JP4387022B2

JP4387022B2 - 終点検出方法

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Publication number: JP4387022B2
Application number: JP2000028782A
Authority: JP
Inventors: 陽平山澤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-02-07
Filing date: 2000-02-07
Publication date: 2009-12-16
Anticipated expiration: 2020-02-07
Also published as: JP2001217227A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマによるエッチングの終点検出方法、終点検出装置及びプラズマエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマを用いたエッチング方法は、従来から半導体製造工程あるいはＬＣＤ基板製造工程に広く適用されている。そのエッチング装置は、例えば、互いに平行に配設された上部電極と下部電極を備え、下部電極に半導体ウエハ等の被処理体を載置した状態で上部電極と下部電極間の放電によりエッチング用ガスからプラズマを発生させ、被処理体を所定のパターンに即してエッチングする。
【０００３】
エッチングの終点を検出する方法としては例えば発光分光分析を用いた終点検出方法が広く用いられている。この終点検出方法はエッチング用ガスとその分解生成物や反応生成物などのラジカルやイオン等の活性種から最も観察し易い特定の活性種を選択し、選択された特定波長の発光強度の変動に基づいて終点を検出する方法である。例えば、ＣＦ_４等のＣＦ系のエッチング用ガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングする場合にはその反応生成物であるＣＯ^＊の特定波長（４８３.５ｎｍ等）を検出し、また、ＣＦ_４等のＣＦ系のエッチング用ガスを用いてシリコン窒化膜をエッチングする場合にはその反応生成物であるＮ^＊の特定波長（６７４ｎｍ等）を検出し、それぞれの検出強度の変化点に基づいて終点を検出している。このように従来の終点検出方法はエッチングプロセスに即して終点検出に用いる波長を変えている。
【０００４】
また、上部電極に観測用の窓を設け、この窓から被処理層（被エッチング層）へ光を照射し、被エッチング層からの反射によって生じた干渉波形をデータ処理することにより終点を検出する方法もある。例えば特許第２６１２０８９号明細書では高速フーリエ変換法等を用いた終点検出方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発光分光分析を利用した従来の終点検出方法の場合には、被処理層のエッチングが終了し、下地層が露出して特定波長の発光強度が変化した時点をエッチングの終点として検出するため、この時のオーバーエッチングにより下地層が削られて損傷するという課題があった。
【０００６】
更に、最近では下地のゲート酸化膜が益々薄膜化する傾向にあり、現在４０ｎｍのものがやがては３ｎｍ程度に達することさえある。このような場合には干渉波形のＳ／Ｎが極めて悪くなり、干渉波形による解析が難しくなる。しかも、終点検出の精度が粗いとオーバーエッチングによるゲート酸化膜の損傷が避けられない。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、被処理体が多層構造化して被処理層の下地層が薄膜化しても、下地層のオーバーエッチングによる損傷を確実に防止することができる終点検出方法、終点検出装置及びプラズマエッチング装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、エッチングの終点検出について種々検討した結果、干渉光のスペクトルの時間変動を細かく追跡した結果、干渉スペクトルの強度を統計的に観ると干渉強度はエッチングの終点まで単調に減少するのではなく終点近傍で一旦増加に転ずる傾向のあることを見い出し、この増加傾向が終点の前兆を示すものであるとの知見を得た。
【０００９】
本発明は上記知見に基づいてなされたもので、請求項１に記載の終点検出方法は、プラズマを用いて下地層上の被処理層をエッチングする際に、上記被処理層に光を照射し、その反射光を用いてエッチングの終点を検出する方法において、上記被処理層に光を照射し、上記被処理層の表面及び上記下地層との界面からの反射による干渉光を、分光器を用いて複数の波長の干渉強度として検出した後、所定時間ごとに、上記複数の波長の干渉強度の二乗平均値または分散値を求め、上記二乗平均値または上記分散値の時間変動に基づいて擬似終点を検出することを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項２に記載の終点検出方法は、請求項１に記載の発明において、上記擬似終点では上記下地層に所定厚さの被エッチング層を残すことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項３に記載の終点検出方法は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記擬似終点は上記被処理層と同種の試料を用いて求めた上記二乗平均値または上記分散値と上記被処理層のエッチングの進行に応じて時間変化する上記二乗平均値または上記分散値とを比較して検出されることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項４に記載の終点検出方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記二乗平均値または上記分散値の少なくとも一つを用いることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項５に記載の終点検出方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記下地層がゲート酸化膜からなり、上記被処理層がゲート電極用のポリシリコン層からなることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項６に記載の終点検出方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記擬似終点を検出した後、上記エッチングプロセスを高選択比のプロセスに切り換えることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項７に記載の終点検出装置は、プラズマを用いて下地層上の被処理層をエッチングする際に、上記被処理層に光を照射し、その反射光を用いてエッチングの終点を検出する装置において、上記被処理層に光を照射する手段と、上記被処理層の表面及び上記下地層との界面からの反射による干渉光を、分光器を用いて複数の波長の干渉強度として検出する手段と、所定時間ごとに、上記複数の波長の干渉強度の二乗平均値または分散値を求め、上記二乗平均値または上記分散値の時間変動に基づいて擬似終点を検出する手段と、を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項８に記載の終点検出装置は、請求項７に記載の発明において、上記下地層に所定厚さの被エッチング層を残す上記擬似終点を記憶する手段を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項９に記載の終点検出装置は、請求項７または請求項８に記載の発明において、上記擬似終点を検出する手段は、上記被処理層と同種の試料を用いて求めた上記二乗平均値または上記分散値と上記被処理層のエッチングの進行に応じて時間変化する上記二乗平均値または上記分散値とを比較する手段を有することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項１０に記載の終点検出装置は、請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の発明において、上記擬似終点を検出する手段は、上記二乗平均値また上記は分散値の少なくとも一つを算出する手段を有することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項１１に記載のプラズマエッチング装置は、プラズマを用いて下地層上の被処理層をエッチングするプラズマエッチング装置において、上記被処理層に光を照射し、その反射光を用いてエッチングの終点を検出する終点検出装置として、請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の終点検出装置を備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図７に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
