JP2004520489A - ターゲット、およびターゲットプロファイルを最適化する方法 - Google Patents
ターゲット、およびターゲットプロファイルを最適化する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004520489A JP2004520489A JP2002583696A JP2002583696A JP2004520489A JP 2004520489 A JP2004520489 A JP 2004520489A JP 2002583696 A JP2002583696 A JP 2002583696A JP 2002583696 A JP2002583696 A JP 2002583696A JP 2004520489 A JP2004520489 A JP 2004520489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic field
- erosion
- sputtering
- sputter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 46
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N boscalid Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1NC(=O)C1=CC=CN=C1Cl WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3476—Testing and control
- H01J37/3482—Detecting or avoiding eroding through
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
市販の物理蒸着(PVD)システムにおいては、スパッターリングターゲットの寿命は、通常、もとの装置製造者(OEM)によって設定されている。そのような寿命は、通常スパッターリング電力×スパッターリング時間(kWh)または基板に蒸着された材料の全厚(μm、または1μm蒸着層の数)と定義されるが、この寿命は、主として、スパッターリングターゲット材料、ターゲット形状、およびカソード磁石の設計によって決定される。スパッターリングカソードアセンブリは、それぞれの設計において、その性能パラメータたとえば蒸着均一性に関して最適化される。
【0002】
ターゲットの均一性性能は、主として、三つの要因、すなわち、スパッターリング時のターゲットの侵食プロファイル、ターゲットの結晶学的集合組織、基板とターゲットとの距離、および蒸着プロセス時のガス散乱因子、によって決定される。侵食プロファイルは蒸着の均一性の決定に関してもっとも重要な因子である。また、侵食プロファイルは、それぞれのPVDシステムにおいて、ほとんど不変に保たれる。
【0003】
PVDプロセスにおいては、スパッターリングターゲットの前方に、プラズマの雲が存在する。このプラズマは、スパッターリングターゲットの背後にある磁石による磁場によって維持される。プラズマの密度したがってターゲットのスパッターリング速度は、ターゲット表面における磁場の強さに関係する。電磁気理論によれば、最大スパッターリング速度は、磁場の垂直成分がゼロで、磁場の水平成分が最大であるときに、生じる。以下においては、“磁場”という言葉は、特に明記しない限り、垂直磁場がほとんどゼロであるときの、磁場の水平成分を意味するものとする。
【0004】
先進のマグネトロンPVD設計においては、カソード磁石は、通常、よりよい均一性性能を与えるためにターゲット中心軸のまわりに回転する小磁石の配列から成る。ターゲット面のそれぞれの位置においては、磁場の強さと磁石の一回転あたりの磁場の平均滞留時間とが変化する。これらの変化はどちらも、ターゲット面上の異なる位置における異なるスパッターリング速度の存在、したがってターゲットスパッターリングプロファイル(スパッターリング溝)の存在をもたらす。ここでは、一回転内の磁場の強さの時間積分を、時間平均した磁場の強さ(T−Bの場)と定義する。市販のPVDシステムの場合、通常、OEMは、必要なT−Bの場が得られるように、カソード磁石アセンブリの構成を設計する。これにより、最適蒸着均一性性能を実現するのに適した必要なターゲット面侵食プロファイルが形成される。必要な磁石構成とターゲット侵食プロファイルとを決定する方法は、米国特許第4,995,958号、第5,314,597号、第5,248,402号、第5,830,327号、および第5,252,194号明細書の概説に記載されている。
【0005】
長いターゲット使用寿命が望ましい状況が起こりうる。長い寿命の実現を試みるもっとも簡単なやり方は、スパッターリングターゲットの厚さを大きくすることである。しかし、カソードアセンブリは設計厚に対して最適化されているので、厚さの増大は蒸着均一性の低下をもたらしうる。最近の試験では、ターゲット厚の13%の増大により、1σにおいて0.7〜1.18%のターゲット蒸着均一性の変化が起こりうる。薄膜抵抗等高線マップ(オムニマップ)は、ターゲットの外へりに比してターゲットの中心からは材料が少ししかスパッターされないということ、すなわち、スパッター薄膜はウェーハへりよりもウェーハ中心で薄いということを示す。ここでの発見によれば、この変化は、ターゲット厚を増大させたとき、中心とへりとにおけるT−Bの場がその正しい比率を保持していない、という事実による。ここでの発見によれば、蒸着均一性性能を維持するためには、それぞれの侵食溝位置におけるターゲット厚を、局所的なT−Bの場が正しい比率に戻されるように変化させなければならない。
【0006】
以下で説明する方法は、ターゲット均一性性能を維持しつつターゲット寿命を長くするという目標を実現するために、厚さを増大させたターゲットの正しいプロファイル(形状)をどのようにして見出すかを示すものである。任意のスパッターリングターゲット構成に対して、本発明の方法は、下記の各ステップを含む。
【0007】
A)当該ターゲットスパッターリングプロファイルを測定して、最大侵食溝位置を決定する。
【0008】
B)ターゲット面のいくつかの半径方向位置で、垂直および水平方向の磁場の強さを測定する。磁気アセンブリは回転しているので、この測定は動的に実施しなければならない。これは、二つまたは三つのB場プローブを使用して、ターゲット面の任意の場所で三つの異なる直交方位において同時に磁場の強さを測定することにより実現することができる。B場プローブの測定結果は、ディジタルオシロスコープに送ることができ、それぞれの方位における動的磁場の強さに関する結果を、ターゲット面の任意の位置で計算することができる。追加測定を、ターゲット面のいろいろな半径方向位置で行う。
【0009】
C)ターゲット面の上方のいろいろな高さで、B)と同じ測定を続ける。この測定は、ターゲット厚に意図する増大量を加えたときの高さを超える高さまで実施しなければならない。
【0010】
D)ターゲット表面上方のいろいろな高さにおけるT−Bの場と半径方向位置との関係を示すグラフを記録またはプロットする(このステップはコンピュータその他の記憶手段によって実施することができる)。
【0011】
E)ターゲット面レベルにおいて、最深侵食溝の位置と各侵食溝位置とにおけるT−Bの場の比を決定する。
【0012】
F)増大ターゲット厚レベルに等しい高さにおいて、最深侵食溝の位置と各侵食溝位置とにおけるT−Bの場の比を決定する。
【0013】
G)各溝位置において必要な高さの変化を、F)における比がE)における比に合うように、決定する。
【0014】
G)で得られた各溝の局所的高さと幅の違いにもとづいて、寿命の長いターゲットプロファイルを設計することができる。
【0015】
以下、本発明を、添付の図面を参照しつつさらに詳しく説明する。
【0016】
図1には、スパッターリング性能に悪影響を及ぼすことなくスパッターリング寿命を延長するために大きなターゲット厚を与える本発明の方法によって高性能のものとなりうるターゲットの実施形態を示す。ここに示す特定ターゲットは、タイプ“B”ENDURA(登録商標)スパッターリングシステムに適合するものである。
【0017】
ターゲット12は、たとえば、Alから成り、AlまたはCuから成るバッキングプレート14を有する。これらの金属の合金もまた代表的な材料として挙げることができる。もっとも好ましくは、ターゲット12は、本発明と一緒に譲渡されたPCT国際出願WO00/15863号、これに対応する米国特許出願第09/720,347号(2000年12月21日提出)の開示内容にしたがって、バッキングプレート14に接合されている。これらの出願明細書を参照されたい。
【0018】
好ましいターゲット12は、大体切頭円錐の形であり、平面図では円形であり、またスパッターリング面22の向きに大体線形に収縮する側壁20を有する。この好ましいターゲット12とバッキングプレート14とは、断面において、全体として切頭体の構造を有し、バッキングプレート14は円錐の土台として働き、ターゲット側壁20は、該側壁20がスパッターリング面22を過ぎて延びた場合に円錐の頂点に達するような、円錐の中間部分(mid−position)となっている。
【0019】
厚い領域または円形ボス30が、ターゲット/バッキングプレート界面32に沿って成形されている。この厚い領域30は、侵食トラック拡大部その他として作用することにより、ターゲット寿命の延長に寄与する。ここに示す実施形態の場合、この厚い領域30の半径方向寸法は、好ましくは約7.74cm(3.047インチ)であり、深さは好ましくは約1.3mm(0.050インチ)である。
【0020】
スパッターリング面22は、ターゲット厚が大きくなった外側の上昇したまたは高くなったテラス領域40を有し、該領域はターゲット12の薄い中心領域を定める浅い凹部42を包囲している。テラス40は、外壁50と内壁52とを有している。内壁52は、ここに示す特定実施形態の場合、凹部から外向きに、テラスの平坦部または外表面54に向かって、約13.5°の角度で傾斜している。内壁52は、約6.4mm(0.25インチ)の長さまたは半径方向寸法を有している。図に示すように、テラス40の表面は、凹部の表面から約1.5mm(0.060インチ)だけ高くなっている。テラス40は、大きな侵食が予想されうるスパッターリング面22の領域に付加的な材料厚さを有している。
【0021】
図1に示すターゲットは、2侵食トラックターゲットと呼ばれており、この場合、ターゲットは、図1に破線で示すように(図3に示すプロファイルにも見られる)、外側侵食トラック102と内側侵食トラック104とを有し、これらのトラックはターゲットの中心のまわりに大体環状に配置されている。図1に示す断面図においては、外側侵食トラックは、ターゲットのテラス40の上面と厚い部分30の底部との間の垂直距離として定められ、内側侵食トラックは、凹部42によって定められる領域内に含まれ、ターゲットの底部から凹部の最上部までの垂直距離を有する。
【0022】
一般に、本出願の方法は、侵食トラックの高さの最適増大を与えることによってターゲットのスパッターリング寿命を延長するために使用することができる。
【0023】
現在入手できるデータから、現在の標準ターゲットに対してなしうる垂直方向の拡大または高さの拡大を制限するいくつかのパラメータが存在するように思われる。まず、有効スパッターリングを改善するためには、時間平均磁場の強さは、ターゲット表面領域において約200ガウスとして、必要なプラズマ構造がターゲット面に沿って形成されうるようにしなければならない。さらに、スパッターリングシステムの物理的空間範囲により、ターゲットの必要な高さ増大に上限が与えられる。
【0024】
最後にもっとも重要なこととして、高さ増大ターゲットのスパッターリング均一性は、1σ信頼水準において、現在の標準高さターゲットによって達成される均一性と同程度以上でなければならない。すなわち、1σにおいて、約1%よりも小さな均一性が達成されなければならない。
【0025】
注意すべきことは、本発明の原理は、プラズマの構造が磁気的に制御され、二つ以上の侵食トラックを有するターゲット侵食プロファイルを与える、任意のタイプのPVDシステムに適用できると考えられる、ということである。たとえば、Applied Materialsが販売しているEndura(登録商標)システム、Novellusが販売しているQuantum(商標)システム、およびUlvac(登録商標)が販売しているUlvac(登録商標)システムを、代表例として挙げることができる。
【0026】
したがって、本発明の目的は、必要なまたは最適のスパッタートラック構成と侵食トラックに関する既知の垂直高さ寸法とをすでに有すると考えられる、標準ターゲットまたは予想されるターゲットプロファイルに対して適用することである。本発明により、前駆プロファイルから、スパッターターゲット性能を低下させることなくターゲットを厚くするために、侵食トラックの高さを自信をもって増大させることができる。
【0027】
図2には、外側侵食トラックおよび内側侵食トラックに対応する半径方向位置において、標準ターゲット上方の垂直スペースに関して、B磁場時間積分(T−Bの場)の値をgauss−sec単位でプロットしたグラフを示す。この図からわかるように、0mmで示す標準ターゲットの場合、目的に合わせて最適化したターゲットの外側侵食トラックにおいて測定した磁場の強さは、1030gauss−secであり、内側侵食トラックにおける磁場の強さは940gauss−secである。
【0028】
前述のように、本発明によれば、この比、外側侵食トラックの磁束密度(magnetic field density)(OETGS)/内側侵食トラックの磁束密度(IETGS)すなわち(OETGS):(IETGS)を、大体一定の値に保つことが望ましい。
【0029】
ここでは、試験した特定システムに関して、もっとも好ましいOETGS:IETGS比は、1.095であった。これは、OETGSとIETGSとの値をx=0において、y軸に沿って比較していくことによってわかる。この比較によれば、この特定システムにおけるOETGS/IETGS比の好ましい範囲は、約1.00〜1.20:1になる。
【0030】
ここで、作業者が外側侵食トラック領域の厚さを6.60mmだけ増大させたい場合には、図2から予想されるOETGSは817gauss−secになる。最適OETGS/IETGS比1.095を維持すべき場合、IETGSは746gauss−secとしなければならない。これは、内側侵食トラックの高さを、5.35mmだけ増大させ、二つの侵食トラックの間の高さの差を1.25mmとしなければならないということを意味する。これは、図1に示すテラス40の高さと凹部42の高さとの間の差1.25mmに対応する。
【0031】
言い換えると、図1に示す2溝のターゲットの場合、内側および外側溝位置におけるT−Bの場は異なる高さで測定される。必要なターゲット厚増大が6.60mmである場合、標準ターゲットまたは目的に合わせて最適化したプロファイル形状の場合と同じT−Bの場を維持するためには、1.27mm(0.05インチ)の深いくぼみを内側溝の位置に切削しなければならない。この高さ増大ターゲットを、Endura(登録商標)スパッターリングシステムで試験したところ、標準ターゲットで得られるのと同じ蒸着均一性の場合に、スパッター寿命の100%の増大がもたらされた。結果を図4に示す。
【0032】
下記の例は、必要なターゲットスパッターリングプロファイルを構成することのできる一つの方法を示す。これは必要なターゲットスパッターリングプロファイルを構成することのできる単なる一つの方法を示すと理解すべきである。他の方法では、目的に合わせた最適の侵食トラック寸法と形状とを有する既存のターゲットが使用される。また、いろいろな形状のターゲットの試験スパッターを実行して、最適であると思われる特定形状を、試行錯誤によって得ることもできる。このターゲット設計は、侵食トラックにおけるターゲット材料の垂直寸法または高さを本発明によって増大させて最適化するための出発形状または前駆形態となる。さらに、いくつかの数式を使用して、たとえば前記の先行技術の米国特許明細書に述べられているような侵食トラック形状を予想することができる。
【0033】
例1
(A)Quantum(商標)スパッターリングシステムでの使用に適するターゲットを、ターゲット面を上にして取り付けた。磁石をスパッターリング時と同様に回転させた。二つのホール効果ガウスプローブを滑動マイクロメータ(sliding micrometer)に取り付けて、ターゲットのすべての半径方向位置がカバーされるようにした。もう一つのマイクロメータを使用してプローブの高さを調節し、このときこの研究で使用する五つの高さ位置すべてがカバーされるようにした。このようにして、ホール効果ガウスプローブにより、Quantum(商標)供給源の磁場を、半径方向(R)、接線方向(T)、および垂直方向(Z)で測定することができた。
【0034】
(B)二つのガウスプローブを使用して、Quantum(商標)供給源の動的磁場の強さを、同時に、半径方向(R)/接線方向(T)および半径方向(R)/垂直方向(Z)で測定した。信号の低周波数(〜1Hz)のため、二対の測定は同期していない。しかし、一つの測定においては、二つのチャンネルを同期させた。30ヶ所の異なる半径方向位置と5ヶ所のターゲット面からの異なる高さの位置とにおいて、磁場を測定した。各位置において、4チャンネルのデータ(R、TおよびR、Z)があり、また各チャンネルは40,000データ点を含む。二つのチャンネル波形のすべてを、2チャンネルのTektronix Oscilloscopeに表示し、また同期2チャンネルデータをPCに送った。
【0035】
(C)各半径方向位置と各高さとに関して、記録された4チャンネルのデータをExcel(登録商標)スプレッドシートに入力した。次に、これらのデータを、単純にデータ点を10個ごとに平均して一つのデータ点とすることにより、10分の1に圧縮した。各チャンネルに対して異なる倍率を補正するために、変換係数をも考慮した。次に、四つのチャンネルの圧縮データを新しいデータセットの形で記憶した。
【0036】
それぞれの新しいデータセットに関して、二つのRデータ系列をExcel(登録商標)でプロットし、それぞれの時間ずれを各二対のデータ系列に対して決定した。次に、R/Zデータグループを、正しい時間間隔だけずらして、R/Tグループと合併した。このようにすれば、R、T、およびZ系列がすべて同期することになる。次に、RおよびTチャンネルデータをベクトル的に加えて、平行B磁場(B−p)の強さを導出した。この同期B−pおよびZデータ系列のために、新しいファイルを作った。
【0037】
(E)各B−pおよびZ系列に関して、各B磁場の値を次のように時間ゲート制御した:(1)Z磁場の絶対値は設定パラメータ(この場合、150gauss)よりも小さくなければならず、また(2)B−p値はもう一つの設定パラメータ(この場合、50gauss)よりも大きくなければならない。次に、ゲート制御されたB磁場の強さを、一回転周期内で積分して、垂直B磁場がゼロに近い場合の平行B磁場の強さの相対的時間積分平均(T−Bの場)を算出した。
【0038】
(F)このT−Bの場の結果は、一次近似として、当該位置におけるスパッターリング速度に比例するはずである。これらの結果を、実測侵食プロファイルに対してスケールを合わせて、プロットした。そのグラフを図3に示す。参照番号102、102は、前記の外側侵食トラックを示し、参照番号104、104は、内側侵食トラックを示す。
【0039】
本発明の方法は、複数または多数の侵食トラックのマグネトロンスパッターリングターゲットの製造に使用することができる。第一のステップは、均一なスパッターリング性能のために最適のプロファイルであると考えられる必要な前駆スパッターリングターゲット形状を与えることである。“スパッターリングターゲット形状”という言葉は、最適化する必要があると考えられる既存のターゲットまたは標準構造を有する既存のターゲットばかりでなく、コンピュータ生成または数学的導出プロファイルまたは形状をも含むと解釈すべきである。前駆スパッターリングターゲット形状は、たとえば、既存のスパッターリングターゲットの検査から得ることができるが、あるいはそのようなプロファイルは、試行錯誤によって決定された最適プロファイルを有する複数のスパッターリングターゲットサンプルを実際にスパッターすることによって決定することができる。前駆スパッターリングターゲット形状が得られたならば、侵食トラックの位置を決定することができる。
【0040】
本発明の一つの側面によれば、必要な前駆スパッターリングターゲット形状を、スパッターリング面に沿ういくつかの半径方向位置で磁場の強さを測定することにより、またこれらの半径方向位置の上方の複数の垂直寸法において同じ磁場の強さを測定することにより、得ることができる。侵食トラックをこれらの測定値に関係づけることができる。
【0041】
必要な前駆スパッターリングターゲット形状が得られたならば、磁場の強さの測定を、前駆スパッターリングターゲットプロファイルのスパッターリング面に沿って、いくつかの異なる半径方向位置RLにおいて、実施する。マグネトロンアセンブリの回転により、侵食トラック位置にあるターゲット面上の半径方向の点に関して、時間平均磁場の強さが得られる。
【0042】
次に、侵食トラックに対応するこれらの半径方向位置において測定された磁場の強さの比すなわちOETGS/IETGSの最適範囲を決定する。この比の最適範囲は、もちろん、スパッターリングシステムごとに異なる。ここで調べた特定のEndura(登録商標)システムの場合、外側侵食トラックと内側侵食トラックとの磁場の強さの比は、約1.00〜1.20:1の程度とすべきであることを見出した。このシステムの場合、外側侵食トラックと内側侵食トラックとの好ましい磁場の強さの比は、1.095:1である。
【0043】
次に、磁場の強さのデータ点を、侵食トラックE−1およびE−2上の異なる半径方向位置RL上方のいくつかの垂直寸法に関して得る。これらのデータ点を、VE−1およびVE−2で表す。
【0044】
次に、これらのデータは、すべて、記憶媒体たとえばコンピュータ、グラフ用紙、あるいはその他に記録することができる。データ点は、たとえば、一つの軸が磁場の強さを表し、他の軸が、そのような磁場の強さが測定された垂直高さ寸法VE−1およびVE−2を示すグラフにプロットすることができる。
【0045】
次に、侵食トラックの一つに配置されるスパッターリング材料の垂直寸法の必要な増大量が決定される。次に、そのような増大させた垂直寸法における磁場の強さを決定し、さらに他の侵食トラックの磁場の強さを、侵食トラック位置RE−1およびRE−2における磁場の強さの比の最適範囲を用いて、決定する。この値が得られたならば、作業者は、他の侵食トラックに付加あるいは追加すべきスパッターリング材料の垂直寸法または高さの必要な増大量を決定することができる。各侵食トラックにおける垂直増大量の決定後、もちろん、これらの寸法に従ってスパッターターゲットを製造することができる。
【0046】
図5には、先行技術または標準ターゲット/バッキングプレートアセンブリを示す。このアセンブリのターゲットの厚さは本発明によって最適増大させることができ、また侵食トラックの高さは前記の磁場の強さの比の方法によって最適に釣り合わせることができる。これらすべてにより、図1に示すタイプの、長寿命の、均一スパッターリングターゲットが得られる。
【0047】
先行技術のアセンブリは、バッキングプレート上に接合した異種張り合わせ(distinct)ターゲット構造とすることができ、あるいはこのアセンブリは一体式のものとすることができる。図に示すように、この先行技術のアセンブリは、バッキングプレート114上に接合されたターゲット112から成る。通常のやり方の場合、バッキングプレートの下面115は冷却剤一般に水との熱交換接触に適するようにしてある。
【0048】
注意すべきことは、図1に示すターゲットの場合、ターゲットの上面117またはスパッターリング面に沿ってくぼみまたは凹部が形成されていないということである。このターゲットには、主として、表面115の下の特別設計の磁石配列の回転により、二つの明瞭な環状侵食トラック202、204が形成される。
【0049】
図1のアセンブリの全高(h)は、バッキングプレート(およびそれに付随する取り付けフランジ130)とターゲットとで、4.8cm(1.9インチ)である。ターゲットだけの厚さ(すなわち、バッキングプレートからスパッターリング面の頂部までの垂直距離)は、1.96cm(0.772インチ)であり、したがってバッキングプレートは高さ2.87cm(1.128インチ)を有する。
【0050】
本発明により、図1のアセンブリとの関連で、全高5.49cm(2.16インチ)を有する効率的なターゲット/バッキングプレートアセンブリを作った。ここで、ターゲットの厚さ(ターゲット/バッキングプレート界面32からテラス40表面の頂部まで)は、2.62cm(1.032インチ)である。バッキングプレートの厚さは、標準ターゲットの場合と同じで、2.87cm(1.128インチ)である。したがって、この場合、図1に示す本発明の特定実施形態と標準ターゲットすなわち図5のターゲットとのターゲット厚の違いは、6.6mm(0.26インチ)である。
【0051】
次に、前記の方法を使用して、内側侵食トラックに必要な厚さを計算した(図2に参照)。この方法により、くぼみの深さ1.25mmが算出されたので、このくぼみを、ターゲット面に機械加工してくぼみまたは凹部42を作った。
【0052】
図1と5に示すターゲットはどちらも直径39.7cm(15.620インチ)を有し、それぞれのターゲットのスパッターリング面は直径31.5cm(12.394インチ)を有する。
【0053】
前記のように、本発明によるスパッターターゲットは、標準厚さ1.96cm(0.772インチ)よりも大きな厚さを有する。さらに、本発明によるこれらのターゲットは、前記のように、時間平均磁場の強さの比RE−1:RE−2=約1.00〜約1.20:1を有することを特徴とする。詳しく言えば、前記例で説明したように、Endura(登録商標)スパッターリングシステムでの使用に適するターゲットの場合、比RE−1:RE−2=1.095:1が好ましい。
【0054】
図1に戻ると、この実施形態のターゲットのテラス領域の厚さは、約2.62cm(1.032インチ)であり、示されているターゲットの凹部42の厚さは、約2.47cm(0.972インチ)である。したがって、この凹部はテラスから0.15cm(0.060インチ)だけくぼんでいる。しかし、作業者は、凹部表面がテラスから、約0.10〜0.19cm(0.04〜0.075インチ)の寸法だけ、より好ましくは前記方法に従って約0.13〜約0.15cm(約0.05〜約0.06インチ)の寸法だけくぼむことができる、と考えることができる。
【0055】
バッキングプレートとターゲットとから成るアセンブリ全体または一体式アセンブリの厚さは、本発明によれば、約4.8cm(1.9インチ)よりも大きく、
該ターゲット上に配置される侵食トラックE−1とE−2は、時間平均磁場の強さの比RE−1:RE−2=約1.00〜約1.20:1を示す。
【0056】
上で説明したターゲットの形は、本発明の好ましい実施形態を示すが、本発明はこの実施形態に細部にわたってまで限定されるものではなく、特許請求の範囲で定める本発明の範囲を逸脱することなく、変更を加えることができる、と理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明によって設計できる、2侵食トラックターゲット/バッキングプレートアセンブリの断面図である。
【図2】
時間積分した磁場の強さと、標準ターゲットプロファイルに対する、ターゲット材料の垂直距離または高さの増大量との関係を示すグラフである。
【図3】
実施形態において述べる方法によって計算した侵食プロファイルである。
【図4】
本発明によって設計し、製造した厚さ増大ターゲットに関する、スパッターリング均一性と増大したスパッターエネルギー寿命(kWh単位)とを示すスパッターリング均一性データのグラフである。
【図5】
先行技術の2侵食トラックターゲット/バッキングプレートアセンブリの断面図である。
【符号の説明】
12 ターゲット
14 バッキングプレート
20 側壁
22 スパッターリング面
30 厚い領域
32 ターゲット/バッキングプレート界面
40 テラス領域
42 凹部
50 外壁
52 内壁
102 外側侵食トラック
104 内側侵食トラック
112 ターゲット
114 バッキングプレート
115 114の下面
117 112の上面
130 取り付けフランジ
202、204 環状侵食トラック
Claims (21)
- マグネトロンスパッターリングターゲットにおける複数の侵食トラックの必要な厚さを決定する方法であって、
a)特定のスパッターリング面を有する必要なスパッターリングターゲット前駆形状を用意して、その上の前記侵食トラックE−1およびE−2の位置を決定し、
b)前記スパッターリングターゲット前駆形状のスパッターリング面に沿う、半径方向のいくつかの位置RLにおける磁場の強さを決定し、また前記侵食トラック上の点に関して時間平均の磁場の強さRE−1およびRE−2を決定し、
c)前記(b)で決定した前記磁場の強さRE−1とRE−2の比の最適範囲を決定し、
d)前記侵食トラックE1およびE2の上方の垂直寸法Vのところで磁場の強さを決定して、データ点VE1およびVE2を生成させ、
e)前記垂直寸法における磁場の強さVE1およびVE2を記録し、
f)前記侵食トラックの一つE1またはE2における、スパッターリング材料の垂直寸法の必要な増大量を決定し、
g)前記侵食トラックの他の一つにおける、前記スパッターリング面に付加すべきスパッターリング材料の必要な垂直高さを決定する、
ことから成ることを特徴とする方法。 - 前記ステップe)が複数の垂直寸法における磁場の強さを示すグラフをプロットすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップe)が前記垂直寸法における前記磁場の強さに関するデータVE1およびVE2を記憶媒体に記録することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記記憶媒体がコンピュータから成ることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記ステップa)が、前記 スパッターリングターゲット前駆形状として使用されるサンプルスパッターリングターゲットを用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップa)が、前記ターゲットのスパッターリング面に沿う複数の半径方向位置、およびターゲット面の上方の複数の垂直寸法において、サンプルスパッターリングターゲットの上方の磁場の強さを測定することにより、前記スパッターリングターゲット前駆形状を決定することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップg)が、前記ステップc)で決定された前記比の最適範囲を使用して、前記他の一つの侵食トラックにおける必要な磁場の強さを計算することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 侵食トラックにおける前記磁場の強さRE−1とRE−2の前記比の最適範囲が、RE−1:RE−2=約1.00〜1.200:1であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記磁場の強さの比RE−1:RE−2が、約1.095:1であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記マグネトロンスパッターリングターゲットが多数の侵食トラックを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 請求項1に述べたステップにしたがって製造されることを特徴とするスパッターターゲット。
- スパッターターゲットであって、
スパッターリング面を有し、該面上に侵食トラックE−1およびE−2が配置されており、
スパッターターゲット厚さhを有し、h>1.96cm(0.772インチ)であり、
前記侵食トラックE−1上の点において、時間平均の磁場の強さRE−1を有し、前記侵食トラックE−2上の点において、時間平均の磁場の強さRE−2を有し、RE−1:RE−2が約1.00〜約1.20:1であるようになっている、
ことを特徴とするスパッターターゲット。 - RE−1:RE−2が約1.095:1であることを特徴とする請求項12に記載のスパッターターゲット。
- 前記E−1とE−2がそれぞれ厚さTE−1とTE−2を有し、このとき、TE−1が約2.62cm(1.032インチ)であり、TE−2が約2.50cm(0.972インチ)であることを特徴とする請求項12に記載のスパッターターゲット。
- スパッターリング面を有する大体切頭円錐形の本体から成り、前記スパッターリング面が凹部を包囲する厚くなった環状テラス領域を有し、前記凹部が前記テラスから約0.10〜0.19cm(0.04〜0.075インチ)だけくぼんだ面を有することを特徴とするスパッターターゲット。
- 前記凹部の面が前記テラスから約0.13〜約0.15cm(約0.05〜約0.06インチ)だけくぼんでいることを特徴とする請求項15に記載のスパッターターゲット。
- 前記テラスが約1.96cm(0.772インチ)よりも大きな厚さを有することを特徴とする請求項15または16に記載のスパッターターゲット。
- 前記スパッターリング面が、前記テラス上の点における時間平均の磁場の強さRE−1と前記凹部上の点における時間平均の磁場の強さRE−2とを有し、RE−1:RE−2が約1.00〜1.20:1となることを特徴とする請求項15または16に記載のスパッターターゲット。
- RE−1:RE−2が約1.095:1であることを特徴とする請求項18に記載のスパッターターゲット。
- スパッターターゲットアセンブリであって、
スパッターリング面と、該面の反対側にある、熱交換媒体との接触に適したバッキングプレート面とを有し、また約4.8cm(1.9インチ)よりも大きな厚さを有し、
前記スパッターリング面が該面上に配置された侵食トラックE−1とE−2とを有し、
前記ターゲットが前記侵食トラックE−1上の点における時間平均の磁場の強さRE−1と前記侵食トラックE−2上の点における時間平均の磁場の強さRE−2とを有し、RE−1:RE−2が約1.00〜1.20:1となる、
ことを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。 - RE−1:RE−2が約1.095:1であることを特徴とする請求項20に記載のスパッターターゲット。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28618201P | 2001-04-24 | 2001-04-24 | |
US29635401P | 2001-06-06 | 2001-06-06 | |
US30001901P | 2001-06-21 | 2001-06-21 | |
US32884701P | 2001-10-11 | 2001-10-11 | |
PCT/US2002/004819 WO2002086186A1 (en) | 2001-04-24 | 2002-02-20 | Target and method of optimizing target profile |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004520489A true JP2004520489A (ja) | 2004-07-08 |
JP2004520489A5 JP2004520489A5 (ja) | 2005-12-22 |
JP4209198B2 JP4209198B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=27501421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002583696A Expired - Fee Related JP4209198B2 (ja) | 2001-04-24 | 2002-02-20 | ターゲット、およびターゲットプロファイルを最適化する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6872284B2 (ja) |
EP (1) | EP1381708B1 (ja) |
JP (1) | JP4209198B2 (ja) |
KR (1) | KR100855512B1 (ja) |
DE (1) | DE60236264D1 (ja) |
TW (1) | TWI224626B (ja) |
WO (1) | WO2002086186A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100392146C (zh) * | 2004-08-27 | 2008-06-04 | 茂德科技股份有限公司 | 物理气相沉积工艺及其设备 |
KR20200106146A (ko) * | 2017-03-29 | 2020-09-11 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7297247B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
US7431195B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-10-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US20060021870A1 (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Profile detection and refurbishment of deposition targets |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
US20060268284A1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-11-30 | Zhiguo Zhang | Method and apparatus for surface roughness measurement |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) * | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8647484B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
DE602005015348D1 (de) * | 2005-12-23 | 2009-08-20 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Targetanordnung zum Einbauen/Ausbauen und Herstellungsmethode |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
US20080067058A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Stimson Bradley O | Monolithic target for flat panel application |
US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
EP4119579A1 (en) | 2007-05-31 | 2023-01-18 | Genmab A/S | Stable igg4 antibodies |
US8968536B2 (en) * | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
US7901552B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
JP5676429B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2015-02-25 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | Dcマグネトロンスパッタリングシステムの設計および使用 |
WO2010051040A1 (en) * | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Tosoh Smd, Inc. | Method of making a sputter target and sputter targets made thereby |
US8968537B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | PVD sputtering target with a protected backing plate |
US8685214B1 (en) | 2011-09-30 | 2014-04-01 | WD Media, LLC | Magnetic shunting pads for optimizing target erosion in sputtering processes |
TWI605142B (zh) * | 2013-01-04 | 2017-11-11 | 塔沙Smd公司 | 具有增進的表面輪廓和改善的性能的矽濺射靶及製造其之方法 |
US11532468B2 (en) | 2014-01-21 | 2022-12-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Sputtering target |
WO2015178968A1 (en) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Seagate Technology Llc | Contoured target for sputtering |
KR102332893B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2021-12-01 | 엘티메탈 주식회사 | 원소재 저감을 위한 이종금속 접합형 귀금속 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 귀금속 스퍼터링 타겟 |
KR102263238B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2021-06-10 | 엘티메탈 주식회사 | 스퍼터링 타겟용 소결체, 이를 포함하는 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 |
ES2584961B1 (es) * | 2015-03-31 | 2017-07-04 | Advanced Nanotechnologies, S.L. | Elemento fungible para bombardeo con partículas y procedimiento de determinación de grabado de dicho elemento |
US11244815B2 (en) * | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
US11621212B2 (en) * | 2019-12-19 | 2023-04-04 | International Business Machines Corporation | Backing plate with manufactured features on top surface |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD239807A1 (de) | 1985-07-31 | 1986-10-08 | Ardenne Forschungsinst | Target zum hochratezerstaeuben |
US4995958A (en) | 1989-05-22 | 1991-02-26 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile |
US5252194A (en) | 1990-01-26 | 1993-10-12 | Varian Associates, Inc. | Rotating sputtering apparatus for selected erosion |
US5314597A (en) * | 1992-03-20 | 1994-05-24 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile |
US5248402A (en) | 1992-07-29 | 1993-09-28 | Cvc Products, Inc. | Apple-shaped magnetron for sputtering system |
US5863399A (en) * | 1996-04-13 | 1999-01-26 | Singulus Technologies Gmbh | Device for cathode sputtering |
US5830327A (en) | 1996-10-02 | 1998-11-03 | Intevac, Inc. | Methods and apparatus for sputtering with rotating magnet sputter sources |
US6258217B1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-07-10 | Plasma-Therm, Inc. | Rotating magnet array and sputter source |
US6299740B1 (en) | 2000-01-19 | 2001-10-09 | Veeco Instrument, Inc. | Sputtering assembly and target therefor |
-
2002
- 2002-02-20 DE DE60236264T patent/DE60236264D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-20 JP JP2002583696A patent/JP4209198B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-20 US US10/312,050 patent/US6872284B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-20 TW TW091102878A patent/TWI224626B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-20 WO PCT/US2002/004819 patent/WO2002086186A1/en active Application Filing
- 2002-02-20 EP EP02707811A patent/EP1381708B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-20 KR KR1020027017528A patent/KR100855512B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100392146C (zh) * | 2004-08-27 | 2008-06-04 | 茂德科技股份有限公司 | 物理气相沉积工艺及其设备 |
KR20200106146A (ko) * | 2017-03-29 | 2020-09-11 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
KR102338193B1 (ko) | 2017-03-29 | 2021-12-10 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1381708B1 (en) | 2010-05-05 |
TWI224626B (en) | 2004-12-01 |
US20030183506A1 (en) | 2003-10-02 |
JP4209198B2 (ja) | 2009-01-14 |
EP1381708A4 (en) | 2008-03-05 |
KR100855512B1 (ko) | 2008-09-02 |
KR20030017557A (ko) | 2003-03-03 |
US6872284B2 (en) | 2005-03-29 |
WO2002086186A1 (en) | 2002-10-31 |
DE60236264D1 (de) | 2010-06-17 |
EP1381708A1 (en) | 2004-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4209198B2 (ja) | ターゲット、およびターゲットプロファイルを最適化する方法 | |
US5830327A (en) | Methods and apparatus for sputtering with rotating magnet sputter sources | |
US4500409A (en) | Magnetron sputter coating source for both magnetic and non magnetic target materials | |
US5685959A (en) | Cathode assembly having rotating magnetic-field shunt and method of making magnetic recording media | |
EP0365249A2 (en) | Method and apparatus for sputtering | |
TW573043B (en) | Ring-type sputtering target | |
CN105008582A (zh) | 具有增强的表面轮廓和改善的性能的硅溅射靶及其制造方法 | |
JPH06108241A (ja) | スパッタリング装置 | |
Quentmeier | Role of depth resolution in quantitative glow discharge optical emission spectrometry depth analysis | |
US6569294B1 (en) | Sputtering target assembly and method for depositing a thickness gradient layer with narrow transition zone | |
US6468405B1 (en) | Sputtering target assembly and method for depositing a thickness gradient layer with narrow transition zone | |
JPH0251980B2 (ja) | ||
Swann | Spatial distribution of sputtered atoms from magnetron source | |
US6090246A (en) | Methods and apparatus for detecting reflected neutrals in a sputtering process | |
US11114288B2 (en) | Physical vapor deposition apparatus | |
Luesaiwong et al. | Depth-resolved analysis of Ni–P plated aluminium hard disks by radiofrequency glow discharge optical emission spectroscopy (rf-GD-OES) | |
EP0058560B1 (en) | Sputtering apparatus | |
Hong et al. | A simulation model for thickness profile of the film deposited using planar circular type magnetron sputtering sources | |
RU2210620C1 (ru) | Способ ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий, мозаичная мишень для его осуществления и способ изготовления мишени | |
Kay | Structural and magnetic properties of sputtered NiFe films grown in a dc discharge environment | |
UCHIDA et al. | Fabrication Method of High Performance Perpendicular Rigid Disk with PE (Plasma Enclosed) Target | |
JPS63259838A (ja) | 磁性薄膜記録媒体の製造方法および製造装置 | |
JPH03130925A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041025 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080319 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080903 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |