KR100855512B1 - 타겟과 타겟 프로파일의 최적화 방법 - Google Patents

타겟과 타겟 프로파일의 최적화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100855512B1
KR100855512B1 KR1020027017528A KR20027017528A KR100855512B1 KR 100855512 B1 KR100855512 B1 KR 100855512B1 KR 1020027017528 A KR1020027017528 A KR 1020027017528A KR 20027017528 A KR20027017528 A KR 20027017528A KR 100855512 B1 KR100855512 B1 KR 100855512B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
magnetic field
sputtering
corrosion
field strength
Prior art date
Application number
KR1020027017528A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030017557A (ko
Inventor
유진와이. 이바노브
데이비드비. 스마더스
차일스이.쥬니어 위커샴
린 주
Original Assignee
토소우 에스엠디, 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토소우 에스엠디, 인크 filed Critical 토소우 에스엠디, 인크
Publication of KR20030017557A publication Critical patent/KR20030017557A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100855512B1 publication Critical patent/KR100855512B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3476—Testing and control
    • H01J37/3482—Detecting or avoiding eroding through
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets

Abstract

본 발명은 수명이 증가한 스퍼터 타겟들을 구성하는 방법 및 이 방법에 의해서 제조된 타겟들에 관한 것이다. 본 방법은 프리커서 타겟 디자인 또는 프로파일로써 개시되는 단계와 표면 위의 복수의 수직 치수들에서 그리고 동일한 반경방향 표면을 따라서 자기장 강도를 측정하는 단계를 포함한다. 최적의 자기장 강도 비율이 타겟의 부식 트랙들 사이에 제공된다. 부식 트랙들 중 하나에 부가된 재료의 수직 치수가 결정되고 그다음 상기 최적의 자기장 강도 비율을 사용함으로써 다른 부식 트랙의 높이가 계산된다.
Figure R1020027017528
스퍼터 타겟, 부식 트랙, 자기장 강도, 최적화 방법

Description

타겟과 타겟 프로파일의 최적화 방법{Target and method of optimizing target profile}
상업상의 물리적 증기 증착(PVD) 시스템에서, 스퍼터링 타겟의 수명은 일반적으로 본래 설비 제조업자(OEM)에 의해서 설계된다. 일반적으로 스퍼터링 파워 X 스퍼터링 시간(kWh) 또는 기판들 상에 증착된 재료의 전체 두께(㎛, 또는 1㎛ 증착의 수)의 규정된 상기 수명은 스퍼터링 타겟 재료, 타겟 기하학적 형상과 음극(cathode) 자석 디자인에 의해서 주로 결정된다. 스퍼터링 음극 조립체는 주어진 설계에 대한 증착 균일성과 같은 성능 변수에 대하여 최적화된다.
타겟 균일성 성능은 스퍼터링 동안 타겟의 부식 프로파일들, 타겟 결정학적 직물, 기판 대 타겟 거리, 증착 프로세스 동안의 가스 산란 요소 등의 3가지 요소들에 의해서 주로 결정된다. 부식 프로파일은 증착 균일성을 결정할 때 가장 중요한 요소이다. 주어진 PVD 시스템에 대해서 거의 변하지 않은 상태로 있다.
PVD 프로세스에서, 플라즈마의 클라우드(cloud)가 스퍼터링 타겟의 전방에 존재한다. 이 플라즈마는 스퍼터링 타겟 뒤의 자석으로부터의 자기장에 의해서 유지된다. 플라즈마의 밀도, 및 타겟의 스퍼터링 속도는 타겟면에서의 자기장 강도와 연관된다. 전자기 이론은 자기장의 수직 성분이 0이고 자기장의 수평 성분이 최대일 때, 최대 스퍼터링 속도가 발생한다는 것을 가리킨다. 하기 용어에서, "자기장(magnetic field)"은 다르게 표시하지 않는다면 수직 자기장이 0 부근에 있을 때, 자기장의 수평 성분을 가리킨다.
진보한 마그네트론 PVD 디자인에서, 음극 자석은 일반적으로 더 균일한 성능을 제공하기 위해 타겟 중심 축선 주위에서 회전하는 작은 자석들의 어레이로 구성된다. 타겟면 상의 상이한 위치들에서, 자석들의 회전 당 자기장의 평균 잔류 시간 및 자기장 강도는 변화한다. 상기 변화들은 모두 타겟면 상의 상이한 위치들에서의 상이한 스퍼터링 속도들의 존재 및 그에 따른 타겟 스퍼터링 프로파일(스퍼터링 홈들)의 존재에 기여한다. 본 발명자는 시간 평균 자기장 강도(T-B-자기장)로써 일 회전 내의 자기장 강도의 시간 적분(integration)을 규정한다. 상업적인 PVD 시스템에 있어서, OEM은 일반적으로 필요한 T-B-자기장을 형성하기 위해 음극 자석 조립체의 구성을 설계한다. 이것은 최적의 증착 균일성 성능을 달성하기에 적합한 필요한 타겟면 부식 프로파일을 교대로 생성한다. 필요한 자석 구성 및 타겟 부식 프로파일들을 결정하기 위한 방법은 미국 특허 제4,995,958호; 제5,314,597호; 제5,248,402호; 제5, 830,327호 및 제5,252,194호에 기재되어 있다.
더 긴 타겟 이용 수명을 필요한 상황이 있다. 이것을 달성하기 위해 시도하는 가장 단순한 방식은 스퍼터링 타겟의 두께를 증가시키는 것이다. 그러나, 음극 조립체가 설계된 두께에 대해서 최적화되어 있으므로, 두께의 증가는 증착 균일성 악화를 초래한다. 최근 시험에서, 타겟 두께의 13% 증가는 1 σ에서 0.7% 내지 1.18%의 타겟 증착 균일성의 변화를 초래한다. 박막 저항성 콘투어 맵[contour map(Omni-map)]은 타겟의 외부 에지와 비교할 때 작은 재료가 타겟의 중심으로부터 스퍼터된다는 것, 즉 스퍼터된 박막이 웨이퍼 에지에서 보다도 웨이퍼 중심에서 더 얇아졌다는 것을 보여준다. 본 발명가들은 이러한 변화가 타겟 두께가 증가되었을 때, 중심에서 그리고 에지에서 T-B-자기장이 더 이상 적당한 비율을 유지하지 않는다는 사실에 기인한다는 것을 발견하였다. 증착 균일성 성능을 유지하기 위하여, 본 발명자는 국부적인 T-B-자기장을 적당한 비율로 복귀시키기 위하여 다른 부식 홈 위치들에서의 타겟 두께가 변화되어야 한다는 사실을 발견하였다.
하기의 방법은 타겟 균일성 성능을 유지하면서 타겟 수명을 연장하는 목표를 달성하기 위하여, 두께가 증가한 타겟의 적당한 프로파일(형상)을 발견하는 방법을 설명한다. 어떤 주어진 스퍼터링 타겟 구성에 대한, 본 방법은 하기 단계들을 포함한다:
(가) 기존의 타겟 스퍼터링 프로파일을 측정하고 최대 부식 홈 위치들을 결정하는 단계.
(나) 타겟면의 상이한 반경방향 위치들에서 수직 및 수평 자기장 강도를 측정하는 단계. 자기 조립체가 회전하면, 이러한 측정은 동적으로 수행되어야 한다. 이것은 타겟면의 임의의 위치에서 3개의 상이한 또는 직교 방향들에서 자기장 강도를 동시에 측정하기 위하여, 둘 또는 셋의 B-자기장 프로브들을 사용함으로써 달성될 수 있다. B-자기장 프로브들의 측정 결과는 디지털 오실로스코프에 전송될 수 있고, 상이한 방향들의 동적 자기장 강도의 측정 결과는 타겟면의 임의의 위치에서 계산될 수 있다. 타겟면 상의 상이한 반경방향 위치들에서 추가 측정이 행해진다.
(다) 타겟면 위의 상이한 높이들에서 (나) 단계와 동일한 측정을 지속하는 단계. 이 측정들은 타겟 두께의 의도한 증가량과 동일한 높이를 초과해야 한다.
