TWI224626B - Method of optimizing a sputtering target profile for the purpose of extending target utilization life and targets made by such method - Google Patents

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1224626 A7 ___B7____ 五、發明說明（/ ) [發明背景] 在商用的物理氣相沉積（PVD)系統中，濺鍍靶材壽 命通常是交由代工廠商（OEM)所設計。這種壽命，一般 被定義爲濺鍍功率乘上濺鎪時間（千瓦-小時），或如沉 積於該基板上之材料的總厚度（微米，或1微米沉積之 數目），主要是由濺鍍靶材材料、靶材幾何形狀及陰極 磁鐵設計所決定。對於一給定設計，濺鍍陰極組件會 按其效能參數，比如沉積均勻性，而被最佳化。 靶材均勻性效能主要是由下列三項因數決定：靶 材在濺鍍期間的侵蝕形狀、靶材晶質紋理、基板到靶 材的距離，以及在沉積製程中之氣體散射因數。在決 定沉積均勻性上，侵蝕形狀會是最重要的因數。對一 給定PVD系統，此因數之大部份也不會改變。 在一 PVD處理裡，電漿雲霧會出現在濺鑛靶材之 前。此雲霧是藉由位於該濺鍍靶材之後的磁鐵之磁場 來維持。該電漿的密度，並因而該靶材的濺鎪速率， 會和在該靶材表面上的磁場強度相關。電磁理論指出 該最大濺鍍速率是出現在當該磁場的垂直分量爲零而 該磁場的水平分量爲最大時。後文中如未另加說明， 則此名詞「磁場」是指當垂直磁場爲近似於零時，該 磁場的水平分量。 在一先進磁控PVD設計中，陰極磁鐵通常是由一 組小型磁鐵陣列所組成，彼等繞於一靶材中軸而旋轉 俾供較佳均勻性效能。在該靶材表面上的不同位置處 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I-----I--- · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·

J 1224626 A7 ______B7__· 五、發明說明（上） ----I------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，磁場強度與磁鐵逐次旋轉的磁場平均停駐時間皆會 改變。這兩種變化性導致於該靶材表面上不同位置處 確存有不同的濺鑛速率，從而存在靶材濺鍍形狀（濺鍍 溝槽）。吾人定義該磁場強度在一旋轉內的時間積分爲 時間平均之磁場強度（T-B域）。在商用PVD系統裡， OEM通常會設計該陰極磁鐵組件的組態，以構成所欲 之T-B域。而此又會產生所欲靶材表面侵蝕形狀，經 調適以達到最佳沉積均勻性效能。決定所欲磁鐵組態 與靶材侵蝕形狀的方法，請參照美國專利第4,995,958 、5,314,597、5,248,402 及 5,252，194 號案文說明。 發明槪要 ^· 這些是希望具有較長靶材使用壽命的情況。而爲 達此目的之最簡方式是增加濺鍍靶材的厚度。然而， 由於陰極組件係按所設計厚度而最佳化，因此增加厚 度可能會導致沉積均勻性的劣化結果。在最近的測試 中，得知增加13%的靶材厚度會造成靶沉積均勻性在1 σ下從0.7%改變爲1.18%。薄膜電阻性廓面映圖 (Omni-map)顯示，相較於耙材的外部週緣，在耙材中 心處會有較少的材料被濺鍍出，意即所濺鍍形成的薄 膜在晶圓的中心處會比起該晶圓周圍處爲較薄。吾人 發現這項變化是肇因於當增加此靶材厚度時，位在中 心處與位在邊緣處的T-B域即不會保持其適當比例這 項事實。而爲了維持沉積均勻性效能，確已發現在不 同侵蝕溝槽位置處的靶材厚度必須加以改變，以達到 4 矣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 1224626 A7 ______B7__· 五、發明說明（） 將局部性T-B域恢復爲適當比例之目的。 -------I--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 後文所述方法即說明如何尋得所增加之靶材厚度 的適當形狀（外型），藉以達到增加靶材壽命的目標，而 又同時可維持靶材均句性效能。對於任何給定濺鎪靶 材組態，本方法涉及到如下步驟： A) 測量既有靶材濺鍍形狀，並決定最大侵蝕溝槽 位置； B) 測量在該靶材表面上不同輻射位置處的垂直及 水平磁場強度。由於磁鐵組件屬旋轉狀態，因此須以 動態方式進行這項測量作業。這可藉由利用兩個或三 個B-域探針，同時地按三個正交方向來在該靶材表面 上任意位置處測量該磁場強度所達成。然後將B-域探 針的結果饋送到數位示波器，接著可在該靶材表面的 任意位置處，計算不同方向上的動態磁場強度結果。 可在該靶材表面上不同輻射位置處進行另外的測量作 , C) 繼續在該靶材表面上不同高度處進行如B)所述 之相同的測量作業。這些測量作業應超出等於所欲靶 材厚度增量的高度； D) 紀錄或繪製在該靶材表面上不同高度處之T-B 域vs輻射位置的線圖（本步驟可藉由電腦或其他記憶裝 置完成）； E) 決定相對於該靶材表面水平之最深溝槽位置， 各侵蝕溝槽位置的T-B域比例； 5 .一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Η *4 1224626 A7 ^___B7_ 五、發明說明（4 ) F) 決定對最深溝槽位置在等於該所增靶材厚度水 平之高度的各侵蝕溝槽位置T-B域比例； G) 決定爲在各溝槽位置處令F)內的比例和E)內的 比例相符所需之高度變化量。 而按照從G)內所獲之各溝槽的局部高度與寬度差 値，即可設計出延增壽命的靶材形狀。 本發明可進一步倂於隨附圖式及後載案文而詳細 說明。 圖式簡單說明 圖1爲可根據本發明進行設計之雙蝕跡靶材/後背 平板組件截面圖； 圖2顯示一時間積分之磁場強度vs相較於標準式 靶材形狀而延增之靶材材料垂直距離或另加高度的圖 式； 圖3係藉由本案說明之範例所列述方法而計算出 的侵蝕形狀； 圖4爲濺鍍均勻性資料圖，顯示出對於根據本發 明所設計及製作之加增厚度靶材，其濺鍍均勻性與延 增之濺鍍能量壽命（按如千瓦小時kwhr);以及 圖5爲先前技藝的雙蝕跡靶材/後背平板組件截面 圖。 元件符號說明 12.靶材 14.後背平板 6 ^本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 1224626 A7 ________ 五、發明說明（夕） 20.側壁 ----I------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 22.濺鑛表面 30. 加厚區域 32.靶材/後背平板介面 40. 基平區域 42.淺井 50.外壁 52.內壁 102.外部蝕跡 104.內部蝕跡 112.靶材 114. 後背平板 ^_ 115. 後背平板底面 117.靶材頂部 202.環形蝕跡 204.環形蝕跡 較佳實施例之詳細說明 現請參照圖1，此爲一可藉本範例方法加予強化之 示範性靶材，俾產生更高的靶材厚度，以增長濺鍍壽 命而不致負面地影響濺鍍效能。本圖所示之特定靶材 可爲經調整而適合於ENDURA公司之濺鍍系統”B”型 者。 靶材12可爲例如含有A1質，而此者具有內含A1 或Cu質之後背平板14。可將彼等材質之合金註記爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1224626 A7 ___B7__ 五、發明說明（& ) ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 示範性材料。最好該靶材12按所共同受讓之PCT國際 申請第W0 00/15863號案文所揭示般綁接於該後背平 板14爲佳，而該案係相對應於2000年12月21曰申 審之美國專利申請案第〇9/720,347號，在此將該案揭 示依引用方式倂入本文。 較佳靶材12 —般會是截頭角錐體、環狀平面，且 擁有於該濺鍍表面22方向上以一大槪爲線性方式收斂 之側壁20。在截面上觀察，該較佳靶材12與該後背平 板14具有截頭體的整體組態，該後背平板14作爲角 錐體的基底，而該側壁20作爲此角錐體的中間位置， 使得如果側壁20延伸越出於該濺鍍表面22，則該側壁 20會趨近此角錐的頂點。 在此，沿該靶材/後背平板介面32構成一加厚區域 或環狀突起30。此加厚區域30可用以藉由作爲一蝕跡 延伸等來增加靶材壽命。在所述之一具體實施例裡， 此加厚區域30的放射方向維度最好是爲3.047英吋（約 7/74公分），且深度以約0.050英吋（約1.3毫米）爲宜。 該濺鍍表面22含有一繞於淺井42而具有加厚靶 材厚度之外部、步進向上或經加高之平台區域40，其 中該淺井42可定義該靶材12上較薄的中央範圍。該 平台區域40含有外壁50及內壁52。該內壁52會向外 以如所述特定具體實施例般爲約13.5°的角度，從該壁 體朝於該平台區域40的高地或外部表面54而斜出。 該內壁52具有約0.25英吋（約6.2毫米）的長度或放射 8 _______ ______________ ----------------------------- — - ____________________ ,本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） α >! ； 1224626 A7 ______B7_ ’ 五、發明說明（^]) (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 維度。即如圖示，該平台區域40的表面會從該壁體表 面昇高約0.060英吋。該平台區域40可在預期將會承 受高侵蝕作用之濺鍍表面22範圍裡提供額外的材料厚 度。 圖1所示之耙材一般稱爲雙餓跡耙材，在該？巴材 含有一外部蝕跡102及一內部蝕跡104，即如圖1構造 圖所示（亦可參照於圖3線圖所繪）。這些蝕跡一般是繞 於該靶材按環狀方式沉積。在如圖1的觀視圖中，該 外部蝕跡是被定義爲該平台區域40之頂部表面與該靶 材增厚局部30之底部間的垂直距離，而內部蝕跡則是 被含納於由該壁體42所環繞之靶材的範圍內，且具有 從該靶材底部到該壁體頂部的垂直距離。 通常，可藉由提供最佳化的蝕跡高度增加量，採 現今的施用方法來提供靶材的強化濺鍍壽命。 依照現今可用的資料，看來確有數項參數限制住 對現存標準靶材進行的垂直或高度延展作業。首先， 爲便進行有效的濺鍍處理，靶材表面區域處的被時間 平均化之磁場強度必須約近於200高斯，以令沿該靶 材表面構成出所欲之電漿組態。此外，濺鍍系統的實 體空間限制對於靶材的所欲高度增量也成爲其上限。 最後，也是最重要的，相較於目前標準高度靶材 所能達到的均勻性，經加增高度靶材的濺鍍均勻性必 須要近似於或甚優於1σ的信賴水準。這就是說，必須 要在1 σ下達到少於約1%的均勻性。 9 ,Λ本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 y· c > 1224626 A7 ___B7___ 五、發明說明（8 ) 應注意到這種現今發明的原理可被視爲適用於任 何款式的PVD系統，其中電漿組態乃爲磁性控制，並 且會產生具有兩條或更多蝕跡的靶材侵蝕形狀。例如 ，其範例可爲像是自Applied Material購得的Endura® 系統，自Novellus購得的Quantum™系統，以及自 Ulvac®購得的Ulvac系統。 然後目標是利用標準式靶材或預知之靶材形狀， 該者假定爲既已具有所欲或經最佳化的濺鍍鍍跡組態 ，和已知的蝕跡垂直維度。接著，從先驅物質形狀吾 人可確定地增加蝕跡的高度，以令該靶材會厚於較無 消除濺鑛效能時。 現請參照圖2，此圖中點繪出在標準靶材上那些對 應於外部蝕跡及內部蝕跡之放射方向位置處的B域時 間積分（T-B域）數値，其垂直空間係以高斯-秒（Gauss-sec) 爲單位 。可觀察到對於此標準式靶材， 標示爲 0 毫 米（mm)，在既經最佳化的外部蝕跡處所測得的磁場強 度爲1030高斯-秒，而在內部蝕跡處所測得的磁場強 度爲940高斯-秒。 如此，根據本發明，會希望是維持此外部蝕跡磁 場強度（OETGS)/內部蝕跡磁場強度（IETGS)的比例，亦 即OETGS : IETGS會爲一接近固定之比値。 在此，對於經測試之特定系統，最佳 OETGS/IETGS比爲1.095。這可藉由比較沿y軸而x=0 的各個OETGS與IETGS數値所觀察到。如此，對與本 10 ,本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Ή ^勹 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 旬· %· I224626 A7 五、 發明說明（7) 特定系統的OETGS/IETGS比例較佳範圍會是約 1.00 1.20 : 1。 裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如果某設計者接著意欲令外部蝕跡區域的厚度增 加6_60毫米，即如圖2所示，則所預期的OETGS會 是817高斯-秒。而如欲維持此最佳OETGS/IETGS比 1.095，則該IETGS必須爲746高斯-秒。這意味著內 部蝕跡的高度必須要增加5.35毫米，而得到兩個蝕跡 之間的1_25毫米距離。這會對應爲如圖1所示平台區 域40與壁體42高度間的高度差値爲1.25毫米。 以不同的方式說，對於如圖1所示之兩個溝槽靶

