JP2004533093A - プラズマ発生器に用いられる静電遮蔽材に適用した電圧制御装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、プラズマ処理装置に関するものである。より詳細には、本発明は、誘導コイルとプラズマとの間に配置した静電遮蔽材に適用する電圧を制御する方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
誘導結合型のドライエッチングシステムは、半導体製造産業で一般に用いられている。このドライエッチング装置は、環状またはらせん状の無線周波数(RF)アンテナが配置された誘電壁で遮蔽されている処理室を備えているのが一般的である。
【0003】
容量結合、誘導結合、及び熱線を含むRF分野でプラズマを励起するために知られた既知の技術がある。標準的な誘導結合型プラズマ(IPC)発生器の場合、コイルを通過するRF電流は、プラズマの電磁電流を誘導する。この電流は、オーム熱によって導電プラズマを熱し、その結果、安定状態が維持される。コイルを通る電流は、変圧器の一次巻線として作用するのが典型的である。前記プラズマは、変圧器における単一回転の二次巻線として作用する。
【0004】
プラズマ処理の間、処理室内の前記RFアンテナと励起されたプラズマとは、誘導的のみならず容量的にも結合されている。したがって、処理室の内部大気にさらされたRFアンテナ付近の内部面、例えば石英で作られた誘電壁の内部面は、プラズマに関して負のバイアスで荷電されている。プラズマと誘電壁の内部面との間の電位差により、プラズマ内の正イオンは、加速されている間、前記露出された内部面と衝突する。結果として、汚染物質が処理室内に生産されてしまうという問題を引き起こし、かつ誘電壁が急速に衰えていくという問題があった。
【0005】
これらの問題に対処するため、誘電窓とRFアンテナの下部の絶縁層との間には、誘導ファラデー遮蔽材が配置されるのが普通である。RFアンテナとプラズマ間の容量結合は、ファラデー遮蔽材によって分断され、その結果、誘電壁の露出内部面は、プラズマから放出される加速正イオンによる衝突から保護される。前記ファラデー遮蔽材は、その相対的な電位またはバイアスを制御するRF電位の発生源に接続されているのが好ましい。1つの選択として、前記遮蔽材が図1に示すコイルのような同じ周波数で作用する場合には、この遮蔽材をアンテナと接続して位置付ける。しかしながら、コイル外に結合されている電流は、プラズマを帯びた磁性結合を低減することになる。このようなパワースキームは、単純かつ効率的ではあるが、それゆえに処理変数の制御が制限されることになる。
【0006】
替わりのパワースキームは、図2に示すように、コイルに動力を供給する主電源から分離した外部の二次補助RF電源を使用する。このスキームで都合がよいことは、アンテナからの異なる周波数で遮蔽材を操作する選択があること、遮蔽材とコイル回路間に実質的には小な相互作用があること、及び制御が簡素なことである。
【0007】
したがって、1つの電源によって電力供給されたアンテナ電流及びファラデー遮蔽材電圧の両方を独立に制御する装置及び方法に関する必要性が存在している。
【0008】
(発明の概要)
マッチングネットワークを経由した電源によって電力供給された誘導コイルと、それが生成するプラズマとの間に挿入された遮蔽材に適用される電圧制御のため装置は、遮蔽材、第1のフィードバック回路、及び第2のフィードバック回路を含んでいる。その電源は、前記遮蔽材に電力を供給する。第1のフィードバック回路は、前記電源を制御する誘導コイルに接続されている。第2のフィードバック回路は、前記遮蔽材の制御電圧に関する遮蔽材に接続されている。第1及び第2のフィードバック回路の両方は、異なる周波数レンジで動作する。第1のフィードバック回路は、第1のコントローラ及び第1のセンサをさらに含んでいる。第1のセンサは、誘導コイルへの電力供給を表す第1の信号を前記第1のコントローラに送信する。第1のコントローラは、誘導コイルへ供給された電力が第1の設定値によって制御されるようにするため、電源を調整する。第2のフィードバック回路は、第2のセンサ、第2のコントローラ、及び可変インピーダンスネットワークをさらに含んでいる。この遮蔽材は、可変インピーダンスネットワーク経由で電力供給される。第2のセンサは、前記遮蔽材の電圧を表す第2の信号を前記第2のコントローラに送信する。前記第2のコントローラは、遮蔽材の電圧が第2の設定値によって制御されるようにするため、インピーダンスを調整する。
【0009】
(関連出願の相互参照)
本発明は、2000年9月29日に出願された米国特許出願番号09/676462号の一部に継続し、前記特許出願は、2000年6月30日に出願された米国特許出願番号09/608883号の一部に継続し、これにより本発明はその両方を譲渡されている。
【0010】
(発明の詳細)
本発明の実施例では、誘導コイル及びそれを生成するのに用いられるプラズマ間に配置された静電遮蔽材に適用する電圧制御のための装置及び方法の内容を述べている。当業者であれば、本発明の以下の詳細な説明が一例であって、他の如何なる方法も制限していないことを理解できよう。この開示のために、本発明の他の実施例が当業者に容易に示唆されよう。添付した図面に示すような本発明の実施のために、その詳細な内容を以下に説明する。図面及び以下の詳細な説明において同一の符号は、同じまたは同様な部分を参照するものとして用いられている。
【0011】
明瞭さのために、全てではないが、ここに記載される実行をする上でのおきまりの特徴が示され、かつ説明される。もちろん、実際の実行がなされるように開発する場合、アプリケーション及びビジネスに関する制約の遵守のように、開発者の詳細な目標を達成するため実行時における多数の詳細な決定がなされなければならない。そして、これらの詳細な目標は、ある実行から他の実行、及びある開発者から他の開発者へと変化するだろう。さらに、このような開発努力は、複雑で時間を消費してしまうことが認識されているが、それにもかかわらず、この開示のために、当業者であればこの技術を引き継ぐであろう。
【0012】
本発明に従って、様々なタイプの動作システム、コンピュータプラットフォーム、コンピュータプログラム、及び/または汎用目的の機械を使用しながら、構成要素、処理ステップ、及び/またはデータ構造が実行される。加えて、当業者であれば、ハードワイヤードデバイス、フィールドプログラム可能なゲートアレイ(FPGAs)、特定用途向け回路(ASICs)などのような汎用目的の少ない性質のデバイスも、ここで開示された発明の概念の視野及び精神から乖離することなく用いられることが理解されよう。
【0013】
図3は、本発明の特定の側面に従って、単一の電源306により電力供給されたアンテナ302とファラデー遮蔽材304との両方を示す概略図である。電源306は、例えば、マッチングネットワーク308を経由するらせん状コイルの形式で、アンテナ302へ無線周波数(RF)電流を生成するのが好ましい。第1のフィードバック回路は、電源コントローラ312に電気的に接続したセンサ310を含んでいる。このセンサ310は、電力または電流を測定することのできる任意のセンサである。このセンサは、アンテナ302でマッチングネットワーク308に電気接続する電源ライン314の1つに結合、好ましくは磁気で結合される。電源コントローラ312は、アンテナ302に流れる電流または電力をモニタし、センサ310から受信した信号に基づいて、所望の電流または電力を生成する電源306を調整する。この信号は、外部の設定値316及び/またはマッチングネットワーク308の設定と比較するためのフィードバック信号として用いられ、その結果、アンテナに流れる電流または電力が安定して維持される。あるいはまた、マッチングネットワーク308は、標準の自動チューニングアルゴリズムを用いて、アンテナの変化を追跡することが許可されたり、またはある固定値に固定したり、固定値に事前設定するために切り換えられた状態で維持可能である。
さらに、前記アルゴリズムに関する詳細が、後述する図5に記載されている。
【0014】
ファラデー遮蔽材は、ファラデー遮蔽材として動作する任意の金属板を表すことに注意すべきである。遮蔽材304は、プラズマ室(不図示)上のアンテナ302とTCP窓(不図示)との間に配置され、前記TCP窓と実質的に並行である。遮蔽材304は、アンテナ302からタッピングエネルギーによって電力供給される。
【0015】
本質的に、遮蔽材304は、アンテナ302の入力または終端のいずれかで高電圧値を出す負荷として広がるアンテナ302の回路と並行に走行する。遮蔽材304は、可変インピーダンス構成要素またはネットワーク318、好ましくはモータ駆動の真空コンデンサ経由で接続されているのが好ましい。
【0016】
センサ320、好ましくは電圧センサが、一連の制御要素318後の遮蔽材供給と接続して位置付けられ、その結果、遮蔽材電圧が測定され、かつフィードバック制御変数が使用される。任意選択で、電流または電力が、同一のセンシング位置で測定される。センサ320は、遮蔽材304の電圧を測定し、別のフィードバック回路を形成する電圧コントローラ322に対して、測定された電圧を表している信号を送信する。電圧コントローラ322は、前記電圧信号を外部の設定値324と比較する。比較の結果、遮蔽材304の電圧を調整するために、可変インピーダンス構成要素318に対して信号を生成する。さらに、電圧コントローラ322のアルゴリズムが、後述する図6に記載されている。
【0017】
前記ネットワークが、負荷のトータルつまりアンテナ302回路及び遮蔽材304回路に対して正確にダイナミック整合しない場合、反射力が測定されるだろう。しかしながら、その効率が過大に減少しない限り、及び電源306が前記反射力を許容する限り、前記反射力の効率が無視される。
【0018】
フィードバックアルゴリズムは、アナログ回路を用いて、またはおそらくデジタルコントローラをアナログエレクトロニクスにすることによって実現される。前述したように、どんな優先順位も設定されることなく、前記装置は、2つの従属変数を同時に制御している間2つのフィードバックループを動作する。2つのフィードバックループが本質的に独立して動作することを保証するため、周波数領域で2つのフィードバックループを分離することに反応して主極を準備することが必要である。それは、1つのフィードバック回路がより速い反応速度を有するのに対して、他のフィードバック回路が遅い反応速度を有することを意味する。プラズマの安定性を改善するために、例えば、1kHzから1MHzまでの速い時間スケールで、アンテナ302の回路を安定させることが好ましい。例えば、10Hzから100Hzまでの遅い時間スケールで遮蔽材304の電圧を安定させることが好ましい。さもなければ、永続的な無秩序な振動の中で、前記システムを維持するのに十分に強大な相互作用となる。
【0019】
図4は、本発明の特定の側面に従って単一の電源306から、アンテナ302へ供給される電力及び遮蔽材304へ供給される電圧を独立して制御するための方法を示すフロー図400である。第1のブロック402で、電源306は、図3に示したようなマッチングネットワーク308経由でアンテナ302にRF電流を供給する。ブロック404で、遮蔽材304は、可変インピーダンスネットワーク318経由によるアンテナ302からのタッピングエネルギーによって電力を供給される。ブロック406で、センサ310は、アンテナ302へ供給した電流を測定し、電力ライン314の1つを通過する電力または電流を表す信号を、電力コントローラ312へ送信する。前記アンテナ電流は、アンテナの入力、出力、その両方の組合せで、またはアンテナに沿った損失波及び定常波によって要求されたようないくつかの統合され分散された値でモニタされることに注意すべきである。ブロック408で、電源コントローラ312は、センサ310からの信号を外部設定値316と比較し、そして、アンテナ302の電流を安定させるために電源を調整する。ブロック406及び408の両方は、相対的に速い反応速度、つまり高周波数で動作する。
【0020】
ブロック410で、一連の制御要素、つまり可変インピーダンス構成要素318の後、遮蔽材304の電圧が電圧センサとしてのセンサ320を用いながら測定される。センサ320は、電圧コントローラ322に対して遮蔽材304の電圧を表す信号を送信する。ブロック412で、電圧コントローラ412は、センサ320からの信号と外部の設定値324を比較し、遮蔽材304の電圧を安定させるために可変インピーダンス構成要素318を調整する。ブロック410及び412の両方は、相対的に遅い反応速度、つまり低周波数で動作する。
【0021】
ブロック410及び412に沿ったブロック406及び408の両方は、異なる反応速度であるが同時に動作する。測定され得る別のフィードバック制御変数は、電源及び測定された負荷インピーダンスの出力パワーであることに注意すべきである。これら電源出力での測定値は、マッチングネットワーク308を自動調整または設定するため、及びアンテナ302へ分配された電力を平均化するために用いられるのが一般的である。
【0022】
好ましい実施例は、独立した設定値としてのアンテナ302の電流または電力、及び遮蔽材304の電圧を重要視し、かつ主フィードバック変数としての出力パラメータ値を測定する。アンテナ302の電流または電力を安定にするために電源設定値316を調整することによって、及び遮蔽材304の電圧を安定にするために可変インピーダンスネットワーク318を調整することによって、実行が制御される。この場合、マッチングネットワーク値は、電力変換機を最適にするため、または電源306によってみられる負荷を、電源出力センサ(不図示)により検出されるような許容可能な動作範囲内に少なくとも維持するために自動的に調整される。
【0023】
アンテナ302における所望の定常波パターンは、グランドの終端インピーダンスに調整することによって設定され得る。したがって、本発明は、負荷が変化する場合であっても、アンテナの電流及び遮蔽材の電圧に関する独立した安定制御を与えることを理解されたい。これは、1つの電源及びマッチングネットワークを分配しながら達成されている。
【0024】
図5は、本発明の特有の側面に従って、電源コントローラのアルゴリズムを示したフローチャートである。ブロック502で、ユーザは、電源コントローラにおける独立した設定値としての所望の電力を設定する。ブロック504で、アンテナの電流が、安定したセンサで測定される。ブロック506で、測定された電流が独立した設定値と比較され、電力が所望の電力として安定されることにあわせて電源が調整される。
【0025】
図6は、本発明の特有の側面に従って、電圧コントローラのアルゴリズムを示したフローチャートである。第1のブロック602で、ユーザは、独立した設定値としての所望の電圧を設定する。ブロック604で、遮蔽材電圧が、安定したセンサで測定される。ブロック606で、測定された遮蔽材電圧が独立した設定値と比較され、電圧を安定させるために一連のインピーダンスネットワークを調整することにあわせて遮蔽材電圧が調整される。
【0026】
本発明の実施例及びアプリケーションが示されかつ説明されたが、この開示の利する当業者であれば、本発明の概念から乖離することなく、前述したよりも多くの修正が可能であることは明らかであろう。したがって、本発明は、添付した特許請求の範囲の精神を除いて限定されることはない。
【図面の簡単な説明】
【0027】
本説明の部分に組み込まれかつ構成する添付図面は、本詳細な説明とともに本発明の1以上の実施例を説明し、かつ、本発明の原理及び実施を説明するのに役立つ。
【0028】
【図1】先行技術に従った、1つの電源によって電力供給されたアンテナ及びファラデー遮蔽材を示す概略図である。
【図2】先行技術に従った、第1の電源によって電力供給されたアンテナ、及び第2の電源によって電力供給されたファラデー遮蔽材を示す概略図である。
【図3】本発明の特有の側面に従った、1つの電源によってアンテナ及びファラデー遮蔽材の両方に電力供給されることを示す概略図である。
【図4】本発明の特有の側面に従った、1つの電源から、アンテナに供給される電力及び遮蔽材へ供給される電圧を独立に制御するための方法を示すフローチャートである。
【図5】本発明の特有の側面に従った、電源コントローラのアルゴリズムを示すフローチャートである。
【図6】本発明の特有の側面に従った、電圧コントローラのアルゴリズムを示すフローチャートである。
Claims (39)
- マッチングネットワーク経由で電源から電力供給される誘導コイル間に挿入された遮蔽材に適用する電圧制御装置であって、
前記電源により電力供給される遮蔽材と、
前記電源を制御する誘導コイルに接続された第1のフィードバック回路と、
前記遮蔽材の電圧を制御するために、前記遮蔽材に接続された第2のフィードバック回路とを有することを特徴とする電圧制御装置。 - 前記第1のフィードバック回路及び前記第2のフィードバック回路は、異なる周波数レンジで動作することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1のフィードバック回路は、約1kHz〜約1MHzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記第2のフィードバック回路は、約10Hz〜約100Hzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記第1のフィードバック回路は、第1のコントローラと第1のセンサとをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1のセンサは、前記第1のコントローラに対する前記誘導コイルへ供給された電力をあらわす第1の信号を送信することを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記第1のコントローラは、前記誘導コイルに供給された電力が第1の設定値によって制御されるような前記電源を調整することを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 前記第2のフィードバック回路は、第2のセンサ、第2のコントローラ、及び可変インピーダンスネットワークをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記遮蔽材は、前記可変インピーダンスネットワーク経由で電力供給されることを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 前記可変インピーダンスネットワークは、可変コンデンサをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 前記第2のセンサは、前記第2のコントローラに対する前記遮蔽材の電圧を表す第2の信号を送信することを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記第2のコントローラは、前記遮蔽材の電圧が第2の設定値によって制御されるような前記可変インピーダンスネットワークを調整することを特徴とする請求項11に記載の装置。
- マッチングネットワークを通って電源から電力供給される誘導コイル間に挿入された遮蔽材に適用する電圧制御装置であって、
前記誘導コイルに接続された可変インピーダンスネットワークと、
前記可変インピーダンスネットワーク経由の電源によって電力供給される遮蔽材と、
前記遮蔽材の電圧を測定するために前記遮蔽材に接続された第1のセンサであって、前記測定された電圧をあらわす第1の信号を送信する前記第1のセンサと、
前記第1の信号を受信するために前記センサに接続された第1のコントローラであって、前記第1の信号が第1の特定の設定値に近似するように前記可変インピーダンスネットワークを調整する前記第1のコントローラと、
前記誘導コイルを流れる電力を測定するために前記誘導コイルに接続された第2のセンサであって、前記測定された電力をあらわす第2の信号を送信する前記第2のセンサと、
前記第2の信号を受信するために前記第2のセンサに接続された第2のコントローラであって、前記第2の信号が第2の特定の設定値に近似するように前記電源を調整する前記第2のコントローラとを有することを特徴とする電圧制御装置。 - 前記可変インピーダンスネットワークは、可変真空コンデンサをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 前記第1のフィードバック回路は、約1kHz〜約1MHzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 前記第2のフィードバック回路は、約10Hz〜約100Hzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項13に記載の装置。
- マッチングネットワーク経由で電源から電力供給される誘導コイル間に挿入された遮蔽材に適用する電圧制御方法であって、
前記電源を備えた遮蔽材に電力供給すること、
第1のフィードバック回路に基づく前記電源を調整すること、及び、
第2のフィードバック回路に基づく前記遮蔽材の電圧を調整することを含むことを特徴とする電圧制御方法。 - 前記第1のフィードバック回路は、約1kHz〜約1MHzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記第2のフィードバック回路は、約10Hz〜約100Hzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記第1のフィードバック回路は、第1のセンサと第1のコントローラをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記第2のフィードバック回路は、第2のセンサ、第2のコントローラ、及び可変インピーダンスネットワークをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記遮蔽材は、前記可変インピーダンスネットワーク経由で電力供給されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記可変インピーダンスネットワークは、可変コンデンサをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記第1のセンサは、前記第1のコントローラに対する前記誘導コイルへ供給された電力をあらわす第1の信号を送信することを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記第1のコントローラは、前記誘導コイルに供給された電力が第1の設定値によって制御されるような前記電源を調整することを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記第2のセンサは、前記第2のコントローラに対する前記遮蔽材の電圧を表す第2の信号を送信することを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記第2のコントローラは、前記遮蔽材の電圧が第2の設定値によって制御されるような前記可変インピーダンスネットワークを調整することを特徴とする請求項26に記載の方法。
- マッチングネットワーク経由で電源から電力供給される誘導コイル間に挿入された遮蔽材に適用する電圧制御装置であって、
前記遮蔽材に電力供給する手段と、
第1のフィードバック回路に基づく前記電源を調整する手段と、
第2のフィードバック回路に基づく前記遮蔽材の電圧を調整する手段とを含むことを特徴とする電圧制御装置。 - 前記第1のフィードバック回路及び前記第2のフィードバック回路は、異なる周波数レンジで動作することを特徴とする請求項28に記載の装置。
- 前記第1のフィードバック回路は、約1kHz〜約1MHzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項29に記載の装置。
- 前記第2のフィードバック回路は、約10Hz〜約100Hzレンジの周波数で動作することを特徴とする請求項29に記載の装置。
- 前記第1のフィードバック回路は、第1のコントローラと第1のセンサとをさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の装置。
- 前記第1のセンサは、前記第1のコントローラに対する前記誘導コイルへ供給された電力をあらわす第1の信号を送信することを特徴とする請求項32に記載の装置。
- 前記第1のコントローラは、前記誘導コイルに供給された電力が第1の設定値によって制御されるような前記電源を調整することを特徴とする請求項33に記載の装置。
- 前記第2のフィードバック回路は、第2のセンサ、第2のコントローラ、及び可変インピーダンスネットワークをさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の装置。
- 前記遮蔽材は、前記可変インピーダンスネットワーク経由で電力供給されることを特徴とする請求項35に記載の装置。
- 前記可変インピーダンスネットワークは、可変コンデンサをさらに含むことを特徴とする請求項36に記載の装置。
- 前記第2のセンサは、前記第2のコントローラに対する前記遮蔽材の電圧を表す第2の信号を送信することを特徴とする請求項35に記載の装置。
- 前記第2のコントローラは、前記遮蔽材の電圧が第2の設定値によって制御されるような前記可変インピーダンスネットワークを調整することを特徴とする請求項35に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/834,523 US6592710B1 (en) | 2001-04-12 | 2001-04-12 | Apparatus for controlling the voltage applied to an electrostatic shield used in a plasma generator |
PCT/US2002/010462 WO2002084699A1 (en) | 2001-04-12 | 2002-04-02 | Apparatus and method for controlling the voltage applied to an electrostatic shield used in a plasma generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004533093A true JP2004533093A (ja) | 2004-10-28 |
JP4272889B2 JP4272889B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=25267120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002581551A Expired - Fee Related JP4272889B2 (ja) | 2001-04-12 | 2002-04-02 | プラズマ発生器に用いられる静電シールドに適用した電圧制御装置及びその方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6592710B1 (ja) |
JP (1) | JP4272889B2 (ja) |
KR (1) | KR100865055B1 (ja) |
CN (1) | CN1308999C (ja) |
WO (1) | WO2002084699A1 (ja) |
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- 2002-04-02 CN CNB028103602A patent/CN1308999C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-02 KR KR1020037013290A patent/KR100865055B1/ko active IP Right Grant
- 2002-04-02 WO PCT/US2002/010462 patent/WO2002084699A1/en active Application Filing
- 2002-04-02 JP JP2002581551A patent/JP4272889B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR20040035594A (ko) | 2004-04-29 |
US20030205557A1 (en) | 2003-11-06 |
CN1511334A (zh) | 2004-07-07 |
JP4272889B2 (ja) | 2009-06-03 |
CN1308999C (zh) | 2007-04-04 |
US6974550B2 (en) | 2005-12-13 |
US6592710B1 (en) | 2003-07-15 |
KR100865055B1 (ko) | 2008-10-23 |
WO2002084699A1 (en) | 2002-10-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080813 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090302 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4272889 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140306 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |