CN108987224A - 反应腔室及检测反应腔室内晶片状态的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种反应腔室，包括卡盘和散斑干涉检测装置；散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；所述光源输出的光信号分为物光和参考光；所述物光发射至所述晶片的表面并反射至所述光电转换器，所述参考光直接发射至所述光电转换器；所述光电转换器用于将接收到的所述物光和参考光的光信号转换为电信号并发送至处理器；处理器用于基于电信号获得散斑干涉条纹，以根据所述散斑干涉条纹判断所述晶片的状态。本发明还提供一种检测反应腔室内晶片状态的方法。本发明可以提高晶片状态检测的准确度。
Description
技术领域
本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种反应腔室及检测反应腔室内晶片状态的方法。
背景技术
在集成电路芯片制造行业中，对晶片进行加工的整个流程中，普遍包括光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积，核心封装等工艺。在等离子刻蚀工艺，刻蚀机将光刻工艺所产生的诸如线、面或孔洞等光阻图案，忠实无误地转印到光阻底下的材质上，以形成整个集成电路所应有的复杂架构。在干法刻蚀工艺通常需要将晶片放置在反应腔室内的卡盘上，对晶片进行加工；卡盘起到支撑、固定晶片，对工艺过程晶片温度进行控制等作用；而目前通常采用静电卡盘，静电卡盘是一种利用静电力固定晶片的卡盘结构，消除了机械卡盘结构复杂，晶片有效加工面积减少等缺点，但是，采用静电卡盘往往会在释放晶片过程(Dechuck)完成后，仍然存在静电残余电荷，该静电残余电荷导致跳片、粘片现象的发生，这样，一般会导致晶片的破损，从而造成经济损失。
为此，需要实时检测晶片的状态来避免上述问题的发生，图1为现有的反应腔室的结构示意图，请参阅图1，在反应腔室5的顶部设有介质窗1，介质窗1上方安装电感耦合线圈2，上射频源4通过匹配器3与电感耦合线圈2相连，用于将自进气装置50输入腔室内工艺气体激发成等离子体6。下射频源14通过下匹配器13连接至静电卡盘11基体，用于在晶片7表面产生直流自偏压，吸引等离子体朝向晶片7移动，以对晶片7表面进行加工处理。静电卡盘11安装在卡盘基座12上，静电卡盘11内部埋设直流电极10，直流电极10的四周被绝缘材料包裹。静电卡盘11和卡盘基座12的内部还设置有冷媒气体通道9，冷媒气体自冷媒气体进气口以一定压力或流量对晶片7背部进行气吹，从而实现在工艺过程中的晶片7温度控制。直流电源15在工艺开始前，对直流电极10供电，使直流电极10与晶片7间产生静电力，固定住晶片7，即为固定晶片的过程(Chuck)，在工艺完成后，向直流电源15加载与Chuck过程中极性相反的直流电压，以消除直流电极10和晶片7之间的电荷，以释放晶片(Dechuck)；在反应腔室5的侧壁上还设置有摄像机60，用于实时拍摄照片，以基于该照片判断晶片7的状态。
在实际应用中，仅根据摄像机60拍摄的照片，很难很好地判断出晶片7的状态，即，检测晶片7状态的准确度不好。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室及检测反应腔室内晶片状态的方法，能够很好地检测晶片的状态，并能够提高晶片状态检测的准确度。
为解决上述问题之一，本发明提供了一种反应腔室，在其内设置有用于承载晶片的卡盘，所述反应腔室还包括：用于检测所述晶片表面状态的散斑干涉检测装置；所述散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；所述光源输出的光信号分为物光和参考光；所述物光发射至所述晶片的表面并反射至所述光电转换器，所述参考光直接发射至所述光电转换器；所述光电转换器，用于将接收到的所述物光和所述参考光的光信号转换为电信号并发送至所述处理器；所述处理器，用于基于所述电信号获得散斑干涉条纹，以根据所述散斑干涉条纹判断所述晶片的状态。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜组件和输出透镜组件；所述输入透镜组件包括第一透镜组件和第二透镜组件；所述输出透镜组件包括第三透镜组件；所述第一透镜组件和所述第二透镜组件设置在所述反应腔室的第一侧壁上；所述第三透镜组件设置在所述反应腔室与所述第一侧壁相对的第二侧壁上；所述物光经过所述第一透镜组件发射至所述晶片的表面且反射后经过所述第三透镜组件到达所述光电转换器；所述参考光经过所述第二透镜组件和所述第三透镜组件发射至所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括遮光筒，所述第三透镜组件的出光路径被限制在所述遮光筒内，所述遮光筒固定在所述反应腔室的第二侧壁上，用于使经过所述第三透镜组件的所述物光和所述参考光在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜；所述输入透镜设置在所述反应腔室的顶壁上，且正对所述晶片的位置，所述物光经过所述输入透镜发射至所述晶片的表面且反射后再次经过所述输入透镜到达所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输出透镜和遮光筒，所述输出透镜设置在所述遮光筒内，所述遮光筒独立于所述反应腔室设置，所述物光和所述参考光经过所述输出透镜在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括：具有两路单输入单输出通道的辅助光纤耦合器；所述辅助光纤耦合器，用于将所述物光经过第一路单输入单输出通道到达所述输入透镜；并使自所述输入透镜反射回来的物光经过第二路单输入单输出通道到达所述输出透镜。
优选地，所述光源包括单色光源、白色光源或微波光源。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输入光纤耦合器；所述光源与所述输入光纤耦合器相连，所述光源输出的光信号经过所述输入光纤耦合器之后分为所述物光和所述参考光。
优选地，所述输入光纤耦合器为单输入双输出的光纤耦合器，其输入端与所述光源相连；一个输出端用于输出所述物光，另一个输出端用于输出所述参考光。
本发明还提供一种检测反应腔室内晶片状态的方法，所述反应腔室包括：用于检测所述晶片表面状态的散斑干涉检测装置；所述散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；
所述方法包括以下步骤：
S1，在晶片上升过程中，所述光源输出的光信号分为物光和参考光，所述物光发射至所述晶片的表面并反射至所述光电转换器，所述参考光直接发射至所述光电转换器，所述光电转换器将接收到的所述物光和所述参考光的光信号转换为电信号并发送至所述处理器；
S2，所述处理器根据获得的所述电信号获得散斑干涉条纹；
S3，判断所述散斑干涉条纹是否发生非均匀变化，若否，继续驱动晶片上升，重复上述步骤S1。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜组件和输出透镜组件；所述输入透镜组件包括第一透镜组件和第二透镜组件；所述输出透镜组件包括第三透镜组件；
在所述步骤S1中包括：所述物光经过所述第一透镜组件发射至所述晶片的表面且反射后经过所述第三透镜组件到达所述光电转换器；所述参考光经过所述第二透镜组件和所述第三透镜组件发射至所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括遮光筒，
在所述步骤S1中包括：经过所述第三透镜组件的所述物光和所述参考光在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜；
在所述步骤S1中包括：所述物光经过所述输入透镜发射至所述晶片的表面且反射后再次经过所述输入透镜到达所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输出透镜和遮光筒，
在所述步骤S1中包括：所述物光和所述参考光经过所述输出透镜的在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
优选地，所述散斑干涉检测装置还包括输入光纤耦合器；
在所述步骤S1中包括：光源输出的光信号经过所述输入光纤耦合器之后分为所述物光和所述参考光。
本发明具有以下有益效果：
本发明的反应腔室，通过设置用于检测晶片表面状态的散斑干涉检测装置，能够根据散斑干涉检测装置获得的散斑干涉条纹的变化情况确定被测物体是否发生形变，因而该工艺腔室能够很好地检测晶片的状态，并能够提高晶片状态检测的准确度。
本发明的检测反应腔室内晶片状态的方法，能够准确确定晶片是否发生形变，使得晶片状态检测的准确度比较高。
附图说明
图1为现有的反应腔室的结构示意图；
图2为本发明实施例1提供的一种反应腔室的结构示意图；
图3为本发明实施例1提供的另一种反应腔室的结构示意图；
图4为散斑干涉检测原理图；
图5a和图5b分别为被测物体表面发生形变前后的散斑干涉条纹示意图；
图6为两路单输入单输出的辅助光纤耦合器的结构示意图；
图7为单输入双输出的输入光纤耦合器的结构示意图；
图8为本发明实施例2提供的反应腔室检测晶片状态的方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室及检测反应腔室内晶片状态的方法进行详细描述。
实施例1
本实施例提供一种反应腔室，请参阅图2和图3，在该反应腔室内设置有用于承载晶片22的卡盘23，反应腔室还包括：用于检测晶片22表面状态的散斑干涉检测装置；散斑干涉检测装置包括光源29和光电转换器34。光源29输出的光信号分为物光和参考光；物光发射至晶片22的表面并反射至光电转换器34，参考光直接发射至光电转换器34；光电转换器34用于将接收到的物光和参考光的光信号转换为电信号，基于电信号获得散斑干涉条纹，以根据散斑干涉条纹判断晶片22的状态。
优选地，散斑干涉检测装置还包括输入光纤耦合器30；光源29与输入光纤耦合器30相连，光源29输出的光信号经过输入光纤耦合器30之后分为物光和参考光。借助该光纤耦合器30将光源29发出的光信号分为物光和参考光，可以使得到的物光和参考光完全相同，有利于提高散斑干涉检测装置的检测精确度。
在该实施例中，可选地，如图2所示，散斑干涉检测装置还包括输入透镜组件和输出透镜组件；输入透镜组件包括第一透镜组件26和第二透镜组件27；输出透镜组件包括第三透镜组件28；第一透镜组件26和第二透镜组件27设置在反应腔室的第一侧壁(如图2中的左侧壁)上；第三透镜组件28内嵌置在反应腔室的与第一侧壁相对的第二侧壁(如图2中的右侧壁)上；物光经过第一透镜组件26发射至晶片22的表面且反射后经过第三透镜组件28到达光电转换器34；参考光经过第二透镜组件27和所述第三透镜组件28发射至光电转换器34。
进一步优选地，散斑干涉检测装置还包括遮光筒33，遮光筒33固定在反应腔室的第二侧壁上，用于使经过第三透镜组件28的物光和参考光在遮光筒33内到达光电转换器34，这样，可以避免外部环境中的光信号对检测过程产生干扰或影响。
在该实施例中，可选地，如图3所示，散斑干涉检测装置还包括输入透镜36和光接收传输组件；输入透镜36设置在反应腔室的顶壁上且正对晶片22的位置(例如，可以内嵌在反应腔室的顶壁上，也可以设置在顶壁的表面上)；物光经过输入透镜36发射至晶片22的表面且反射后依次经过输入透镜36和光接收传输组件到达光电转换器34。
进一步地，散斑干涉检测装置还包括输出透镜46和遮光筒33，输出透镜46设置在遮光筒33内，用于经过输出透镜46的所述物光和参考光在所述遮光筒内到达光电转换器34，这样，可以避免外部环境中的光信号对检测过程产生干扰或影响。
遮光筒33独立于所述反应腔室设置，当然，在实际应用中，遮光筒33既可以如图2所示与反应腔室固定设置。通过设置遮光筒33独立于反应腔室之外，使得遮光筒33的拆卸、安装比较简单方便。
下面结合详细描述散斑干涉检测装置的工作原理。
如图4所示，其为散斑干涉检测原理图，光源(图4中的激光器)发出的激光经分光镜B1分两束光，其中一束(物光)经透镜L1后投向被测物体，另一束(参考光)则依次经反射镜M1、M2和M3后经透镜L3作为相干光在分光镜B2处与物光进行干涉，带有散斑信息的散斑干涉条纹进入光电转换器(图4中的CCD)后进行光电转换处理。分光镜B1分出的一小部分激光(参考光)经扩束后照射在一半透半反镜B2后与被测物体表面漫反射回来的光(物光)相汇合而在CCD靶面干涉。其中，参考光的复振幅分布可以表示为如下公式(1)：
UR＝uR(r)expφR(r) (1)
公式(1)中，uR(r)和φR(r)分别为参考光的振幅和相位。
物光和参考光在CCD靶面上形成的光强I(r)可以表示为如下公式(2)：
当被测物体发生形变之后，其表面各点的散斑场振幅u0(r)基本不变，而相位φ0将改变为φ0-Δφ(r)，即U'0(r)＝u0(r)exp[φ0(r)-Δφ(r)]。由于被测物体形变前后参考光维持不变，因此被测物体形变后的合成光强I'(r)可以表示为如下公式(3)：
由于散斑干涉计量中，使用视频记录与数字化存储，因而可以将被测物体形变前后两幅干涉场分离，因此通常采用减模式信息表征方式，即如公式(4)：
由公式(4)可见，相减处理之后的光强是包含有高频载波项相位(φ0-φR)+Δφ(r)/2的低频条纹[sin(Δφ(r)/2)]。该低频条纹取决于被测物体形变引起的光波相位变化。这个光波相位变化与被测物体形变关系可以从光波传播的理论中推导出来，具体光波相位变化与被测物体形变关系如公式(5)。
公式(5)中，λ为所用激光的波长，θ为照明光与被测物体表面法线的夹角，W为被测物体变形的离面位移，U为被测物体变形的面内方向位移。
根据公式(4)和公式(5)可以看出：当被测表面发生形变时，形变前后散斑干涉条纹将发生变化，故可根据散斑干涉条纹变化来判定被测物体表面的形变程度。
上述反应腔室在具体判定晶片22是否跳片(晶片是否偏移)、粘片的主要依据为：当晶片22在没有发生形变或者没有跳片、粘片(表面为正常状态)时，光电转换器34获得的散斑干涉条纹应为由内而外均匀的干涉条纹(如图5a所示)，随着晶片22的逐渐升起，其图5a散斑干涉条纹会均匀地由内向外发生移动。当晶片22发生跳片或粘片(表面为非正常状态)时，晶片22表面的整体位移不一致，中心离面位移或许较大，这将会导致晶片22表面的中心微凸变形，当形变量为几微米量级时，便会观察到散斑干涉条纹不均匀地变化，表现为在干涉检测区域会出现内疏外密或外疏内密的散斑干涉条纹，如图5b所示。
基于上述散斑干涉检测原理，本实施例图2所示的反应腔室中，对于晶片22的状态检测采用散斑干涉在线检测具体为：首先光源29，如激光源产生激光束经输入光纤耦合器30分为物光和参考光，物光经光纤31和光纤头传输至第一透镜组件26，参考光经光纤32和光纤头传输至第二透镜组件27。如图2所示，物光经第一透镜组件26后平行入射至晶片22的中心区域表面，晶片22中心表面衍射光进入第三透镜组件28。参考光经第二透镜组件27后直接平行投射至第三透镜组件28，并与物光相干涉。相干的散斑干涉条纹经第三透镜组件28后经遮光筒33传输至光电转换器34(如CCD)进行光电转换，光电转换器34将光信号转换为电信号，电信号经连接至反应腔室的计算机设备(即，处理器35)成像软件处理后对散斑干涉条纹进行复现，即可得到图5a和图5b所示的散斑干涉条纹。
更具体地，如图2所示，光源29输出的光信号通过光纤到达输入光纤耦合器30，光纤耦合器30发出的物光通过光纤31经过光纤头朝向第一透镜组件26射出；光纤耦合器30发出的参考光通过光纤32经过光纤头朝向第二透镜组件27射出。
基于上述散斑干涉检测原理，本实施例图3所示的反应腔室中，对于晶片22的状态检测采用散斑干涉在线检测具体为：图3中，光源29产生的激光束经输入光纤耦合器30后分为参考光和物光。物光经光纤49、光纤39后到达光纤头37，并进入第四透镜组件36，经第四透镜组件36的物光平行投射至晶片22表面，带有散斑信号的物光经反射至光纤头38，并至光纤40、光纤41后进入遮光筒33与经过光纤42的参考光汇合，并经第五透镜组件46后至光电转换器34，后经外接反应腔室的计算机设备(即，处理器35)的数据处理软件后，将散斑干涉条纹呈现至计算机设备上。
更具体地，如图3所示，光源29输出的光信号通过光纤到达输入光纤耦合器30，光纤耦合器30发出的物光通过光纤49和39再经过光纤头37朝向第四透镜组件36射出，光接收传输组件包括光纤头38、光纤40和光纤41，反射回来的物光经光纤头38、光纤40和光纤41传输至遮光筒33内；光纤耦合器30发出的参考光通过光纤42传输至遮光筒33内；其中光纤头37为仅发送光信号的光纤头；光纤头38为仅接收光信号的光纤头。
在该实施例中，可选地，如图3所示，散斑干涉检测装置还包括：两路单输入单输出的辅助光纤耦合器43；辅助光纤耦合器43用于将物光经过第一路单输入单输出的辅助光纤耦合器发射至晶片22的表面；并经过第二路单输入单输出的辅助光纤耦合器反射至光电转换器34。
具体地，辅助光纤耦合器43的第一路输入端与输入光纤耦合器30相连，第一路输出端用于朝向将物光朝向晶片22的表面发射；第二路输出端与遮光筒33相连，第二路输入端用于接收再反射回来的物光。其中，辅助光纤耦合器43的结构示意图如图6所示。
更具体地，从输入光纤耦合器30射出的物光经光纤49后进入第一路辅助光纤耦合器43，并由第一路辅助光纤耦合器43的输出端、光纤39、光纤头37到达第四透镜组件36。经第四透镜组件36反射回来的物光经光纤头38、光纤41后进入第二路辅助光纤耦合器43，并由第二路辅助光纤耦合器43的输出端到达遮光筒33。
可选地，光源29为单色光源、白色光源和微波光源中的一种。由于光源29可选的类型比较多，使得本实施例中的反应腔室不仅适用于不同类型的光源，适用范围广，而且可以根据需要灵活选择光源29的类型。
可选地，输入光纤耦合器30为单输入双输出的光纤耦合器，其输入端与光源29相连；一个输出端用于输出物光，另一个输出端用于输出参考光。具体结构如图7所示，其为单输入双输出的输入光纤耦合器的结构示意图。
可选地，反应腔室包括但不限于为电感耦合等离子体腔室、电容耦合等离子体腔室、物理气相沉积腔室、表面波等离子体腔室和电子回旋等离子体腔室中的一种。由于反应腔室的类型比较多，使得本实施例中的反应腔室可以检测不同类型反应腔室中的晶片状态，适用范围比较广。
需要说明的是，如图2和图3所示，反应腔室还包括：射频电源16提供的射频功率信号经匹配器17到线圈19后通过介质层20耦合至腔室中，激发通过进气管道18进入腔室的工艺气体产生等离子体21。下电源25提供的射频功率信号经匹配器24后耦合至卡盘23内，以在晶片表面产生负偏压，以吸引等离子体朝向晶片运动，对晶片22进行刻蚀等工艺；另外，卡盘23可以为但不限于静电卡盘，以静电吸附力固定晶片22。
实施例2
本实施例提供一种检测反应腔室内晶片状态的方法，所述反应腔室包括：用于检测所述晶片表面状态的散斑干涉检测装置；所述散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；如图8所示，该方法包括以下步骤：
S1，在晶片上升过程中，光源输出的光信号分为物光和参考光，物光发射至晶片的表面并反射至光电转换器，参考光直接发射至光电转换器，光电转换器将接收到的物光和参考光的光信号转换为电信号并发送至处理器。
关于散斑干涉检测装置实时进行检测的原理，已在上述实施例1中进行了详细地解释说明，具体可参见上述实施例1中的内容，此处不再赘述。
S2，处理器根据获得的电信号获得散斑干涉条纹。
S3，判断散斑干涉条纹是否发生非均匀变化，若否，继续驱动晶片上升，重复上述步骤S1。
在该实施例中，当散斑干涉条纹未发生非均匀变化时，由上述实施例1的内容可得，晶片此时未发生形变，即未发生粘片或跳片，此时，可以对晶片进行固定刻蚀。
本实施例中，由于散斑干涉检测装置能准确获得散斑干涉条纹，因此，根据该散斑干涉条纹是否发生非均匀变化的信息可以确定晶片的状态，因而确定的晶片状态准确度比较高。
可选地，如图8所示，在步骤S2中，若是，则驱动晶片下降，这是因为若散斑干涉条纹发生非均匀变化，则可以确定晶片发生形变、粘片或跳片。
需要说明是，上述步骤S1可以在工艺完成之后且在静电卡盘去静电过程完成之后进行，在这种情况下，若散斑干涉条纹发生非均匀变化，驱动晶片下降后，再次进行去静电过程(dechuck)，以消除晶片表面的残余电荷，防止粘片。
在一实施例中，散斑干涉检测装置还包括输入透镜组件和输出透镜组件；所述输入透镜组件包括第一透镜组件和第二透镜组件；所述输出透镜组件包括第三透镜组件；在此情况下，在步骤S1中包括：物光经过第一透镜组件发射至晶片的表面且反射后经过第三透镜组件到达光电转换器；参考光经过第二透镜组件和第三透镜组件发射至光电转换器。
优选地，散斑干涉检测装置还包括遮光筒，在此情况下，在步骤S1中包括：经过第三透镜组件的物光和参考光在遮光筒内到达光电转换器。
在另一实施例中，散斑干涉检测装置还包括输入透镜；在此情况下，在步骤S1中包括：物光经过输入透镜发射至晶片的表面且反射后再次经过输入透镜到达光电转换器。
优选地，散斑干涉检测装置还包括输出透镜和遮光筒，在此情况下，在步骤S1中包括：物光和参考光经过输出透镜在遮光筒内到达光电转换器。
另外，本实施例中，散斑干涉检测装置还包括输入光纤耦合器；在步骤S1中包括：光源输出的光信号经过输入光纤耦合器之后分为物光和参考光。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种反应腔室，在其内设置有用于承载晶片的卡盘，其特征在于，所述反应腔室还包括：用于检测所述晶片表面状态的散斑干涉检测装置；
所述散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；
所述光源输出的光信号分为物光和参考光；
所述物光发射至所述晶片的表面并反射至所述光电转换器，所述参考光直接发射至所述光电转换器；
所述光电转换器，用于将接收到的所述物光和所述参考光的光信号转换为电信号并发送至所述处理器；
所述处理器，用于基于所述电信号获得散斑干涉条纹，以根据所述散斑干涉条纹判断所述晶片的状态。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜组件和输出透镜组件；
所述输入透镜组件包括第一透镜组件和第二透镜组件；
所述输出透镜组件包括第三透镜组件；
所述第一透镜组件和所述第二透镜组件设置在所述反应腔室的第一侧壁上；
所述第三透镜组件设置在所述反应腔室与所述第一侧壁相对的第二侧壁上；
所述物光经过所述第一透镜组件发射至所述晶片的表面且反射后经过所述第三透镜组件到达所述光电转换器；
所述参考光经过所述第二透镜组件和所述第三透镜组件发射至所述光电转换器。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括遮光筒，所述第三透镜组件的出光路径被限制在所述遮光筒内，所述遮光筒固定在所述反应腔室的第二侧壁上，用于使经过所述第三透镜组件的所述物光和所述参考光在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜；
所述输入透镜设置在所述反应腔室的顶壁上，且正对所述晶片的位置，所述物光经过所述输入透镜发射至所述晶片的表面且反射后再次经过所述输入透镜到达所述光电转换器。
5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输出透镜和遮光筒，所述输出透镜设置在所述遮光筒内，所述遮光筒独立于所述反应腔室设置，所述物光和所述参考光经过所述输出透镜在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括：具有两路单输入单输出通道的辅助光纤耦合器；
所述辅助光纤耦合器，用于将所述物光经过第一路单输入单输出通道到达所述输入透镜；并使自所述输入透镜反射回来的物光经过第二路单输入单输出通道到达所述输出透镜。
7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述光源包括单色光源、白色光源或微波光源。
8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，
所述散斑干涉检测装置还包括输入光纤耦合器；
所述光源与所述输入光纤耦合器相连，所述光源输出的光信号经过所述输入光纤耦合器之后分为所述物光和所述参考光。
9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述输入光纤耦合器为单输入双输出的光纤耦合器，其输入端与所述光源相连；一个输出端用于输出所述物光，另一个输出端用于输出所述参考光。
10.一种检测反应腔室内晶片状态的方法，其特征在于，所述反应腔室包括：用于检测所述晶片表面状态的散斑干涉检测装置；所述散斑干涉检测装置包括光源、光电转换器和处理器；
所述方法包括以下步骤：
S1，在晶片上升过程中，所述光源输出的光信号分为物光和参考光，所述物光发射至所述晶片的表面并反射至所述光电转换器，所述参考光直接发射至所述光电转换器，所述光电转换器将接收到的所述物光和所述参考光的光信号转换为电信号并发送至所述处理器；
S2，所述处理器根据获得的所述电信号获得散斑干涉条纹；
S3，判断所述散斑干涉条纹是否发生非均匀变化，若否，继续驱动晶片上升，重复上述步骤S1。
11.根据权利要求10所述的检测反应腔室内晶片状态的方法，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜组件和输出透镜组件；所述输入透镜组件包括第一透镜组件和第二透镜组件；所述输出透镜组件包括第三透镜组件；
在所述步骤S1中包括：所述物光经过所述第一透镜组件发射至所述晶片的表面且反射后经过所述第三透镜组件到达所述光电转换器；所述参考光经过所述第二透镜组件和所述第三透镜组件发射至所述光电转换器。
12.根据权利要求11所述的检测反应腔室内晶片状态的方法，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括遮光筒，
在所述步骤S1中包括：经过所述第三透镜组件的所述物光和所述参考光在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
13.根据权利要求10所述的检测反应腔室内晶片状态的方法，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输入透镜；
在所述步骤S1中包括：所述物光经过所述输入透镜发射至所述晶片的表面且反射后再次经过所述输入透镜到达所述光电转换器。
14.根据权利要求13所述的检测反应腔室内晶片状态的方法，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输出透镜和遮光筒，
在所述步骤S1中包括：所述物光和所述参考光经过所述输出透镜的在所述遮光筒内到达所述光电转换器。
15.根据权利要求10所述的检测反应腔室内晶片状态的方法，其特征在于，所述散斑干涉检测装置还包括输入光纤耦合器；
在所述步骤S1中包括：光源输出的光信号经过所述输入光纤耦合器之后分为所述物光和所述参考光。
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