JP2004535673A - リアルタイムエッチング速度を決定するための、浅い角度での干渉方法及び装置 - Google Patents
リアルタイムエッチング速度を決定するための、浅い角度での干渉方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004535673A JP2004535673A JP2003512999A JP2003512999A JP2004535673A JP 2004535673 A JP2004535673 A JP 2004535673A JP 2003512999 A JP2003512999 A JP 2003512999A JP 2003512999 A JP2003512999 A JP 2003512999A JP 2004535673 A JP2004535673 A JP 2004535673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- plasma
- wafer
- wavelength
- generated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 6
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 5
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 23
- 238000001615 p wave Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 206010024769 Local reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013481 data capture Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012631 diagnostic technique Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32963—End-point detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマが介在したエッチング処理中のリアルタイムエッチング速度を決定するための方法及び装置。リアルタイムエッチング速度の決定は、ウエハ表面からの直接光ビーム、反射光ビームによって生じた干渉パターンを監視する工程を含む。この干渉パターンを記録するためのビューイング角度は、ほぼウエハ平面に平行であり、取り除かれる層上に固定焦点が位置する。直接光ビームと反射光ビームは、プラズマ処理中その場に発生する。
【選択図】図4
Description
【0001】
本発明は、半導体の処理に関し、より詳細には、リアルタイムエッチング速度を測定するための方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【0002】
集積回路の製造過程では、半導体基板あるいはウエハが多くの処理ステップにさらされる。この処理ステップの一つとして、ウエハ上に形成される物質をエッチングする工程が含まれており、選択的にある部分を取り除いて集積回路の製造に使用される種々の特徴を形成する。この取り除かれる部分は、一般的に、有機フォトレジストマスクを用いて形成されるパターンによって画定される。エッチング工程の一つのタイプは、ドライケミストリを用いており、それは、露光される部分を揮発させて選択的に取り除くために、エッチングされる物質と反応する反応種を有するプラズマを用いることに関連している。エッチング工程(時々アッシングと呼ばれる)の他のタイプは、ウエハからフォトレジストマスクを揮発させ、剥ぎ取るためにフォトレジストと反応する。
【0003】
プラズマエッチング(アッシング)処理と関連する問題は、エッチング工程がいつ完了したかということを決めることが難しいことである。この問題は、プラズマ技術が、一般的に所定のエッチング速度に基づいた時限的処理(timed process)であることによる。所定のエッチング速度は、既知の時間中に除去される基板の量に基づいて相対的なエッチング速度が決められる較正工程を実行することによって同一化される。この較正工程で用いられる正確な条件(すなわち、圧力、ガス流、電界等)は、実際の装置における製造過程中のエッチング工程に対してある程度変化するので、時限的処理は不正確となることから、単にプラズマエッチング工程がいつ完了するかという点に関する評価が与えられるだけである。この時限的処理は、リアルタイムエッチング速度を与えるものではない。
【0004】
ウエハをエッチングするのに必要な時間が不正確である結果としてオーバーエッチングが使われる。これは、エッチングがウエハ全体にわたり完了していることを保証するために、通常、エッチングが完了すると考えられる所定の時間が定められる。さらに、時限的な処理では、一般的に厚み測定専用の装置、例えば、楕円偏光計を使用することが要求される。関係するエッチング速度を決めるために、厚み測定の前後で、オペレータを介入させる必要がある。さらに問題となる事項は、エッチング速度の測定がリアルタイムでないので、その工程がウエハによって変わりやすいことである。
【0005】
エッチング工程の終了点(end point)を決定するための時限的な工程(time-based processes)の使用を避けるために、反応室内で起る工程を分析する診断技術が開発された。そのような技術の一つは、光放出分光学(optical emission spectroscopy)と呼ばれ、プラズマおよびウエハ表面上の反応の双方から光放出の強度を測定する。光放出の強度は、発生する分子種の集中に関係する。エッチング工程の終了は、光放出の強度の変化が観測される時に決定される。光放出の強度の変化は、観測される特定の分子種の集中がもはやない(あるいは劇的に減少する)時に観測され、そのことは、特定の観測される分子種を発生するプラズマと反応する層が、取り除かれたことを示している。例えば、フォトレジスト層のエッチング/アッシング中に作り出されるヒドロキシル種からの光放出信号は、フォトレジスト層が取り除かれた時を決定するために監視する。光放出技術では、光放出を監視するための光学ポートを備える反応室を必要とする。
【0006】
終了点システムの一つの欠点は、即時にアッシング速度がわからないことである。また、終了点決定の不確定のためにオーバーエッチングが要求される。
【0007】
このシステムの他の欠点は、人が終了点を予測できないことである。いくつかのアプリケーションは、終了点の直前でエッチング工程を停止することが要求される。これは、特に薄いゲート酸化物の製造に重要である。もし、即時にリアルタイムエッチング速度を知ることができなければ、終了点システムを完了させるより前に停止させることができない。
【0008】
光学干渉は、エッチング速度測定のために知られた他の技術である。薄膜材料を有する基板あるいはウエハは、既知のスペクトラムの光線で照射される。基板と薄膜材料の境界による反射光は、光検出器によって捕らえられる干渉縞(interference pattern)を生じる。干渉縞の作用は、屈折率、取り除かれるべき材料の厚さ、波長および入射角の相違によって決定される。干渉縞は、基板の厚さが変化するために発生する。この方法では、外部光源、通常、レーザのような単色光の外部光源が使用され、光を集め、処理し,光学干渉縞を厚さ測定に変換する専用の装置、および入射光および反射光/屈折光の双方を反応室内で観測する専用のビューイングポート(viewing port)の使用が要求される。しかしながら、そのようなシステムを含むことは、コスト効率上、問題があり、また、しばしば多くの場合のように、ビューイングポートは限界のある室内での配列に影響を与えるので、反応室内に任意に配置できない。例えば、ウエハの平面に垂直な角度での入射光および集光(collection)は、ビューイングポートがプラズマ源/ガスと同じ場所に配置されることを要求する。しかしながら、ウエハを高められた処理温度に維持するために熱を放射する処理室内において、光学干渉診断のための入射光は、相当なパワーを必要とし、そのために反射光は、熱源によって放射される強いバックグラウンドレベル以上となる。しかしながら、そのようなレーザの使用によって、基板表面に部分的なオーバーヒートを生じさせ、その結果、局所的な反応速度がウエハ処理の基準から無視できない程度まで外れる。この意味で上記技術はもはや論外である。
【0009】
図1を参照すると、反射する基板材料上で薄膜フィルム被覆の光学干渉の一般的原理を説明する図が示されている。半導体ウエハ10は、厚さdおよび反射率nを有するフォトレジスト層12で被覆されている。
【0010】
外部からの光ビームλは、フォトレジスト表面上に入射する時、光線は表面から反射され、また、散乱される。反射光ビーム(1)および散乱光ビーム(2、3、4、・・・)は、フォトレジスト層の表面および厚みからなる材料の屈折率に基づき異なる距離に伝わる。厚さdが、関連した屈折の長さにわたって一定である場合、連続して屈折するビーム(2、3、4、・・・)によって伝わる距離の差はLである。この関係は式(1)および(2)に示されるように数学的に記述される。単色光源λに対して、距離Lは光学法則で良く知られているところにしたがって、連続するビーム間の位相ずれ(phase shift)Δφに相当する。光線は高次屈折率の物質に従ってよりゆっくり伝わるので、実際のところは“光学的”光路と正しい幾何学的光路との差があるということに注意すべきである。光学的光路差は幾何学的光路差と光路差に沿う屈折率との双方に依存する。
【数1】
【0011】
もし、ビーム1及び2が互いに検出器で位相が同期しているなら、ビームは構造的な干渉縞、すなわち、φ=2kπ(kは整数)を生じる。反対に、もしビームが非同期であるなら、ビームは破壊的な干渉縞、すなわち、Δφ=(2k+1)πを生じるであろう。それは、ビームの一つの最小値が他のビームの最大値と一致することであり、あるいは逆に、それによって互いに打ち消しあい、あるいは減じることである。
【0012】
ビームが目標、すなわち、光検出器あるいは光学ファイバーに入射する時、位相ずれΔφのため、反射光の強度がゼロ(破壊的干渉縞)から最大値(構造的干渉縞)に変えられる。光強度は異なるビームの位相に基づきゼロと最大値の間で変化し、干渉縞を創り出す。干渉縞は構造的および破壊的干渉の証拠を生じるであろう。数学的に、構造的干渉は式(3)によって定義される。反対に、位相から外れる光を考慮すると、破壊的干渉は数学的に式(4)によって定義される。
【数2】
【0013】
直角に近い入射角に対し、3次およびより高次の反射は、1次および2次の反射に比較して非常に小さく、そして、実際の目的に対し、これらの高次の反射は、干渉縞に影響を与えないので無視される。例えば、Δφ=(2k+1)πに対し、ビーム1および3、2および4が同期するので、連続的な反射ビーム1および2、2および3、3および4等は、非同期であろう。しかしながら、連続的反射の強度は指数関数的に減少するので、顕著な干渉はビーム1、2の間であり、前述のように非同期であるときは破壊的干渉縞を生じるであろう。
【0014】
位相ずれの決定は、反射光および屈折光の交互の光路によって生じる遅れにより、更に複雑である。各境界で、反射波と屈折波がある。各境界での入射角、相対的な屈折角、および電場の分極に基づき、付加的な位相ずれは、ゼロからπラジアンに変わり得るようになる。光源は全ての分極を有する光線からなる。特に、入射平面に垂直な電場を有するs波と、入射平面に平行な電場ベクトルを有するp波の双方がある。入射平面は、入射波および反射(屈折)波伝播ベクトルの双方を含む平面によって定義される。s波に対する電場は、しばしば、垂直方向のベクトルE垂直と呼ばれ、また、p波に対する電場は、しばしば、平行方向のベクトルE平行と呼ばれる。各境界での位相変換はs波とp波に対して異なっている。よって、各境界は別けて説明されねばならない。検出器で、生じる正味の位相変換は、光学的光路長の差と、適切なものとして、光路長に沿う各境界での位相変換の双方による位相変換の結果である。
【0015】
図2(Dまで)は、低屈折率の材料から高屈折率の材料(図2Aと図2B)に伝播する光の場合と、高屈折率の材料から低屈折率の材料(図2Cと図2D)に伝播する光に対する、電場の各成分における位相の変化を示している。(これらの図は、高屈折率材料に対し、1.5の屈折率の場合に起こることを注意されたい)。相対的屈折率、電場の分極、および各境界に対する入射角に基づき、作用で大きな変化を見ることができる。二つのケースでの分極角度θpおよびθ’pは、逆正接(nrel)として定義される。ここで、nrel=n2/n1は二つの物質間の相対屈折率あるいは屈折率の比であり、n1は光が入射する物質の屈折率である。臨界角θcは、逆正弦(nrel)として定義される。
【0016】
図3(A,B,C)は、低屈折率材料から高屈折率材料(図3Aと図3B)へ伝播する光と、高屈折率材料から低屈折率材料(図3C)へ伝播する光の双方に対する、反射波および伝播波に対する振幅係数を示す。
【0017】
フォトレジストの厚さdが、プラズマによって取り除かれる(エッチングあるいはアッシング)過程の間、減少するので、干渉縞は構造的干渉縞と破壊的干渉縞の間を循環する。二つの連続的な最小値、あるいは二つの連続的な最大値(Δφ=2π)の距離は、厚さ[Δd]one interference periodの変化に相応し、数学的には式(5)で示される。
【数3】
【0018】
ウエハ(α=0)の平面に垂直な入射光に対して、厚さ[Δd]one interference periodの変化は、式(6)で与えられる。
【数4】
【0019】
小さい角度変化での厚さの感度は、非常に小さい。例えば、もし、フォトレジストの屈折率が1.6(n=1.6)に等しければ、角度(α)の1度の変化が引き起こす誤差は、0.006%以下である。小さな角度変化に対する厚さの変化[Δd]one interference periodの感度は、数学的に式(7)で示される。角度αの変化は、例えば、ウエハの不適切な配置あるいは傾きで起る。
【数5】
ここで、Δdは[Δd]one interference periodを表すものと仮定する。
【0020】
厚さの変化率は、連続する最大値あるいは最小値間の時間を測定することによって計算される。ウエハ(α=0)の平面に垂直な入射光に対して、もし時間“T”が干渉期間であるならば、ストリッピング速度“R”は式(8)によって定義される。
【数6】
予想されるように、ストリッピング速度Rを決める時間は、より多くの干渉期間が単位時間毎に観測されるので、短波長に対して増加する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0021】
光学的干渉は、通常、入射ビームを供給するための外部光源の使用を必要とする。一般的に、この光源は、600nm以上の波長で単色光を発する、レーザダイオードの使用を含む。放射で加熱される反応室内で、この特別な波長範囲は、ウエハを加熱するために使用される放射エネルギー源が、一般的に匹敵する放射を発するので適当でない。例えば、タングステンランプは、約500nmから2μmまでの放射を発し、それによって入射ビームによって発せられる放射と匹敵する。放射エネルギー源によるバックグランドノイズは、基板表面上への入射ビームによって起される干渉縞に影響する。このバックグランドノイズを最小にするために、入射ビームの強度は、システムのノイズレベルに打ち勝つに十分な大きさでなければならない。しかし、ビームの強度を増加させることは、入射ビームの焦点位置における温度を変えることができる。温度の上昇は、ストリッピング速度に影響し、また、リアルタイムでのバルクフォトレジストに対するプラズマによるストリッピング速度が不正確になる。
【0022】
問題は、ストリッピング速度が非常に温度に依存する低温剥ぎ取り工程において、悪化することである。バックグランド放射に打ち勝つために温度を上昇させると、ウエハの平均ストリッピング速度よりかなり高い局所的なストリッピング速度を生じさせることになり、測定速度における付加的誤差を導く。
【0023】
従来技術の工程は、リアルタイムエッチング速度を正確に得ることはできないことに注目すべきである。むしろ、従来技術は、一般に平均ストリッピング速度を与えるものである。したがって、コスト効率、正確なリアルタイムエッチング速度を得ること、および測定される上記エッチング速度を達成する専用の、改良された、強力な処理に対する技術的なニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【0024】
(発明の要約)
本発明は、ウエハからリアルタイムでフォトレジストの被覆を取り除く速度を決定するための工程を提供するものである。この工程は、フォトレジストの被覆がなされたウエハを、ポートのあるプラズマ反応室に配置することを含んでいる。光学検出器は、ポートに接続され、ウエハ表面にほぼ平行なビューイング角度(観測角度)で受光し、フォトレジスト表面上に固定の焦点を結ぶ受光部品を含む。反応種からなるプラズマを発生して、その反応種によってフォトレジストが露光される。直接光ビームと、ウエハからの反射光および屈折光のビームから生成される干渉信号は、監視されて光学検出器によって受信される。この直接光、反射光、屈折光のビームは、反応室内で生じ、同じ波長で観測される。干渉縞は干渉信号から取り出され、リアルタイムエッチング速度は干渉信号から以下の関係式にしたがって計算される。
【数7】
ここでλは、プラズマ、あるいはフォトレジストと反応種の間の反応、あるいはウエハを加熱するため使用される内部ランプによって、正常位置で発生する光ビームの波長であり、Tは、干渉縞内の二つの連続する最小値間での時間間隔であり、nはλで測定されるフォトレジストの屈折率である。
【0025】
リアルタイムプラズマエッチング速度を測定するための装置は、ポートを含むプラズマ反応室を含む。反応室内で正常位置での光源は、基板の所定表面を照射し、そして、光源は、直接光のビーム、あるいは、同じ波長での複数の反射光および屈折光のビームを発生する。光学検出器は、平面にほぼ平行な角度で所定表面に焦点を結ぶ受光部品を含み、この受光部品は、ポートに接続され、直接光、反射光および屈折光のビームによって生成される干渉光信号を受信する。本装置は、直接光、反射光および屈折光のビームによって生成される干渉信号から受光する受光部品と連動する、リアルタイムエッチング速度を計算する計算手段を含む。この計算手段は、干渉信号から発生する干渉縞、取り除くべき材料の屈折率、および直接光、反射光および屈折光のビームの選択された波長に基づいて、リアルタイムエッチング速度を計算する。
【0026】
本発明の他の実施形態は、基礎的要素の特別な特徴と変形例を与えるために考えられた。特別な実施形態は、以下の詳細な説明と図面と関連して考えられる時、可能な変形例ばかりでなく、種々の特徴および本発明の利点について考える。
【発明を実施するための最良の形態】
【0027】
リアルタイムエッチング速度を測定するための方法および装置は、エッチングあるいはアッシング(ストリッピング)中に生じる、浅い角度(shallow - angle)の干渉縞(干渉パターン)を測定することを含んでいる。浅い角度の干渉測定用の光源は、エッチング工程の間に放出される光である。この放射光は、プラズマ、基板とプラズマの反応中に発生する光放出反応種、あるいは放射加熱ランプシステムのいずれかによって、その場で発生する。有利には、上記方法および装置は、通常、エッチング装置内に見出される、ビューイングポート、光学機器、および終了点検出機器とともに使用する場合に適用される。さらに、上記方法および装置は、非常にコスト効率のよい方法で、リアルタイムエッチング速度の測定および終了点検出を同時に与えるために、終了点検出方法および装置と同時に作動するように較正することができる。
【0028】
そのような装置の例は、米国特許出願番号09/449,338で開示され、全体としてここに参考文献として包含される。この文献は、進んだ終了点検出と浅い角度の測定のために設計されたハードウエアについて記述されている。このハードウエアシステムは、本発明の適用に理想的である。
【0029】
現在までの分析は、一度に一つの入射ビームの方向について考えてきたが、この受光する光学部品は、実際には光学機器のサイズによって決められる円錐体の中を通過する種々の角度の光線を受ける。よって、一群の入射角を決める公称角度で囲まれた円錐体の角度がある。
【0030】
上記方法および装置は、その場でリアルタイムエッチング速度を測定するために、周知の光学干渉原理を適用する。特に、上記方法および装置は、浅い角度の光学干渉技術を用い、ビューイング角度は、ほぼウエハに平行である。すなわち、受光する光学機器の干渉平面は、ウエハの法線に関して90度に近い。装置の受光部品の焦点は、受光部品によって捕らえられる干渉縞に有効な光が、特定の基点を有するようにウエハ表面に設定される。焦点の集合点は、一般的には背景技術で述べた伝統的な干渉理論におけるレーザ入射スポットに匹敵するものと考えることができる。光学検出器のビューイング角度は、ほとんどウエハ平面に平行であるので、放射加熱源によって起る背景放射からの影響は、極小である。また、浅い角度の干渉は、改良された終了点のシステムハードウエア(米国特許出願番号09/449,338に記載されるように)の使用が可能であり、それは、検出装置(例えば、スペクトロメータ)内での迷光(stray light)の問題を避けるのに十分なほど小さく、放射加熱ランプの光を減少させる。迷光は、波長のスペクトル分布を崩壊し、ハイライトレベルは検出器を飽和状態にする。(迷光は、多くの光学的表面を散乱させることによる一波長の光であり、意図して検出器に入射するものではない。これは、迷光の強さが、人が見る信号レベルに対して非常に高い時、意義のあるものになる。)。このように、上記方法および装置は、放射加熱源を含むこれらのエッチングシステムに使用し得るものである。
【0031】
図4に示すように、浅い角度の干渉を用いることは、干渉縞、すなわち光ビームOに寄与する直接光の使用を可能にする。ウエハ表面での光収集エリアは広くされるべきであり、そのエリアでの各初期ポイントからの光強度の和は、平均であり、干渉縞を打ち消す。よって、受光部品はウエハ上に小さいスポットで焦点を結ぶ。多数のスポットは、多くの検出器のチャネルで同時に観測することができる。そのように考えると、入射光は、(1)プラズマと反応するフォトレジストの表面からまたは直接ウエハ表面上から、(2)プラズマそれ自体から、あるいは(3)内部放射加熱システムのランプからのいずれかから生じる。干渉縞は、(図5に示されるように)レジスト膜の薄い部分として表され、また、高次の屈折が明白になる(理論に拘束されることは望まないけれども、これは多分、薄膜によって光の吸収を減少することによると思われる。)。