材，會按不同高度來測量內部與外部溝槽位置處的T-B % 域。對於所欲之6.60毫米靶材厚度增量，必須要在內 部溝槽的位置處切出一 0.05”深度封口，俾以維持與如 標準靶材或具經最佳化形狀組態者相同的T-B域比例 。此增高靶材既經Endura®濺鍍系統測試，並產得 100%的濺鍍壽命增量，且具有依標準靶材所展示之相 同沉積均勻性。其結果可觀察圖4。 後文範例即說明一種方法，可藉以產生所欲之靶 材濺鍍形狀。應瞭解此範例僅說明一種可藉以產生所 欲之靶材濺鍍形狀的方法。其他方法涉及到利用現存 具有經最佳化之蝕跡維度與組態之靶材。同時，可實 際地測試濺鍍多種靶材組態，藉以透過嘗試錯誤方式 獲得某項被視爲最佳的特定組態。本靶材設計係屬一 起始組態或先驅物質組態，可藉由增加靶材材料在蝕 11 矣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1224626 A7 ___B7__ 五、發明說明（θ ) 跡內的垂直維度或高度而根據本發明予以最佳化。此 外，可利用如上述各項先前技藝美國專利中所設載之 各種數學公式來預測蝕跡組態。 範例一 (A) 安裝一經調整以適用Quantum™濺鍍系統於之 靶材且該靶面朝上。在濺鍍過程中會旋轉各個磁鐵。 將兩個Hall效應高斯探針架置於一滑動測微器上，俾 以涵蓋該靶材的所有放射位置。利用另一測微器來調 整各探針的高度，藉此涵蓋所有於本項硏究中所採用 的五個高度位置。然後，這個Hall效應高斯探針可測 量該Quantum™源在放射（R)、切線（T)與垂直（V)方向 上的磁場。 (B) 利用兩個高斯探針來同時地測量該Quantum™ 源在放射（R)/切線（T)與垂直（V)方向上的動態磁場強度 。由於低頻信號（約1 Hz)之故，因此兩組測量作業並 未同步。然而，在一測量作業裡，這兩通道會被同步 。吾人在30個不同放射位置處，以及在距離該靶材5 種不同高度處測量磁場。在各位置上，會有四個通道 的資料（R、T及R、Z)，並且各通道含有40,000資料 點。這兩個通道的所有波型皆會顯示於一雙頻道 Tektronix在示波器上，並且會將經同步的兩個通道資 料輸出到一 PC。 (C) 對於各個放射位置及各高度，所紀錄之四個通 道資料會被輸入到一 Excel⑧試算表。然後，將資料壓 12 、…本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 :.V! --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 . · -^o ·%_ 1224626 A7 ______ B7 ___J_ 五、發明說明（（丨） 縮減少10的倍數，方式是僅將10個資料點均化成一 個資料點。在此，也會將一轉換因數倂入以補償各通 道的不同放大處理。然後將四個通道的壓縮資料存放 在一新的資料集組內。 (D) 對於各個新資料集組，於Excel®內點繪兩個R 資料系列，並且針對兩組資料系列各者決定出特定的 時間位移。然後將R/Z資料群組位移一個正確時間量 ，以倂合於該R/T群組。現在R、T及Z系列皆經同步 。接著，該R與T通道資料會向量加法相加，而構成 平行B域（B-p)強度。在此會對經同步的B-p及Z資料 系列產生新的檔案。 (E) 對於各個B-p及Z系列，各B域數値會按下列 方式予以時間閘化：Z域的絕對値必須小於一預設參數 (如本例中的150高斯），並且（2)該B-p數値必須大於 另一預設參數（如本例中的50高斯）。然後，將經閘化 的B域強度在一旋轉週期內積分，以獲得當垂直B域 接近於零時（T-B域）對該平行B域強度的相對時間積分 平均値。 (F) 對於第一階近似，此T-B域結果應與在該位置 的濺鍍速率成正比。這些結果會按照真實測得的侵蝕 形狀而予繪製並刻度調整。此者可如圖3所示。圖中 顯示該參考編號102、102是爲外部蝕跡，而參考編號 104、104是爲內部蝕跡。 本現有方法可用來建構複數個或甚多重蝕跡磁控 13 •本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ：> --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) v^· ' 1224626 A7 _____B7____· 五、發明說明（A ) 濺鑛耙材。第一步驟是提供具有被視爲是對於均勻性 濺鍍效能之最佳形狀的所欲先驅物質濺鍍靶材組態。 該詞句「濺鍍耙材組態」應被證釋爲不僅涵蓋現有被 視爲是具最佳化或標準式建構性質之耙材本身，而亦 應包含由電腦產生或數學導出的形狀或組態。先驅物 質濺鍍靶材組態可自例如檢視現存濺鍍靶材所取得， 或者是這些形狀可透過多個具最佳形狀之濺鍍靶材樣 本的真實濺鍍處理而後再經嘗試錯誤所決定。一旦確 已取得該先驅物質涵鍍祀材組態，就可決定出鈾跡位 置。 根據本發明之一特點，可藉由在沿該濺鍍表面上 各輻射位置處進行磁場強度測量作業，並藉在這些輻 射位置上多個垂直維度處進行磁場強度測量作業，以 獲得所欲之先驅物質濺鍍靶材組態。蝕跡會被相關聯 至這些測量結果。 一旦確已取得所欲之先驅物質濺鍍靶材組態，就 會在沿該先驅物質濺鍍靶材形狀的濺鍍表面上不同輻 射位置RL處，進行各磁場強度測量作業。因磁控組件 旋轉之故，因此可獲得該蝕跡位置處該靶材表面上各 輻射點處的時間均化磁場強度。 然後，決定如在這些對應於各蝕跡之輻射位置處 測得的磁場強度最佳比例範圍。當然，此最佳比例範 圍會因濺鍍系統不同而改變。吾人既已發現對此特定 Endura®系統，該外部對內部蝕跡比應爲約1.00 1.20 14 .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝

1224626 A7 _______B7__ 五、發明說明（G) :1的級數。在此系統中，外部對內部蝕跡的較佳磁場 強度比係1.095 : 1。 ---I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後取得在蝕跡E-1和E_2上位於不同輻射位置 RL處之各種垂直維度V的磁場強度資料點。各些資料 點可爲例如繪製成圖形，圖形中一軸爲含有磁場強度 ’而另一軸可列報出對磁場強度進行測量之點處的 VE-1與VE-2垂直高度。 %· 接著，會決定出對將予定位於各蝕跡其一者處之 濺鍍材料的所欲垂直維度增量。然後利用蝕跡位置RE-1與RE-2處之現有磁場強度的最佳比例範圍，決定對 按此所增加之垂直維度的磁場強度，並且決定其他蝕 跡的磁場強度。一旦取得此値，設計者可接著決定待 予施用或加附於其他蝕跡上之濺鍍材料的所欲垂直維 度或高度增量。當然，在決定妥各蝕跡的垂直延伸之 後，即可構建出依照該等維度的濺镀靶材。 現請參照圖5，圖中顯示一先前技藝或標準式靶材 /後背平板組件。可根據本發明以最佳方式增加組裝內 的靶材厚度，而同時又可藉前述磁場強度比方法而最 佳地平衡各蝕跡高度；所有這些會產得如圖1所示型 式之具加長壽命的均勻濺鍍靶材。 先前技藝組件可含有不同的靶材結構，經綁接於 一後背平板上，或者是此組件爲單晶式者。即如圖示 ，先前技藝組件含有靶材Π2，經綁接於後背平板114 上。按照傳統方式，該後背平板的底面Π5係經調適 15 .秦紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Η ；> ^ 1224626 A7 ____B7 _ 五、發明說明（Μ ) 以與一如水質之冷卻媒介物進行熱交換接觸。 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 注意在圖1裡的靶材，並未沿該靶材的頂部117 或濺鍍表面構成凹陷處或淺井區域。兩條不同的環形 蝕跡202、204存在於該靶材上，這主要是因爲在表面 Π5下之特定設計磁鐵陣列的旋轉動作所致。 包含該後背平板（及其相關的承載凸緣130)及該靶 材在內之如圖1組件的整體高度（h)爲1.9”。靶材本身 的厚度（即如從該後背平板到該濺鍍表面頂部的垂直距 離）爲0.772”，故該後背平板會具有1.128”的高度。

根據本發明，且按照圖1的組件圖，即可建構出 一種有效的靶材/後背平板組件，彼者具有整體高度 2.16”，因此該靶材厚度（從該靶材/後背平板表面32測 量到基平區域40表面的頂部）爲1.032”。在此，該後 背平板的厚度爲1.128”，與標準靶材的厚度相同。如 此，如圖1所示之本發明特定具體實施例與標準或如 圖5靶材之間的靶材厚度差値會是0.26”（或6.6毫米） 〇 前述方法可用來計算內部蝕跡的所需厚度（觀察圖 2)。可藉此法計算出1.25毫米的凹陷，並藉對此靶材 表面機械加工而構成凹陷處，據以構成該凹陷或淺井 42 ° 圖1及5所示的兩種靶材的直徑皆爲15.620”，而 各個靶材的濺鍍表面具有12.394”的直徑。 因此，根據本發明的濺鍍靶材會具有大於標準厚 16 .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1224626 A7 ___B7 _ 五、發明說明（β ) 度0.772”的厚度。此外，這些根據本發明之靶材的特 徵，在於會具有如前文所述RE-1 : RE-2從約1.00到 約1.20 : 1的時間均化磁場強度比例。尤其是，且如前 文範例中所設定，聯帶於經調適以運用在Endiira®濺 鍍系統之靶材，此1.095 : 1的RE-1 : RE-2比例可被 視爲最佳者。 現回返參照圖1，本具體實施例中的靶材平台區域 厚度約爲1.032”，所示之靶材淺井42厚度則約等於 0.972”。從而，該淺井會自該平台區域凹陷約0.060”。 不過，設計者應即瞭解此淺井表面可爲自該平台區域 凹陷約0.04 0.075”的維度，而或以根據前述方法爲約 0.05 約 0.06”尤佳。 整個後背平板與靶材組件或是單晶組件的厚度會 根據本發明而增加約1.9”，而位於該靶材上的蝕跡E-1 及E-2將會呈現從約1.00到約1.20 : 1之RE-1 : RE-2 的時間平均磁場強度。 在此揭示之裝置型式確可組成本發明之較佳具體 實施例，然應明瞭本發明實不確限於此種裝置型式， 且可進行各式改變，而並無悖離如後載申請專利範圍 所定義之本發明範疇。 17 f紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 L^· ·

Claims (1)

1224626 A8 B8 C8 D8 修正替換本 年厶月Af曰 •、申請專利範圍 1. 一種用以決定磁控濺鍍靶材內複數個蝕跡之所欲 厚度的方法，其中包含： (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) a) 提供具有特定濺鍍表面之所欲先驅物質濺鍍靶材 組態，且決定其上該等蝕跡E-1及E-2的位置； b) 決定在沿著該先驅物質濺鍍靶材組態之濺鍍表面 上，不同輻射位置RL處的磁場強度，並決定在該等蝕 跡E-1及E-2上各點處的時間均化磁場強度RE-1及 RE-2 ； c) 決定對按如前述（b)內所決定之磁場強度RE-1及 RE-2的最佳比例範圍； d) 決定在高於該蝕跡E-1及E-2上之垂直維度V 處的磁場強度，據以產生各資料點VE1及VE2 ; e) 紀錄該等垂直維度VE1及VE2的磁場強度； f) 決定在該等蝕跡E1或E2處，對該濺鍍材料於垂 直維度上的所欲增量； g) 決定於其他蝕跡處，待加至該濺鑛表面上之濺鍍 材料的所欲垂直高度。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟e)包 含繪製出顯示複數個垂直維度之磁場強度的線圖。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟e)包 含將該等垂直維度VE1與VE2之磁場強度的資料紀錄 於記憶體媒介內。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該記憶體媒 介包含一電腦。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1224626 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5.如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟a)包 含提供一樣本濺鍍耙材以作爲該先驅物質濺鍍耙材組 態。 6·如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟a)包 含決定該先驅物質濺鍍靶材組態，方式是藉由在一樣 本濺鍍靶材上，沿該靶材之濺鍍表面的多個輻射位置 處，以及於該靶材表面上的複數個垂直維度來測量該 磁場強度。 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟g) 包含運用步驟c)內所決定的最佳比例範圍，並且計算 對於其他蝕跡的所欲磁場強度。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在蝕跡E-1 與E-2處的磁場強度最佳比例範圍RE-1 : RE-2是 1.00 到 1.200 ·· 1。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中磁場強度比 例 RE-1 : RE-2 是 1.095 : 1。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該磁控濺 鑛靶材含有多重個蝕跡。 11. 一種濺鍍靶材，其係根據申請專利範圍第1項 所述之各步驟所製成濺鍍靶材。 12. —種濺鍍靶材，含有位於其上之蝕跡E-1及E-2的濺鍍表面，並且濺鍍靶材厚度爲h ;其中h>0.772” ，該靶材在該蝕跡E-1上的各點處具有一時間平均磁 場強度RE-1，並且在該蝕跡E-2上的各點處具有一時 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） ............................ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂： 1224626 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 間平均磁場強度RE-2，使得RE-1 : RE-2爲從1.00到 1.20 : 1。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 13·如申請專利範圍第12項之濺鍍靶材，其中該 RE-1 ·· RE-2 是 1.095 ·· 1。 H.如申請專利範圍第12項之濺鍍靶材，其中該蝕 跡E-1及E-2各者分別具有厚度TE-1及TE-2，其中 TE-1 爲 1.032”，而 TE-2 爲 0.972，，〇 15·—種含有槪爲截頭角錐形狀之本體的濺鍍靶材 ，包含一濺鍍表面，該灘鍍表面包括一經增厚之環狀 平台區域，其圍繞一淺井，該淺井具有從該平台區域 凹陷0·04-0·075”的表面。 16.如申請專利範圍第15項之濺鍍靶材，其中該淺 井表面係從該平台區域凹陷0.05-0.06”。 17·如申請專利範圍第15或16項之濺鍍靶材，其 中該平台區域具有大於0.772”的厚度。 18. 如申請專利範圍第15或16項之濺鍍靶材，其 中該濺鍍表面含有在該平台區域上各點處的時間平均 磁場強度RE-1，以及在該淺井各點處的時間平均磁場 強度 RE-2，使得 RE-1 ·· RE-2 爲從 1.00 到 1.20 ·· 1。 19. 如申請專利範圍第18項之濺.鍍靶材，其中該 RE-1 ·· RE-2 是 1 ·095 : 1 〇 20. —種濺鍍靶材組件，其具有濺鎞表面，以及一 對立於該濺鍍表面所放置並經調適以接觸於熱交換媒 介物之後背平板表面，該組件具有大於1.9”的厚度， 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 1224626 A8 B8 C8 D8 I ^ — 六、申請專利範圍 該濺鍍表面包含位於其上的蝕跡E-ι及E-2，該靶材在 該蝕跡E-1上的各點處具有一時間平均磁場強度RE-1 ，並且在該蝕跡E-2上的各點處具有一時間平均磁場 強度 RE-2，使得 RE-1 : RE-2 爲從 1.00 到 1.20 : 1。 21.如申請專利範圍第20項之濺鍍靶材組件，其中 該 RE-1 : RE-2 是 1.095 : 1。 ........…丨：養··：！ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)