まず、本発明の終点検出方法が適用されたエッチング装置の一例について図１を参照しながら説明する。図１に示すエッチング装置１０は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなる処理室１１と、この処理室１１内の底面に配設され且つ被処理体としての半導体ウエハＷを載置する載置台を兼ねた下部電極１２と、この下部電極１２の上方に所定の間隔を隔てて配設された上部電極１３とを備えている。処理室１１周面の上部にはガス供給源（図示せず）が接続されたガス供給部１１Ａが形成され、処理室１１周面の下部には真空排気装置（図示せず）が接続されたガス排出部１１Ｂが形成されている。また、下部電極１２にはマッチングボックス１４を介して高周波電源１５が接続され、上部電極１３にはマッチングボックス１６を介してより周波数の高い高周波電源１７が接続され、ウエハＷのエッチングを行う。
【００１６】
従って、ガス排出部１１Ｂから真空排気装置を介して排気して処理室１１内を所定の真空度まで減圧した後、上下両電極１２、１３にそれぞれ高周波電力を印加した状態で、ガス供給部１１Ａから処理室１１内へエッチング用ガスを供給すると、両電極１２、１３間でエッチング用ガスのプラズマを発生し、例えば図２に示すように下部電極１２上のウエハＷ表面のレジスト層（膜厚：１．２μｍ）Ｒの開口部からシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜（膜厚：例えば０．００３〜０．１μｍ）Ｇに達するまでポリシリコン層（膜厚：例えば０．３μｍ）Ｐをエッチングを行って所定のパターンのゲート電極を形成する。
【００１７】
ポリシリコン層Ｐをエッチングする初期の段階ではエッチング速度の高い高速エッチングモードでポリシリコン層Ｐの異方性エッチングを行う。そして、エッチングの終盤では後述の終点検出装置を介してエッチング終点の前兆として現れる統計量の特徴を利用した擬似終点を検出した後、高速エッチングモードを、ゲート酸化膜Ｇに対してポリシリコン層Ｐの選択比の高い高選択比のモードに切り換えてエッチングを行う。高選択比のモードでエッチングを行えば、ゲート酸化膜Ｇは殆どエッチングされることなく、ゲート酸化膜Ｇの削り取りを防止することができる。仮に場所によるエッチング終了時点にばらつきがあってもエッチングを早く終了する部分のゲート酸化膜Ｇの削り取りを防止することができる。高速エッチングモードから高選択比のモードへの切り換えは、エッチング用ガスの種類を切り換えたり、下部電極１２に印加する高周波電力を小さくすることにより行うことができる。
【００１８】
次いで、終点検出装置について詳述する。上記処理室１１には筒状のモニター用の窓部材１８が装着され、この窓部材１８の上端には石英ガラス等の透明体からなるモニター用の透明板１８Ａが取り付けられている。窓部材１８の下端部は上部電極１３の貫通孔を貫通し、半導体ウエハＷの表面と対向している。そして、この窓部材１８に連結された終点検出装置２０を介して処理室１１内の半導体ウエハＷのエッチングの疑似終点を検出するようにしてある。この終点検出装置２０は、図１に示すように、光源２１、光ファイバー２２、レンズ２３、ポリクロメータ２４、光検出器２５、擬似終点検出手段２６及びメモリ２７を備え、例えば光源２１からの約２００〜９５０ｎｍの波長域の放射光Ｌを処理室１１内の半導体ウエハＷの表面に照射し、半導体ウエハＷ表面から反射する干渉光Ｌ_０の干渉強度を例えば上記波長域の１０２４ポイントでポリクロメータ２４及び光検出器２５を介して検出し、干渉光Ｌ_０のスペクトルを得た後、所定時間毎のスペクトルの統計量の変化に基づいてエッチングの擬似終点を検出する。
【００１９】
図３は０．４μｍのゲート酸化膜を下地層とするポリシリコン層をエッチングした場合の干渉光のスペクトルの時間変化を示すグラフで、エッチング開始時点から１０秒後のスペクトル及びその後の２０秒毎に採取した５つのスペクトルを示してある。横軸は干渉光の波数、縦軸はスペクトル強度を示す。また、同図において、実線は１０秒後、一点鎖線は３０秒後、破線は５０秒後、太い実線は７０秒後、二点鎖線は９０秒後のスペクトルを示している。同図によれば、スペクトルが時間の経過、即ちポリシリコン層Ｐの残膜が薄くなるに連れて干渉強度が弱くなることが見て取れる。また、４つ目のスペクトル（７０秒後のスペクトル）はその前のスペクトルの強度よりも強くなり、強度の減少傾向が一旦増加傾向に転じ、９０秒時点で再度強度が減少していることが判る。
【００２０】
そこで、本実施形態ではサンプルウエハを用いて例えばスペクトルの１０２４ポイントの波数における干渉強度を時間毎に測定し、各波数の干渉強度のデータをそれぞれ統計量と看做して時間毎に保存し、この強度データをエッチングの終点に至るまで追跡する。そして、時間毎の強度データの平均値（スペクトルの直流成分に相当する）、強度を二乗した値の平均値（二乗平均値）及び分散値（あるいは標準偏差値）（スペクトルの交流成分に相当する）を統計量として所定の経過時間毎に逐次算出する。これらの統計量の時間変化をプロットしたグラフが図４〜図６である。図４〜図６から明らかなように、これらの統計量をエッチング開始時から終了時点までプロットすると、各統計量はそれぞれエッチング終了までにその前兆として特有の増減を繰り返す曲線を描いていることが判る。この現象はエッチングの深さが変わってもエッチング終了前にはその前兆として特有の増減波形として必ず現れることが確認されている。尚、図４、図５、図６に示す曲線はそれぞれ同一種のポリシリコン層Ｐを４０ｎｍ深さまでエッチングした時の平均値曲線、二乗平均値曲線、分散値曲線を示す。
【００２１】
本発明ではエッチング終了の前兆として現れる特徴ある増減を利用し、ポリシリコン層Ｐがある程度残る時点を擬似終点として設定し、この擬似終点に達した時点でエッチングモードを高速エッチングモードから高選択比のモードに切り換えるようにしている。ところが、擬似終点を設定する時の残膜量は仕様で予め決められている。エッチングの均一性が良いときは残膜量が少なくても良いが、均一性が悪いときには残膜量を大きくする必要があるからである。
【００２２】
擬似終点の設定は例えばサンプルウエハを試料として用いて図４〜図６の各統計量曲線の特徴を以下のように把握して行われる。図４に示す平均値曲線は、高周波電源を印加した時点から減少し約５５秒では明瞭に増加に転じ、約７０秒で再び減少し約８０秒で再び増加し、約８５秒以降には一定になり、この間にエッチングの終点に達することを示唆している。図５の二乗平均値曲線、図６の分散値曲線においても図４の場合と同様に５５秒前後で明瞭に増加に転じる。そして、各統計量曲線の位置、数値変化と残膜量の関係を特徴データとして予め実験で把握しておく。これらの特徴データは例えば予めメモリ２７に記憶させておく。特徴データとしては、例えば、高周波電源を印加して約５５秒後に曲線が増加すること、その増加率が所定値以上になること、その増加率が所定値以下になること、及びそれぞれの時点での残膜量、等を求めておく。例えば図６では高周波電源を印加した時点から５５秒後に曲線が増加に転じている。そこで、高周波電源を印加した時点から５５秒前後で曲線が増加に転じていることをこの曲線の特徴として検出した時点を擬似終点として設定すれば、この特徴から擬似終点を確実に検出することができる。この特徴を検出した時点でエッチングモードが高選択比のモードに切り換えられ、ゲート酸化膜Ｇのオーバーエッチングが確実に防止される。
【００２３】
一方、従来の発光分光分析法を用いた場合には、図７に示すように発光強度がエッチングの開始時点から７０秒前後までは発光強度が一定で、７０秒を経過した時点で初めて減少し始め９０秒前後で再び一定になる。このことから発光強度が減少し始めた７０秒前後でエッチングが部分的に終了していることが判る。ゲート酸化膜Ｇのオーバーエッチングを防止するためには少なくとも７０秒よりもいくらか前の時点でエッチングモードを切り換えなければ部分的にポリシリコン層Ｐの下地層であるゲート酸化膜Ｇを削り取ってしまうため、ゲート酸化膜Ｇの薄膜化に対応することができない。そこで、この方法において、エッチングの部分的終了のいくらか前に、本発明で云う擬似終点を設定しようとしても、発光強度曲線はエッチングの部分的終了までは一定し何等の変化も認められないため、この途中で擬似終点を設定することができない。
【００２４】
次いで、本実施形態の終点検出方法について説明する。図１、図２に示すように例えばキセノンからなる光源２１の放射光Ｌを光ファイバー２２を介してウエハＷ表面に対して垂直に照射すると、放射光Ｌの一部は図２に示すようにポリシリコン層Ｐの表面から反射光Ｌ_１として反射され、残余の放射光Ｌはポリシリコン層Ｐを透過し、ポリシリコン層Ｐとゲート酸化膜Ｏの界面から反射光Ｌ_２として反射される。これらの反射光Ｌ_１、Ｌ_２は互いに干渉する。その干渉光Ｌ_０はモニター用窓部材１８及び光ファイバー２２を経由してポリクロメータ２４において波長（波数）毎に分光される。ポリクロメータ２４において分光された干渉光Ｌ_０は光検出器２５において１０２４ポイントで波長毎に干渉強度が検出され後、光電変換された干渉強度信号が擬似終点検出手段２６に達する。
【００２５】
擬似終点検出手段２６では、メモリ２７の記憶された擬似終点検出プログラムを用い、光検出器２５から入力する干渉光Ｌ_０の各波数の強度データ信号に基づいて所定時間毎に干渉強度の平均値、二乗平均値あるいは分散値（または標準偏差値）を算出した後、更にその変化率を算出し、この算出値をメモリ２７で記憶された特徴データと逐次比較し、算出値の変化が特徴データと一致した時点で擬似終点に達したものと判定する。この判定後、制御装置２８を介してエッチングモードを高速エッチングのモードから高選択比のモードに切り換え、ポリシリコン層Ｐを多少残した状態でエッチングを終了する。これによりゲート酸化膜Ｇのオーバーエッチングを確実に防止することができる。擬似終点からエッチング停止までの時間はサンプルウエハを用いて予め求め、その時間を終点検出装置２０に対して予め設定しておく。実際のエッチング時に、その設定時間がオーバーすることがあってもこの時点では既に高選択比モードになっているためゲート酸化膜膜Ｇのオーバーエッチングによる損傷を最小限に抑制することができる。
【００２６】
以上説明したように本実施形態によれば、ウエハＷのポリシリコン層Ｐに所定の放射光Ｌを照射し、ポリシリコン層Ｐの表面及びゲート酸化膜Ｇとの界面から反射する干渉光Ｌ_０のスペクトルを検出し、このスペクトルの複数箇所の強度の平均値、二乗平均値及び分散値（あるいは標準偏差値）の少なくとも一つを統計量として求め、この統計量の時間変動に基づいて擬似終点を検出するようにしたため、擬似終点の検出によりポリシリコン層Ｐの下地層であるゲート酸化膜Ｇのオーバーエッチングによる損傷を確実に防止することができる。また、本実施形態によれば、擬似終点ではゲート酸化膜Ｇに所定厚さのポリシリコン層Ｐを残すようにしたため、今後ゲート酸化膜Ｇが更に薄膜化してもその損傷を確実に防止することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、実際のウエハと同種のサンプルウエハを用いて求めた平均値、二乗平均値、分散値等の統計量と実稼動時のポリシリコン層Ｐのエッチングの進行に応じて時間変化する統計量とを比較して擬似終点を検出するようにしたため、統計量の特徴を比較するだけで擬似終点を瞬時に判定することができ、ゲート酸化膜Ｇのオーバーエッチングをより確実に防止することができる。また、統計量としてスペクトルの複数箇所の強度の平均値、二乗平均値または分散値の少なくとも一つを用いるようにしたため、いずれかの統計量を用いることで擬似終点を確実に検出することができ、また、二種類以上の統計量を適宜組み合わせて用いることで擬似終点の検出精度を一層高めることができる。更に、本実施形態では擬似終点を検出した後、エッチングプロセスを高選択比のモードに切り換えるようにしたため、擬似終点後のポリシリコン層Ｐの残膜がより確実に減少し、ゲート酸化膜Ｇをオーバーエッチングすることがあってもゲート酸化膜Ｇに対するエッチングが極めて遅くゲート酸化膜Ｇのオーバーエッチングによる損傷を確実に防止することができる。
【００２８】
尚、上記各実施形態では、ゲート酸化膜Ｇ上のポリシリコン層Ｐをエッチングする場合について説明したが、その他の被処理層に対しても本発明を適用することができる。また、上記実施形態では２００〜９５０ｎｍの波長域の光を用い、１０２４ポイントの干渉強度を測定する場合について説明したが、この波長域及びポイント数に制限されるものではないことは云うまでもない。例えば、測定ポイントを一つ置きに半減させれば、統計量の計算時間を短縮することができる。また、測定波長領域を発光強度が顕著に変化する領域（例えば、４００〜７００ｎｍ）に制限すれば、やはり統計量の計算時間を短縮することができる。要するに本発明の要旨を逸脱しない限り、各構成要素を変更しても本願発明の範囲に包含される。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、被処理体が多層構造化して被処理層の下地層が薄膜化しても、被処理層でのエッチングの擬似終点を検出して下地層のオーバーエッチングによる損傷を確実に防止することができる終点検出方法、終点検出装置及びプラズマエッチング装置を提供することができる終点検出方法、終点検出装置及びプラズマエッチング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の終点検出方法を適用するエッチング装置の一例を示す構成図である。
【図２】ポリシリコン層をエッチングする際に終点検出に使用する干渉光を説明するための説明図である。
【図３】ポリシリコン層のエッチングの際に得られる干渉光のスペクトルが時間変化する様子を示す波形図である。
【図４】図３に示すスペクトルの干渉強度の平均値の時間変化を示すグラフである。
【図５】図３に示すスペクトルの干渉強度の二乗平均値の時間変化を示すグラフである。
【図６】図３に示すスペクトルの干渉強度の分散値の時間変化を示すグラフである。
【図７】従来の発光分光分析による発光強度の時間変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１０エッチング装置
１１処理室
１２下部電極
１３上部電極
２０終点検出装置
２１光源
２４ポリクロメータ
２６擬似終点検出手段
Ｗ被処理体
Ｐポリシリコン層（被処理層）
Ｇゲート酸化膜（下地層）

Claims

プラズマを用いて下地層上の被処理層をエッチングする際に、上記被処理層に光を照射し、その反射光を用いてエッチングの終点を検出する方法において、上記被処理層に光を照射し、上記被処理層の表面及び上記下地層との界面からの反射による干渉光を、分光器を用いて複数の波長の干渉強度として検出した後、所定時間ごとに、上記複数の波長の干渉強度の二乗平均値または分散値を求め、上記二乗平均値または上記分散値の時間変動に基づいて擬似終点を検出することを特徴とする終点検出方法。
上記擬似終点では上記下地層に所定厚さの被エッチング層を残すことを特徴とする請求項１に記載の終点検出方法。
上記擬似終点は上記被処理層と同種の試料を用いて求めた上記二乗平均値または上記分散値と上記被処理層のエッチングの進行に応じて時間変化する上記二乗平均値または上記分散値とを比較して検出されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の終点検出方法。
上記二乗平均値または上記分散値の少なくとも一つを用いることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の終点検出方法。
上記下地層がゲート酸化膜からなり、上記被処理層がゲート電極用のポリシリコン層からなることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の終点検出方法。
上記擬似終点を検出した後、上記エッチングプロセスを高選択比のプロセスに切り換えることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の終点検出方法。
プラズマを用いて下地層上の被処理層をエッチングする際に、上記被処理層に光を照射し、その反射光を用いてエッチングの終点を検出する装置において、上記被処理層に光を照射する手段と、上記被処理層の表面及び上記下地層との界面からの反射による干渉光を、分光器を用いて複数の波長の干渉強度として検出する手段と、所定時間ごとに、上記複数の波長の干渉強度の二乗平均値または分散値を求め、上記二乗平均値または上記分散値の時間変動に基づいて擬似終点を検出する手段と、を備えたことを特徴とする終点検出装置。
上記下地層に所定厚さの被エッチング層を残す上記擬似終点を記憶する手段を備えたことを特徴とする請求項７に記載の終点検出装置。
上記擬似終点を検出する手段は、上記被処理層と同種の試料を用いて求めた上記二乗平均値または上記分散値と上記被処理層のエッチングの進行に応じて時間変化する上記二乗平均値または上記分散値とを比較する手段を有することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の終点検出装置。
上記擬似終点を検出する手段は、上記二乗平均値また上記は分散値の少なくとも一つを算出する手段を有することを特徴とする請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の終点検出装置。
プラズマを用いて下地層上の被処理層をエッチングするプラズマエッチング装置において、上記被処理層に光を照射し、その反射光を用いてエッチングの終点を検出する終点検出装置として、請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の終点検出装置を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。