(라) 타겟면 위의 상이한 높이들에서 반경방향 위치들에 대한 T-B-자기장의 그래프를 기록하거나 또는 플로팅하는 단계.(이 단계는 컴퓨터 또는 다른 기억 수단에 의해 달성될 수 있다.)
(마) 타겟면 레벨에서의 가장 깊은 홈의 위치에 대한 각 부식 홈 위치에서의 T-B- 자기장의 비율을 결정하는 단계.
(바) 증가한 타겟 두께 레벨과 동일한 높이에서 가장 깊은 홈의 위치에 대한 각 부식 홈에서의 T-B-자기장의 비율을 결정하는 단계.
(사) (바) 단계의 비율이 (마) 단계의 비율에 정합하도록 각 홈 위치에서 필요한 높이의 변화량을 결정하는 단계.
(사) 단계에서 얻어진 각 홈의 국부적인 높이와 폭의 차이에서, 연장된 수명의 타겟 프로파일이 설계될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면 및 나머지 설명과 함께 기술된다.
도 1은 본 발명에 따라 설계될 수 있는 이중 부식 트랙 타겟/백킹 플레이트 조립체의 단면도.
도 2는 표준 타겟 프로파일과 비교하여 타겟 재료의 증가한 수직 거리 또는 증가한 높이에 대한 시간 적분한 자기장 강도를 도시하는 그래프.
도 3은 상세한 설명에 기술되는 실예에 기재된 방법들에 의해서 계산된 부식 프로파일.
도 4는 본 발명에 따라 설계되어 제조된 증가된 두께의 타겟들에 대한 스퍼터링 균일성과 증가된 스퍼터 에너지 수명(kWh-단위)을 도시하는 스퍼터링 균일성 데이터 그래프.
도 5는 종래 기술의 이중 부식 트랙 타겟/백킹 플레이트 조립체의 횡단면도.
도 1에는, 스퍼터링 성능에 악영향을 미치지 않고 스퍼터링 수명을 증가시키기 위해, 큰 타겟 두께를 얻을 수 있는 본 방법에 의해서 향상될 수 있는 예시적인 타겟이 도시되어 있다. 도시된 특정 타겟은 타입 "B" ENDURA® 스퍼터링 시스템을 위해 적합하다.
타겟(12)은, 예를 들어, Al을 함유하고, 백킹 플레이트(14)는 Al 또는 Cu를 함유한다. 이들 금속들의 합금은 예시적인 재료로써 주목할 수 있다. 더욱 양호하게는, 타겟(12)은 공통적으로 양도된 PCT 국제 출원 WO 00/15863호의 공보에 따라서 백킹 플레이트(14)에 접착되며, 상기 공보는 2000년 12월 21일자로 출원된 미국 특허 출원 제09/720,347호에 대응하며, 그 내용을 본원에서 참조 했다.
적합한 타겟(12)은 일반적으로 절두 원추형상이고 평면이 원형이며 스퍼터링 면(22)의 방향으로 일반적으로 선형 방식으로 수축하는 측벽들(20)을 구비한다. 횡단면에서, 적합한 타겟(12)과 백킹 플레이트(14)는 전체적으로 절두체의 구성을 가지며, 백킹 플레이트(14)는 원추형의 베이스로써 작용하고 타겟 측벽들(20)은 원추형의 중간 위치로써 작용하므로, 이 측벽들(20)은 이 측벽(20)이 스퍼터링 면(22)을 지나서 연장할 때에 원추형의 정점에 접근한다.
두꺼운 영역 또는 원형 보스(boss; 30)는 타겟/백킹 플레이트 인터페이스(32)를 따라 형성된다. 상기 두꺼운 영역(30)은 부식 트랙 연장부 등으로 작용함으로써 타겟 수명을 증가시키도록 작용한다. 도시한 실시예에서, 두꺼운 영역(30)의 래디얼(radial; 반경방향) 치수는 양호하게는 약 7,74cm(3.047인치)이고, 깊이는 양호하게는, 약 1.3mm(0.050인치)이다.
스퍼터링 면(22)은 타겟(12)의 더 얇은 중심 영역을 한정하는 얕은 웰(well;42)을 둘러싸는 증가한 타겟 두께의 외부 계단식 또는 상승형 테라스(terrace) 영역(40)을 포함한다. 테라스(40)는 외벽(50)과 내벽(52)을 포함한다. 내벽(52)은 도시한 특정 실시예에서 웰로부터 테라스의 외면(54) 또는 플래토우(plateau)를 향하여 약 13.5도의 각도로 경사진다. 내벽(52)은 약 6.4mm(0.25인치)의 길이 또는 반경방향 치수를 갖는다. 도시된 바와 같이, 테라스(40)의 표면은 웰의 표면에서부터 약 1.5mm(0.060") 만큼 상승한다. 테라스(40)는 높은 부식을 기대할 수 있는 스퍼터링 면(22)의 영역에서 추가 재료 두께를 제공한다.
도 1에 도시된 타겟은 이중 부식 트랙 타겟으로써 공지되어 있으며, 이 타겟은 외부 부식 트랙(102)과 도 1에 가상으로 도시된(도 3에 도시된 프로파일에서 보아) 내부 부식 트랙(104)을 포함하며, 상기 트랙은 일반적으로 타겟 주위의 환형부에 놓여진다. 도 1에 도시된 바와 같이, 외부 부식 트랙은 타겟의 두꺼운 영역(30)의 바닥부와 테라스(40)의 정상면 사이의 수직 거리로 규정되고, 내부 부식 트랙은 웰(42)에 의해서 외접된 타겟 영역에 수용되고 타겟의 바닥부에서 웰의 정상부까지 측정된 수직 거리를 갖는다.
일반적으로, 본 발명의 방법은 부식 트랙 높이의 최적 증가를 제공함으로써, 타겟의 향상된 스퍼터링 수명을 타겟에 제공하기 위해 사용될 수 있다.
현재 이용가능한 데이터로부터, 기존의 표준 타겟에 대해 이루어질 수 있는 수직 또는 높이 연장을 제한하는 몇몇 변수들이 있다는 것이 추측된다. 처음에, 효과적인 스퍼터링을 촉진하기 위하여, 시간 평균 자기장 강도는 필요한 플라즈마 구성이 타겟면을 따라서 형성될 수 있도록, 타겟면 영역에서 약 200 가우스(gauss)가 되어야 한다. 또한, 스퍼터링 시스템의 물리적 공간 제한은 타겟의 필요한 높이 증가에 대해 상한값을 제공한다.
마지막으로 가장 중요하게, 증가한 높이 타겟들의 스퍼터링 균일성은 현재 표준 높이 타겟들에 의해서 달성되는 균일성에 대해 1 σ컨피던스(confidence) 레벨과 유사하거나 또는 그 이상이어야 한다. 즉, 1 σ에서 약 1% 보다 작은 균일성이 달성되어야 한다.
본 발명의 원리는 플라즈마 구성이 자기적으로 제어되고 둘 이상의 부식 트랙들을 가지는 타겟 부식 프로파일이 얻어지는 어떤 유형의 PVD 시스템에도 적용할 수 있다는 것을 주목해야 한다. 예를 들어, 어플라이드 매터리얼즈(Applied Materials)로부터 입수가능한 Endura®시스템, 노벨루스(Novellus)로부터 입수가능한 QuantumTM 및 Ulvac®로부터 입수가능한 Ulvac®시스템을 예시적으로 기술할 수 있다.
그런 다음, 본 발명의 목적은 필요한 또는 최적의 스퍼터 트랙 구성과 부식 트랙들에 대한 공지된 수직 높이 치수를 이미 가지는 것으로 추정되는 표준 타겟 또는 예상되는 타겟 프로파일을 취하는 것이다. 프리커서(precursor; 전구체) 프로파일로부터, 본 발명자는 스퍼터 성능을 감소시키지 않고 타겟을 더 두껍게 제조하기 위해 부식 트랙들의 높이를 자신있게 증가시킬 수 있다.
도 2에는, 외부 부식 트랙과 내부 부식 트랙에 대응하는 반경방향 위치에서 표준 타겟 위의 수직 공간에 대한 가우스-초(Gauss-sec) 단위로 B-자기장 시간 적분(T-B-Field)을 플롯하는 그래프가 도시되어 있다. 0mm로 지정된 표준 타겟에 대해 의도적으로 최적화된 타겟의 외부 부식 트랙에서 측정된 자기장 강도는 1030 가우스-초이고, 내부 부식 트랙에서의 자기장 강도는 940 가우스-초이다.
그러므로, 본 발명에 따르면, 대략 일정한 비율로서, 외부 부식 트랙 자기장 밀도(OETGS)/내부 부식 트랙 자기장 밀도(IETGS)의 상기 비율 즉, (OETGS):(IETGS)을 유지하는 것이 바람직하다.
여기서, 시험된 특정 시스템에 대해서, 가장 적합한 OETGS/IETGS 비율은 1.095이다. 이것은 OETGS와 IETGS 값들을 x = 0에서 y-축을 따라 비교함으로써 알 수 있다. 따라서, 상기 특정 시스템에 대한 OETGS/IETGS 비율을 위한 적합한 범위는 약 1.00 내지 1.20 : 1이다.
만약, 작업자가 외부 부식 트랙 영역의 두께를 6.60mm 만큼 증가시키기를 원한다면, 도 2로부터 예상된 OETGS는 817 가우스-초이다. 만약, 1.095의 최적의 OETGS/IETGS 비율이 유지된다면, IETGS는 746 가우스-초가 되어야 한다. 이것은 내부 부식 트랙의 높이가 두 부식 트랙들 사이에 1.25mm 거리를 남겨두면서 5.35mm 만큼 증가되어야 한다는 것을 의미한다. 이것은 도 1에 도시된 테라스(40)의 높이와 웰(42)의 높이 사이의 1.25mm 차이에 대응한다.
다르게 설명하면, 도 1에 도시된 두 홈 타겟에 대하여, 내부 및 외부 홈 위치들에서의 T-B-자기장은 상이한 높이에서 측정된다. 타겟 두께의 6.60mm의 필요한 증가에 대해서, 1.3mm(0.05") 깊이 포켓은 표준 타겟에서 또는 의도한 최적 프로파일 구성에서 동일한 T-B-자기장 비율을 유지하기 위하여, 내부 홈의 위치에서 절단되어야 한다. 이러한 증가된 높이 타겟은 Endura® 스퍼터링 시스템에서 시험되어서 스퍼터 수명이 100% 증가하는 결과가 얻어졌으며 표준 타겟에 의해 동일한 증착 균일성이 나타났다. 그 결과들을 도 4에 도시했다.
하기 예들은 필요한 타겟 스퍼터링 프로파링이 발생될 수 있는 한가지 방법을 제시한다. 상기 예는 단지 한가지 방법만을 나타내며, 이 방법에 의해서 필요한 타겟 스퍼터링 프로파일이 발생될 수 있다는 사실을 이해해야 한다. 다른 방법들은 의도적으로 최적의 부식 트랙 치수 및 구성을 가지는 기존의 타겟을 사용하는 공정을 포함한다. 또한, 타겟 구성들의 다양성은 시행 오차에 의해서 최적으로 판단하는 특정 구성이 얻어질 수 있도록 실질적으로 시험 스퍼터링될 수 있다. 이 타겟 디자인은 타겟 재료의 수직 치수 또는 높이를 부식 트랙에서 증가시킴으로써 본 발명에 따라 최적화되는 초기 구성 또는 프리커서 구성이다. 또한, 다양한 수학 공식이 상술한 종래 기술의 미국 특허들에서 설명된 것과 같이 부식 트랙 구성을 예측하기 위하여 사용될 수 있다.
예
(A) QuantumTM 스퍼터링 시스템에서 사용하기에 적합한 타겟은 타겟면을 위로해서 설치된다. 자석은 스퍼터링 공정 동안 회전한다. 두개의 홀-효과 가우스 프로브(Hall-Effect Gauss Probes)는 타겟의 모든 반경방향 위치들을 커버하기 위해 슬라이딩 마이크로미터 상에 설치된다. 다른 마이크로미터는 이러한 연구에 사용된 모두 5개의 높이 위치들을 커버하도록 프로브들의 높이를 조정하는데 사용되었다. 홀-효과 가우스 프로브는 반경방향(R), 접선 방향(T) 및 수직 방향(Z)에서 QuantumTM 소스의 자기장을 측정할 수 있다.
(B) 본 발명가들은 반경방향(R)/접선 방향(T) 및 반경방향(R)/수직 방향(Z)에서 QuantumTM 소스의 동적 자기장 강도를 동시에 측정하기 위해 두개의 가우스 프로브들을 사용하였다. 신호의 저주파수(~1HZ)로 인하여, 두 쌍의 측정은 동기화되지 않았다. 그러나, 하나의 측정에서, 두 채널들은 동기화되었다. 본 발명가들은 타겟면으로부터 30개의 상이한 반경방향 위치들과 5개의 상이한 높이들에서 자기장을 측정하였다. 각 위치에는, 데이터(R, T 및 R, Z)의 4개의 채널이 있으며, 각 채널은 40,000 데이터 포인트를 수용한다. 두개이 채널 파형들 모두는 두 채널 테크트로닉스 오실로스코프(Tektronix Oscilloscope)에 표시되며 동기화된 두 채널 데이터는 PC로 전송된다.
(C) 각 반경방향 위치와 각 높이에 대해서, 기록된 4 채널데이터는 Excel® 스프레드 시트에 입력된다. 그런 다음 데이터는 10 데이터 포인트들 마다를 하나의 데이터 포인트로 단순히 평균화하여 10의 인자로 압축하였다. 전환율(conversion factor)은 각 채널에 대해서 상이한 배율(magnification)을 보상하기 위해 통합되었다. 그런 다음 4개의 채널의 압축된 데이터는 새로운 데이터 세트에 저장된다.
(D) 각각 새로운 데이터 세트에 대해서, 두개의 R 데이터 시리즈는 Excel®로 플롯되고 특정 시간 변동은 각각 두 쌍의 데이터 시리즈에 대해서 결정되었다. 그런 다음 R/Z 데이터 그룹은 R/T 그룹과 함께 통합되도록 정확한 시간 간격 만큼 변동되었다. 지금, R, T 및 Z 시리즈는 모두 동기화되었다. 그런 다음 R과 T 채널 데이터는 벡터 부가되어서 평행한 B-자기장(B-p) 강도를 형성한다. 새로운 파일이 상기 동기화된 B-p 및 Z 데이터 시리즈에 대해서 생성되었다.
(E) 각 B-p 및 Z 시리즈에 대해서, 각 B-자기장 값은 다음과 같이 시간 게이트(time-gate)된다: (1) Z 자기장의 절대값이 설정 변수(이 경우에 150 가우스) 보다 작아야 하고, (2) B-p 값이 다른 설정 변수(이 경우에 50 가우스) 보다 커야 한다. 게이트 B-자기장 강도들은 수직 B-자기장이 0 부근에 있을 때(T-B-자기장), 평행 B-자기장 강도를 위해 상대적 시간-적분 평균을 얻기 위하여 회전 주기 내에서 적분된다.
(F) 제 1 순차 근사에 대해서, 상기 T-B-자기장은 그 위치에서 스퍼터링 속도에 비례해야 한다. 이러한 결과들은 플롯되고 실제 측정된 부식 프로파일에 대해 축적된다. 이 그래프가 도 3에 도시된다. 부호 102, 102는 외부 부식 트랙을 참조하는 것으로 표시하고, 부호 104, 104는 내부 부식 트랙을 표시한다.
본 발명의 방법은 복수의 또는 다중 부식 트랙의 마그네트론 스퍼터링 타겟들의 제조에 사용할 수 있다. 제 1 단계는 균일한 스퍼터링 성능을 위해 최적의 프로파일로 고려되는 것을 갖는 필요한 프리커서 스퍼터링 타겟 구성을 제공하는 것이다. "스퍼터링 타겟 구성"이란 표현은 최적 구성 또는 표준 구성을 갖는 것으로 고려되는 기존의 타겟들 자체만을 커버할 뿐 아니라 컴퓨터 발생된 또는 수학적으로 얻어진 프로파일 또는 구성들도 또한 커버하는 것으로 해석되어야 한다. 프리커서 스퍼터링 타겟 구성은, 예를 들어, 기존의 스퍼터링 타겟의 조사에서 얻어질 수 있거나 또는 상기 프로파일들은 시행 오차에 의해서 결정되는 최적의 프로파일을 갖는 복수의 스퍼터링 타겟 샘플의 실제 스퍼터링을 통해서 결정될 수 있다. 일단, 프리커서 스퍼터링 타겟 구성이 얻어지면, 부식 트랙들의 위치가 결정될 수 있다.
본 발명의 한 형태에 따르면, 스퍼터링 면을 따라 다양한 반경방향 위치에서 자기장 강도를 측정하고 이들 반경방향 위치 위의 복수의 수직 치수들에서 동일한 자기장 강도를 측정함으로써, 필요한 프리커서 스퍼터링 타겟 구성이 얻어진다. 부식 트랙들은 이러한 측정과 상호 연관되어 있다.
일단, 필요한 프리커서 스퍼터링 타겟 구성이 얻어지면, 프리커서 스퍼터링 타겟 프로파일의 스퍼터링 면을 따라 상이한 반경방향 위치들(RL)에서 자기장 강도가 측정된다. 마그네트론 조립체의 회전으로 인해, 시간 평균 자기장 강도가 부식 트랙 위치에 배치된 타겟면 상의 반경방향 포인트들에 대하여 얻어진다.
부식 트랙들에 대응하는 이들 반경방향 위치들에서 측정된 자기장 강도에 대한 최적 비율 범위가 결정된다; 즉, OETGS/IETGS. 상기 최적 비율 범위는 물론 스퍼터링 시스템에서 스퍼터링 시스템으로 변화한다. 본 발명가들은 특정 Endura® 시스템에 대해, 외부 부식 트랙에 대한 내부 부식 트랙 비율은 약 1.00 내지 1.20 : 1 정도로 되어야 한다. 이 시스템에서 외부 부식 트랙에 대한 내부 부식 트랙의 적합한 자기장 강도는 1.095 : 1이다.
자기장 강도 데이터 포인트들은 부식 트랙들(E-1) 및 (E-2) 위에서 상이한 반경방향 위치들(RL) 위에 위치한 상이한 수직 치수들(V)에 대해 얻어진다. 상기 데이터 포인트들은 VE-1 및 VE-2으로 식별된다.
이들 데이터 모두는 컴퓨터 또는 그래프 용지 등과 같은 기억 매체에 기록될 수 있다. 데이터 포인트들은, 예를 들어, 자기장 강도들을 포함하는 그래프의 한 축과 상기 자기장 강도들이 측정된 VE-1 및 VE-2 수직 높이 치수들을 나타내는 다른 축을 갖는 그래프 상에 플롯된다.
그런 다음, 부식 트랙들 중 하나에 위치하는 스퍼터링 재료를 위한 수직 치수에서 필요한 증가량이 결정된다. 이러한 증가된 수직 치수에 대한 자기장 강도가 결정되고, 다른 부식 트랙에 대한 자기장 강도가 부식 트랙 위치들(RE-1 및 RE-2)에 존재하는 자기장 강도들에 대한 최적 비율 범위를 사용하여 결정된다. 일단, 이러한 값이 얻어지면, 작업자는 다른 부식 트랙에 부가되거나 또는 적용되는 스퍼터링 재료에 대한 높이 또는 수직 치수에서 필요한 증가량을 결정할 수 있다. 물론, 부식 트랙들 각각을 위한 수직 연장의 결정 후에, 상기 치수에 따른 스퍼터 타겟이 구성된다.
도 5에는, 종래 기술 또는 표준 타겟/백킹 플레이트 조립체가 도시된다. 상기 조립체에서 타겟의 두께는 본 발명에 따라 최적으로 증가하는 한편, 부식 트랙 높이들은 상술한 자기장 강도 비율 방법의 사용에 의해 최적으로 균형이 이루어 지고, 도 1에 도시된 향상된 수명과 균일한 스퍼터링 타겟이 얻어진다.
종래 기술의 조립체는 백킹 플레이트위에 접착된 구분된 타겟 구조체를 포함하거나 또는 조립체가 단일체일 수 있다. 도시된 바와 같이, 종래 기술의 조립체는 백킹 플레이트(114)위에 접착된 타겟(112)을 포함한다. 종래 방식에서, 백킹 플레이트의 하부측(115)은 냉각 매체, 통상적으로 물과 열교환 접촉하기에 적합하다.
도 1의 타겟에는, 리세스 또는 웰 영역이 정상부(117) 또는 타겟의 스퍼터링 면을 따라 형성되지 않는다. 두 개의 구분된 환형 부식 트랙들(202, 204)은 주로 표면(115) 아래에서 특정하게 설계된 자석 배열의 회전으로 인하여 타겟에 존재한다.
백킹 플레이트[그리고 그와 관련된 설치 플랜지(130)] 및 타겟을 포함하는 도 1의 조립체의 전체 높이(h)는 48.3mm(1.9")이다. 타겟 자체의 두께(즉, 백킹 플레이트에서 스퍼터링 면의 정상부까지의 수직 거리)는 19.6mm(0.772")이고 백킹 플레이트는 28.7mm(1.128")의 높이를 가진다.
본 발명에 따르면, 도 1의 조립체에 대하여, 본 발명가는 54.9mm(2.16")의 전체 높이를 가지는 효과적인 타겟/백킹 플레이트 조립체를 구성하며, 그에 의해서, 타겟 두께[타겟/백킹 플레이트 인터페이스(32)에서 테라스(40) 표면의 정상부까지 측정될 때]는 26.2mm(1.032")이다. 백킹 플레이트 두께는 여기서 표준 타겟의 경우와 동일하게 28.7mm(1.128")이다. 따라서, 도 1에 도시된 본 발명의 특정 실시예와 표준 또는 도 5 타겟 사이의 타겟 두께의 차이는 6.6mm(또는 0.26")이다.
그런 다음, 상술한 방법은 내부 부식 트랙(도 2 참조)을 위해 필요한 두께를 계산하는데 사용된다. 이 방법에 의해서, 1.25mm의 리세스가 계산되고 이러한 리세스는 리세스 또는 웰(42)을 형성하기 위해 타겟면을 기계가공함으로써 형성된다.
도 1 및 도 5에 도시된 타겟들 양자는 396.7mm(15.620")의 직경을 가지며 각 타겟들의 스퍼터링 면은 314.8mm(12.394")의 직경을 가진다.
본 발명에 따른 스퍼터 타겟들은 0.772"(19.6mm)의 표준 두께 보다 큰 두께를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 이들 타겟들은 약 1.00 내지 약 1.20 : 1의 RE-1 : RE-2의 상술한 바와 같은 시간 평균 자기장 강도 비율들을 가지는 것을 특징으로 한다. 특히, 상기 예에서 설명한 바와 같이, 1.095 : 1의 RE-1 : RE-2 비율은 Endura®스퍼터링 시스템들과 관련하여 사용하기에 적합한 타겟들과 결합하는 것이 양호하다.
도 1에서, 상기 실시예에서 타겟의 테라스 영역의 두께는 약 1.032"(26.2mm)이고, 도시된 타겟의 웰(42)의 두께는 약 0.972"(24.7mm)와 같다. 따라서, 웰은 테라스로부터 0.60"(15.2mm)의 치수로 오목하다. 그러나, 작업자는 웰 표면이 약 10.16 내지 19.5mm(약 0.4 내지 0.75"), 더욱 양호하게는 상기 방법에 따라 약 1.27 내지 1.524mm(0.5 내지 0.06")의 치수 만큼 테라스로부터 오목해질 수 있다는 것을 이해할 것이다.
백킹 플레이트와 타겟의 전체 조립체 또는 단일 조립체의 두께는 본 발명에 따라서 약 1.9"(48.6mm) 보다 크고 타겟에 위치한 부식 트랙(E-1 및 E-2)은 약 1.00 내지 1.20 : 1의 시간 평균 자기장 강도 비율(RE-1 : RE-2)을 나타낼 것이다.
본원에 기술된 장치의 형태는 본 발명의 적합한 실시예를 구성하지만, 본 발명은 상술한 형식의 장치에 국한되지 않고 첨부된 청구범위에 규정된 본 발명의 범주 내에서 변경될 수 있다는 사실을 이해해야 한다.

Claims (21)

  1. 마그네트론 스퍼터링 타겟에서 복수의 부식 트랙들의 필요한 두께를 결정하는 방법으로서,
    (가) 특정 스퍼터링 면을 갖는 필요한 프리커서(precursor) 스퍼터링 타겟 구성을 제공하고 그 위에 부식 트랙들(E-1 및 E-2)의 위치를 결정하는 단계와;
    (나) 상기 프리커서 스퍼터링 타겟 구성의 상기 스퍼터링 면에 따른 상이한 반경방향 위치들(RL)에서 자기장 강도를 결정하고 상기 부식 트랙들의 포인트들에 대한 시간 평균 자기장 강도(RE-1와 RE-2)를 결정하는 단계와;
    (다) (나) 단계에서 결정된 상기 자기장 강도들(RE-1 및 RE-2)에 대한 최적 비율의 범위를 결정하는 단계와;
    (라) 데이터 포인트들(VE1 및 VE2)이 발생하도록, 상기 부식 트랙들(E1 및 E2) 위의 수직 치수들(V)에서 자기장 강도를 결정하는 단계와;
    (마) 상기 수직 치수들(VE1 및 VE2)에 대한 상기 자기장 강도를 기록하는 단계와;
    (바) 상기 부식 트랙들(E1 또는 E2) 중 하나의 스퍼터링 재료에 대한 수직 치수에서 필요한 증가량을 결정하는 단계; 및
    (사) 상기 다른 부식 트랙에서 상기 스퍼터링 면에 부가된 스퍼터링 재료에 대한 필요한 수직 높이를 결정하는 단계를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (마) 단계는 복수의 수직 치수들에 대한 자기장 강도들을 도시하는 그래프를 플롯팅하는 단계를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 (마) 단계는 상기 수직 치수들에서의 상기 자기장 강도들에 관한 데이터(VE-1 및 VE2)를 기억 매체에 기록하는 단계를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 기억 매체는 컴퓨터를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 (가) 단계는 상기 프리커서 스퍼터링 타겟 구성으로 작용하는 샘플 스퍼터링 타겟을 제공하는 단계를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 (가) 단계는 상기 타겟면 위의 복수의 수직 치수들에서 그리고 상기 타겟의 스퍼터링 면에 따른 복수의 반경방향 위치들에서 샘플 스퍼터링 타겟 위의 자기장 강도들을 측정함으로써 상기 프리커서 스퍼터링 타겟 구성을 결정하는 단계를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 (사) 단계는 상기 (다) 단계에서 결정된 상기 최적 비율 범위를 이용하는 단계와 상기 다른 부식 트랙에 대한 필요한 자기장 강도를 계산하는 단계를 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 부식 트랙들에서 상기 자기장 강도들(RE-1 및 RE-2)에 대한 상기 최적 비율 범위 RE-1 : RE-2는 1.00 내지 1.200 : 1인 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 자기장 강도 비율 RE-1 : RE-2는 1.095 : 1인 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 타겟은 다수의 부식 트랙들을 포함하는 부식 트랙의 두께 결정 방법.
  11. 제 1 항에 기재된 단계들에 따라서 제조되는 스퍼터 타겟.
  12. h 〉0.772"(19.6mm)의 스퍼터 타겟 두께(h)를 가지며 그 위에 부식 트랙들(E-1 및 E-2)이 배치된 스퍼터링 면을 갖는 스퍼터 타겟으로서,
    상기 타겟은 RE-1 : RE-2가 1.00 내지 1.20 : 1이 되도록, 상기 부식 트랙(E-1)의 포인트들에 대한 RE-1의 시간 평균 자기장 강도와 상기 부식 트랙(E-2)의 포인트들에 대한 RE-2의 시간 평균 자기장 강도를 가지는 스퍼터 타겟.
  13. 제 12 항에 있어서, RE-1 : RE-2이 1.095 : 1인 스퍼터 타겟.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 E-1과 E-2 각각은 TE-1과 TE-2의 두께를 가지며, 상기 TE-1은 26.2mm(1.032")이고, 상기 TE-2는 24.7mm(0.972")인 스퍼터 타겟.
  15. 스퍼터링 면을 포함하는 일반적인 절두 원추형 형상의 몸체를 포함하는 스퍼터 타겟으로서,
    상기 스퍼터링 면은 웰(well)을 둘러싸는 두꺼운 환형 테라스 영역을 포함하며, 상기 웰은 1.02 내지 19.1mm(0.04 내지 0.75") 만큼 상기 테라스로부터 오목한 표면을 갖고,
    상기 스퍼터링 면은 RE-1 : RE-2가 1.00 내지 1.20 : 1이 되도록, 상기 테라스의 포인트들에 대한 RE-1의 시간 평균 자기장 강도와 상기 웰의 포인트들에 대한 RE-2의 시간 평균 자기장 강도를 포함하는 스퍼터 타겟.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 웰 표면은 1.3 내지 1.5mm(0.05 내지 0.06") 만큼 상기 테라스로부터 오목한 스퍼터 타겟.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 테라스는 19.6mm(0.772") 보다 큰 두께를 가지는 스퍼터 타겟.
  18. 삭제
  19. 제 15 항에 있어서, RE-1 : RE-2가 1.095 : 1인 스퍼터 타겟.
  20. 스퍼터링 면과 상기 스퍼터링 면으로부터 대향하고 열교환 매체와 접촉하는 백킹 플레이트 면을 갖는 스퍼터 타겟 조립체로서,
    상기 조립체는 48.3mm(1.9") 보다 큰 두께를 가지며, 상기 스퍼터링 면은 그 위에 배치된 부식 트랙들(E-1 및 E-2)을 포함하고,
    상기 타겟은 RE-1 : RE-2가 1.00 내지 1.20 : 1이 되도록, 상기 부식 트랙(E-1)의 포인트들에 대한 RE-1의 시간 평균 자기장 강도와 상기 부식 트랙(E-2)의 포인트들에 대한 RE-2의 시간 평균 자기장 강도를 가지는 스퍼터 타겟 조립체.
  21. 제 20 항에 있어서, RE-1 : RE-2이 1.095 : 1인 스퍼터 타겟 조립체.
KR1020027017528A 2001-04-24 2002-02-20 타겟과 타겟 프로파일의 최적화 방법 KR100855512B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28618201P 2001-04-24 2001-04-24
US60/286,182 2001-04-24
US29635401P 2001-06-06 2001-06-06
US60/296,354 2001-06-06
US30001901P 2001-06-21 2001-06-21
US60/300,019 2001-06-21
US32884701P 2001-10-11 2001-10-11
US60/328,847 2001-10-11
PCT/US2002/004819 WO2002086186A1 (en) 2001-04-24 2002-02-20 Target and method of optimizing target profile

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030017557A KR20030017557A (ko) 2003-03-03
KR100855512B1 true KR100855512B1 (ko) 2008-09-02

Family

ID=27501421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027017528A KR100855512B1 (ko) 2001-04-24 2002-02-20 타겟과 타겟 프로파일의 최적화 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6872284B2 (ko)
EP (1) EP1381708B1 (ko)
JP (1) JP4209198B2 (ko)
KR (1) KR100855512B1 (ko)
DE (1) DE60236264D1 (ko)
TW (1) TWI224626B (ko)
WO (1) WO2002086186A1 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297247B2 (en) * 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target
US7431195B2 (en) * 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US20060021870A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Profile detection and refurbishment of deposition targets
CN100392146C (zh) * 2004-08-27 2008-06-04 茂德科技股份有限公司 物理气相沉积工艺及其设备
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US20060268284A1 (en) * 2005-03-01 2006-11-30 Zhiguo Zhang Method and apparatus for surface roughness measurement
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) * 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8790499B2 (en) 2005-11-25 2014-07-29 Applied Materials, Inc. Process kit components for titanium sputtering chamber
EP1801846B1 (en) * 2005-12-23 2009-07-08 OC Oerlikon Balzers AG Target arrangement for mounting/dismouting and method of manufacturing
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US20080067058A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Stimson Bradley O Monolithic target for flat panel application
US7981262B2 (en) * 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
EP2666787B1 (en) 2007-05-31 2022-02-09 Genmab A/S STABLE IgG4 ANTIBODIES
US8968536B2 (en) * 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US20090084317A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber and components
US7901552B2 (en) * 2007-10-05 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Sputtering target with grooves and intersecting channels
WO2009151767A2 (en) * 2008-04-21 2009-12-17 Honeywell International Inc. Design and use of dc magnetron sputtering systems
US9150957B2 (en) * 2008-11-03 2015-10-06 Tosoh Smd, Inc. Method of making a sputter target and sputter targets made thereby
US8968537B2 (en) * 2011-02-09 2015-03-03 Applied Materials, Inc. PVD sputtering target with a protected backing plate
US8685214B1 (en) 2011-09-30 2014-04-01 WD Media, LLC Magnetic shunting pads for optimizing target erosion in sputtering processes
TWI605142B (zh) * 2013-01-04 2017-11-11 塔沙Ｓｍｄ公司 具有增進的表面輪廓和改善的性能的矽濺射靶及製造其之方法
MY180359A (en) 2014-01-21 2020-11-28 Sumitomo Chemical Co Sputtering target
WO2015178968A1 (en) * 2014-05-20 2015-11-26 Seagate Technology Llc Contoured target for sputtering
KR102332893B1 (ko) * 2015-03-19 2021-12-01 엘티메탈 주식회사 원소재 저감을 위한 이종금속 접합형 귀금속 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 귀금속 스퍼터링 타겟
KR102263238B1 (ko) * 2015-03-20 2021-06-10 엘티메탈 주식회사 스퍼터링 타겟용 소결체, 이를 포함하는 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법
ES2584961B1 (es) * 2015-03-31 2017-07-04 Advanced Nanotechnologies, S.L. Elemento fungible para bombardeo con partículas y procedimiento de determinación de grabado de dicho elemento
JP6291122B1 (ja) 2017-03-29 2018-03-14 住友化学株式会社 スパッタリングターゲット
US11244815B2 (en) * 2017-04-20 2022-02-08 Honeywell International Inc. Profiled sputtering target and method of making the same
US11621212B2 (en) * 2019-12-19 2023-04-04 International Business Machines Corporation Backing plate with manufactured features on top surface

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863399A (en) * 1996-04-13 1999-01-26 Singulus Technologies Gmbh Device for cathode sputtering

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD239807A1 (de) * 1985-07-31 1986-10-08 Ardenne Forschungsinst Target zum hochratezerstaeuben
US4995958A (en) 1989-05-22 1991-02-26 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
US5252194A (en) 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5314597A (en) * 1992-03-20 1994-05-24 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile
US5248402A (en) 1992-07-29 1993-09-28 Cvc Products, Inc. Apple-shaped magnetron for sputtering system
US5830327A (en) 1996-10-02 1998-11-03 Intevac, Inc. Methods and apparatus for sputtering with rotating magnet sputter sources
US6258217B1 (en) * 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
US6299740B1 (en) * 2000-01-19 2001-10-09 Veeco Instrument, Inc. Sputtering assembly and target therefor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863399A (en) * 1996-04-13 1999-01-26 Singulus Technologies Gmbh Device for cathode sputtering

Also Published As

Publication number Publication date
US20030183506A1 (en) 2003-10-02
JP2004520489A (ja) 2004-07-08
EP1381708B1 (en) 2010-05-05
JP4209198B2 (ja) 2009-01-14
EP1381708A1 (en) 2004-01-21
TWI224626B (en) 2004-12-01
EP1381708A4 (en) 2008-03-05
WO2002086186A1 (en) 2002-10-31
DE60236264D1 (de) 2010-06-17
US6872284B2 (en) 2005-03-29
KR20030017557A (ko) 2003-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100855512B1 (ko) 타겟과 타겟 프로파일의 최적화 방법
Neuhaeuser et al. Raman spectroscopy measurements of DC-magnetron sputtered carbon nitride (aC: N) thin films for magnetic hard disk coatings
TW573043B (en) Ring-type sputtering target
Bartzsch et al. Anode effects on energetic particle bombardment of the substrate in pulsed magnetron sputtering
EP3196331B1 (en) Coating film, manufacturing method for same
CN105008582A (zh) 具有增强的表面轮廓和改善的性能的硅溅射靶及其制造方法
US20130180850A1 (en) Magnetron sputtering apparatus
Biskup et al. Influence of spokes on the ionized metal flux fraction in chromium high power impulse magnetron sputtering
US20060081459A1 (en) In-situ monitoring of target erosion
Parker et al. Influence of discharge parameters on the resultant sputtered crater shapes for a radio frequency glow discharge atomic emission source
US6569294B1 (en) Sputtering target assembly and method for depositing a thickness gradient layer with narrow transition zone
Quentmeier Role of depth resolution in quantitative glow discharge optical emission spectrometry depth analysis
US6468405B1 (en) Sputtering target assembly and method for depositing a thickness gradient layer with narrow transition zone
Luesaiwong et al. Depth-resolved analysis of Ni–P plated aluminium hard disks by radiofrequency glow discharge optical emission spectroscopy (rf-GD-OES)
Kimura et al. Preparation of TiN films by reactive high-power pulsed sputtering Penning discharges
Balakrisnan et al. Influence of carbon sputtering conditions on corrosion protection of magnetic layer by an electrochemical technique
EP1449234B1 (en) Magnetron sputtering device
Hong et al. A simulation model for thickness profile of the film deposited using planar circular type magnetron sputtering sources
Rigato et al. Effects of plasma non-homogeneity on the physical properties of sputtered thin films
Schüttler et al. Azimuthal ion movement in HiPIMS plasmas—part II: lateral growth fluxes
US4394245A (en) Sputtering apparatus
KR102632552B1 (ko) 플라즈마 진단기능 및 유전체 두께 측정기능을 갖는 센서, 이를 구비하는 공정장치 및 공정시스템
US11114288B2 (en) Physical vapor deposition apparatus
Heinisch et al. SIMS investigation of MoS2 based sputtercoatings
Bull Microstructural characterization of coatings and thin films

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120702

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130809

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140807

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150806

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160810

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170811

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee