JP2004530048A - 凹形スパッタリング用ターゲット - Google Patents
凹形スパッタリング用ターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004530048A JP2004530048A JP2003502263A JP2003502263A JP2004530048A JP 2004530048 A JP2004530048 A JP 2004530048A JP 2003502263 A JP2003502263 A JP 2003502263A JP 2003502263 A JP2003502263 A JP 2003502263A JP 2004530048 A JP2004530048 A JP 2004530048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- support plate
- insert
- target insert
- conical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000755 6061-T6 aluminium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005480 shot peening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【0001】
本発明は、凹形スパッタリング用ターゲットの分野に関し、とりわけ、凹形スパッタリング用ターゲットの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
スパッタリング用ターゲット製造の分野では、様々な手段によりターゲット材料を支持板に接合する。歴史的には、ターゲット製造業者は、ターゲットを支持板にはんだ付けした。スパッタリング温度が高くなり、ターゲット寸法が大きくなるにつれて、以下の欠点により、はんだ付けでは必要な接合が得られなくなった。すなわち、1)溶融温度が低いのでチャンバ作動温度が制限された、2)はんだの蒸気圧が高いのでチャンバ中に不純物が導入された、そして3)特に高い温度では、接合強度が小さくなるので時々、接合不良が生じた。剥離したターゲットは、ウエハだけでなく、その支持用静電チャックをも破壊することがあるので、接合不良を回避することが最も重要である。事実、完全な接合はスパッタリング用ターゲット製造業者にとって非常に重要であり、ハント(Hunt)他は、米国特許第6092427号において、接合界面評価試料を調製し、試験するための専用方法を開発した。この方法はスパッタリング用ターゲットと支持板の間の接合強度を評価するものである。試料材料を、一端に形成された第1の開口部から取り除き、第1の開口部を2つの開口部に分割するようにねじ切り開口部が形成される。これらの開口部をねじ切りし、ねじ切りされた開口を引くことにより接合強度を測定する。
【0003】
上記の問題に関して、民間のターゲット製造業者は固体接合を達成するためのいくつかの解決策を提案している。例えば、エイチ・チャン(H.Zhang)は、米国特許第6071389号において、チタン中間層を使用してコバルト・ターゲットをアルミニウムまたは銅の支持板に拡散接合することを開示している。この方法は電気めっき、スパッタリング、無電界めっきまたはプラズマ溶射によってチタン中間層を付着させる。付着したチタンはコバルトと支持板材料の両方に接合する。この方法では、また、接合をさらに改善するためにターゲットおよび支持板中に溝を機械加工することも行なっている。
【0004】
フント(Hunt)他は、米国特許第5836506号および第6073830号において、円筒形ターゲットの背面および側面を粗面化し、ターゲットの背面および側面を支持板に拡散接合する方法を開示している。この方法は、固相接合を形成するものであり、ターゲットを支持板に固定するのに最も有効であることが証明されている。残念ながら、ターゲットは優先的に中心からスパッタリングするので、スパッタリング処理中の円筒形ターゲットの歩留りまたは使用率は100パーセントよりもはるかに小さい。中心領域の優先的なスパッタリングに起因する低い歩留りは、ターゲット利用性改善の余地を残している。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0005】
本方法は、スパッタリング用ターゲット組立体を製造するものである。本方法は、最初にターゲット・インサートを製造する段階を含む。ターゲット・インサートは、降伏強さ、直径、高さ、平坦な上面および円錐形裏面を有する。次いで支持板を製造する。支持板はターゲット・インサートの直径に対応する円筒形凹部を有する。円筒形凹部はターゲット・インサートの高さよりも小さい深さを有し、かつターゲット・インサートの降伏強さよりも小さい降伏強さを有する。最後に、ターゲット・インサートを支持板の円筒形凹部にプレスすることによりターゲット・インサートを支持板に接合してターゲット組立体を形成する。プレスされたターゲット組立体は、円錐形裏面をもつターゲット・インサートを含有する。
【0006】
スパッタリング用ターゲット組立体は円筒形支持板を含む。円筒形支持板は平坦な上面、および上面に形成された凹部を有する。ターゲット・インサートは支持板の凹部内で支持板に接合する。ターゲット・インサートは平坦な上面および裏面を有する。裏面はそれの表面積の少なくとも約50パーセントが円錐形または傾斜になっている。裏面は支持板と接合されて、ターゲット・インサートを支持板に固定し、ターゲット組立体を形成する。
【0007】
本発明は、固相接合を有するスパッタリング用ターゲット組立体を形成する方法を提供する。図1を参照すると、本方法は、円形裏面12を有するターゲット・インサート10と、部分的に対合する円筒形凹部22を有する支持板20とを基にしている。ターゲット・インサート10を円筒形凹部22中にプレスすると支持板20が変形し、ターゲット/支持板組立体30が形成される。この工程中、切頭円錐形面12はそれの形状を維持して接合を形成する。この接合は、ターゲット・インサート10の円錐形または切頭円錐形背面12を支持板20に固定する。
【0008】
傾斜面または角度付き面12を生産する製造方法としては、限定はしないが、機械加工、鍛造、プレス、鋳造、粉末の高温静水圧プレス(HIP)およびスピニングなどがある。機械加工によって受ける材料損失を無くするために、処理工程は、有利にはターゲット・インサートをその円錐形または部分円錐形形状に直接プレスすることを含む。最も適切な方法は、ターゲット材料に依存する。多数のターゲット材料は、ターゲットをこの形状に熱間プレス、さらには冷間プレスするのに適している。これは機械加工段階を回避し、歩留りを高める。高い歩留りは、高純度タングステンやタンタルなどの高価なターゲット材料にとって本質的に重要である。これらの材料の場合、ターゲット組立体をインサート形状に直接プレスすることは、ターゲット生産にとって最も有利な手段である。これらの材料の場合、傾斜付き支持板に対応する傾斜付きターゲット・インサートの面を機械加工することに対して、明らかな費用および時間の節約を示している。
【0009】
さらに、タングステン粉末などの高純度粉末を使用すると、製造業者は粉末をほぼ最終形状のターゲット・インサートに直接圧縮することが可能になる。
【0010】
有利には、ターゲット・インサートおよび支持板をプレス中に約200℃の温度に少なくとも1時間、保持すると接合が改善される。最も有利には、プレスを少なくとも約400℃の温度で行うと、ターゲット・インサートの裏面と支持板の間の接合がさらに改善される。
【0011】
支持板20は、支持板を機械加工することによって形成される円筒形凹部22を含有する。最も有利には、アルミニウム、銅、アルミニウム基合金または銅基合金などの延性金属または合金により支持板を形成する。合金6061などのアルミニウム基合金は、必要な延性が得られる。さらに、支持板は、プレス中にターゲット材料の降伏強さよりも小さい降伏強さを有しなければならない。任意的に、支持板凹部22は角形、傾斜または丸い角部を含有することができる。凹部22は傾斜付きインサート12の体積にほぼ等しい体積を有する。これにより支持板の過度の変形を誘起せずに十分な接合が得られる。有利には、凹部22は、傾斜付きインサート12を凹部22中にプレスする間の過度の変形を防ぐために、傾斜付きインサート12の体積の少なくとも90パーセントの体積を有する。同様に、凹部22は有利には、良好なプレスを可能にし、支持板材料の消耗を防ぐために傾斜付きインサート12の約120パーセントよりも小さい体積を有する。最も有利には、凹部22は、応力を制限し、接合を最大化するために傾斜付きインサートの体積にほぼ等しい体積を有する。
【0012】
傾斜付きインサートを凹部中にプレスすることによりターゲット組立体が形成される。プレス後、ターゲット材料はそれの元の切頭円錐形形状を保持する。この段階では、最終組立体を形成するために真空熱間プレスまたはHIP処理などの熱間プレスによる。組立体を圧力下で加熱すると、支持板材料は、強力な固相接合の形成を容易にする塑性変形状態に達する。高温プレスは、ターゲット材料と支持板との反応を促進する。いくつかの系では、すなわちチタン・ターゲットおよびアルミニウム支持板の場合、材料を拡散させ、同時に反応させて、接合強度に寄与する反応生成物を形成することが有利である。
【0013】
プレス後、ターゲット組立体は、ターゲットの最終機械加工、研磨、清浄化および支持板中へのねじ切り口の機械加工などの仕上げ作業がなされる。図2〜図4のとおり、最終機械加工工程は、一般にターゲット・インサートの側壁に隣接する支持板を取り除く。スパッタリング・チャンバの仕様によって、上面から取り除かれる支持板の量が決まる。
【0014】
図2は、円形支持板44に接合された円形ターゲット42から形成される標準的なターゲット組立体40を示す。図3Aおよび図3Bを参照すると、ターゲット組立体50は、有利には切頭体界面54および円錐界面56に沿って支持板58に接合されたターゲット・インサート52を含有する。切頭体界面は直径Dを有し、円錐界面は長さLのリングを形成する。長さLは円錐界面56に対して平行に延びる。円錐界面56はターゲット・インサートと支持板の間の接合表面積の少なくとも約50パーセントからなる。最も有利には、円錐界面はターゲット・インサートの全接合表面積の少なくとも約60パーセントからなる。ターゲットは、製造コストを削減するために最高でほぼ約15パーセントおよび20パーセントもの材料使用を削減し、かつ、標準のターゲット組立体と同じ利用率および設定を達成する。
【0015】
図4に、ターゲット組立体60の任意の円錐形の構成を示す。この設計では、円形ターゲット・インサート62は、円錐形接合界面66に沿って円形支持板64に接合する。図4は図3Aと同じ平面図(図示せず)を有する丸いターゲットを表す。(図4の平面図と図3Aの間の唯一の差異は、部材60、62および64を示すことである。)
【0016】
本発明の接合界面では、機械加工された溝が支持板の塑性変形を妨害することがあるので、対合する機械加工された溝の使用には適さない。しかしながら、有利には、表面処理工程により、ターゲット・インサートおよび円筒形凹部の側面および傾斜面を粗面化して、接合すべき面に不均一な表面構造を形成する。容認できる表面粗面化技術としては、限定はしないが、ショットブラスト、ショット・ピーニングおよびエッチングがある。ショット・ブラストで使用される粒子は、限定はしないが、グリット、サンド、ガラス・ビーズおよびスチール・ショットなどのグループから選択することができる。この工程により、構成要素がプレス中に加熱されるときに、系合する接合面のわずかな破壊を引き起こす。最も有利には、この工程は所望の固相接合の形成を促進するためにグリット・ブラストを使用してターゲット・インサートを粗面化する。
【実施例】
【0017】
直径13.572”(34.5cm)×厚さ0.750”(1.9cm)の寸法を有する市販の99.99パーセント純チタン製ディスクの裏接合面に3°の角度に機械加工を施すことにより、ディスクの裏接合面に円錐状の形状を形成した。チタンのディスクを、6061−T6アルミニウム・ディスクに機械加工された円筒形凹部に配置した。凹部の体積は、チタン・ターゲット挿入体の体積と等しくした。2時間、15ksi(103MPa)、温度510℃ののHIP処理工程によりインサートを支持板に接合した。アルミニウム・ディスクは、HIPサイクル中に塑性変形され、3°角の傾斜をつけたチタン・ターゲットの形状に一致した。HIP処理工程中に起こった塑性変形により安全な固体状態接合が保証された。この接合を超音波試験、引張り試験および金属組織試験によって評価することにより接合の完全性および強度が確認された。
【0018】
HIP後の超音波試験分析により、支持板とターゲットの間の100パーセントの接合が明らかになった。さらに、超音波試験ではターゲットの縁部の領域に小さい空隙が示された。
【0019】
金属組織試験では、凹形支持板の角部が十分に突出または変形していないことから生じる1つの小さい空隙と一致した界面が明らかになった。この空隙の位置および大きさはターゲットの性能に影響を及ぼさないものである。さらに、底壁および側壁の接合は、拡散接合技術で達成された一体化された固相接合と同等であった。さらに、後続の試験では、凹部の側壁に位置する隅肉が空隙を無くすことが示された。
【0020】
2つのねじ切り開口試料方法に従って行なった2つの引張りテストでは優れた接合が確認された。接合界面で切断した両試料では、アルミニウムが破断していた。第1の試料は1920lbs(13.2MPa)で破断し、第2の試料は1830lbs(12.6MPa)で破断した。
【0021】
チタン・ターゲットについて実施例を揚げたが、この方法は、アルミニウム、チタン、銅、クロム、コバルト、ニッケルおよびタンタルなどのスパッタリング用ターゲットとしての使用に適した全ての合金または組成のスパッタリング用ターゲットに対して、同様の有効性をもって作用することに注目すべきである。さらに、この工程は、ターゲット材料と支持板材料とが同じでも、異なる合金でも適用できる。例えば、アルミニウムの支持板または銅の支持板中にアルミニウム合金ターゲットを配置することが可能である。
【0022】
傾斜付きターゲットの設計に対応する支持板を凹形にするためには、製造に容易な方法を使用でき、様々な種類の製造装置に容易に適合する。本工程は、また、支持板の半加工品を特別に費用の高い機械により加工すること不要とし、製造に必要な時間を削減する。さらに、本工程は、縁部の厚さを小さく(典型的には20〜35%)したスパッタリング用ターゲットの製造が可能である。このターゲット組立体は、優先的にその中心からスパッタリングするので、このターゲットは標準の作動条件を変更する必要がない。従来の円筒形ターゲット・インサートと比較すると、スパッタリング装置の標準のスパッタリング手順の修正なしに、随意にターゲット材料の厚さを増大する設計ができる。さらに、必要なターゲット材料の量を少なくすることによってスパッタリング部品の生産性を増大させ、それによってコストを削減する。最後に、本工程により真空に耐える強い接合の形成が容易になる。これらの接合は実際の支持板自体よりも大きい強度を有することができる。最後に、本工程は、新設計および新製品に必要な、設計時間および製造時間を削減する。
【0023】
本発明はその範囲から逸脱せずに多数の可能な実施例およびスパッタリング用ターゲット構成が可能であり、したがって本明細書に記載されたすべての事項は限定的な意味ではなく例示的なものとして解釈すべきことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】傾斜付きターゲット・インサートを支持板中にプレスする工程を示す概略図。
【図2】標準の円形ターゲット組立体の概略断面図。
【図3A】円形支持板中に埋め込まれた円形切頭円錐形ターゲットの概略平面図。
【図3B】線1−1に沿った図3Aのターゲットの概略断面図。
【図4】円形支持板中に埋め込まれた円錐形ターゲットの概略平面図。
Claims (10)
- スパッタリング用ターゲット組立体(30)の製造方法において、該方法が、
a)降伏強さ、直径、高さ、平坦な上面および円錐形裏面(12)を有するターゲット・インサート(10)を製造する段階と、
b)前記ターゲット・インサート(10)の直径に一致し、前記ターゲット・インサート(10)の高さよりも小さい深さを有し、前記ターゲット・インサート(10)の降伏強さよりも小さい降伏強さを有する円筒形凹部(22)を有する支持板(20)を製造する段階と、
c)前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)の前記円筒形凹部(22)中にプレスすることにより、前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)に接合して、前記円錐形裏面(12)を有する前記ターゲット・インサート(10)を含む前記ターゲット組立体(30)を形成する段階とを含む、スパッタリング用ターゲット組立体の製造方法。 - 前記円錐形裏面(12)の少なくとも約50パーセントを前記支持板(20)に接合する請求項1に記載されたスパッタリング用ターゲット組立体の製造方法。
- 前記ターゲット・インサート(10)の前記円錐形裏面(12)と前記支持板(20)との接合を改善するために、前記ターゲット・インサート(10)および前記支持板(20)を約200℃より高い温度に少なくとも1時間保持する追加の段階を含む請求項1に記載されたスパッタリング用ターゲット組立体の製造方法。
- スパッタリング用ターゲット組立体(30)の製造方法において、該方法が、
a)降伏強さ、直径、高さ、平坦な上面および切頭円錐形裏面(12)を有するターゲット・インサート(10)をほぼ最終形状にプレスする段階と、
b)前記ターゲット・インサート(10)の直径に一致し、前記ターゲット・インサート(10)の高さよりも小さい深さを有し、前記ターゲット・インサート(10)の降伏強さよりも小さい降伏強さを有する円筒形凹部(22)を有する支持板(20)を製造する段階と、
c)前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)の前記円筒形凹部(22)中に熱間プレスすることにより、前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)の前記円筒形凹部(22)に接合して、切頭円錐形裏面(12)を有する前記ターゲット・インサート(10)を含む前記ターゲット組立体(30)を形成する段階とを含む、スパッタリング用ターゲット組立体の製造方法。 - 前記円筒形凹部(22)がある体積を有し、前記ターゲット・インサート(10)がある体積を有し、前記円筒形凹部(22)の体積が前記ターゲット・インサート(10)の体積の90〜120パーセントである請求項4に記載されたスパッタリング用ターゲット組立体の製造方法。
- 前記円筒形凹部(22)がある体積を有し、前記ターゲット・インサート(10)がある体積を有し、前記円筒形凹部(22)の体積が前記ターゲット・インサート(10)の体積にほぼ等しい請求項4に記載されたスパッタリング用ターゲット組立体の製造方法。
- 円筒形支持板(20)とターゲット・インサート(10)とを含むスパッタリング用ターゲット組立体において
前記支持板(20)が、平坦な上面を有し、該上面に凹部(22)を有し、
前記ターゲット・インサート(10)が、前記支持板(20)の前記凹部(22)で前記支持板(20)に接合され、
前記ターゲット・インサート(10)が平坦な上面および裏面(12)を有し、
前記裏面(12)の表面積の少なくとも約50パーセントが円錐形であり、
前記裏面(12)が前記支持板(20)に接合されることにより、前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)に固定し、ターゲット組立体(30)を形成するスパッタリング用ターゲット組立体。 - 前記凹部(22)が前記ターゲット・インサート(10)の形状に一致する形状を有する請求項7に記載されたスパッタリング用ターゲット。
- 前記ターゲット・インサート(10)と前記支持板(20)との間の反応生成物が、前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)に接合する請求項7に記載されたスパッタリング用ターゲット。
- 円錐形界面が前記ターゲット・インサート(10)を前記支持板(20)に接合する請求項7に記載されたスパッタリング用ターゲット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/870,164 US6599405B2 (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Recessed sputter target |
PCT/US2002/014302 WO2002099157A1 (en) | 2001-05-30 | 2002-05-08 | Recessed sputter target |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004530048A true JP2004530048A (ja) | 2004-09-30 |
JP4307989B2 JP4307989B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=25354893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003502263A Expired - Fee Related JP4307989B2 (ja) | 2001-05-30 | 2002-05-08 | スパッタリング用ターゲット組立体およびその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6599405B2 (ja) |
EP (1) | EP1392884B1 (ja) |
JP (1) | JP4307989B2 (ja) |
KR (1) | KR100885770B1 (ja) |
CN (1) | CN1229515C (ja) |
IL (2) | IL158993A0 (ja) |
TW (1) | TW593709B (ja) |
WO (1) | WO2002099157A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12054822B2 (en) | 2019-03-28 | 2024-08-06 | Jx Advanced Metals Corporation | Sputtering target product and method for producing recycled sputtering target product |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6848608B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-02-01 | Cabot Corporation | Method of bonding sputtering target materials |
US7425093B2 (en) * | 2003-07-16 | 2008-09-16 | Cabot Corporation | Thermography test method and apparatus for bonding evaluation in sputtering targets |
US20050051606A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-10 | Rene Perrot | Method of manufacturing an extended life sputter target assembly and product thereof |
US7431195B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-10-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof |
US20050072668A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Heraeus, Inc. | Sputter target having modified surface texture |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US20050236270A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Heraeus, Inc. | Controlled cooling of sputter targets |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
EP2236644A3 (en) * | 2004-11-17 | 2012-01-04 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target backing plate assembly and film deposition system |
US7708868B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-05-04 | Tosoh Smd, Inc. | Variable thickness plate for forming variable wall thickness physical vapor deposition target |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US20080041720A1 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Jaeyeon Kim | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for PVD targets |
US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US7901552B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
US20090255808A1 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Seagate Technology Llc | Target for efficient use of precious deposition material |
CN101648320B (zh) * | 2009-05-08 | 2012-06-27 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材与背板的焊接方法 |
US8992747B2 (en) * | 2010-03-12 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber |
CN101811209A (zh) * | 2010-04-14 | 2010-08-25 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材组件的制作方法 |
WO2012145702A2 (en) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | Soladigm, Inc. | Lithium sputter targets |
KR101988391B1 (ko) | 2011-06-27 | 2019-06-12 | 솔레라스 리미티드 | 스퍼터링 타겟 |
CN109097746A (zh) | 2011-06-30 | 2018-12-28 | 唯景公司 | 溅射靶和溅射方法 |
US9057126B2 (en) * | 2011-11-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device |
CN103658898B (zh) * | 2012-09-20 | 2016-03-16 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件焊接方法 |
CN104416281B (zh) * | 2013-08-26 | 2017-05-17 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件及其制造方法 |
CN104561917A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种真空离子溅镀靶材装置 |
US10604836B2 (en) * | 2015-05-15 | 2020-03-31 | Materion Corporation | Methods for surface preparation of sputtering target |
JP6277309B2 (ja) | 2016-07-13 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
JP6271798B2 (ja) | 2016-07-13 | 2018-01-31 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN113967781A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-25 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种包套结构和焊接方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5215639A (en) * | 1984-10-09 | 1993-06-01 | Genus, Inc. | Composite sputtering target structures and process for producing such structures |
JPS61183467A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Hitachi Ltd | スパッタリング方法及びその装置 |
US5226469A (en) * | 1987-07-01 | 1993-07-13 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Composite structures and methods of manufacturing the same |
KR100231397B1 (ko) * | 1991-01-28 | 1999-11-15 | 튜그룰 야사르 | 음극 스퍼터링용 타겟 |
US5230459A (en) * | 1992-03-18 | 1993-07-27 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby |
US5397050A (en) * | 1993-10-27 | 1995-03-14 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby |
US5522535A (en) | 1994-11-15 | 1996-06-04 | Tosoh Smd, Inc. | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies |
US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5836506A (en) | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5857611A (en) * | 1995-08-16 | 1999-01-12 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US6071389A (en) | 1998-08-21 | 2000-06-06 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making |
JP4511733B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2010-07-28 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターターゲット低温接合法とそれによって製造されるターゲットアセンブリ |
US6092427A (en) | 1999-09-15 | 2000-07-25 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of testing a bond interface |
-
2001
- 2001-05-30 US US09/870,164 patent/US6599405B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-08 EP EP02776556A patent/EP1392884B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-08 IL IL15899302A patent/IL158993A0/xx active IP Right Grant
- 2002-05-08 CN CNB028108027A patent/CN1229515C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-08 KR KR1020037015672A patent/KR100885770B1/ko active IP Right Grant
- 2002-05-08 WO PCT/US2002/014302 patent/WO2002099157A1/en active Application Filing
- 2002-05-08 JP JP2003502263A patent/JP4307989B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-28 TW TW091111339A patent/TW593709B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-11-20 IL IL158993A patent/IL158993A/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12054822B2 (en) | 2019-03-28 | 2024-08-06 | Jx Advanced Metals Corporation | Sputtering target product and method for producing recycled sputtering target product |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1527887A (zh) | 2004-09-08 |
US20020185372A1 (en) | 2002-12-12 |
IL158993A (en) | 2006-12-31 |
KR20040007630A (ko) | 2004-01-24 |
IL158993A0 (en) | 2004-05-12 |
EP1392884A1 (en) | 2004-03-03 |
CN1229515C (zh) | 2005-11-30 |
US6599405B2 (en) | 2003-07-29 |
EP1392884A4 (en) | 2007-07-25 |
EP1392884B1 (en) | 2011-08-17 |
WO2002099157A1 (en) | 2002-12-12 |
KR100885770B1 (ko) | 2009-02-26 |
TW593709B (en) | 2004-06-21 |
JP4307989B2 (ja) | 2009-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4307989B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット組立体およびその製造方法 | |
KR101117415B1 (ko) | 연장된 수명의 스퍼터 대상 | |
KR100602767B1 (ko) | 접합된 스퍼터 타겟/배면 플레이트 조립체 형성 방법 | |
JP4672834B2 (ja) | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 | |
JP2010523812A (ja) | 接合されたスパッタリングターゲット及び製造方法 | |
US20120228131A1 (en) | Method for consolidating and diffusion-bonding powder metallurgy sputtering target | |
WO2018012460A1 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット | |
US6723213B2 (en) | Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same | |
US8123107B2 (en) | Method for forming sputter target assemblies | |
JP4519981B2 (ja) | 固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 | |
JP6285044B2 (ja) | チタン製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080516 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080818 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080912 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081219 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090327 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4307989 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140515 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |