JP2004528722A5 - - Google Patents

Claims (66)

1. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
   光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
   反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
   前記反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとを含む、
   プロセス層の共形性を決定する方法。
2. 前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するステップであって、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有しているステップと、
   前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択するステップと、
   前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとをさらに含む、請求項１記載の方法。
3. 前記反射プロファイルを生成するステップは、前記反射光の強度と位相の少なくとも一方に基づいて、前記反射プロファイルを生成するステップを含む、請求項１記載の方法。
4. 前記ウェハを提供するステップは、前記ウェハ上のテスト構造物中に形成された前記グレーティング構造を有する前記ウェハを提供するステップを含む、請求項１記載の方法。
5. 前記ウェハを提供するステップは、前記ウェハ上の生産デバイス中に形成された前記グレーティング構造を有する前記ウェハを提供するステップを含む、請求項１記載の方法。
6. 前記プロセス層の共形性を決定するステップは、
   前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するステップと、
   前記生成された反射プロファイルと、前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとをさらに含む、請求項１記載の方法。
7. 前記決定された共形性に基づいて、処理ツールの操作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
8. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
   前記共形性を決定するステップは、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さを決定するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
9. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
   前記共形性を決定するステップは、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さと前記基板上に堆積された前記プロセス層の厚さとの比率を決定するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
10. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップと、
    前記決定した共形性に基づいて前記グレーティング構造上に前記プロセス層を堆積するように構成された堆積ツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップと、
    を含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
11. 前記堆積ツールの操作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定するステップは、前記決定した共形性に基づいてＲＦバイアス設定、圧力設定、浸透時間、および浸透温度のうちの少なくとも一つを決定するステップを含む、請求項１０記載の方法。
12. 前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するステップであって、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有しているステップと、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択するステップと、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとをさらに含む、請求項１０記載の方法。
13. 前記反射プロファイルを生成するステップは、前記反射光の強度と位相の少なくとも一方に基づいて、前記反射プロファイルを生成するステップを含む、請求項１０記載の方法。
14. 前記ウェハを提供するステップは、前記ウェハ上のテスト構造物中に形成された前記グレーティング構造を有する前記ウェハを提供するステップを含む、請求項１０記載の方法。
15. 前記ウェハを提供するステップは、前記ウェハ上の生産デバイス中に形成された前記グレーティング構造を有する前記ウェハを提供するステップを含む、請求項１０記載の方法。
16. 前記プロセス層の共形性を決定するステップは、
    前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するステップと、
    前記生成された反射プロファイルと、前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとをさらに含む、請求項１０記載の方法。
17. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記共形性を決定するステップは、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さを決定するステップをさらに含む、請求項１０記載の方法。
18. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記共形性を決定するステップは、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さと前記基板上に堆積された前記プロセス層の厚さとの比率を決定するステップをさらに含む、請求項１０記載の方法。
19. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップと、
    後に前記決定した共形性に基づいて前記プロセス層をエッチングするように構成されたエッチングツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップと、
    を含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
20. 前記エッチングツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップは、前記決定した共形性に基づいてエッチング時間を決定するステップをさらに含む、請求項１９記載の方法。
21. 前記プロセス層の共形性を決定するステップは、
    前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するステップであって、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有しているステップと、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択するステップと、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとをさらに含む、請求項１９記載の方法。
22. 前記反射プロファイルを生成するステップは、前記反射光の強度と位相の少なくとも一方に基づいて、前記反射プロファイルを生成するステップを含む、請求項１９記載の方法。
23. 前記ウェハを提供するステップは、前記ウェハ上のテスト構造物中に形成された前記グレーティング構造を有する前記ウェハを提供するステップを含む、請求項１９記載の方法。
24. 前記ウェハを提供するステップは、前記ウェハ上の生産デバイス中に形成された前記グレーティング構造を有する前記ウェハを提供するステップを含む、請求項１９記載の方法。
25. 前記プロセス層の共形性を決定するステップは、
    前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するステップと、
    前記生成された反射プロファイルと、前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとをさらに含む、請求項１９記載の方法。
26. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記共形性を決定するステップは、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さを決定するステップをさらに含む、請求項１９記載の方法。
27. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記共形性を決定するステップは、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さと前記基板上に堆積された前記プロセス層の厚さとの比率を決定するステップをさらに含む、請求項１９記載の方法。
28. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されるプロセス層を有するウェハを受け取るように構成された、測定ツールであって、
    前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすように構成された光源と、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するように構成された検出器と、
    生成された反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成されたデータ処理ユニットと、を有する、
    測定ツール。
29. 前記データ処理ユニットは、さらに、前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するように構成されており、
    関連する共形性の判定基準を有する各基準反射プロファイルは、前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択し、前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定する、
    請求項２８記載の測定ツール。
30. 前記検出器は、前記反射光の強度と位相の少なくとも一方に基づいて、前記反射プロファイルを生成するように構成されている、
    請求項２８記載の測定ツール。
31. 前記測定ツールは、スキャトロメータ、楕円偏光計、または反射率計のうちの少なくとも１つを含む、請求項２８記載の測定ツール。
32. 前記グレーティング構造は、テスト構造を含む、請求項２８記載の測定ツール。
33. 前記グレーティング構造は、前記ウェハ上に形成される生産デバイスの一部を含む、請求項２８記載の測定ツール。
34. 前記データ処理ユニットはさらに、前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するように構成されるとともに、前記生成された反射プロファイルと前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成される、請求項２８記載の測定ツール。
35. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記データ処理ユニットはさらに、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さを決定するように構成される、請求項２８記載の測定ツール。
36. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記データ処理ユニットはさらに、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さと前記基板上に堆積された前記プロセス層の厚さとの比率を決定するように構成される、請求項２８記載の測定ツール。
37. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されるプロセス層を有するウェハを受け取るように構成された、測定ツールであって、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすように構成された光源、反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するように構成された検出器、および生成された反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成されたデータ処理ユニットを有する測定ツールと、
    前記決定した共形性に基づいて前記グレーティング構造上に前記プロセス層を堆積するように構成された堆積ツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するプロセス・コントローラと、を含む、
    処理ライン。
38. 前記データ処理ユニットはさらに、
    前記生成された反射プロファイルを、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有している基準反射プロファイルのライブラリと比較し、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択し、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成される、請求項３７記載の処理ライン。
39. 前記検出器は、前記反射光の強度と位相の少なくとも一方に基づいて、前記反射プロファイルを生成するように構成されている、
    請求項３７記載の処理ライン。
40. 前記測定ツールは、スキャトロメータ、楕円偏光計、または反射率計のうちの少なくとも１つを含む、請求項３７記載の処理ライン。
41. 前記グレーティング構造は、テスト構造を含む、請求項３７記載の処理ライン。
42. 前記グレーティング構造は、前記ウェハ上に形成される生産デバイスの一部を含む、請求項３７記載の処理ライン。
43. 前記データ処理ユニットはさらに、前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するように構成されるとともに、前記生成された反射プロファイルと前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成される、請求項３７記載の処理ライン。
44. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記データ処理ユニットはさらに、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さを決定するように構成される、請求項３７記載の処理ライン。
45. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記データ処理ユニットはさらに、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さと前記基板上に堆積された前記プロセス層の厚さとの比率を決定するように構成される、請求項３７記載の処理ライン。
46. 前記プロセス・コントローラはさらに、前記決定した共形性に基づいてＲＦバイアス設定、圧力設定、浸透温度、および浸透時間のうちの少なくとも一つを決定するように構成される、請求項３７記載の処理ライン。
47. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されるプロセス層を有するウェハを受け取るように構成された、測定ツールであって、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすように構成された光源、反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するように構成された検出器、および生成された反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成されたデータ処理ユニットを含む測定ツールと、
    後に前記決定した共形性に基づいて前記プロセス層をエッチングするように構成されたエッチングツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するように構成されたプロセス・コントローラと、を含む、
    処理ライン。
48. 前記データ処理ユニットはさらに、
    前記生成された反射プロファイルを、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有している基準反射プロファイルのライブラリと比較し、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択し、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成される、請求項４７記載の処理ライン。
49. 前記検出器は、前記反射光の強度と位相の少なくとも一方に基づいて、前記反射プロファイルを生成するように構成されている、
    請求項４７記載の処理ライン。
50. 前記測定ツールは、スキャトロメータ、楕円偏光計、または反射率計のうちの少なくとも１つを含む、請求項４７記載の処理ライン。
51. 前記グレーティング構造は、テスト構造を含む、請求項４７記載の処理ライン。
52. 前記グレーティング構造は、前記ウェハ上に形成される生産デバイスの一部を含む、請求項４７記載の処理ライン。
53. 前記データ処理ユニットはさらに、前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するように構成されるとともに、前記生成された反射プロファイルと前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するように構成される、請求項４７記載の処理ライン。
54. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記データ処理ユニットはさらに、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さを決定するように構成される、請求項４７記載の処理ライン。
55. 前記グレーティング構造は、基板と、この基板上に堆積された側壁を有するスタックとを含んでおり、
    前記データ処理ユニットはさらに、前記側壁上に堆積された前記プロセス層の厚さと前記基板上に堆積された前記プロセス層の厚さとの比率を決定するように構成される、請求項４７記載の処理ライン。
56. 前記プロセス・コントローラはさらに、前記決定した共形性に基づいてエッチング時間を決定するように構成される、請求項４７記載の処理ライン。
57. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するステップであって、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有しているステップと、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択するステップと、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとを含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
58. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するステップと、
    前記生成された反射プロファイルと、前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップとを含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
59. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するステップであって、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有しているステップと、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択するステップと、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップと、
    前記決定した共形性に基づいて前記グレーティング構造上に前記プロセス層を堆積するように構成された堆積ツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップとを含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
60. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するステップと、
    前記生成された反射プロファイルと、前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップと、
    前記決定した共形性に基づいて前記グレーティング構造上に前記プロセス層を堆積するように構成された堆積ツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップとを含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
61. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記生成された反射プロファイルを基準反射プロファイルのライブラリと比較するステップであって、各基準反射プロファイルが、関連する共形性の判定基準を有しているステップと、
    前記生成された反射プロファイルに最も近い基準反射プロファイルを選択するステップと、
    前記選択された基準反射プロファイルに関連する前記共形性の判定基準に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップと、
    後に前記決定した共形性に基づいて前記プロセス層をエッチングするように構成されたエッチングツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップとを含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
62. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供するステップと、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らすステップと、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定するステップと、
    前記生成された反射プロファイルを、ターゲット反射プロファイルと比較するステップと、
    前記生成された反射プロファイルと、前記ターゲット反射プロファイルとの比較に基づいて、前記プロセス層の共形性を決定するステップと、
    後に前記決定した共形性に基づいて前記プロセス層をエッチングするように構成されたエッチングツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定するステップとを含む、
    プロセス層の共形性を決定する方法。
63. グレーティング構造およびこのグレーティング構造上に形成されたプロセス層を有するウェハを提供する手段と、
    光源で、前記グレーティング構造を覆う前記プロセス層の少なくとも一部分を照らす手段と、
    反射プロファイルを生成するために、前記グレーティング構造および前記プロセス層の照らされた部分から反射された光を測定する手段と、
    前記反射プロファイルに基づいて、前記プロセス層の共形性を決定する手段とを含む、
    処理ライン。
64. 前記決定された共形性に基づいて、処理ツールの操作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定する手段をさらに含む、請求項６３記載の処理ライン。
65. 前記決定した共形性に基づいて前記グレーティング構造上に前記プロセス層を堆積するように構成された堆積ツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定する手段をさらに含む、請求項６３記載の処理ライン。
66. 後に前記決定した共形性に基づいて前記プロセス層をエッチングするように構成されたエッチングツールの操作レシピのうちの少なくとも一つのパラメータを決定する手段をさらに含む、請求項６３記載の処理ライン。