JP2005005700A - ウエハの裏側部を保護する前処理方法、及び裏側部保護ウエハ - Google Patents
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Abstract
【課題】次世代の300mmサイズのウェハの取り扱いの厳しさを低減するとともに、良好な最終製品を得る。
【解決手段】光学的な機能構造体または光電子的な機能構造体16が設けられたシリコン・オン・クオーツ(SOQ)タイプのウェハ1であって、表側部2と裏側部3とを備え、製造処理中に機能構造体16が当該ウエハ1の少なくとも表側部2上又は表側部2内に形成されるウエハ1の前処理方法において、前記ウェハ1の前記裏側部3を損傷から保護するため、キャップ層4を前記ウェハ1の前記裏側部3の表面または前記裏側部3内に設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】光学的な機能構造体または光電子的な機能構造体16が設けられたシリコン・オン・クオーツ(SOQ)タイプのウェハ1であって、表側部2と裏側部3とを備え、製造処理中に機能構造体16が当該ウエハ1の少なくとも表側部2上又は表側部2内に形成されるウエハ1の前処理方法において、前記ウェハ1の前記裏側部3を損傷から保護するため、キャップ層4を前記ウェハ1の前記裏側部3の表面または前記裏側部3内に設ける。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ウエハ及びウエハ前処理方法に関し、特にそれぞれ請求項1と請求項12の総括部に係る、光学デバイス、電子デバイス、光電子デバイス、又はマイクロ機械デバイスの製造に使用するよう指定されているウエハ及びウエハ前処理方法に関する。
光学的、電子的、光電子的、又はマイクロ機械的な用途を含むデバイスは通常、シリコン、石英ガラス、又はガリウムヒ素などの様々な材料から構成されているウエハに作り付けられ、様々なサイズや形状がある。通常、トランジスタなどの機能構造体は、ウエハの表側部に形成される。これらの構造体のサイズは縮小し続けているので、表面の品質、並びに表側部及び裏側部の品質は、加工歩留まりを経済的なレベルに維持するためにますます重要になっている。また、ウエハの両面を使用する新たな用途が生まれている。その例としては、マイクロ機械(MEMS)デバイスや、ディスプレイなどの光学用途である。これらにおいては、機能構造体は可視光線を通す透明なウエハの一方の側に形成され、可視光線はウエハを介してデバイスから出射する。
したがって、従来ウエハの裏側部上のエンド・エフェクタでウエハを保持して行ってきたウエハの取扱いは、ますます厳しくなっている。また、次世代の300mmサイズのウエハにおいては、ウエハ取扱いシステムは複雑でコストが高く、ウエハの取扱いはウエハの周縁側でウエハを保持して行うことが好ましい。
したがって、本発明は、ウエハと、ウエハの取扱いの厳しさを低減するとともに、良好な最終製品品質を有するウエハを得ることを可能にするウエハ前処理方法とを提供することを目的としている。本目的は、請求項1に記載の方法により達成される。
追加処理工程中に裏側部に施されるキャップ層は、例えば機械的損傷や化学的損傷など、ウエハ裏側部に発生し得る損傷から保護する役割を果たす。更に、キャップ層は、ウエハの表面に十分固着するとともに、その物理的特性や化学的特性によって、裏側部表面の無欠性が確実なものになる。
キャップ層表面の品質はその表面下にあるウエハの裏側部の表面品質と比べればはるかに重要性が低いので、ウエハ取扱い処理はその厳格性がより低減したものになり、最新式のウエハ取扱い機械装置を低リスクで適用することが可能である。光が透明なウエハの裏側部を介してデバイスから出射する上記ディスプレイの例のように、裏側部が役割を果たすデバイスの場合も、後で周囲に対してデバイスのインタフェースとなるウエハの裏側部上に、処理中に傷があまり形成されないので、この処理は有益である。したがって、製品品質の向上と高い製品歩留まりとを得ることができる。
本発明の更なる一実施形態においては、1つの層、又は複数の副層から構成され得る追加の最上層がウエハの表側部上又は表側部内に設けられる。かかるウエハの例としては、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)、シリコン・オン・クオーツ(SOQ)、又は同様のウエハがあり、これらはますます重要になっている。これらのウエハを製造するには、複数の追加処理工程が必要であり、各処理工程はウエハの裏側部を損傷又は汚染し得る一定のリスクを有している。したがって、本発明の処理では、追加の最上層がウエハの表側部上又は表側部内に設けられる前に、キャップ層を裏側部上又は裏側部内に形成する。これにより、ウエハの裏側部の無欠性が機械的損傷や化学的損傷から確実に守られる。
本発明の一実施形態においては、機能構造体がウエハに形成される前、又は機能構造体が形成される2つの処理工程間に、キャップ層を裏側部に形成することができる。
本発明の別形態においては、キャップ層は、サンドイッチ状に配置された少なくとも2つの副層から構成することができる。ここで、副層は、例えばディスプレイ装置において1つ以上の副層が反射防止膜の役割を果たすなど、様々な機能を持たせることが可能である。ただし、少なくとも1つの副層があれば、機械的損傷や化学的損傷に対する保護層の役割を果たす。この保護層は、必ずしも最外副層である必要はない。
本発明の更なる一実施形態においては、キャップ層は堆積法により形成することができる。特に適切な堆積法は、化学気相成長法(CVD)、物理的気相成長法(PVD)、プラズマ助長CVD(PECVD)、低圧CVD(LPCVD)、スパッタリング法、又は蒸着法である。これらの方法により、キャップ層は容易に十分な品質で施されることができる。
本発明の方法の別の態様は、キャップ層を最小厚さ約20nmを有する副層で構成することができる点である。かかる層の厚さまで、十分な保護が得られる。とくに、約50〜1000nmの範囲の厚さを有する副層が好適である。ウエハの裏側部に望ましい保護効果をもたらすだけでなく、かかる層は容易に形成することができる。キャップ層が2つ以上の層から構成されている場合、他方の副層も、上記の最小厚さ約20nm、特に50〜1000nmの範囲の好適な厚さに準じた厚さを有することができる。
更なる一実施形態においては、キャップ層の少なくとも1つの副層を二酸化珪素、窒化珪素、及び/又は、ダイアモンド状炭素(DLC)で構成される層として選択する。これらの層は、高品質にて容易に適用でき、十分な保護効果を有する。
有益な態様においては、機能構造体がウエハの上又は内側に形成される前に、ウエハの裏側部上のキャップ層の少なくとも1つの副層を除去することができる。したがって、この種の層の存在によって、機能構造体をウエハの上又は内側に形成する処理に支障をきたす場合には、製造処理は公知の形態に戻すことができる。
更なる一実施形態においては、ウエハの裏側部上のキャップ層の少なくとも1つの副層は、機能構造体をウエハの表側部の上又は内側に形成した後に除去することができる。これによって、ウエハの裏側部は製造処理全体をとおして保護されることが可能になる。
ウエハの裏側部上のキャップ層の少なくとも1つの副層が除去される場合、一実施形態では、キャップ層材料を除去するにあたり、ドライ・エッチング及び/又はウエット・エッチング及び/又はポリシング、特に化学的機械的ポリシング(CMP)を使用することができる。これらの除去処理は、本前処理方法に容易に適用することができる。
除去工程の質を更に向上するために、更なる一実施形態においては、キャップ層の形成処理中にキャップ層の内側副層として、エッチング停止層を形成することができる。保護層とウエハとの材料特性に起因して材料除去処理が十分に成分選択的でないために、除去処理が望ましくないウエハ裏側部の損傷の原因となり得る場合、追加のエッチング停止層を形成することは有益である。この追加のエッチング停止層は、保護層とウエハとの間の任意の場所に挟まれる。この層の物理的特性と化学的特性は、保護キャップ層の除去がエッチング停止層まで行われるように選択することが好ましい。
上記の目的は、請求項12の特徴を有するウエハによっても達成される。
適用キャップ層は、ウエハの裏側部を機械的損傷や化学的損傷から保護するとともに、ウエハの取扱いを円滑にする。更に、キャップ層は、ウエハの表面に十分固着するとともに、その物理的特性と化学的特性によって、裏側部の表面の無欠性が保証される。
キャップ層表面の品質はその表面下にあるウエハの裏側部の表面品質と比べればはるかに重要性が低いので、ウエハ取扱い処理はより安定したものになり、最新式のウエハ取扱い機械装置を低リスクで適用することが可能である。光が透明なウエハの裏側部を介してデバイスから出射する上記ディスプレイの例のように、裏側部がある役割を果たすデバイスの場合も、後で周囲に対してデバイスのインタフェースとなるウエハの裏側部上に処理中に傷があまり形成されないので、この処理は有益である。したがって、製品品質の向上と高い製品歩留まりとを得ることができる。
一実施形態においては、ウエハは、少なくとも2つの副層から構成されるキャップ層を有することを特徴とする。必要な場合、各キャップ層は、異なる役割を果たすことができる。例えば、最外層は機械的損傷や化学的損傷に対する保護層として選択し、内側副層は例えばディスプレイにおける反射防止膜を形成することが可能である。
本発明の別形態によれば、ウエハのキャップ層は、エッチング停止層として作用する内側副層を有する。材料除去処理がウエハに対して後程適用される場合、他の副層とウエハ自体との特別な材料特性に起因して材料除去処理が十分に成分選択的でないために、除去処理が望ましくないウエハ裏側部の損傷の原因となり得る。エッチング停止層の物理的特性と化学的特性は、保護キャップ層の除去がエッチング停止層まで行われるように、またウエハ自体の裏側部の劣化が防止できるように選択することが好ましい。
別の実施形態においては、キャップ層は、最小厚さ約20nmを有する副層を有する。かかる層の厚さまで、この副層によって十分な保護が得られる。特に、約50〜1000nmの範囲の厚さを有する副層が好適である。ウエハの裏側部表面に望ましい保護効果をもたらすだけでなく、かかる層は容易に形成することができる。キャップ層が2つ以上の副層から構成されている場合、他方の副層も、上記の最小厚さ20nm、特に50〜1000nmの範囲の好適な厚さに準じた厚さを有することができる。
別の有益な実施形態においては、キャップ層の少なくとも1つの副層を二酸化珪素、窒化珪素、及び/又は、ダイアモンド様炭素(DLC)で構成することを特徴とする。これらの材料の特性は、望ましい保護の役割を果たすことができることである。
また、本発明は、請求項12〜16のいずれか1項に記載の、光学的、電子的、光電子的、又はマイクロ機械的な用途の機能構造体を備えたウエハを包含するものである。
以下、本発明のウエハ及び本発明の前処理方法の実施形態を図面を用いて説明する。
図1において、符号1は、光学的、電子的、光電子的、又はマイクロ機械的な用途のためのデバイスの製造に使用するよう指定されている第1の実施形態に係る、表側部2と裏側部3を有したウエハを示す。ウエハ1の裏側部3には、キャップ層4が施され、裏側部を損傷から保護している。通常、ウエハ1は円盤状の形状であるが、四角又は正方形の形状でもよい。円盤状のウエハ1は通常、最大300mmの直径を有するが、将来的にはそれより大きな直径も予想される。ほとんどの用途において表側部2はポリシング(研磨)されるが、更なる用途においてはウエハ1の両面がポリシングされる必要があり得る。典型的なウエハ材料には、シリコン、ガリウムヒ素(GaAs)、ゲルマニウム(Ge)、リン化インジウム(InP)、窒化ガリウム(GaN)、石英ガラス(fused silica)、又は石英が挙げられるが、この限りではない。
図1は、キャップ層4がウエハ1の裏側部3全体を覆っている状態を示している。また、キャップ層をウエハ側壁5まで延長することも可能である。キャップ層4に適切な典型的な材料は、例えば二酸化珪素、窒化珪素、又はダイアモンド様炭素である。キャップ層4の最小厚さdは、約20nmであるが、厚さは50〜1000nmの範囲にあることが好ましい。ウエハ1の更なる用途に応じて、キャップ層4の表面6はポリシングするかポリシングしないかのいずれでもよい。
本発明の第2の実施形態に基づき、図2は、符号7でSOIウエハ又はSOQウエハを示している。図1に示したウエハ1と比較すると、この種のウエハは、ウエハ表側部2上に最上層構造体8を有することを特徴とする。SOIウエハ7においては、この最上層8は少なくとも2つの最上副層9、10から構成される。ウエハ表側部2上に位置する最上副層9は、例えばニ酸化珪素などの絶縁体であることが好ましい。第2の最上副層10は、シリコンなどの半導体材料であることが好ましい。SOIウエハのウエハ材料11にはシリコンを用いることができ、いわゆるSOQウエハの場合はウエハ材料11には石英ガラスを用いることができる。図1のウエハ1の場合と同様に、ウエハ7の裏側部3は、保護層としての役割を果たすキャップ層4で覆われている。前述したキャップ層4に関するすべての特性は、この種のウエハ7の場合にも同様に有効である。
図3は、本発明の第3の実施形態を示す。図2のSOIウエハに比較して、このSOIウエハ15は2つの副層から構成されるキャップ層4を有する。この例では、ウエハ15の裏側部3に直接施される第1の副層13は、エッチング停止層である。第2副層14は、保護の役割を果たす層である。図2に示したウエハ7の場合と同様に、ウエハ表側部2は、前述した2つの最上副層と同じ材料特性を有する2つの最上副層9、10から構成される最上層8で覆われている。
この例では、キャップ層4の最外副層14は、機械的損傷や化学的損傷から保護する役割を果たす二酸化珪素で構成されており、内側の副層13は窒化珪素で構成されている。また、その他の材料の組合わせも可能であり、当業者には公知であることも明記すべきところである。
ウエハ15の裏側部3に2つ以上の副層を設ける利点は、それにより選択エッチングが可能になる点である。様々な副層を除去するには、例えばドライ・エッチング、ウエット・エッチング、ポリシング、タッチ・ポリシングなど、様々な方法が利用できる。副層材料を選択する上での最終目標は、上記の様々な方法を用いて副層を除去した後に、ウエハ15の裏側部3に欠陥がみられないことである。したがって、複数副層構造においては、副層14の材料は、安心してウエハ15の裏側部3を損傷させることなく除去されることができ、かつ十分機能する保護層となるように選択することが可能である。また、副層13の材料は、ウエハ15の裏側部表面に直接施される層であり、かつ裏側部3を損傷させることなく除去され得る特性を備えた層となるように選択することが可能である。
第1及び第2の実施形態のキャップ層も、第3の実施形態と同様な複数層構造を有することができる。
この他、3つの実施形態はすべて、少なくとも表側部2にあらかじめ設けられた機能構造体16を有することができる。これらの機能構造体16は、例えばトランジスタ、電極、絶縁体、コーティング、ミラー、マイクロ機械構造体である。これらの構造体16は、ウエハ1、7、又は15の全面2上又はその内側に必ずしも設ける必要はない。
前記実施形態の更なる別形態においては、ウエハ1、7、15の裏側部3上のキャップ層4は、裏側部3の一部しか覆わないことが可能である。例えば、後程、ウエハ取扱いシステムが接触する場所のみ、又は最終製品にとって裏側部が重要となるウエハの領域のみを覆うことが可能である。
図4は、ウエハの裏側部3がキャップ層4に覆われている、図2、3のSOIタイプ又はSOQタイプのウエハ7、15の製造処理を示している。従来技術においては、SOIタイプ又はSOQタイプのウエハを得る複数の処理が公知である。ここでは、スマート・カット処理を概述するが、ウエハの裏側部3にキャップ層4を形成する処理工程にのみ重点を置く。
工程4aは、図1の説明で前述したウエハと同じ特性を有するウエハ20を示している。スマート・カット処理においては、このウエハはベース・ウエハ20と呼ばれる。
次の処理工程4bにおいて、第1の副層13をベース・ウエハ20の裏側部3に堆積させる。この第1の副層は、上記の実施形態と同様にシリコン(SiO2)で構成することができるが、その他の種類の層も堆積させることができる。原則として、副層13は適切な堆積法であればどのような方法で堆積を行ってもよく、特に適切な方法はプラズマ助長化学気相成長法(PECVD)、低圧化学気相成長法(LPCVD)、又はスパッタリング法である。PECVDは、例えば、温度が最高400℃、圧力が約2.5Torrにてリアクター内で実施する。堆積薄膜は、SiH4とN2Oとの間の化学反応による生成物である。反応用エネルギーを増大させるため、プラズマを電力約200Wの高周波で生成する。この装置の可能な周波数は13.56MHzである。薄膜は通常、数秒で堆積される。この層は、厚さが最小約20nmで形成することが好ましいが、厚さ約50〜1000nmの範囲で形成することがとくに好ましい。LPCVDは、ウエハの両面に適用され、PECVDはウエハの片面に適用される。
第1の副層の堆積工程に続いて、処理工程4cに示したとおり、第2の副層14を、第1の副層13に堆積する。この第2の層14には、窒化珪素層(Si3N4)を使用することができるが、その他の材料も適している。この副層は、適切な堆積法であればどのような方法でも堆積を行うことができるが、第1のキャップ層と同様に、特にPECVDとLPCVDが好ましい。PECVDの場合、SiO2層の処理パラメータは、ほぼ以下のとおりである。リアクターの温度は最高400℃、圧力は約5Torr、RFの電力供給量は約625W、反応ガスはSiH4、N2、及びNH3。Si3N4層と同様に、SiO2層は数秒で堆積される。また、この層は、厚さが最小約20nmで形成することが好ましいが、厚さ約50〜1000nmの範囲で形成することがとくに好ましい。処理工程4cで示したように、第2の副層14は、第1の副層13の全表面を覆っているので、サンドイッチ状の構造となっている。
処理工程4dは、スマート・カット処理においてトップ・ウエハ21と呼ばれる第2のウエハを示している。このウエハも、図1の説明で前述したウエハと同じ特性を有している。ある処理工程において、トップ・ウエハ21は酸化される。その結果は処理工程4eに示されている。酸化処理によって、ウエハ21の少なくとも一方の側に酸化層22が形成される。次の処理工程4fで、水素23がトップ・ウエハ21に注入される。
処理工程4e、4fは、処理工程4b、4cと平行して行うことができる。
次の処理工程において、トップ・ウエハ21とベース・ウエハ20は結合される。その結果は処理工程4gに示されている。結合処理中、トップ・ウエハ21の酸化層22は、ベース・ウエハ24の表側部と密着する。
次の処理工程において、水素ライン23より上の部分が酸化層22から切り離される形で、トップ・ウエハ21の上部は、スマート・カット処理によって結合ウエハから分離される。この処理工程の結果は、処理工程4hとして示されている。ここで、ウエハは、ベース・ウエハの裏側部3上にキャップ層4を有し、前記ベース・ウエハ20の表側部24に最上層8を有することを特徴とする。ここで、最上層8は、2つの最上副層22、25から構成されている。第1の最上副層22は酸化層であり、第2の最上副層25は半導体層である。キャップ層4は、2つの副層13、14を有しており、符号26は2つの副層間の境界面を示している。
次の任意的な処理工程においては、第1の副層14はキャップ層構造体4から除去される。その結果は、図4iに示されている。除去法は、除去処理がキャップ層4の第2の副層13との境界面26で停止する方法を選択する。これは、例えばウエット・エッチング、ドライ・エッチング、又は化学的機械的ポリシングなどの成分選択除去法で行う。除去されるべき層が好ましくは二酸化珪素で構成されているこの例において、適切な除去法は、フッ化水素酸(HF)によるウエット・エッチング、反応性イオン・エッチング・プラズマ(RIE)などのドライ・エッチング、直流(DC)又は高周波(RF)によるスパッタリング法、又は誘導結合プラズマ(ICP)である。これらの方法では通常、CF4、C2F6、又はCHF3を使用するが、酸化物パッドを用いるCMPも使用することができる。これらの除去法は、単位時間当りに除去される材料量を表す除去率が、SO2に関しては高く、好ましくはSi3N4で構成されるその隣の層に関しては低い。したがって、除去処理は、境界面26で停止するよう容易に制御することができる。
次の任意的な処理工程4jにおいては、キャップ層4の第1の副層13も除去される。この副層13がSi3N4で構成される場合、適切な除去法の例としては濃縮ホット・オルトリン酸(H3PO4)によるウエット・エッチングが挙げられる。この処理工程の結果は処理処理工程4jに示されている。ここでは、SOIウエハ又はSOQウエハの裏側部3は、SOIウエハ又はSOQウエハの製造処理全体を通して保護されている。
更に、処理工程4hと4iとの間、及び/又は、処理工程4iと4jとの間に、任意的な処理工程4k、4lを行うことができる。こららの工程では、機能構造体16がSOIウエハ又はSOQウエハの表側部27上又表側部内に形成される。これらの機能構造体16は、例えばトランジスタ、電極、絶縁体、コーティング、ミラー、マイクロ機械構造体である。言うまでもなく、機能構造体16は、図4には示されていない処理工程4i以降の工程において形成してもよい。
一般に、本応用例において、本応用例を通して説明したキャップ層はすべて、ウエハに施される人工層と理解すべきである。
以上説明した処理は、例えばディスプレイ装置の製造に使用することができるであろう。かかる装置においては、SOQウエハ15が使用される。このSOQウエハ15においては、表側部27はトランジスタ、電極、信号線などの必要な電子機能構造体16を含むとともに、これらの構造体で生成される光はウエハ15の中を伝播し、ウエハの裏側部3で周囲に向かって出射する。裏側部3は、製造処理全体又は少なくとも製造処理の一部において保護されているので、偏光や散光を起こしひいてはディスプレイ品質を下げる傷が大きく減少する。本発明の方法又は本発明のウエハが使用され得る他の例には、光が石英又は発光ダイオードを介してデバイスに入射するセンサがある。
1…ウエハ、2…表側部、3…裏側部、4…キャップ層、5…ウエハ側壁、6…表面、7…ウエハ、8…最上層、9、10…副層、11…ウエハ材料、13、14…副層、15…ウエハ、16…機能構造体、20,21…ウエハ、22…最上副層、23…水素ライン、24…表側部、25…最上副層、26…境界面、27…表側部。
Claims (19)
- 光学的な機能構造体又は光電子的な機能構造体(16)が設けられたシリコン・オン・クオーツ(SOQ)タイプのウエハ(7、15)であって、表側部(2)と裏側部(3)とを備え、かつ、前記機能構造体(16)が当該ウエハ(1、7、15)の少なくとも前記表側部(2)上又は前記表側部(2)内に形成された前記ウエハ(7、15)の、前処理方法において、
前記ウエハの前記裏側部(3)を損傷から保護するため、キャップ層(4)が前記ウエハ(1、7、15)の前記裏側部(3)の表面上又は前記裏側部(3)内に施されることを特徴とするウエハの前処理方法。 - 追加の最上層(8)が前記ウエハ(1、7、15)の前記表側部(2)上又は前記表側部(2)内に設けられる場合において、
前記最上層(8)を前記ウエハの前記表側部(2)上又は前記表側部(2)内に設ける前に、前記キャップ層(4)を前記ウエハの前記裏側部(3)に施すことを特徴とする請求項1記載のウエハの前処理方法。 - 機能構造体(16)を前記ウエハ上に形成する前、又は複数の機能構造体(16)を形成する2つの処理工程間に、前記キャップ層(4)を施すことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記キャップ層(4)が、サンドイッチ状に配置された少なくとも2つの副層(13、14)から構成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記キャップ層(4)が、堆積法、とくに化学気相成長法(CVD)、物理的気相成長法(PVD)、プラズマ助長CVD、低圧CVD、スパッタリング法及び/又は蒸着法によって施されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記キャップ層(4)が、約20nmの最小厚さ、特に約50〜1000nmの範囲の厚さを有する副層(14)で構成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記キャップ層(4)の少なくとも1つの副層(13、14)が、SiO2、Si3N4、及び/又はダイアモンド状炭素(DLC)で構成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ウエハの前記裏側部(3)上に直接施される第1の副層(13)がSi3N4で構成され、前記第1の副層(13)上に施される前記第2の副層(14)がSiO2で構成されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 機能構造体(16)が前記ウエハ上又は前記ウエハ内に形成される前に、前記ウエハの前記裏側部(3)上の前記キャップ層(4)の少なくとも1つの副層(14)が除去されることを特徴とする請求項1、2、4〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 機能構造体(16)が前記ウエハの前記表側部(2)上又は前記表側部(2)内に形成された後に、前記ウエハの前記裏側部(3)上の前記キャップ層(4)の少なくとも1つの副層(14)が除去されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ウエハの前記裏側部(3)上の前記キャップ層(4)の少なくとも1つの副層(14)が、ドライ・エッチング及び/又はウエット・エッチング及び/又はポリシング、特に化学的機械的ポリシング(CMP)によって除去されることを特徴とする請求項9又は10に記載の方法。
- エッチング停止層(13)が前記キャップ層(14)の内側の副層として施されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 光学的な機能特徴又は光電子的な機能特徴が設けられたシリコン・オン・クオーツ(SOQ)タイプのウエハ(7、15)であって、表側部(2)と裏側部(3)とを備え、かつ、前記機能構造体が少なくとも前記表側部(2)上又は前記表側部(2)内に形成された前記ウエハ(7、15)において、
前記ウエハの前記裏側部(3)を損傷から保護するため、キャップ層(4)が前記ウエハ(1、7、15)の前記裏側部(3)の表面上又は前記裏側部(3)内に施されることを特徴とするウエハ。 - 前記キャップ層(4)が、少なくとも2つの副層(13、14)を備えることを特徴とする請求項13に記載のウエハ。
- 前記キャップ層(4)が、エッチング停止層(13)として働く内側の副層を有することを特徴とする請求項14に記載のウエハ。
- 前記キャップ層(4)が、約20nmの最小厚さ、特に約50〜1000nmの範囲の厚さを有する副層(14)を有することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載のウエハ。
- 前記キャップ層(4)の少なくとも1つの副層(13、14)が、SiO2、Si3N4、及び/又はダイアモンド状炭素(DLC)で構成されることを特徴とする請求項13〜17のいずれか1項に記載のウエハ。
- 請求項13〜17のいずれか1項に記載の光学的な機能構造体又は光電子的な機能構造体(16)を備えたシリコン・オン・クオーツ(SOQ)ウエハ(1、7、15)。
- 光学デバイスにおける、請求項13〜18のいずれか1項に記載のシリコン・オン・クオーツ・ウエハ(15)に設けられた機能構造体(16)の使用であって、前記機能構造体(16)で生成された光が前記シリコン・オン・クオーツ・ウエハ(15)の中を伝播し前記シリコン・オン・クオーツ・ウエハ(15)の前記裏側部(3)で前記デバイスから出射するようにし、又は、光が前記シリコン・オン・クオーツ・ウエハの前記裏側部(3)を介して前記デバイスに入射するようにする、機能構造体(16)の使用。
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