JP2005010222A - 光ファイバ型アッテネータおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】所望の出射光パワーが得られる光ファイバ型アッテネータを提供することを目的とする。さらには、簡便な方法で生産効率が高い光ファイバ型アッテネータの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光ファイバ型アッテネータの製造方法は、断面中央部に配置された第1のコア11と、第1のコア11および第1のコア11近傍のクラッド13を伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置された1つ以上の第2のコア12とを備えた光ファイバの一部を加熱延伸する方法である。本発明の光ファイバ型アッテネータ10は、上述した光ファイバ型アッテネータの製造方法で製造されたものである。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の光ファイバ型アッテネータの製造方法は、断面中央部に配置された第1のコア11と、第1のコア11および第1のコア11近傍のクラッド13を伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置された1つ以上の第2のコア12とを備えた光ファイバの一部を加熱延伸する方法である。本発明の光ファイバ型アッテネータ10は、上述した光ファイバ型アッテネータの製造方法で製造されたものである。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ通信システムに使用され、光信号を減衰させる光ファイバ型アッテネータおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信や光計測の分野などでは、光を所定の割合で減衰させる素子として光ファイバ型アッテネータが多用されている。従来、光ファイバ型アッテネータとしては、融着延伸型光ファイバカプラを加工したものが知られている。
この融着延伸型光ファイバカプラを加工した光ファイバ型アッテネータは、以下のような方法により製造されている。すなわち、この製造方法では、まず、図11(a)に示すように、2本の光ファイバ51,51の中間部の被覆を除去して光ファイバ裸線を露出させる。ここで、この光ファイバにおいて、光ファイバ裸線が露出した部分のことを裸線部52という。次いで、2本の光ファイバの各裸線部52を並列させるとともに、少なくとも裸線部52の一部同士を接触させる。
【0003】
次いで、図11(b)に示すように、酸水素炎53(または、放電アーク)によって2本の光ファイバの裸線部52,52を融着させると共に、2本の光ファイバ51,51を両側に引っ張って延伸する。このようにして、図11(c)に示すように、光ファイバ51,51の間で光学的に結合した融着延伸部54を形成する。次いで、図11(d)に示すように、融着延伸部54を含む裸線部52の全体を保護ケース55内に収納し、光ファイバの被覆56と保護ケース55の両端部とを封止用樹脂57で接着して封止する。このようにして、被覆56を有する光ファイバをポート58a,58b,58c,58dとする2×2型の光ファイバカプラ60を得る。
【0004】
そして、この2×2型の光ファイバカプラ60のポート58b,58cを切断して、図12に示すような、入力ポート(ポート58a)と出力ポート(ポート58d)とがそれぞれ1つずつの光ファイバ型アッテネータ50を得る。
なお、2×2型の光ファイバカプラのポート58cのみを切断した場合には、図13に示すような、入力ポートが1つ(ポート58a)と出力ポートが2つ(58b,58d)の光ファイバカプラ61になる。
【0005】
上記製造方法のように、2×2型の光ファイバカプラの不要なポートを切断する場合には、ファイバを斜めにカットする方法や、特許文献1に記載されているような、切断によって形成される終端部を凹凸型にする方法など、切断部からの反射光が入射端に戻らないように(すなわち、反射率がほぼ0%になるように)反射終端加工する方法が採用されていた。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−311042号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、2×2型の光ファイバカプラの不要なファイバを切断して光ファイバ型アッテネータを作製する場合には、上述したように、切断工程と、切断した2カ所の終端部を加工する反射終端加工工程とを有するため、生産効率が高くなかった。
また、融着延伸型光ファイバカプラを作製する際に、裸線部同士が所定の通りに接触していなかった場合には、融着延伸部から光の漏れが生じて所望の出射光パワーが得られないことがあった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、所望の出射光パワーが得られる光ファイバ型アッテネータを提供することを目的とする。さらには、簡便な方法で生産効率が高い光ファイバ型アッテネータの製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ファイバ型アッテネータの製造方法は、断面中央部に配置された第1のコアと、第1のコアおよび第1のコア近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置された1つ以上の第2のコアとを備えた光ファイバの一部を加熱延伸することを特徴とする。
本発明の光ファイバ型アッテネータは、上述した光ファイバ型アッテネータの製造方法で製造されたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の光ファイバ型アッテネータ(以下、アッテネータと略す)およびその製造方法の一実施形態例について図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態例のアッテネータを示す斜視図である。このアッテネータ10は、第1のコア11と第2のコア12とを1つずつ有する光ファイバから構成され、光ファイバの被覆13が除去された裸線部14の一部が延伸されて細径化した延伸部15を有するものである。このアッテネータ10において、延伸部15の両側に位置し、被覆13を有する部分のことを被覆部16という。
【0010】
このアッテネータを構成する光ファイバについてさらに説明する。
図2(a)に、この実施形態例で使用される光ファイバの断面図を示す。この光ファイバはシングルモードのものであって、断面中央部に配置された第1のコア11と、第1のコア11の周囲に配されたクラッド17と、第1のコア11および第1のコア11近傍のクラッド17を伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に1つ配置された第2のコア12とが備えられている。図2(a)の光ファイバにおけるA−A線上の光の屈折率分布は、図2(b)に示すように、各コアに対応した位置にピークを有している。
なお、本明細書では、本実施形態例で使用される光ファイバのように、コアを2つ以上有している光ファイバのことをマルチコアファイバといい、コアが1つの光ファイバのことをシングルコアファイバということがある。
【0011】
この光ファイバにおいて、第2のコア12が、第1のコア11および第1のコア11近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置されているのは以下の理由による。断面中央部のコアを伝播する光の一部は、図3(a)に示す光の強度分布のように、コア近傍のクラッドに漏れ出している。したがって、第2のコアが、第1のコアおよび第1のコア近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/mを超える位置に配置されている場合には、マルチコアファイバの全体にわたって、第1のコアを伝播する光の第2のコアへの結合量が多くなる。そのため、減衰量を高精度に制御したアッテネータを作製することが困難になる。なお、図3(a)の光の強度分布は、図3(b)に示すような、コア18とクラッド19からなるシングルコアファイバにおけるB−B線上の光の強度分布である。
【0012】
上述したアッテネータでは、第1のコアに光を伝播させると、細径化した延伸部にて光がクラッドに漏れ出し、その漏れ出した光がある割合で第2のコアに結合する。ここで、第1のコアを伝播する光が第2のコアに結合する程度は細径化の程度によって変化する。
なお、延伸されていないマルチコアファイバの第1のコアに光を伝播させる場合には光強度が減衰することはないから、シングルコアファイバと同様に使用できる。
【0013】
次に、アッテネータの製造方法について説明する。この製造方法では、図4(a)に示すように、第1のコア11および第2のコア12を有するマルチコアファイバ20を用意し、その中間部の被覆を除去し、クラッドを露出させて裸線部14を形成させる。
次いで、図4(b)に示すように、裸線部14の一部を酸水素バーナ21で加熱しながら、マルチコアファイバ20をその長手方向両側に引っ張り、テーパ状の部分が形成するように延伸部15を形成させる。
次いで、図4(c)に示すように、少なくとも裸線部14を収納するように、裸線部14と被覆部16の境界に塗布した接着剤22a,22bにより保護ケース23を接着して、最終的なアッテネータ30を得る。
【0014】
この製造方法において、酸水素バーナ21による加熱では、延伸させやすいことから、加熱温度を1500〜2500℃にすることが好ましい。
また、高精度のアッテネータが効率的に得られることから、延伸させるときの延伸速度を10〜100μm/秒にすることが好ましい。
延伸する際には、マルチコアファイバの一方の端部から光を入射し、他方の端部から出射する光の強度を光パワーメータなどで測定し、光が目標量減衰したところで延伸を終了させることが好ましい。このように光強度を測定しながら延伸すれば、アッテネータの光減衰量を高精度に制御できる。
【0015】
次に、このアッテネータの使用例について説明する。
図5に示すように、上述したアッテネータ(例えば、保護ケース23を有するアッテネータ30)を使用する際には、通常、その両端にシングルコアファイバ25,25を接続する。その接続では、アッテネータ30の入射端あるいは出射端をなす被覆部16,16における第1のコアとシングルコアファイバのコアとが調芯され、公知の融着接続機が使用される。
このように接続して形成された光導波路において、図6に示すように、一方のシングルコアファイバ25のコア26から光を入射すると、シングルコアファイバ25のコア26を伝播した光はアッテネータ30の第1のコア11を伝播するが、第2のコア12を伝播しない。
【0016】
続いて、アッテネータの第1のコアを伝播する光は延伸部を伝播する。光が延伸部を伝播する際、その一部は第1のコアから漏れ出て第2のコアに結合する。したがって、第1のコアおよび第2のコアを光が伝播するようになる。
そして、図7に示すように、アッテネータ30の第1のコア11は他方のシングルコアファイバ25のコア26に接続されているから、アッテネータ30の第1のコア11から出射した光は、他方のシングルコアファイバ25のコア26を伝播する。一方、アッテネータ30の第2のコア12を伝播する光は、他方のシングルコアファイバ25のクラッド27に当たり、放射拡散する。
このように、アッテネータにおいて、第1のコアを伝播した光の一部は第2のコアに結合し、放射拡散するので、アッテネータの第1のコアから出射した光は減衰している。
【0017】
ここで、アッテネータの第2のコアの屈折率とシングルコアファイバのクラッドの屈折率とがほぼ等しいことが好ましい。アッテネータの第2のコアの屈折率とシングルコアファイバのクラッドの屈折率とがほぼ等しければ、異なる屈折率(n0 ,n1 )を有する2つの物体の境界面での反射率R(下記式(1)参照)は約0になる。したがって、シングルコアファイバと接続するだけで、入射端側への反射を防止したものが得られ、特別な終端加工の必要性が低くなる。
【0018】
【数1】
【0019】
以上説明した実施形態例のアッテネータにあっては、第1のコアに入射した光の一部が延伸部にて第2のコアに結合し、延伸部を通過して第2のコアを伝播する光は第1のコアに到達せず、第1のコアへの再結合が防止されているので、第1のコアを伝播する光の強度が低くなる。したがって、第1のコアを伝播する光を減衰させることができる。さらに、延伸部における第2のコアへの光の結合量は、延伸量に依存するので、アッテネータの減衰量は延伸量によって調整することができる。
このようなアッテネータでは、融着延伸型光ファイバカプラを加工したものではないから、2本の光ファイバの裸線部の接触具合の不備に基づく光の漏れ出しがなく、所望の出射光パワーを容易に得ることができる。
【0020】
さらに、このアッテネータは1本の光ファイバを延伸したものであるから、不要なファイバを切断することを省略でき、融着延伸型光ファイバカプラを加工した場合には必要であった反射終端加工工程が不要になる。したがって、生産効率が高い上に、簡便かつ安価にアッテネータを製造できる。また、マルチコアファイバを延伸する工程は、2×2型光ファイバカプラの製造方法における延伸工程と同じであり、既存の延伸装置を流用できる。
【0021】
なお、本発明は、上述した実施形態例に限定されない。例えば、上述した実施形態例では、マルチコアファイバが第2のコアを1つ有していたが、2つ以上有していてもよい。例えば、図8(a)に示すような、第2のコア12を2つ有するマルチコアファイバ31を用いてもよい。なお、第2のコア12を2つ有するマルチコアファイバ31は、C−C線上の屈折率分布が、図8(b)に示すように、各コアに対応した3つのピークを有している。
【0022】
【実施例】
表1に示すようなマルチコアファイバを1本用意した。その中間部の被覆を長手方向約30mmにわたって除去し、クラッドを露出させて裸線部を形成させた。次いで、図9に示すように、このマルチコアファイバ41を融着延伸装置42にセットした。その際、マルチコアファイバ41の入射側端部43には、波長1.55μmの光源44が接続されたシングルコアファイバ45aを融着接続し、マルチコアファイバ41の出射側端部46には、光パワーメータが接続されたシングルコアファイバ45bを融着接続した。なお、融着延伸前の光パワーメータの値は−10dBmであった。
【0023】
【表1】
【0024】
次いで、図4(b)に示すように、裸線部14の一部を酸水素バーナ21で加熱しながらマルチコアファイバの長手方向両側に引っ張って延伸部15を形成させた。その際、光パワーメータで出射光量をモニターし続け、光パワーメータの値が約−20dBmになったところで延伸を終了した(図10参照)。したがって、このアッテネータは約10dB減衰させるものになる。
次いで、図4(c)に示すように、被覆部16と裸線部14との境界付近に接着剤22a,22bを塗布し、裸線部14を保護するようにマルチコアファイバに保護ケース23を接着して最終的なアッテネータ30を得た。
このようにして得られたアッテネータ30の挿入損失を精密に調べてみたところ、10.1dBであった。また、反射減衰量を測定したところ、−68dBであった。
【0025】
【発明の効果】
本発明によれば、2本の光ファイバを接触させることがないから、接触具合の不備に基づく光の漏れ出しがなく、所望の出射光パワーを容易に得ることができる。また、反射終端加工工程が不要であり、2×2型光ファイバカプラの製造で使用されている既存の延伸装置を流用できるので、簡便で生産効率が高く、安価にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ファイバ型アッテネータの一実施形態例を示す斜視図である。
【図2】(a)は、図1に示す光ファイバ型アッテネータを構成する光ファイバの断面図であり、(b)は、その光ファイバの屈折率分布を示すグラフである。
【図3】(a)は、シングルコアファイバの光の強度の分布を示すグラフであり、(b)は、シングルコアファイバの断面図である。
【図4】本発明の光ファイバ型アッテネータの製造方法の一実施形態例を工程順に示す図である。
【図5】光ファイバ型アッテネータの使用例を模式的に示す図である。
【図6】図1に示す光ファイバ型アッテネータとシングルコアファイバとの接続部分を拡大した斜視図である。
【図7】図1に示す光ファイバ型アッテネータとシングルコアファイバとの接続部分を拡大した斜視図である。
【図8】(a)は、他の実施形態例の光ファイバ型アッテネータを構成する光ファイバの断面図であり、(b)は、その光ファイバの屈折率分布を示すグラフである。
【図9】光ファイバ型アッテネータの製造装置を模式的に示す図である。
【図10】実施例において、延伸量と出射パワーとの関係を示すグラフである。
【図11】従来の光ファイバ型アッテネータの製造方法を工程順に示す図である。
【図12】従来の光ファイバ型アッテネータを示す上面図である。
【図13】従来の光ファイバカプラを示す上面図である。
【符号の説明】
10,30・・・アッテネータ(光ファイバ型アッテネータ)、11・・・第1のコア、12・・・第2のコア
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ通信システムに使用され、光信号を減衰させる光ファイバ型アッテネータおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信や光計測の分野などでは、光を所定の割合で減衰させる素子として光ファイバ型アッテネータが多用されている。従来、光ファイバ型アッテネータとしては、融着延伸型光ファイバカプラを加工したものが知られている。
この融着延伸型光ファイバカプラを加工した光ファイバ型アッテネータは、以下のような方法により製造されている。すなわち、この製造方法では、まず、図11(a)に示すように、2本の光ファイバ51,51の中間部の被覆を除去して光ファイバ裸線を露出させる。ここで、この光ファイバにおいて、光ファイバ裸線が露出した部分のことを裸線部52という。次いで、2本の光ファイバの各裸線部52を並列させるとともに、少なくとも裸線部52の一部同士を接触させる。
【0003】
次いで、図11(b)に示すように、酸水素炎53(または、放電アーク)によって2本の光ファイバの裸線部52,52を融着させると共に、2本の光ファイバ51,51を両側に引っ張って延伸する。このようにして、図11(c)に示すように、光ファイバ51,51の間で光学的に結合した融着延伸部54を形成する。次いで、図11(d)に示すように、融着延伸部54を含む裸線部52の全体を保護ケース55内に収納し、光ファイバの被覆56と保護ケース55の両端部とを封止用樹脂57で接着して封止する。このようにして、被覆56を有する光ファイバをポート58a,58b,58c,58dとする2×2型の光ファイバカプラ60を得る。
【0004】
そして、この2×2型の光ファイバカプラ60のポート58b,58cを切断して、図12に示すような、入力ポート(ポート58a)と出力ポート(ポート58d)とがそれぞれ1つずつの光ファイバ型アッテネータ50を得る。
なお、2×2型の光ファイバカプラのポート58cのみを切断した場合には、図13に示すような、入力ポートが1つ(ポート58a)と出力ポートが2つ(58b,58d)の光ファイバカプラ61になる。
【0005】
上記製造方法のように、2×2型の光ファイバカプラの不要なポートを切断する場合には、ファイバを斜めにカットする方法や、特許文献1に記載されているような、切断によって形成される終端部を凹凸型にする方法など、切断部からの反射光が入射端に戻らないように(すなわち、反射率がほぼ0%になるように)反射終端加工する方法が採用されていた。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−311042号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、2×2型の光ファイバカプラの不要なファイバを切断して光ファイバ型アッテネータを作製する場合には、上述したように、切断工程と、切断した2カ所の終端部を加工する反射終端加工工程とを有するため、生産効率が高くなかった。
また、融着延伸型光ファイバカプラを作製する際に、裸線部同士が所定の通りに接触していなかった場合には、融着延伸部から光の漏れが生じて所望の出射光パワーが得られないことがあった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、所望の出射光パワーが得られる光ファイバ型アッテネータを提供することを目的とする。さらには、簡便な方法で生産効率が高い光ファイバ型アッテネータの製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ファイバ型アッテネータの製造方法は、断面中央部に配置された第1のコアと、第1のコアおよび第1のコア近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置された1つ以上の第2のコアとを備えた光ファイバの一部を加熱延伸することを特徴とする。
本発明の光ファイバ型アッテネータは、上述した光ファイバ型アッテネータの製造方法で製造されたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の光ファイバ型アッテネータ(以下、アッテネータと略す)およびその製造方法の一実施形態例について図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態例のアッテネータを示す斜視図である。このアッテネータ10は、第1のコア11と第2のコア12とを1つずつ有する光ファイバから構成され、光ファイバの被覆13が除去された裸線部14の一部が延伸されて細径化した延伸部15を有するものである。このアッテネータ10において、延伸部15の両側に位置し、被覆13を有する部分のことを被覆部16という。
【0010】
このアッテネータを構成する光ファイバについてさらに説明する。
図2(a)に、この実施形態例で使用される光ファイバの断面図を示す。この光ファイバはシングルモードのものであって、断面中央部に配置された第1のコア11と、第1のコア11の周囲に配されたクラッド17と、第1のコア11および第1のコア11近傍のクラッド17を伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に1つ配置された第2のコア12とが備えられている。図2(a)の光ファイバにおけるA−A線上の光の屈折率分布は、図2(b)に示すように、各コアに対応した位置にピークを有している。
なお、本明細書では、本実施形態例で使用される光ファイバのように、コアを2つ以上有している光ファイバのことをマルチコアファイバといい、コアが1つの光ファイバのことをシングルコアファイバということがある。
【0011】
この光ファイバにおいて、第2のコア12が、第1のコア11および第1のコア11近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置されているのは以下の理由による。断面中央部のコアを伝播する光の一部は、図3(a)に示す光の強度分布のように、コア近傍のクラッドに漏れ出している。したがって、第2のコアが、第1のコアおよび第1のコア近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/mを超える位置に配置されている場合には、マルチコアファイバの全体にわたって、第1のコアを伝播する光の第2のコアへの結合量が多くなる。そのため、減衰量を高精度に制御したアッテネータを作製することが困難になる。なお、図3(a)の光の強度分布は、図3(b)に示すような、コア18とクラッド19からなるシングルコアファイバにおけるB−B線上の光の強度分布である。
【0012】
上述したアッテネータでは、第1のコアに光を伝播させると、細径化した延伸部にて光がクラッドに漏れ出し、その漏れ出した光がある割合で第2のコアに結合する。ここで、第1のコアを伝播する光が第2のコアに結合する程度は細径化の程度によって変化する。
なお、延伸されていないマルチコアファイバの第1のコアに光を伝播させる場合には光強度が減衰することはないから、シングルコアファイバと同様に使用できる。
【0013】
次に、アッテネータの製造方法について説明する。この製造方法では、図4(a)に示すように、第1のコア11および第2のコア12を有するマルチコアファイバ20を用意し、その中間部の被覆を除去し、クラッドを露出させて裸線部14を形成させる。
次いで、図4(b)に示すように、裸線部14の一部を酸水素バーナ21で加熱しながら、マルチコアファイバ20をその長手方向両側に引っ張り、テーパ状の部分が形成するように延伸部15を形成させる。
次いで、図4(c)に示すように、少なくとも裸線部14を収納するように、裸線部14と被覆部16の境界に塗布した接着剤22a,22bにより保護ケース23を接着して、最終的なアッテネータ30を得る。
【0014】
この製造方法において、酸水素バーナ21による加熱では、延伸させやすいことから、加熱温度を1500〜2500℃にすることが好ましい。
また、高精度のアッテネータが効率的に得られることから、延伸させるときの延伸速度を10〜100μm/秒にすることが好ましい。
延伸する際には、マルチコアファイバの一方の端部から光を入射し、他方の端部から出射する光の強度を光パワーメータなどで測定し、光が目標量減衰したところで延伸を終了させることが好ましい。このように光強度を測定しながら延伸すれば、アッテネータの光減衰量を高精度に制御できる。
【0015】
次に、このアッテネータの使用例について説明する。
図5に示すように、上述したアッテネータ(例えば、保護ケース23を有するアッテネータ30)を使用する際には、通常、その両端にシングルコアファイバ25,25を接続する。その接続では、アッテネータ30の入射端あるいは出射端をなす被覆部16,16における第1のコアとシングルコアファイバのコアとが調芯され、公知の融着接続機が使用される。
このように接続して形成された光導波路において、図6に示すように、一方のシングルコアファイバ25のコア26から光を入射すると、シングルコアファイバ25のコア26を伝播した光はアッテネータ30の第1のコア11を伝播するが、第2のコア12を伝播しない。
【0016】
続いて、アッテネータの第1のコアを伝播する光は延伸部を伝播する。光が延伸部を伝播する際、その一部は第1のコアから漏れ出て第2のコアに結合する。したがって、第1のコアおよび第2のコアを光が伝播するようになる。
そして、図7に示すように、アッテネータ30の第1のコア11は他方のシングルコアファイバ25のコア26に接続されているから、アッテネータ30の第1のコア11から出射した光は、他方のシングルコアファイバ25のコア26を伝播する。一方、アッテネータ30の第2のコア12を伝播する光は、他方のシングルコアファイバ25のクラッド27に当たり、放射拡散する。
このように、アッテネータにおいて、第1のコアを伝播した光の一部は第2のコアに結合し、放射拡散するので、アッテネータの第1のコアから出射した光は減衰している。
【0017】
ここで、アッテネータの第2のコアの屈折率とシングルコアファイバのクラッドの屈折率とがほぼ等しいことが好ましい。アッテネータの第2のコアの屈折率とシングルコアファイバのクラッドの屈折率とがほぼ等しければ、異なる屈折率(n0 ,n1 )を有する2つの物体の境界面での反射率R(下記式(1)参照)は約0になる。したがって、シングルコアファイバと接続するだけで、入射端側への反射を防止したものが得られ、特別な終端加工の必要性が低くなる。
【0018】
【数1】
【0019】
以上説明した実施形態例のアッテネータにあっては、第1のコアに入射した光の一部が延伸部にて第2のコアに結合し、延伸部を通過して第2のコアを伝播する光は第1のコアに到達せず、第1のコアへの再結合が防止されているので、第1のコアを伝播する光の強度が低くなる。したがって、第1のコアを伝播する光を減衰させることができる。さらに、延伸部における第2のコアへの光の結合量は、延伸量に依存するので、アッテネータの減衰量は延伸量によって調整することができる。
このようなアッテネータでは、融着延伸型光ファイバカプラを加工したものではないから、2本の光ファイバの裸線部の接触具合の不備に基づく光の漏れ出しがなく、所望の出射光パワーを容易に得ることができる。
【0020】
さらに、このアッテネータは1本の光ファイバを延伸したものであるから、不要なファイバを切断することを省略でき、融着延伸型光ファイバカプラを加工した場合には必要であった反射終端加工工程が不要になる。したがって、生産効率が高い上に、簡便かつ安価にアッテネータを製造できる。また、マルチコアファイバを延伸する工程は、2×2型光ファイバカプラの製造方法における延伸工程と同じであり、既存の延伸装置を流用できる。
【0021】
なお、本発明は、上述した実施形態例に限定されない。例えば、上述した実施形態例では、マルチコアファイバが第2のコアを1つ有していたが、2つ以上有していてもよい。例えば、図8(a)に示すような、第2のコア12を2つ有するマルチコアファイバ31を用いてもよい。なお、第2のコア12を2つ有するマルチコアファイバ31は、C−C線上の屈折率分布が、図8(b)に示すように、各コアに対応した3つのピークを有している。
【0022】
【実施例】
表1に示すようなマルチコアファイバを1本用意した。その中間部の被覆を長手方向約30mmにわたって除去し、クラッドを露出させて裸線部を形成させた。次いで、図9に示すように、このマルチコアファイバ41を融着延伸装置42にセットした。その際、マルチコアファイバ41の入射側端部43には、波長1.55μmの光源44が接続されたシングルコアファイバ45aを融着接続し、マルチコアファイバ41の出射側端部46には、光パワーメータが接続されたシングルコアファイバ45bを融着接続した。なお、融着延伸前の光パワーメータの値は−10dBmであった。
【0023】
【表1】
【0024】
次いで、図4(b)に示すように、裸線部14の一部を酸水素バーナ21で加熱しながらマルチコアファイバの長手方向両側に引っ張って延伸部15を形成させた。その際、光パワーメータで出射光量をモニターし続け、光パワーメータの値が約−20dBmになったところで延伸を終了した(図10参照)。したがって、このアッテネータは約10dB減衰させるものになる。
次いで、図4(c)に示すように、被覆部16と裸線部14との境界付近に接着剤22a,22bを塗布し、裸線部14を保護するようにマルチコアファイバに保護ケース23を接着して最終的なアッテネータ30を得た。
このようにして得られたアッテネータ30の挿入損失を精密に調べてみたところ、10.1dBであった。また、反射減衰量を測定したところ、−68dBであった。
【0025】
【発明の効果】
本発明によれば、2本の光ファイバを接触させることがないから、接触具合の不備に基づく光の漏れ出しがなく、所望の出射光パワーを容易に得ることができる。また、反射終端加工工程が不要であり、2×2型光ファイバカプラの製造で使用されている既存の延伸装置を流用できるので、簡便で生産効率が高く、安価にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ファイバ型アッテネータの一実施形態例を示す斜視図である。
【図2】(a)は、図1に示す光ファイバ型アッテネータを構成する光ファイバの断面図であり、(b)は、その光ファイバの屈折率分布を示すグラフである。
【図3】(a)は、シングルコアファイバの光の強度の分布を示すグラフであり、(b)は、シングルコアファイバの断面図である。
【図4】本発明の光ファイバ型アッテネータの製造方法の一実施形態例を工程順に示す図である。
【図5】光ファイバ型アッテネータの使用例を模式的に示す図である。
【図6】図1に示す光ファイバ型アッテネータとシングルコアファイバとの接続部分を拡大した斜視図である。
【図7】図1に示す光ファイバ型アッテネータとシングルコアファイバとの接続部分を拡大した斜視図である。
【図8】(a)は、他の実施形態例の光ファイバ型アッテネータを構成する光ファイバの断面図であり、(b)は、その光ファイバの屈折率分布を示すグラフである。
【図9】光ファイバ型アッテネータの製造装置を模式的に示す図である。
【図10】実施例において、延伸量と出射パワーとの関係を示すグラフである。
【図11】従来の光ファイバ型アッテネータの製造方法を工程順に示す図である。
【図12】従来の光ファイバ型アッテネータを示す上面図である。
【図13】従来の光ファイバカプラを示す上面図である。
【符号の説明】
10,30・・・アッテネータ(光ファイバ型アッテネータ)、11・・・第1のコア、12・・・第2のコア
Claims (2)
- 断面中央部に配置された第1のコアと、第1のコアおよび第1のコア近傍のクラッドを伝播する光の到達量が0.01dB/m以下になる位置に配置された1つ以上の第2のコアとを備えた光ファイバの一部を加熱延伸することを特徴とする光ファイバ型アッテネータの製造方法。
- 請求項1に記載の光ファイバ型アッテネータの製造方法で製造されたことを特徴とする光ファイバ型アッテネータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003171152A JP2005010222A (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | 光ファイバ型アッテネータおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003171152A JP2005010222A (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | 光ファイバ型アッテネータおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005010222A true JP2005010222A (ja) | 2005-01-13 |
Family
ID=34095733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003171152A Withdrawn JP2005010222A (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | 光ファイバ型アッテネータおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005010222A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016095377A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | Kddi株式会社 | マルチコア光ファイバ及び光通信システム |
CN109870774A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-06-11 | 安徽光纤光缆传输技术研究所(中国电子科技集团公司第八研究所) | 一种一体化微型2芯衰减光缆组件及制作工艺 |
-
2003
- 2003-06-16 JP JP2003171152A patent/JP2005010222A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016095377A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | Kddi株式会社 | マルチコア光ファイバ及び光通信システム |
CN109870774A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-06-11 | 安徽光纤光缆传输技术研究所(中国电子科技集团公司第八研究所) | 一种一体化微型2芯衰减光缆组件及制作工艺 |
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