JP2004517474A - 位相シフトアパーチャを用いる投射リソグラフィー - Google Patents

Abstract

本発明は、プレート５０の中心に位置する第１不透明領域５４と、プレートの外側エッジ５２に形成された第２不透明領域５６とを含んだ投射リソグラフィー用のプレート５０に関するものである。第１および第２不透明領域によって、光を透過する環状領域５８の範囲が規定される。この環状領域５８は、第１光透過領域６０・６２と、第２光透過領域６４・６６とを含んでいる。第１光透過領域は、それを透過する光に第１位相シフトを付与する。また、第２光透過領域は、それを透過する光に第２位相シフトを与える。

Description

（発明の属する技術分野）
本発明は、一般的には半導体の製造に用いられるフォトリソグラフィーに関するものである。特には、サイド極大値形成（ｓｉｄｅ ｍａｘｉｍａ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）に起因する影響を低減するために、非コヒーレント光を形成する位相シフトを用いた投射リソグラフィー（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）における光学像（ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ）の改善に関するものである。
【０００１】
（発明の背景）
半導体の特徴寸法（ｆｅａｔｕｒｅ ｓｉｚｅｓ）を超微細な範囲に縮小してゆくと、フォトリソグラフィープロセス時の光回折効果がより顕著になってゆく。一般に、紫外線（ＵＶ）照射ツールは、１９３、２４８または３６５ｎｍの波長を有する光源を使用する。そして、このようなツールを特徴寸法７０〜３５０ｎｍの半導体デバイス形成に用いると、光回折効果が非常に顕著に現れ、半導体デバイスのプリントパターンに影響するような障害を引き起こす。
【０００２】
干渉効果が特に問題となる領域は、互いに直交に配されたパターンとなっている領域である。この干渉効果によって、光学像は劣化する（ｄｅｇｒａｄｅ）傾向にある。したがって、解像度およびフォトリソグラフィーのプロセス手段（ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｉｎｄｏｗ）が限定されてしまうこととなる。この干渉効果は、特に、アレイ型パターン（ａｒｒａｙ ｔｙｐｅ ｐａｔｔｅｒｎｓ）のエッジにて見られ得る。なお、アレイ型パターンのエッジにて光波は、より容易にこのエッジ領域で重なり合う、または、エッジ領域で弱め合う。特には、この干渉効果は、半導体ウェハのパターンのプリントにおいてサイド極大値として現れ、プリント形成したパターンの解像度に悪影響を及ぼす。
【０００３】
また、パターンの解像度を全体的に改善するために、様々な方法を用いた従来技術の解決策がある。これら従来技術の解決策には、斜入射照明（ｏｆｆ−ａｘｉｓ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）または位相シフトマスクを利用するものもある。斜入射照明は、通常、投射ラインの外側に回折されるいくつかの光線を再び集光することによって、解像度を全体的に高める。また、位相シフトマスクは、光線の位相をシフトさせて、異なるフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅｓ）間にて位相差が存在する非コヒーレント光を形成する。このようにして、フィーチャの解像度は改善される。しかし、本発明は、上述した従来技術の解決策を提供するだけではなく、直交するように方向付けられたフィーチャのリソグラフィー画質（ｉｍａｇｉｎｇ ｑｕａｌｉｔｙ）をも改善する。本発明は、簡単で、既存のフォトリソグラフィー光学（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ ｏｐｔｉｃｓ）または装置を変更する必要のない、コストのかからない解決策からなる。
【０００４】
（発明の概要）
コスト効率が良く、容易である、直交するように方向付けられたフィーチャのリソグラフィー画質を改善する解決策は、本発明の好ましい実施形態によって達成される。なお、本発明の好ましい実施形態は、画質を改善する位相シフトを提供する光透過領域を有するプレートを備える。また、好ましい一実施形態において、上記プレートは、プレートの中心に配される第１不透明領域と、上記プレートの外側エッジに形成される第２不透明領域とを有している。上記第１および第２不透明領域は、それらの間にて環状領域を規定する。該環状領域は、光透過性であり、第１光透過領域および第２光透過領域からなる。上記第１光透過領域は、それを透過する光に第１位相シフトを与え、上記第２光透過領域は、それを透過する光に第２位相シフトを与える。
【０００５】
また、本発明は、半導体ウェハにパターンを形成するフォトリソグラフィーの方法も開示している。この方法は、上記ウェハをレジスト層によってコーティングする工程と、コヒーレントの光源を設ける工程と、アパーチャの中心に位置する不透明領域と、第１光透過領域を透過する光に第１位相シフトを与える第１光透過領域および第２光透過領域を透過する光に第２位相シフトを与える第２光透過領域を有するアパーチャを、上記光源からの光が透過することによって、光源から非コヒーレントの光を導き出す工程とを含んでいる。さらに、この方法は、パターンが形成されたフォトマスクを、非コヒーレント光が透過する工程と、非コヒーレント光が上記フォトマスクを透過した後に、非コヒーレント光によってレジスト層を照射する工程とを含んでいる。
【０００６】
本発明の好ましい実施形態は、その利点の１つとして、直交するように方向付けられたフィーチャの解像度を改善する解決策を、低コストにて提供するという点にある。
【０００７】
また、本発明の他の利点としては、既存のフォトリソグラフィー光学を変更する必要がないという点にある。
【０００８】
（具体的な実施形態の詳述）
いくつかの実施形態の構成および実施について、以下に詳述する。しかしながら、本発明は、多くの適用可能な発明概念を提供しており、その発明概念は、限定した状況を、幅広く多様な実施に適用できるということは認められるべきである。詳述する特定の実施形態は、本発明の特定の構成および使用方法を単に示しているにすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
【０００９】
図１は、従来技術のフォトリソグラフィー装置１０を示している。この装置は、光源２、フォトマスク８、焦点レンズ９、および、半導体ウェハ６またはそのような基板に形成された感光性層（フォトレジスト層）４を備えている。パターンは、光源２からの光が、転写される所望のパターンが形成されているフォトマスク８を透過することによって、フォトレジスト層４に形成される。また、上記光は、層４に達する（ｉｍｐｉｎｇｉｎｇ）前に、集点レンズ９を透過する。しかし、上記光は、光源２にて発生する光線１３を回折させることとなる干渉効果を被ってしまう。
【００１０】
光源２が、フォトマスク８を照射すると、照明の円形パターンが、フォトマスク８の平面１７に形成される。なお、この円形パターンは、図２Ａの、平面１７を上から見た図において示されている。互いが直交する方向に配されるフィーチャに関して、軸２２に対して平行な光線は、例えば第１フィーチャ２４のようなそれらのフィーチャを規定する。軸２６に対して平行な光線は、第１フィーチャ２４に対して直交する方向の位置をなす、例えば第２フィーチャ２８のようなフィーチャを規定する。しかし、光源２がフォトマスク８を照射すると、フォトマスクにて第１および第２フィーチャ２４、２８の範囲を規定する、フォトマスクを透過する上記光線は、図２Ｂに示したように、回折してもよい。記号ｍは、回折次数（ｏｒｄｅｒ ｏｆ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を表している。ゼロという次数は、回折なしを表しており、部分的に回折された次数は、ｘ軸上の変化量によって表される。（変化量は、ｙ軸方向に対する、それら回折した光線の状態を基準として、所定の正および負で示される。）上記光線の回折は、図２Ｃに示すように、所定の強度を有するサイド極大値１５となる。このサイド極大値１５は、所望されるパターンのコントラストを低下させるので解像度を下げる。さらにまた、フォトマスク８の第１および第２フィーチャ２４・２８のサイド極大値１５が重なり合うとき、上記サイド極大値は整合して合算され、所望されるパターンのコントラストをさらに低下させる。
【００１１】
図３は、本発明のアパーチャの好ましい第１の実施形態を示している。そして、本発明のアパーチャは、光の干渉から生じるサイド極大値が重なり合うことに関する影響を低減する。光学像を改善するためのプレート５０は、略円形であり、外側エッジ５２を備えている。このプレートは、特に限定されるものではないが、シリカガラスから作られていてもよい。上記プレート５０は、第１不透明領域５４を含んでおり、該第１不透明領域５４は、略円形でプレート５０の中心に位置する。第２不透明領域５６は、プレート５０の第１不透明領域５４と、プレート５０の外側エッジ５２との間に形成されている。環状領域５８は、プレート５０の周りに、第１不透明領域５４と第２不透明領域５６とによって形成される。上記環状領域５８は、第１、第２、第３、および、第４セクター６０、６２、６４、６６にそれぞれ分割されている。この光透過セクターは、以下で詳述するように、所望の位相シフトを与えるアパーチャ材料の厚さを変更することによって形成される。
【００１２】
第１および第２セクター６０、６２は、それぞれ、互いに対向するように配置され、かつ、好ましくは略垂直面指向（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ）に位置している。セクター６０、６２は、厚さｔ_１を有しており、第１および第２セクター６０、６２を透過する光に対して、第１位相シフトΘ_１を与えるように設計されている。また、第３および第４セクター６４、６６も、それぞれ、互いに対向するように配置されて、かつ、好ましくは略水平面指向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ）に位置している。第３および第４セクター６４、６６は、第２の厚さｔ_２を有しており、これらのセクターを透過する光に対して、第２位相シフトΘ_２を与える。なお、第１位相シフトΘ_１は、位相差ΘΔとなる第２位相シフトと同じではない。位相差ΘΔは、好ましくは４５°〜３１５°の範囲にあり、より好ましくは約１８０°である。位相差ΘΔを最良の解像度を形成するように必要に応じて調整され得るということは、当業者においても十分認められることである。
【００１３】
好ましい実施形態では、厚さｔ_１およびｔ_２は、厚さの差ａｂｓ（ｔ_１マイナスｔ_２）が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍまでの次数の範囲にあり、該厚さの差ａｂｓは、光源２から放射する光の波長１／（２ｎ_ｒｅｆ）と等しい。（なお、ｎ_ｒｅｆは、プレート５０に用いられる材料の屈折率である）。このようにして、好ましい位相シフト差ΘΔは、セクター６４、６６に関連して、セクター６０、６２を透過する光に与えられる。
【００１４】
作動中において、本発明の好ましい実施形態は、図４に示す装置内のアパーチャ５０として実施される。該アパーチャ５０は、斜入射照明を与える。つまり、斜入射照明において、正および負のｎ次数光線が、パターン化されたフィーチャの解像度を改善するために用いられる。なお、ｙ軸上、または、ｙ軸に対して近接している光線１３は、アパーチャ５０の不透明領域５４によって遮断される。アパーチャ５０の外側エッジ５２（図３参照）により近い光線もまた、アパーチャ５０の円形の不透明領域５６によって遮断される。セクター６０、６２、６４、および６６から構成される環状領域５８を透過する光線のみが、透過してフォトマスク８に達する。これらの光線は、図に示すように、フォトマスク８に対してある角度をなして達する。ｙ軸に対してある角度σだけずらして照射することによって、通常、焦点レンズ９の外側にて回折される光線は、アパーチャ１３０を透過し焦点レンズ９に向う。なお、開口している環状領域５８を用いて、斜入射照明は、フィーチャの方向性（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（つまり、垂直方向、水平方向、または、垂直方向または水平方向に対してある角度をなす方向）と関係なく、フォトマスク８のいかなるフィーチャに対しても照射される。そして、アパーチャ１３０の環状領域５８は、互いに直交する方向に配された、いかなるフィーチャの解像度をも改善し得る。なぜならば、環状領域の周りのどの方向においても、プラスおよびマイナス両方のｎ次数の光線は、焦点レンズ９によって捕獲され得るからである。
【００１５】
つまり、環状領域５８の回折光の捕獲によって解像度が改善される一方で、直交する方向に配されたフィーチャ間での解像度もまた、さらに改善できる。上述した４つのセクター６０、６２、６４および６６によって生じた位相差ΘΔは、フォトマスク８の異なるフィーチャを透過する光の強度を、非コヒーレント（ｉｎｃｏｈｅｒｅｎｔｌｙ）に重ね合わせることによって、直交直線（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ ｌｉｎｅｓ）の解像度を改善する。コヒーレントな物体照明（ｏｂｊｅｃｔ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）に関して、物体でのあらゆる点は、固定された位相関係である波動振幅を有している。位相が点から点へと別々に変化する場合、照明は非コヒーレントである。位相差ΘΔを生成することによって、光照明は、非コヒーレントになり、解像度は、以下に記すように、サイド極大値形成の影響を低減することによってさらに改善される。
【００１６】
図６は、コヒーレント光および非コヒーレント光によって照射されたフィーチャの光強度に対して、サイド極大値を重ね合わせた光強度のプロファイルを示している。第１強度プロファイルは、線１２０によって表されている。線１２０は、図５Ａのフィーチャ１０４のような水平方向に配されるマスクフィーチャの光強度を表している。線１２２は、図５Ｂのフィーチャ１１０のような垂直方向に配されるマスクフィーチャの光強度プロファイルを表している。なお、当業者においては、実際の実践において、両方のフィーチャ１０４および１１０が、同じフォトマスク上に形成されるということは認められることである。像のコントラスト（ここでは、直交する直線間でのコントラスト）を低下させこととなる歪またはサイド極大値は、線１２４および１２６によって表される。このサイド極大値は、自然とコヒーレントな方法にて（ｉｎ ａ ｎａｔｕｒａｌｌｙ ｃｏｈｅｒｅｎｔ ｆａｓｈｉｏｎ）重なり合う。言い換えると、光波特性は、両方のフィーチャ（水平方向および垂直方向）に関して同じである。そして、コヒーレントな重なり合いは、線１２４によって表される。数学的には、重なり合い強度はα（Ｅ_１＋Ｅ_２）^２であり、Ｅは光波の電界の振幅を表している。
【００１７】
本発明が用いられる場合、略垂直方向に回折される光と、略水平方向に回折される光との間に位相シフトを付与することによって、垂直および水平方向に配されたようなフィーチャのサイド極大値は、線１２６によって示されるように、非コヒーレントに重なり合う。図から明らかなように、サイド極大値が極めて小さいので、解像度は著しく改善される。非コヒーレントの重なり合いは、ｌ_１＋ｌ_２α（Ｅ_１ ^２＋Ｅ_２ ^２）に等しい。したがって、サイド極大値の重なり合う領域の光強度は、除去はされないがコントラストを改善するように低下し、改善された解像度を提供しする。
【００１８】
さらにまた、ここで、好ましい実施形態のアパーチャの設計および製造に関する詳細について提供する。上述したように、アパーチャ５０は、類似した光学特性を有する他の光学材料によって代用してもよいが、シリカガラスによって形成することが好ましい。また、上記アパーチャは、通常、０．０１ｃｍ〜０．１ｃｍの厚さであり、概して、直径０．３〜３ｃｍであることが好ましい。不透明領域５４および５６は、クロムからなる薄膜または他のよく知られた光遮断膜を有するプレート５０の、表面をコーティングし、よく知られたフォトリソグラフィー技術を用いてコーティングをパターン化することによって形成されることが好ましい。
【００１９】
セクター６０、６２、６４および６６は、機械的研磨（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）またはエッチング技術を用いて、プレート５０を研削することによって、所望の厚さに形成されることが好ましい。それに代わるものとして、上記セクターは、光学的に相性のよいコーティングによって所望の厚さに形成してもよい。なお、好ましい実施形態では、上記セクター６０、６２、６４および６６は、エッチング技術によって形成される。
【００２０】
図７は、本発明の他の好ましい実施形態を示している。図７は、略円形の第１不透明領域１３０と第２不透明領域１３２とを有するプレート１２８を示している。第１不透明領域は、プレート１２８の中央に配されており、第２不透明領域は、プレート１２８の外側エッジ１３４の外径に沿って配されている。第１および第２不透明領域１３０、１３２は、環状開口部１３６を形成する。環状開口部１３６内には、４つの不透明セクター１３８が形成され、それらは４つの光透過セクター１４０間に交互に配置されている。４つの各不透明セクター１３８は、第１および第２エッジ１４２および１４４をそれぞれ備えている。各不透明セクター１３８の第１エッジ１４２は、環状開口部１３６の第１エッジ１４６によって形成される。各不透明セクター１３８の第２エッジ１４４は、第２不透明セクター１３２に均一となるように組み込まれている。第４不透明セクター１３８の第３および第４エッジ１４８、１５０は、それぞれ、第４光透過セクター１４０と隣接するエッジを形成する。
【００２１】
この場合、互いが対向する位置にあるアパーチャの光透過セクター１４０は、同じプレートの厚さを有している。また、隣接する透過セクターは、光源２から放射している光の波長１／（２ｎ_ｒｅｆ）（ｎ_ｒｅｆは、プレート１２８に用いられる材料の屈折率である）に匹敵する厚さの差を有するプレートを備える。
【００２２】
本発明の他の実施形態を図８にて示す。この実施形態では、セクター１４０のような環状に区切られた開口部の代わりに、円形開口部１５０が用いられ、斜入射照明を得る。この円形開口部の材料の厚さは、上述した環状に区切られた開口部の材料の厚さと類似している。
【００２３】
例証した実施形態を参照することで本発明を記載してきたが、この明細書は、狭義に解釈されるものではない。本発明の他の実施形態だけではなく、解説した実施形態を様々に改良し、組み合わせることは、本明細書を参照する当業者にとっては当たり前のことである。したがって、記載した請求項には、そのような改良や実施形態が含まれていることを意味している。
【図面の簡単な説明】
【図１】
フォトリソグラフィーによって、パターン化されたフィーチャを基板表面に形成するための従来技術の装置を示す図である。
【図２Ａ】
典型的なフォトマスクフィーチャを示す図である。
【図２Ｂ】
光回折およびその結果生じるサイド極大値を示す図である。
【図２Ｃ】
光回折およびその結果生じるサイド極大値を示す図である。
【図３】
本発明の好ましい第１の実施形態を示す図である。
【図４】
本発明の好ましい実施形態の基板面において、パターン化されたフィーチャを形成するフォトリソグラフィーのシステムを示す図である。
【図５Ａ】
パターン化されたフィーチャに対する、パターン化された回折格子を示す図である。
【図５Ｂ】
パターン化されたフィーチャに対する、パターン化された回折格子を示す図である。
【図６】
サイド極大値を有する光強度のプロファイル、ならびにコヒーレントおよび非コヒーレントの光強度を重ね合わせたプロファイルを示す図である。
【図７】
本発明の他の好ましい実施形態を示す図である。
【図８】
本発明の他の好ましい実施形態を示す図である。

Claims (24)

1. プレートの中心に配される第１不透明領域と、
   前記プレートの外側エッジに形成される第２不透明領域とを有しており、
   これら第１および第２不透明領域は、これらの間の環状領域を規定しており、
   該環状領域は光透過性であり、第１光透過領域と、第２光透過領域とを有しており、
   前記第１光透過領域は、自身を透過する光に第１位相シフトを与え、前記第２光透過領域は、自身を透過する光に第２位相シフトを与える投射リソグラフィー用プレート。
2. 前記第１光透過領域は、略垂直方向に配され、前記環状領域の対向する部分にある、２つの対向する領域を含む請求項１に記載のプレート。
3. 前記第２光透過領域は、略平行方向に配され、前記環状領域の対向する部分にある、２つの対向する領域を含む請求項１に記載のプレート。
4. 前記第２位相シフトは、前記第１位相シフトとは４５度〜３１５度異なっている請求項１に記載のプレート。
5. 前記第２位相シフトは、前記第１位相シフトとは１８０度異なっている請求項４に記載のプレート。
6. 前記第１光透過領域は、第１の厚さを有し、前記第２光透過領域は、第２の厚さを有しており、
   これら第１および第２光透過領域間での差が、光源の波長１／（２ｎ_ｒｅｆ）と等しい請求項１に記載のプレート。
7. 不透明領域と、
   プレートの周囲に形成された第１、第２、第３、および第４光透過領域とを備え、
   第１および第２光透過領域は、略垂直に方向付けられ、対向する位置に配されており、これらの領域を透過する光に第１位相シフトを与え、
   前記第３および第４光透過領域は、略水平に方向付けられ、対向する位置に配されており、これらの領域を透過する光に第２位相シフトを与える、投射リソグラフィー用のプレート。
8. 前記第２位相シフトは、前記第１位相シフトとは４５度〜３１５度異なっている、請求項１に記載のプレート。
9. 前記第２位相シフトは、上記第１位相シフトとは１８０度異なっている請求項８に記載のプレート。
10. 前記第１および第２光透過領域が、第１の厚さを有し、前記第３および第４光透過領域が、第２の厚さを有しており、
    第１および第２光透過領域と、第３および第４光透過領域との厚さの差は、光源の波長１／（２ｎ_ｒｅｆ）に等しい請求項１に記載のプレート。
11. プレートを備えており、
    該プレートは、該プレートの中心に位置する不透明領域と、
    第１光透過領域と、
    第１光透過領域に対して略対向する位置に配された第２光透過領域と、
    第３光透過領域と、
    第３光透過領域に対して略対向する位置に配された第４光透過領域とを含み、
    前記第３および第４光透過領域を透過する光が、前記第１および第２光透過領域を透過する光との位相差だけ位相シフトされる、フォトリソグラフィーシステムにおいて使用するアパーチャプレート。
12. 前記プレートの外側部分に沿って配置された第２不透明領域をさらに有しており、
    これら不透明領域および第２不透明領域が、これらの間の環状領域を規定する請求項１１に記載のアパーチャプレート。
13. 前記第１、第２、第３、および第４光透過領域が、前記光透過領域内に形成されている請求項１１に記載のアパーチャプレート。
14. 前記プレートは、ガラスから形成される請求項１１に記載のアパーチャプレート。
15. 前記不透明領域は、クロム膜によって構成される請求項１１に記載のプレート。
16. 前記第１および第２光透過領域は、第１の厚さを有しており、前記第３および第４光透過領域は、第２の厚さを有する請求項１１に記載のプレート。
17. 照明用の光源と、
    パターンが形成されたフォトマスクと、
    前記フォトマスクに近接し、該フォトマスクを透過する光によって照射されるように調整されている焦点レンズと、
    アパーチャとを備えており、
    該アパーチャが、プレートと、
    該プレートの略中心に配された不透明領域と、
    第１光透過領域を透過する光に第１位相シフトを与える第１光透過領域と、
    第２光透過領域を透過する光に第２位相シフトを付与する第２光透過領域とを含んでいる投射リソグラフィー用のシステム。
18. 前記第１光透過領域は、略垂直方向に並べられ、前記プレート上にて略対向する位置に配された第１および第２セクターを有し、
    前記第２光透過領域は、略水平方向に並べられ、前記プレート上にて略対向する位置に配された第３および第４セクターを有している請求項１７に記載のシステム。
19. 前記第１位相シフトまたは第２位相シフトは、０度である請求項１８に記載のシステム。
20. 前記第１位相シフトと第２位相シフトとが、４５度〜３１５度異なっている請求項１７に記載のシステム。
21. 前記アパーチャは、環状アパーチャを備え、
    前記第１および第２光透過領域が、光が透過する、アパーチャの環状領域内に形成される請求項１７に記載のシステム。
22. ウェハをレジスト層によってコーティングする工程と、
    コヒーレントの光源を設ける工程と、
    アパーチャの中心に位置する不透明領域と、自身を透過する光に第１位相シフトを与える第１光透過領域、および自身を透過する光に第２位相シフトを与える第２光透過領域とを備えたアパーチャを、前記光源からの光が、透過することによって、前記光源から非コヒーレントの光を導出する工程と、
    前記非コヒーレントの光が、パターンが形成されたフォトマスクを透過する工程と、
    前記非コヒーレントの光が、前記フォトマスクを透過した後、この非コヒーレント光によってレジスト層を照射する工程とを含む、フォトリソグラフィーによる半導体ウェハへのパターンの転写方法。
23. 前記第１位相シフトが０度である請求項２２に記載の方法。
24. 前記第１位相シフトと第２位相シフトとが、４５度〜３１５度異なっている請求項２２に記載の方法。