【0032】
上記議論を参照すると、本発明に対する種々の屈折率の公称値は、表Iに示される。
【表1】
【0033】
反応室雰囲気とレジストの境界に対する相応する特別角(図参照)は、表IIに示される。
【表2】
【0034】
レジストとSi(シリコーン)ウエハの境界に対する相応する特別角は、表IIIに示される。
【表3】
【0035】
上記処理では、レジスト下の基板はシリコーンと仮定したけれども、他の基板材料であってもよく、結果として生じる本発明の作動は同様であろう。
【0036】
ウエハへの入射角が88.5度より浅い場合は、レジストに進入する光は非常に少ないであろう。内側に入る少量の光に対して、レジスト内の光の全内部反射は、非吸収レジストに対して起る。もしこれが起れば、干渉縞は生じないであろう。実際に、レジストは少量吸収される。
【0037】
これらの図と表から、境界(界面)での全ての位相ずれは、対称的な信号波形を導く、0(ほぼ0)あるいはπ(ほぼπ)ラジアンであることがわかる(しかし、直接光の寄与については下記参照。)。
【0038】
それゆえ、境界のみによる正味の位相ずれは、本発明に対するものであり、表IVに示される。
【表4】
【0039】
よって、本発明に対して、位相は、同相か、位相外れのどちらかである。検出器での正味の信号に対して、全ての上記位相ずれ及び反射/屈折係数は、規定時間を越えて生じる信号波形を記述することができるようにするために、種々の光線を考慮しなければならない。また、光線が異なる材質を介して通過するときの光の無吸収(zero absorption)が、考慮されねばならず、その場合、上記図に示されるように、係数が修正される。この振る舞いは、検出器において複雑に見える波形を生じる。各波形(s波およびp波)は、基本波および薄膜の厚さの変化による2次高調波に加え、さらにそれ自体の位相ずれを有している。しかし、要点は、この波形が、基本波と2次高調波に分解され得るということである。もちろん、波形は、電界の二つの分極の一方をフイルタリングすることによって単純化され得る。
【0040】
直接光成分の使用(ビーム0)は、光源の固定した形状及び配置により信号の動きが変わる。検出器において、直接成分と、幾何学的光路長の差による全ての他の成分との間には、位相ずれδがある。この位相ずれは、直接光と全ての他のビームとの間で同じ定数であるが、他のビーム上の作用は所定のビームに対して異なる。というのは、それが他の位相ずれに加えられ、第2の屈折されたビームレジストフィルムの厚さの変化による位相の変化率が、第1の屈折されたビームのそれよりも2倍となるからである。検出器での信号による作用は、非直接光に対して位相ずれがあり、また、通常波形の変化も生じることである。両方の場合、フィルム厚の変化による周波数成分は、同じであり、換言すれば、異なる程度ではあるが、1次周波数と2次高調周波数の成分である。干渉期間は、反射ビームと屈折ビーム間の位相ずれの相違によって決定される。
【0041】
直接光と全ての他のビーム間の幾何学的光路長の差によって生じる付加的位相ずれは、検出された信号のモデリングから、およそ0.2〜0.8ラジアンと評価される。これは、88.5度の入射角に対して、10〜40nmの距離に対応する。これは、反射点の位置から光源の位置を10〜30μm離したことに相当する。このように、光源はウエハに非常に近くにあり(特に浅い入射角を考えると)、図に示された例では、ウエハ表面で反応する光源を使用している。よって、この付加的な位相ずれは、干渉解析のために使用される光源の原点を決定することを助けるために使用され得るものである。事実、この狭い角度操作に対し、同時に直接光を検出することは困難である。
【0042】
図5は、第2の、重ねあわされた干渉であり、その振動は125秒間の処理のところで約半分が見えるようになり、工程が進行するにしたがって強度が増加する。この図は、この付加的な振動が、基本的干渉の2倍の周波数を有しており(第2高調波に類似している)、その最小値は基本的干渉の最大値と最小値の双方にほぼ一致していることを示唆している。最大値と最小値は、正確には位相ずれδには一致しない。2倍の周波数振動は、光路長が与えられたフィルム厚に対して2Lであるので、ビーム1及び3の間の干渉から生じる。すなわち、その厚さは、ビーム1、2間の位相ずれとして2倍の位相ずれを生じる。一度、振動が見えると、この場合における測定誤差を避けるために、基本的な1次周波数の二つの最小値間で干渉期間を測定することが望ましい。二つの最大値間の干渉期間を測定することは、第1の最大値に最も近い第2の最大値の存在による誤差を、より測定し易いことである。上記の代りに、2次周波数を追跡すると、2倍の時間分解能を得ることができる。
【0043】
図6は、直接光のモデル化された干渉縞を説明している。この干渉縞パターンで、ビーム3(図1および2)が考慮されねばならない。直接光の干渉縞を説明するモデルに対して、ビーム0および1間の光路差は、0.75ラジアンの位相ずれを生じるであろう。
【0044】
二つの最小値[Δd]one interference period間の距離に相応する厚さの変化は、sin2αは浅い観測角度(αは略90度)では略1であるので、式(9)によって与えられる。もし“T”が干渉期間を定義するために使われるならば、その時、ストリッピング速度Rは式(10)によって与えられる。通常の入射では、小さい角度変化に対する厚さの変化[Δd]one interference periodの感度は、都合がよいことに非常に小さい。例えば、1.5度のずれ(α=88.5度)に対して、0.04%以下の誤差が発生するであろう。同様に、与えられる工程に対する特別な波長が、容易にかつ完全に従来の方法によって特徴づけられるので、波長λの変化による誤差への影響は、非常に小さい
【数8】
【0045】
ストリッピング速度Rを計算する際の誤差は、屈折率nと、連続する最小値T間の変化する時間の決定において生じる。ウエハから剥ぎ取られるレジストあるいは物質の屈折率は、工程中で観測されるビームの波長で注意深い決定が要求される。従来技術では、屈折率は与えられた波長範囲で一定ではない、と理解されているので、工程で使用される光の波長で決定することが必要である。例えば、もし、屈折率が309nmの波長で1.60に対立するものとして1.64であると決定されるならば、アッシング速度で4%の誤差が発生するであろう。
【0046】
短い干渉期間(高ストリッピング速度)の場合において、良好な正確さのレベルを維持するために、捕捉周波数を増加させることが好ましい。もし、十分に高い捕捉がセットされないのであれば、干渉の最小値は二つのデータ捕捉点(フェンス効果)間で、おそらく減少するだろうし、最小値の正確な時間は不適当かもしれない。このような科学的モデルで、補間法の技術が、二つのデータ点の間で最小値の時間選定を評価するために使用されてもよい。例えば、データ捕捉間隔が、0.01秒と対照的に0.1秒にセットされると、アッシング速度での誤差は、たった0.05%である。
【0047】
直接光源での浅い角度の干渉原理を使用する上記率の決定工程の利点は、以下のとおりである。
1. 外部の単色光源に対する必要性をなくすことにより、反応室内で付加的なビューイングポイントに対する必要性を排除する。好ましくは、上記工程では、終了点を検出する光学装置を備えて使用されるビューイングポートを有する反応室が用いられる。好ましくは、上記ポートに対する観測角度は、ウエハ表面の平面にほぼ平行な角度である。
光源は、従来知られた、安定したスペクトラムである。スペクトラムはガス化学に基づく各エッチング工程に対して独特のものであり、多くのケースで特徴がある。例えば、酸素ベースのプラズマに対して、フェノールベースのフォトレジストとの反応は、309nmでの−OH放射信号、および431nmでの−CH放射信号に相応する強い放射を生じる。代りに、工程として、基板へのいかなる反応あるいは基板を曝すより前に、プラズマによって発生するスペクトラムから選択された波長を使用できる。さらにウエハを加熱するために使用されるランプのスペクトラムから選択された波長を使用できる。
反応副産物によって発生する利用可能な波長は、典型的には、UV領域で見出される。
紫外線領域は、以下に、可視光とX線間の電磁波スペクトラムの領域を含むものとして定義される。好ましくは、反応副産物によって発生する波長は、約200nmから約400nmである。より短い波長を使用することは、典型的には、600nmより大きい波長を使用する従来のレーザ光工程に関して、より高い分解能を与える。より短い波長の使用は、単位時間あたり、より大きな干渉を提供する。しかしながら、より長い波長が使用できる。すなわち特に、より厚いフィルム用に、また、アッシング速度を遅くしたり、あるいは、紫外領域において伝播しないフィルムに対して使用できる。
リアルタイムエッチング速度を決定する工程は、同じ装置を使用できるので、終了点の検出といっしょにできる。それによってコストを最小にし、装置のスペースを節約できる。
【0048】
以下の実施例は、本発明の範囲内において例示したものであって、より多くの記載された方法は、上記に示したとおりである。実施形態は、説明の目的のみに表されたものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
【実施例1】
【0049】
この例において、ストリッピング速度は浅い角度の干渉を使用することによって決定される。その上にフォトレジストを有するウエハが、ジェミニESプラズマアッシャ(Gemini ES Plasma Asher)の反応室内に置かれる。ウエハは、酸素ベースのプラズマに曝された。ウエハ平面に関して受光部品の干渉平面の角度は、89度であった。データは、上記光学機器および終了点検出用に配置されたビューイングポートを使用して集められた。309nmでOH放射信号に相応する放射信号が観測され、その結果は図5に示された。受光部品に受信された信号は、二次干渉の影響を減少させるために、ろ過された。309nmで、フォトレジストの屈折率は、従来の偏光解析法の技術(n=1.6)を使用して、1.6であると決定された。二つの最小値間の時間で取り除かれたフォトレジストの量は、以下のように決定された。
【数9】
【0050】
最小値間の連続する間隔を考慮すると、ストリッピング速度は、図5において示されるように決定される。ストリッピング速度は、約225nm/分から最大約400nm/分まで増加する。ストリッピング速度は、リアルタイム測定を提供する。OH放射信号の強度はストリッピング工程中、増加するものとして観測されたけれども、その強度変化は干渉縞の周期性に影響しなかった。前述したように、OH信号の強度変化は定性的であり、ストリッピング速度に比例しない。得られたデータは、リアルタイムストリッピング速度および工程の終了点(tは約360秒)を決定するために使用された。
【0051】
本発明が実施例に関して説明されたけれども、種々の変更がなされ、また、本発明の範囲を逸脱することなくその要素を置き換えて均等物とすることは、当業者に理解されるところである。さらに、多くの変形例は、本発明の範囲を逸脱することなく、発明の教示する特別の状況あるいは材料に適用することができる。それゆえ、本発明は、この発明を実行するのに考えられたベストモードとして開示された特別な実施形態に限定されるものでなく、添付された請求の範囲の範囲内で、行われる全ての実施形態を含むものであることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】図1は、反射基板上の薄い伝播物質内の多数の反射/屈折から代表的な干渉の説明図であり、また、従来技術の説明図である。
【図2A】図2Aは、nrel=n1/n2の二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1に対し、s波とp波の位相ずれを示す第1のグラフである。
【図2B】図2Bは、nrel=n1/n2の二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1に対し、s波とp波の位相ずれを示す第2のグラフである。
【図2C】図2Cは、nrel=n1/n2の二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1に対し、s波とp波の位相ずれを示す第3のグラフである。
【図2D】図2Dは、nrel=n1/n2の二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1に対し、s波とp波の位相ずれを示す第4のグラフである。
【図3A】図3Aは、二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1の両境界に対し、s波とp波双方の反射および伝播に対する振幅係数を示す第1の図である。
【図3B】図3Bは、二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1の両境界に対し、s波とp波双方の反射および伝播に対する振幅係数を示す第2の図である。
【図3C】図3Cは、二つの条件、すなわちnrel>1およびnrel<1の両境界に対し、s波とp波双方の反射および伝播に対する振幅係数を示す第3図である。
【図4】図4は、反射物質上で薄い透明フィルム内での、直接光源および多数の反射/屈折を含む干渉の概略説明図である。
【図5】図5は、干渉時間および期間の関数として単色光の強度を示すグラフである。
【図6】図6は、直接光源で発生するモデル化された干渉縞のグラフを示す図である。
【図7】図7は、時間の関数として、309nmでの放射強度を示す、リアルタイムエッチング速度と、同じ終了点の検出器の典型的な出力トレースを示す図である。
Claims (32)
- ウエハからフォトレジスト被覆のリアルタイムストリッピング速度を決定する方法であって、
ポートを含むプラズマ反応室内に、フォトレジストを被覆したウエハを配置し、
前記ウエハの平面に略平行なビューイング角度で受光する受光部品を含み、かつこの受光部品がフォトレジストの表面上に固定の焦点を結ぶようにする光学検出器を、前記ポートに接続し、
反応種を含み、前記フォトレジストを前記反応種に曝すプラズマを発生し、
同じ波長の直接光、反射光および屈折光の各ビームを前記プラズマ反応室内で発生し、前記直接光のビームおよびウエハからの反射光および屈折光のビームから干渉信号を生成し、前記光学検出器によって受信される前記干渉信号を監視し、
該干渉信号から干渉縞を取り出し、そして以下の関係式
各工程を含むことを特徴とする方法。 - λは、紫外領域の波長を放射する反応種から選択されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- λは、プラズマ内で放射される選択された反応種が放射する波長であり、該波長はプラズマとフォトレジストとの反応によって、反応種から自由に放射されるものである請求項1記載の方法。
- λは、プラズマとフォトレジストとの反応によって、選択された反応種が放射する波長である請求項1記載の方法。
- λは、ウエハ加熱のために使用される内部ランプによって放射される波長である請求項1記載の方法。
- フォトレジストは、フェノール成分を含み、λは、309ナノメータ(nm)および431ナノメータ(nm)からなる一群の波長から選択されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- Tは、干渉縞内の二つの連続する最大値間の時間間隔である請求項1記載の方法。
- さらに、同時に終了点を検出する工程を含んでおり、終了点の測定は、選択された反応物あるいは反応生成物の光放射強度信号を監視することを含み、選択された反応生成物の光放射強度がほぼゼロであるときに終了点が決まることを特徴とする請求項1記載の方法。
- さらに、同時に終了点を検出する工程を含んでおり、終了点の測定は、選択された反応物あるいは反応生成物の光放射強度信号を監視することを含み、信号群の適切な比率あるいは信号の組み合わせ、および信号群の導関数が、適切にフィルター処理されて本質的な変化を受けるときに前記終了点が決まることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 終了点の光放射強度信号は、直接光および反射光のビームによって生じる強度信号と同一の波長からなる請求項8記載の方法。
- 測定された信号の強度の変化は、干渉縞の周期性に影響されないことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 補間の工程は、二つのデータポイント間の、最小値の時間位置を評価するために使用されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- さらに、リアルタイムエッチング速度を測定するために使用される光学検出器によって終了点を同時に検出し、
終了点の測定は、選択された反応生成物の光放射強度信号を監視する工程を含み、
終了点は、選択された反応生成物の光放射強度がほぼゼロとなるときに決まることを特徴とする請求項1記載の方法。 - さらに、プラズマ内で発生する光放射の反応種から、直接光、反射光、および屈折光の各ビームを発生する工程を含んでいる請求項14記載の方法。
- 光を放射する反応種は、フイルム被覆とプラズマとの反応中に発生する反応生成物であることを特徴とする請求項15記載の方法。
- 光を放射する反応種は、ウエハを加熱するために使用される内部ランプ源によって放射されることを特徴とする請求項15記載の方法。
- 直接光、反射光および屈折光の各ビームは、紫外領域の波長を有する光放射の反応種から選択されることを特徴とする請求項14記載の方法。
- フィルム被覆は、フォトレジストからなる請求項14記載の方法。
- リアルタイムプラズマエッチング速度を測定するための装置であって、
ポートを含むプラズマ反応室と、
同じ波長である直接光のビーム、複数の反射光および屈折光の各ビームを発生し、基板の所定表面を照射するための前記反応室内に配置される光源と、
前記ポートに接続され、ウエハからの直接光、反射光および屈折光のビームによって生成される干渉光信号を受け入れる平面に対してほぼ平行な角度で、前記所定表面に焦点を結ぶ受光部品を含んでいる光学検出器と、
直接光、反射光および屈折光のビームによって生じる干渉信号からリアルタイムエッチング速度を計算するために前記受光部品と連動するとともに、前記干渉信号、取り除かれるべき物質の屈折率、および直接光、反射光および屈折光の各ビームの波長から生じる干渉縞に基づくリアルタイムエッチング速度を計算する計算手段と、を含んでいることを特徴とする装置。 - さらに、反応室内に放射熱源を含んでいることを特徴とする請求項20記載の装置。
- エッチング終了点を計算するための第2コンピュータ手段を含み、
該第2コンピュータ手段は、リアルタイムエッチング速度の計算中に発生する干渉信号の強度変化から終了点を計算することを含んでいる請求項20記載の装置。 - 光源は、プラズマによって発生する反応種から放射される光から選択された波長光である請求項20記載の装置。
- 光源は、プラズマと基板間の反応によって発生する反応種から放射される光から選択された波長光である請求項20記載の装置。
- 光学検出器のビューイング角度は、ウエハ表面の平面に対して垂直でないことを特徴とする請求項20記載の装置。
- 光源は、放射加熱源によって放射される光放射種から選択された波長光である請求項20記載の装置。
- リアルタイムプラズマエッチング速度を測定するための装置であって、
ポートを含むプラズマ反応室と、
エッチング処理中に放出される光と、同じ波長の、直接光のビーム、複数の反射光および屈折光の各ビームとを含む光源と、
ウエハ平面にほぼ平行なビューイング角度と1つの焦点とを有し、該焦点が前記ウエハ平面上の点に設定され、前記直接光のビーム、複数の反射光および屈折光の各ビームによって生成されかつ受光部品に受信される干渉信号を与える光が、特定の基点に集中するように、前記ポートに接続される前記受光部品と、
直接光、反射光、および屈折光の各ビームによって生成される干渉信号から、リアルタイムエッチング速度を計算するための前記受光部品と連動するとともに、干渉信号、取り除かれるべき物質の屈折率および直接光、反射光、および屈折光の波長から生じる干渉縞に基づくリアルタイムエッチング速度を計算する計算手段と、を含んでいることを特徴とする装置。 - エッチング工程中に放射される光は、プラズマによって発生することを特徴とする請求項27記載の装置。
- エッチング工程中に放射される光は、プラズマと基板との反応中に発生する光放射の反応種であることを特徴とする請求項27記載の装置。
- エッチング工程中に放射される光は、熱放射ランプシステムによって発生することを特徴とする請求項27記載の装置。
- 複数の検出器を含み、該複数の検出器のそれぞれが、ウエハ平面上の異なる点で設定される焦点を有しており、干渉信号に寄与する光が、直接光のビーム、複数の反射光および屈折光の各ビームによって生成され、かつ受光部品に受光されて特定の基点に集中することを特徴とする請求項27記載の装置。
- 直接光の入射角は、約88.5度以下である請求項27記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/905,032 | 2001-07-13 | ||
US09/905,032 US6585908B2 (en) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Shallow angle interference process and apparatus for determining real-time etching rate |
PCT/US2002/023234 WO2003007327A2 (en) | 2001-07-13 | 2002-07-12 | Shallow-angle interference process and apparatus for determining real-time etching rate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004535673A true JP2004535673A (ja) | 2004-11-25 |
JP4775685B2 JP4775685B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=25420196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003512999A Expired - Lifetime JP4775685B2 (ja) | 2001-07-13 | 2002-07-12 | リアルタイムエッチング速度を決定するための、浅い角度での干渉方法及び装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6585908B2 (ja) |
EP (1) | EP1410417A2 (ja) |
JP (1) | JP4775685B2 (ja) |
KR (1) | KR100893961B1 (ja) |
CN (1) | CN100524603C (ja) |
AU (1) | AU2002319628A1 (ja) |
TW (1) | TW556284B (ja) |
WO (1) | WO2003007327A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006106871A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | アッシング装置、アッシング方法および不純物ドーピング装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030209518A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of detecting abnormal chamber conditions in etcher |
JP4500510B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング量検出方法,エッチング方法,およびエッチング装置 |
US7261913B2 (en) * | 2003-07-07 | 2007-08-28 | Dreyer's Ice Cream, Inc. | Aerated frozen suspension with adjusted creaminess and scoop ability based on stress-controlled generation of superfine microstructures |
US7821655B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-10-26 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction |
US20050250346A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for post deposition treatment of low k dielectric materials |
US20060249175A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | High efficiency UV curing system |
US20060251827A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Tandem uv chamber for curing dielectric materials |
KR100920423B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2009-10-08 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
FR3020684B1 (fr) * | 2014-04-30 | 2017-05-19 | Horiba Jobin Yvon Sas | Systeme et procede de spectrometrie de decharge luminescente et de mesure in situ de la profondeur de gravure d'un echantillon |
EP3038132B1 (en) | 2014-12-22 | 2020-03-11 | IMEC vzw | Method and apparatus for real-time monitoring of plasma etch uniformity |
CN108987224A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及检测反应腔室内晶片状态的方法 |
WO2019084260A1 (en) | 2017-10-25 | 2019-05-02 | Axcelis Technologies, Inc. | ADJUSTABLE SENSITIVITY MULTI-RECEIVER, MULTI-WAVE LENGTH, LOW-ANGLE SENSITIVITY ALIGNMENT SENSOR FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60223127A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS63213923A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 薄膜のモニタ装置 |
US5405488A (en) * | 1993-09-13 | 1995-04-11 | Vlsi Technology, Inc. | System and method for plasma etching endpoint detection |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5362356A (en) | 1990-12-20 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Plasma etching process control |
US5877032A (en) * | 1995-10-12 | 1999-03-02 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission |
US5399229A (en) * | 1993-05-13 | 1995-03-21 | Texas Instruments Incorporated | System and method for monitoring and evaluating semiconductor wafer fabrication |
US6054333A (en) * | 1997-10-14 | 2000-04-25 | University Of Houston | Real time etch measurements and control using isotopes |
US6204922B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-03-20 | Filmetrics, Inc. | Rapid and accurate thin film measurement of individual layers in a multi-layered or patterned sample |
US6547458B1 (en) * | 1999-11-24 | 2003-04-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Optimized optical system design for endpoint detection |
JP4387022B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2009-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 終点検出方法 |
-
2001
- 2001-07-13 US US09/905,032 patent/US6585908B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-12 JP JP2003512999A patent/JP4775685B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-12 KR KR1020047000554A patent/KR100893961B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-12 AU AU2002319628A patent/AU2002319628A1/en not_active Abandoned
- 2002-07-12 CN CNB02817870XA patent/CN100524603C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-12 EP EP02750229A patent/EP1410417A2/en not_active Withdrawn
- 2002-07-12 WO PCT/US2002/023234 patent/WO2003007327A2/en active Application Filing
- 2002-07-15 TW TW091115672A patent/TW556284B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60223127A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS63213923A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 薄膜のモニタ装置 |
US5405488A (en) * | 1993-09-13 | 1995-04-11 | Vlsi Technology, Inc. | System and method for plasma etching endpoint detection |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006106871A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | アッシング装置、アッシング方法および不純物ドーピング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040028923A (ko) | 2004-04-03 |
US20030062337A1 (en) | 2003-04-03 |
KR100893961B1 (ko) | 2009-04-20 |
CN100524603C (zh) | 2009-08-05 |
WO2003007327A3 (en) | 2003-05-08 |
CN1554107A (zh) | 2004-12-08 |
EP1410417A2 (en) | 2004-04-21 |
AU2002319628A1 (en) | 2003-01-29 |
TW556284B (en) | 2003-10-01 |
JP4775685B2 (ja) | 2011-09-21 |
WO2003007327A2 (en) | 2003-01-23 |
US6585908B2 (en) | 2003-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7239390B2 (en) | Modulated scatterometry | |
CN1148563C (zh) | 使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置 | |
KR100904110B1 (ko) | 기판 처리를 모니터링하기 위한 신경망 방법들 및 장치들 | |
TW550370B (en) | In-situ film thickness measurement using spectral interference at grazing incidence | |
JP4775685B2 (ja) | リアルタイムエッチング速度を決定するための、浅い角度での干渉方法及び装置 | |
US7821655B2 (en) | In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction | |
CN109642875A (zh) | 用于原位工艺监测和控制的光谱反射测量法 | |
US9243886B1 (en) | Optical metrology of periodic targets in presence of multiple diffraction orders | |
KR100595348B1 (ko) | 박막 또는 박층의 두께를 측정하기 위한 방법 및 장치 | |
JP7008809B2 (ja) | 高反射積層膜上の高吸光膜層の光学的測定 | |
KR100779128B1 (ko) | 막두께 측정방법 및 장치 | |
EP1527320A1 (en) | Method and apparatus for optically measuring the topography of nearly planar periodic structures | |
JP5888111B2 (ja) | エッチングモニタ装置 | |
JP2013048183A (ja) | エッチングモニタリング装置 | |
US20230109008A1 (en) | Spectroscopic Reflectometry And Ellipsometry Measurements With Electroreflectance Modulation | |
KR20240088638A (ko) | 전기반사율 변조를 사용한 분광 반사계측 및 타원계측 측정 | |
JPH0654217B2 (ja) | 干渉膜厚測定方法 | |
JPS63196805A (ja) | 面間隔測定方法 | |
JP2005003400A (ja) | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080326 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080624 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100513 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110309 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110518 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4775685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |