうち、波長150〜280nmの範囲で発光する光源が使用できる。中でも、Xeを用いた波長172nmとKrClを用いた222nmのランプは、液晶用パネルなどの洗浄用に利用されているため、特性の安定したランプを安価に入手することができるので有利である。さらに、ゲルマニウムが添加してある光導波路においては、172nmの光の方が222nmの光より吸収係数が大きく、効率よく光感受性の増大効果が得られるので、172nmの方がより望ましい。
【0058】
また、このようなエキシマランプは、紫外光領域で細いスペクトル線幅で発光(単色発光)するため、光エネルギーが熱エネルギーなどに変化することを抑え、効率よく光導波路の特性変化を得ることができるため、非干渉性光源としては紫外光領域で単色発光する光源を用いることが望ましい。
【0059】
UV光源としての非干渉性エキシマランプの特長としては、レーザ光源と比較して、パワー密度は1000分の1程度だが、500x80mmと広い面積を照射可能で、一方小型化したランプでは20mmx18mmφと小さく、価格は約10分の1と安価で、長時間UV光を照射しても光ファイバの材料である石英系材料の強度劣化を起こしにくく、駆動電源として取り扱いが容易な100V交流電源を使用できる。なお、上記の工程を光照射工程と呼ぶ。
【0060】
次に、図2(a)に示すように、オーブン151内に光ファイバ27を収納し、高温加熱(例:温度120℃)した状態で、12時間放置することにより、光ファイバ27中に拡散した水素153あるいは重水素をオーブン内へ放出させることにより除去し、光ファイバ(水素無)17を作製することができる。この後、光ファイバ17中の水素あるいは重水素の残留濃度は十分低減しているので、次工程待ちとして長時間保管しても特性の変化は殆ど生じない。しかも、水素あるいは重水素を放出しても、光照射工程にてUV光が照射された部分ではFBG作製時のUVレーザ光に対する光感受性を保持している。この点が本発明の特長の1つで、従来方法では、水素あるいは重水素を放出したコアは光感受性の大幅低下をもたらしている。なお、上記の工程を水素除去工程と呼ぶ。
【0061】
このように、水素拡散工程、光照射工程及び水素除去工程を経て作製された石英系材料は、光照射工程にてUV光が照射された部分では光感受性が水素又は重水素を添加していない状態より増大し、かつ光感受性の経時劣化も小さいので、有用な光導波路型光部品を作製することが可能となる。
【0062】
またさらに、上記の各工程を経て作製された石英系材料に、第4の工程として、干渉性を有するUV光を照射してFBGを作製することが可能である。
【0063】
コアに屈折率変化を生じさせるためには、通常、光の干渉による強度変化を用いるためレーザなどの干渉性を有する光源が使用される。その光源としては、エキシマレーザやアルゴンイオンレーザの第二高調波が挙げられる。
【0064】
次に、図2(b)を参照しつつ前記の第4工程について説明する。なお、本図においては、位相マスク173を使用した短周期FBGの例を示す。
【0065】
干渉性UVレーザ光171を、一定の周期を有する位相マスク173に照射すると、光ファイバ上に干渉縞(パターン)が生じる。この時、光照射工程で形成された非干渉性UVランプ光照射部14では光感受性が大きくなっているためその高輝度点で屈折率上昇をもたらす。
【0066】
なお、非干渉性UVランプ光照射部14以外のコア13に生じる屈折率上昇は、わずかである。このようにして、光照射工程でUVランプを照射した部分にのみFBGがつくられ、特定の周期からなる間歇的なサンプルドFBG(水素無)11を作製できる。また、上記の工程をパターン照射工程と呼ぶ。
【0067】
また、図中においては、水素が除去されたコア13、クラッド15、非干渉性UVランプ光照射部14a、14b及び14cを示している。
【0068】
以下、上記の点を踏まえた各実施の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
本実施の形態においては、まず、エキシマランプ照射による水素除去工程後の光感受性増大効果(プレセンシタイズ効果)について確認した。
【0069】
石英系の光導波路としては、コアには約8.5wt%のGeOが添加されており、コア直径が約4μm、コアとクラッドの比屈折率差が0.85%である光ファイバを用いた。
【0070】
この光ファイバを55℃、100気圧の水素雰囲気中に1週間放置し、ファイバのコアまで水素を拡散させた(水素拡散工程)。
【0071】
石英光ファイバを被覆している紫外線硬化型樹脂は、エキシマランプからの紫外光を透過しないため、紫外光を照射する部分の樹脂被覆は除去し石英を露出させた。この露出部にパワー密度15mW/cmのエキシマランプ紫外光を強度変調マスクを介して一定時間照射した。ここで用いた強度変調マスクは、幅5mmのスリットが中央に一カ所だけ設けられているものである。エキシマランプは波長172nmのものを用いた(光照射工程)。
【0072】
その後、光ファイバ全体を120℃で12時間加熱し、光ファイバ中に拡散していた水素を大気中に再拡散させ、光ファイバ中の水素濃度を低下させた(水素除去工程)。
【0073】
この光ファイバのエキシマランプを照射した部分と強度変調マスクの遮光によりランプが照射されなかった部分に、アルゴンイオンレーザの第二高調波(ArSHG:波長244nm)を用いて、位相マスク法により反射中心波長1550nmのFBGを作製した(パターン照射工程)。
【0074】
ArSHGレーザのパワー密度は150mW/mmで、FBG長は1mmである。
【0075】
このFBGの中心波長および透過損失から、ArSHGレーザ露光による屈折率変化量を見積もった。その結果を図5に示す。
【0076】
本図においては、横軸がArSHGレーザ照射時間を示し、縦軸が屈折率変化量を示し、図中の各線がエキシマランプの照射時間を示す。エキシマランプ照射時間が0分となっているものが、強度変調マスクの遮光によりエキシマランプの照射がなかった部分を露光した場合の結果である。
【0077】
また、比較のために、従来から一般的に用いられている水素を拡散させた状態で露光した場合の屈折率変化の様子も併せて示す。これは、つまり水素拡散工程のみを経た光ファイバにArSHGレーザで露光した場合の屈折率変化である。
【0078】
この図5からは、エキシマランプの照射時間を増加させることで、ArSHGレーザで同じ時間だけ露光した場合の屈折率変化が大きくなることが確認でき、エキシマランプ照射による光感受性の増大が確認された。これにより、本発明の方法を用いることで石英系材料の光感受性を局所的に増大させる効果があることが確認され、光照射工程において強度変調マスクを用いることにより、その部分のみに選択的にFBGを作製できることが確認された。さらに、その光感受性は従来用いられていた水素を浸透させた状態での光感受性と同等もしくはそれ以上である事も判明した。
【0079】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
石英系の光導波路として、コアには約8.5wt%のGeOが添加されており、コア直径が約4μm、コアとクラッドの比屈折率差が0.85%である光ファイバを用いた。この光ファイバを55℃、100気圧の水素雰囲気中に1週間放置し、ファイバコアまで水素を拡散させた(水素拡散工程)。
【0080】
石英光ファイバを被覆している紫外線硬化型樹脂は、エキシマランプからの紫外光を透過しないため、紫外光を照射する部分の樹脂被覆は除去し石英を露出させた。この石英露出部にパワー密度15mW/cmのエキシマランプ紫外光を強度変調マスクを介して15分間照射した(光照射工程)。
【0081】
ここで用いた強度変調マスクは、幅1mmのスリットが9mmおきに10個あるタイプのものである。つまり、Lg=1mm、Ls=10mm、Lt=91mmとなるように露光を行った。エキシマランプは波長172nmのものを用いた。
【0082】
その後、光ファイバ全体を120℃で12時間加熱し、光ファイバ中に拡散していた水素を大気中に再拡散させ、光ファイバ中の水素濃度を低下させた(水素除去工程)。
【0083】
上記の工程を経た光ファイバにアルゴンイオンレーザの第二高調波(ArSHG:波長244nm)を用い、位相マスク法によりFBGを作製した(パターン照射工程)。
【0084】
位相マスクは、中心周期が1076.8nmのユニフォームマスクを用いた。
【0085】
ArSHGレーザのパワー密度は150mW/mmで、レーザをファイバ軸に沿ってスキャンさせることにより、光照射工程でエキシマランプを照射した全長にわたりFBGを作製した。その際得られたFBGの反射特性を図6に示す。
【0086】
本図において示したとおり、サンプルドFBGの特徴である周期的な透過損失特性が得られ、本発明によりサンプルドFBGが作製できることを確認した。
【0087】
(第3の実施の形態)
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。
石英系の光導波路として、コアには約8.5wt%のGeOが添加されており、コア直径が約4μm、コアとクラッドの比屈折率差が0.85%である光ファイバを用いた。この光ファイバを55℃、100気圧の水素雰囲気中に1週間放置し、ファイバコアまで水素を拡散させた(水素拡散工程)。
【0088】
石英光ファイバを被覆している紫外線硬化型樹脂は、エキシマランプからの紫外光を透過しないため、紫外光を照射する部分の樹脂被覆は除去し石英を露出させた。この石英露出部にパワー密度15mW/cmのエキシマランプ紫外光を強度変調マスクを介して30分間照射した(光照射工程)。
【0089】
ここで用いた強度変調マスクは、幅0.5mmのスリットが9.5mmおきに10個あるタイプのものである。つまり、Lg=0.5mm、Ls=10mm、Lt=90.5mmとなるように露光を行った。エキシマランプは波長172nmのものを用いた。
【0090】
その後、光ファイバ全体を120℃で12時間加熱し、光ファイバ中に拡散していた水素を大気中に再拡散させ、光ファイバ中の水素濃度を低下させた(水素除去工程)。
【0091】
上記の工程を経た光ファイバにアルゴンイオンレーザの第二高調波(ArSHG:波長244nm)を用い、位相マスク法によりFBGを作製した(パターン照射工程)。
【0092】
位相マスクは、中心周期が1076.8nmのユニフォームマスクを用いた。
【0093】
ArSHGレーザのパワー密度は150mW/mmで、レーザをファイバ軸に沿ってスキャンさせることにより、光照射工程でエキシマランプを照射した全長にわたりFBGを作製した。その際得られたFBGの反射特性を図7に示す。
【0094】
本図において示したとおり、サンプルドFBGの特徴である周期的な透過損失特性が得られ、本発明によりサンプルドFBGが作製できることを確認した。
【0095】
また、先の第2の実施の形態と比べると透過損失特性の帯域が広がっていることが確認できる。これは、サンプルドFBGの各FBGの長さが減少したことに対応しており、従来の方法では作製が困難であったサンプルドFBGの各FBG長が0.5mmのサンプルドFBGが作製できたことを確認した。
【0096】
(第4の実施の形態)
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。
石英系の光導波路として、コアには約8.5wt%のGeOが添加されており、コア直径が約4μm、コアとクラッドの比屈折率差が0.85%である光ファイバを用いた。この光ファイバを55℃、100気圧の水素雰囲気中に1週間放置し、ファイバコアまで水素を拡散させた(水素拡散工程)。
【0097】
石英光ファイバを被覆している紫外線硬化型樹脂は、エキシマランプからの紫外光を透過しないため、紫外光を照射する部分の樹脂被覆は除去し石英を露出させた。この石英露出部にパワー密度15mW/cmのエキシマランプ紫外光を強度変調マスクを介して30分間照射した(光照射工程)。
【0098】
ここで用いた強度変調マスクは、幅0.35mmのスリットが0.7mmおきに97個あるタイプのものである。つまり、Lg=0.35mm、Ls=1.05mm、Lt=101.15mmとなるように露光を行った。エキシマランプは波長172nmのものを用いた。
【0099】
その後、光ファイバ全体を120℃で12時間加熱し、光ファイバ中に拡散していた水素を大気中に再拡散させ、光ファイバ中の水素濃度を低下させた(水素除去工程)。
【0100】
上記の工程を経た光ファイバにアルゴンイオンレーザの第二高調波(ArSHG:波長244nm)を用い、位相マスク法によりFBGを作製した(パターン照射工程)。
【0101】
ArSHGレーザのパワー密度は150mW/mmで、レーザをファイバ軸に沿ってスキャンさせることにより、光照射工程でエキシマランプを照射した全長にわたりFBGを作製した。
位相マスクは、中心周期が1076.8nm、チャープ率が0.137nm/cmのチャープマスクを用いた。
【0102】
その際得られたFBGの反射特性と群遅延時間特性を図8に示す。
本図において示したとおり、サンプルドFBGの特徴である周期的な透過損失特性が得られ、本発明によりサンプルドFBGが作製できることを確認した。
【0103】
また、チャープマスクを使用することにより、周期的な特性を示す各反射帯域が広がり、群遅延時間にも周期的な特性が確認できた。このため、各波長帯域内で分散補償が可能になり、広帯域な波長領域の分散補償が可能となる。さらに、この条件で作製した反射特性の周期は約0.8nmであり、国際的な通信規格であるITUのグリッド間隔に対応しているため、製品特性上有利となる。
【0104】
また、これらの実施例では波長172nmのエキシマランプを用いた結果を示したが、波長222nmのエキシマランプを用いても同様の結果が得られることが確認された。また、エキシマランプに限らず、紫外光域で発光する非干渉性を有する光源であれば使用できる。
【0105】
【発明の効果】
請求項1記載の本発明によれば、紫外光に対し光感受性を有する石英系光導波路に水素と重水素のうちの少なくとも一方を拡散させ、光源により発生させられた光を強度変調マスクを介して石英系光導波路に照射し、石英系光導波路に拡散している水素と重水素を石英系光導波路から取り除き、石英系光導波路に干渉パターンを照射することにより、紫外に対する光感受性を増大させることができる。
【0106】
請求項2に記載の発明によれば、光源として紫外線光域で単色発光する光を発生させる非干渉光源を用いることにより、強度変調マスクの劣化を防止することができ、フレネル回折の影響を抑えることができる。
【0107】
請求項5記載の本発明によれば、光源としてエキシマランプを用いることにより、強度変調マスクの劣化を防止することができ、フレネル回折の影響を抑えることができる。
【0108】
請求項8に記載の本発明によれば、強度変調マスクによる強度分布が周期的であることにより、サンプルドFBGの作製が可能となる。
【0109】
請求項12に記載の本発明によれば、紫外光に対し光感受性を有する石英系光導波路に水素と重水素のうちの少なくとも一方を拡散させ、光源により発生させられた光を強度変調マスクを介して石英系光導波路に照射し、石英系光導波路に拡散している水素と重水素のうちの少なくとも一方を石英系光導波路から取り除き、石英系光導波路に干渉パターンを照射することにより、紫外光に対する光感受性を増大させることができる。
【0110】
請求項13に記載の発明によれば、光源として紫外線光域で単色発光する光を発生させる非干渉光源を用いることにより、強度変調マスクの劣化を防止することができ、フレネル回折の影響を抑えることができる。
【0111】
請求項16記載の本発明によれば、光源としてエキシマランプを用いることにより、強度変調マスクの劣化を防止することができ、フレネル回折の影響を抑えることができる。
【0112】
請求項18に記載の本発明によれば、強度変調マスクによる強度分布が周期的であることにより、サンプルドFBGの作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法によるサンプルドFBG作製の工程順序を表す図である。
【図2】本発明方法によるサンプルドFBG作製の工程順序を表す図である。
【図3】従来方法と本発明方法で作製したFBGの屈折率差を示す図である。
【図4】エキシマランプ使用ガスと波長の関係を示す図である。
【図5】本発明方法によるエキシマランプ光照射による光感受性増大効果を示す図である。
【図6】本発明方法によるサンプルドFBGの実施例(強度変調スリット幅1mm)を表す図である。
【図7】本発明方法によるサンプルドFBGの実施例(強度変調スリット幅0.5mm)を表す図である。
【図8】本発明方法によるサンプルドFBGの実施例(強度変調スリット幅0.35mm)を表す図である。
【図9】従来方法によるサンプルドFBG作製の工程順序を表す図である。
【図10】加熱温度と水素拡散に必要な時間との関係を示す図である。
【図11】サンプルドFBG諸特性の関係を表す図である。
【図12】スリット通過による回折強度パターンを表す図である。
【図13】FBGの応用例として、波長安定化用FBGを説明するための図である。
【図14】FBGの応用例として、Add/Drop用FBGを説明するための図である。
【図15】FBGの応用例として、分散補償用FBGを説明するための図である。
【図16】FBGの応用例として、利得等化用FBGを説明するための図である。
【符号の説明】
11 FBG(水素無)
13 コア(水素無)
14a、14b、14c 非干渉性UVランプ光照射部(水素無)
15 クラッド(水素無)
17 光ファイバ(水素無)
19 光ファイバ被覆部材(水素無)
21 FBG(水素拡散)
23 コア(水素拡散)
24a、24b、24c 非干渉性UVランプ光照射部(水素拡散)
25 クラッド(水素拡散)
27 光ファイバ(水素拡散)
29 光ファイバ被覆部材(水素拡散)
51 FBG屈折率差ΔNa
53 FBG屈折率差ΔNb
55 UVランプ光照射による屈折率上昇分ΔNc
100 光ファイバ(光導波路)
101 コア
102 FBG
111 高圧容器
113 高圧水素
131 非干渉性UVランプ光
151 オーブン
153 水素
171 干渉性UVレーザ光
173 位相マスク
175 強度変調マスク
177 強度変調マスクスリット

Claims (22)

  1. 紫外光に対し光感受性を有する石英系光導波路に水素と重水素のうちの少なくとも一方を拡散させる水素拡散工程と、
    光源により発生させられた紫外光を強度変調マスクを介して前記石英系光導波路に照射する光照射工程と、
    前記石英系光導波路に拡散している水素と重水素を該石英系光導波路から取り除く水素除去工程と、
    前記石英系光導波路に干渉パターンを照射するパターン照射工程と
    を備えたことを特徴とするグレーティング型光部品製造方法。
  2. 前記光照射工程で用いる光源として紫外線光域で単色発光する光を発生させる非干渉光源を用いることを特徴とする請求項1に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  3. 前記非干渉光源により発生させられる光の波長は、150nmから280nmの範囲にあることを特徴とする請求項2に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  4. 前記干渉パターンは、干渉性を有する紫外光による干渉パターンであることを特徴とする請求項1から3に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  5. 前記光照射工程光源としてエキシマランプを用いることを特徴とする請求項1に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  6. 前記エキシマランプにより発生させられる光の波長は、172nmであることを特徴とする請求項5に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  7. 前記エキシマランプにより発生させられる光の波長は、222nmであることを特徴とする請求項5に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  8. 前記強度変調マスクによる強度分布は、周期的であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  9. 前記強度変調マスクは、前記光が通過するスリットを備え、該スリットの幅は、1mm以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  10. 前記干渉パターンを照射するにあたって、位相マスク法を用いることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  11. 前記石英系導波路は、光ファイバであることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造方法。
  12. 紫外光に対し光感受性を有する石英系光導波路に水素と重水素のうちの少なくとも一方を拡散させる水素拡散手段と、
    強度変調マスクと、
    前記強度変調マスクを介して前記石英系光導波路に紫外光を照射する光照射手段と、
    前記石英系光導波路に拡散している水素と重水素のうちの少なくとも一方を該石英系光導波路から取り除く水素除去手段と、
    前記石英系光導波路に干渉パターンを照射するパターン照射手段と
    を備えたことを特徴とするグレーティング型光部品製造装置。
  13. 前記光照射手段は、紫外線光域で単色発光する光を発生させる非干渉光源を備えたことを特徴とする請求項12に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  14. 前記非干渉光源により発生させられる光の波長は、150nmから280nmの範囲にあることを特徴とする請求項13に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  15. 前記干渉パターンは、干渉性を有する紫外光による干渉パターンであることを特徴とする請求項14に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  16. 前記光照射手段は、エキシマランプを備えたことを特徴とする請求項12に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  17. 前記エキシマランプにより発生させられる光の波長は、222nmあるいは172nmであることを特徴とする請求項16に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  18. 前記強度変調マスクによる強度分布は、周期的であることを特徴とする請求項12から17のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  19. 前記強度変調マスクは、前記光が通過するスリットを備え、該スリットの幅は、1mm以下であることを特徴とする請求項12から18のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  20. 前記パターン照射手段は、位相マスク法を用いることを特徴とする請求項12から19のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  21. 前記石英系導波路は、光ファイバであることを特徴とする請求項12から20のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造装置。
  22. 請求項12から21のいずれか1項に記載のグレーティング型光部品製造装置を用いて作製された光部品。
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