JPH06224106A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH06224106A JPH06224106A JP5010794A JP1079493A JPH06224106A JP H06224106 A JPH06224106 A JP H06224106A JP 5010794 A JP5010794 A JP 5010794A JP 1079493 A JP1079493 A JP 1079493A JP H06224106 A JPH06224106 A JP H06224106A
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- reticle
- illumination
- optical system
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクトホールパターンの投影露光時の焦
点深度を拡大する。 【構成】 投影光学系PLの瞳面の中心円形領域を通過
する結像光束LFaとその周辺の輪帯状領域を通過する
結像光束LFbとの位相を反転させ、かつ中心円形部の
振幅透過率を負とし、周辺部の振幅透過率とを正とする
多重焦点フィルターMFFを設け、レチクルR上の所定
間隔の2点の一方に対して他方で照明光のコヒーレンス
係数を逆符号とするように照明条件を設定する設定手段
(8)を設ける。
点深度を拡大する。 【構成】 投影光学系PLの瞳面の中心円形領域を通過
する結像光束LFaとその周辺の輪帯状領域を通過する
結像光束LFbとの位相を反転させ、かつ中心円形部の
振幅透過率を負とし、周辺部の振幅透過率とを正とする
多重焦点フィルターMFFを設け、レチクルR上の所定
間隔の2点の一方に対して他方で照明光のコヒーレンス
係数を逆符号とするように照明条件を設定する設定手段
(8)を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置に関し、特
に半導体集積回路や液晶ディスレイ等の製造に用いる微
細パターンを転写露光する投影露光装置に関するもので
ある。
に半導体集積回路や液晶ディスレイ等の製造に用いる微
細パターンを転写露光する投影露光装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路(LSI)等の製造工程
では、回路原板(レチクル)上の回路パターンを投影光
学系によりシリコンウェハ(ウェハ)等に等倍で又は縮
小して転写する投影露光装置が使用されている。半導体
の高集積化に伴い、さらに微細なパターンを転写可能と
する投影光学系が要求されてきた。
では、回路原板(レチクル)上の回路パターンを投影光
学系によりシリコンウェハ(ウェハ)等に等倍で又は縮
小して転写する投影露光装置が使用されている。半導体
の高集積化に伴い、さらに微細なパターンを転写可能と
する投影光学系が要求されてきた。
【0003】投影光学系の解像度は、解像度=k1 ×λ
/NAで表される。λは使用する光の波長(露光波長)
を表し、NAは投影光学系の開口数を表す。また、k1
は0.7程度の比例定数であり使用するフォトレジスト
(感光性被パターニング材料)の性能により多少変化す
る。上記の如き従来の技術において解像力を高めるため
には、露光波長(λ)を短波長化するか、あるいは投影
光学系の開口数(NA)を大きくすることで対応してき
た。しかしながら、現在主流のi線(λ=0.365μ
m)より短波長の光に対しては透過率の高い光学材料が
あまりないこと、安定した光源のないこと等の理由によ
りこれらの方法は実用的でなくなってきた。またLSI
の量産に不可欠な焦点深度(フォーカスマージン)DO
Fはほぼk2 ×λ/NA2 (k2 は比例定数を表し、こ
こではk2 ≒1)で決まるため、大開口数化、短波長化
の双方により焦点深度が激減しLSIの量産は不可能と
なってしまう。従って、たとえ大開口数の投影光学系が
製造できたとしても、必要な焦点深度が得られないこと
になり、実用上の大きな障害となる。
/NAで表される。λは使用する光の波長(露光波長)
を表し、NAは投影光学系の開口数を表す。また、k1
は0.7程度の比例定数であり使用するフォトレジスト
(感光性被パターニング材料)の性能により多少変化す
る。上記の如き従来の技術において解像力を高めるため
には、露光波長(λ)を短波長化するか、あるいは投影
光学系の開口数(NA)を大きくすることで対応してき
た。しかしながら、現在主流のi線(λ=0.365μ
m)より短波長の光に対しては透過率の高い光学材料が
あまりないこと、安定した光源のないこと等の理由によ
りこれらの方法は実用的でなくなってきた。またLSI
の量産に不可欠な焦点深度(フォーカスマージン)DO
Fはほぼk2 ×λ/NA2 (k2 は比例定数を表し、こ
こではk2 ≒1)で決まるため、大開口数化、短波長化
の双方により焦点深度が激減しLSIの量産は不可能と
なってしまう。従って、たとえ大開口数の投影光学系が
製造できたとしても、必要な焦点深度が得られないこと
になり、実用上の大きな障害となる。
【0004】そこで本件出願人は、このような投影光学
系の諸問題を解決し、高い解像力と大きな焦点深度との
両方を得ることができる新たな投影露光技術を、特開平
4−101148号公報、特開平4−225358号公
報、特開平4−225359号公報等で提案した。この
露光技術は、投影光学系は既存のままで、レチクルへの
照明方法を特殊な形体に制御することで見かけ上の解像
力と焦点深度とを増大させるものであり、SHRINC
(Super High Resolution by
IllumiNation Control)法と呼
んでいる。このSHRINC法は、レチクルR上のライ
ン・アンド・スペースパターン(L&Sパターン)のピ
ッチ方向に対称的に傾斜した2つの照明光(又は4つの
照明光)をレチクルへ照射し、L&Sパターンから発生
する0次回折光成分と±1次回折光成分の一方とを、投
影光学系の瞳内で中心点に関して対称的に通し、2光束
干渉(一方の1次回折光と0次回折光との干渉)の原理
を利用して、L&Sパターンの投影像(干渉縞)を生成
するものである。
系の諸問題を解決し、高い解像力と大きな焦点深度との
両方を得ることができる新たな投影露光技術を、特開平
4−101148号公報、特開平4−225358号公
報、特開平4−225359号公報等で提案した。この
露光技術は、投影光学系は既存のままで、レチクルへの
照明方法を特殊な形体に制御することで見かけ上の解像
力と焦点深度とを増大させるものであり、SHRINC
(Super High Resolution by
IllumiNation Control)法と呼
んでいる。このSHRINC法は、レチクルR上のライ
ン・アンド・スペースパターン(L&Sパターン)のピ
ッチ方向に対称的に傾斜した2つの照明光(又は4つの
照明光)をレチクルへ照射し、L&Sパターンから発生
する0次回折光成分と±1次回折光成分の一方とを、投
影光学系の瞳内で中心点に関して対称的に通し、2光束
干渉(一方の1次回折光と0次回折光との干渉)の原理
を利用して、L&Sパターンの投影像(干渉縞)を生成
するものである。
【0005】このように2光束干渉を利用した結像によ
ると、デフォーカス時の波面収差の発生が従来の方法
(通常の垂直照明)の場合よりも押さえられるため、見
かけ上焦点深度が大きくなるのである。ところが、この
SHRINC法はレチクルR上に形成されるパターンが
L&Sパターン(格子)のように、周期構造を持つとき
に所期の効果が得られるのであり、コンタクトホール等
の孤立したパターンに対してはその効果が得られない。
一般に、孤立した微小パターンの場合、そこからの回折
光は回折角についてほとんど一様なフランフォーファ回
折として発生し、投影光学系の瞳内では0次回折光と高
次回折光とに明確に分離せずに、ほぼ一様に分布する。
ると、デフォーカス時の波面収差の発生が従来の方法
(通常の垂直照明)の場合よりも押さえられるため、見
かけ上焦点深度が大きくなるのである。ところが、この
SHRINC法はレチクルR上に形成されるパターンが
L&Sパターン(格子)のように、周期構造を持つとき
に所期の効果が得られるのであり、コンタクトホール等
の孤立したパターンに対してはその効果が得られない。
一般に、孤立した微小パターンの場合、そこからの回折
光は回折角についてほとんど一様なフランフォーファ回
折として発生し、投影光学系の瞳内では0次回折光と高
次回折光とに明確に分離せずに、ほぼ一様に分布する。
【0006】そこでコンタクトホール等の孤立パターン
に対して見かけ上の焦点深度を拡大させる露光方法とし
て、ウェハWの1つのショット領域に対する露光を複数
回に分け、各露光の間にウェハWを光軸方向に一定量だ
け移動させる方法が、例えば特開昭63−42122号
公報で提案された。この露光方法はFLEX(Focu
s Latitude enhancement EX
posure)法と呼ばれ、コンタクトホール等の孤立
パターンに対しては十分な焦点深度拡大効果を得ること
ができる。ただしFLEX法は、わずかにデフォーカス
したコンタクトホール像を多重露光することを必須とす
るため、現像後に得られるレジスト像は必然的に鮮鋭度
が低下したものとなる。この鮮鋭度低下(プロファイル
悪化)の問題は、ガンマ値が高いレジストを用いたり、
多層レジストを用いたり、あるいはCEL(Contr
ast Enhancement Layer)を用い
たりすることで補うことができる。
に対して見かけ上の焦点深度を拡大させる露光方法とし
て、ウェハWの1つのショット領域に対する露光を複数
回に分け、各露光の間にウェハWを光軸方向に一定量だ
け移動させる方法が、例えば特開昭63−42122号
公報で提案された。この露光方法はFLEX(Focu
s Latitude enhancement EX
posure)法と呼ばれ、コンタクトホール等の孤立
パターンに対しては十分な焦点深度拡大効果を得ること
ができる。ただしFLEX法は、わずかにデフォーカス
したコンタクトホール像を多重露光することを必須とす
るため、現像後に得られるレジスト像は必然的に鮮鋭度
が低下したものとなる。この鮮鋭度低下(プロファイル
悪化)の問題は、ガンマ値が高いレジストを用いたり、
多層レジストを用いたり、あるいはCEL(Contr
ast Enhancement Layer)を用い
たりすることで補うことができる。
【0007】またFLEX法のように露光動作中にウェ
ハWを光軸方向に移動させなくても、コンタクトホール
パターンの投影時の焦点深度を拡大する試みとして投影
光学系の瞳面に多重焦点フィルターを設ける方法が提案
されている。この方法として例えば1991年春季応用
物理学会の予稿集29a−ZC−8,9で発表されたS
uper−FLEX法が知られている。このSuper
FLEX法は、投影光学系の瞳に透明な位相板(多重
焦点フィルター)を設け、この位相板によって結像光に
与えられる複素振幅透過率が光軸から周辺に向かって順
次変化するような特性を持たせたものである。このよう
にすると、投影光学系によって結像された像はベストフ
ォーカス面(レチクルRと共役な面)を中心に光軸方向
に一定の幅(従来よりは広い)でシャープさを保つこと
になり、焦点深度が増大するのである。
ハWを光軸方向に移動させなくても、コンタクトホール
パターンの投影時の焦点深度を拡大する試みとして投影
光学系の瞳面に多重焦点フィルターを設ける方法が提案
されている。この方法として例えば1991年春季応用
物理学会の予稿集29a−ZC−8,9で発表されたS
uper−FLEX法が知られている。このSuper
FLEX法は、投影光学系の瞳に透明な位相板(多重
焦点フィルター)を設け、この位相板によって結像光に
与えられる複素振幅透過率が光軸から周辺に向かって順
次変化するような特性を持たせたものである。このよう
にすると、投影光学系によって結像された像はベストフ
ォーカス面(レチクルRと共役な面)を中心に光軸方向
に一定の幅(従来よりは広い)でシャープさを保つこと
になり、焦点深度が増大するのである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上で述べた多重焦点
フィルターを使った露光方法では、孤立的なコンタクト
ホールパターンに対して十分な焦点深度の増大効果を得
ることができる。しかしながら、ある程度接近した複数
のコンタクトホールパターンではパターン間に不要なパ
ターンが発生してしまう、すなわち両方法共にホール間
のフォトレジストに不要な膜べりを生じさせてしまい、
事実上使用することが困難になることがわかった。
フィルターを使った露光方法では、孤立的なコンタクト
ホールパターンに対して十分な焦点深度の増大効果を得
ることができる。しかしながら、ある程度接近した複数
のコンタクトホールパターンではパターン間に不要なパ
ターンが発生してしまう、すなわち両方法共にホール間
のフォトレジストに不要な膜べりを生じさせてしまい、
事実上使用することが困難になることがわかった。
【0009】そこで本発明は上記問題点に鑑みて成され
たもので、ある程度近接したコンタクトホールパターン
に対しても、解像度や焦点深度を向上する投影露光装置
の実現を目的とする。
たもので、ある程度近接したコンタクトホールパターン
に対しても、解像度や焦点深度を向上する投影露光装置
の実現を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決の為に
本発明では少なくとも2つの微細のホール用パターンが
形成されたマスクを、露光用の照明光で照射する照明系
と、マスクのホール用パターンから発生した光を入射し
て前記ホール用パターンの像を感応基板上に結像投影す
る投影光学系とを備えた投影露光装置において、投影光
学系内のマスクに対する光学的フーリエ変換面又はその
近傍に、投影光学系の光軸を中心とする円形領域内の振
幅透過率をt(−1≦t≦0)とし、円形領域外の振幅
透過率をほぼ+1とする多重焦点フィルターと;前記ホ
ール用パターン面における照明光のコヒーレンス関数が
前記ホールパターン面上で前記所定間隔だけ離れた2つ
の位置の一方の位置に対して他方の位置でほぼ逆極性と
なるように、前記照明光のマスクへの入射角度範囲を設
定する設定部材とを設けた。
本発明では少なくとも2つの微細のホール用パターンが
形成されたマスクを、露光用の照明光で照射する照明系
と、マスクのホール用パターンから発生した光を入射し
て前記ホール用パターンの像を感応基板上に結像投影す
る投影光学系とを備えた投影露光装置において、投影光
学系内のマスクに対する光学的フーリエ変換面又はその
近傍に、投影光学系の光軸を中心とする円形領域内の振
幅透過率をt(−1≦t≦0)とし、円形領域外の振幅
透過率をほぼ+1とする多重焦点フィルターと;前記ホ
ール用パターン面における照明光のコヒーレンス関数が
前記ホールパターン面上で前記所定間隔だけ離れた2つ
の位置の一方の位置に対して他方の位置でほぼ逆極性と
なるように、前記照明光のマスクへの入射角度範囲を設
定する設定部材とを設けた。
【0011】
【作用】本発明に於いては、投影光学系のレチクルに対
するフーリエ変換面(瞳面)に透過光の振幅及び位相を
変化せしめる瞳フィルター(多重焦点フィルター)を設
け、レチクルを照明する光束をいわゆる輪帯照明あるい
は変形照明としている。このため、完全に孤立していな
い、すなわち近接したコンタクトホールパターンに対す
る照明光の位相(コヒーレンス)を近接した両ホールパ
ターン上で逆符号とすることができる。これにより、従
来の多重焦点フィルターを使った露光方法で問題となる
不要な膜べり、すなわち近接したパターン間に不要なパ
ターンが誤転写されてしまうという問題を従来の多重焦
点フィルターの性能を低下させることなく解決できる。
するフーリエ変換面(瞳面)に透過光の振幅及び位相を
変化せしめる瞳フィルター(多重焦点フィルター)を設
け、レチクルを照明する光束をいわゆる輪帯照明あるい
は変形照明としている。このため、完全に孤立していな
い、すなわち近接したコンタクトホールパターンに対す
る照明光の位相(コヒーレンス)を近接した両ホールパ
ターン上で逆符号とすることができる。これにより、従
来の多重焦点フィルターを使った露光方法で問題となる
不要な膜べり、すなわち近接したパターン間に不要なパ
ターンが誤転写されてしまうという問題を従来の多重焦
点フィルターの性能を低下させることなく解決できる。
【0012】
【実施例】図1を参照して本発明の一実施例を説明す
る。図1は本実施例に好適な投影露光装置の構成の概略
を示す図である。図1において、水銀ランプ1から放射
された高輝度光は楕円鏡2によって第2焦点に収斂した
後、発散光となってコリメータレンズ4に入射する。そ
の第2焦点の位置にはロータリーシャッター3が配置さ
れ、照明光の通過、遮断を制御する。コリメータレンズ
4によってほぼ平行光束に変換された照明光は、オプチ
カルインテグレータとしてのフライアイレンズ7に入射
する。
る。図1は本実施例に好適な投影露光装置の構成の概略
を示す図である。図1において、水銀ランプ1から放射
された高輝度光は楕円鏡2によって第2焦点に収斂した
後、発散光となってコリメータレンズ4に入射する。そ
の第2焦点の位置にはロータリーシャッター3が配置さ
れ、照明光の通過、遮断を制御する。コリメータレンズ
4によってほぼ平行光束に変換された照明光は、オプチ
カルインテグレータとしてのフライアイレンズ7に入射
する。
【0013】さて、フライアイレンズ7に入射した照明
光(ほぼ平行光束)は、フライアイレンズ7の複数のレ
ンズエレメントによって分割され、各レンズエレメント
の夫々の射出側には2次光源像(水銀ランプ1の発光点
の像)が形成される。従ってフライアイレンズ7の射出
側にはレンズエレメントの数と同じ数の点光源像が分布
し、面光源像が作られる。フライアイレンズ7の射出側
には、面光源像の大きさを調整するための可変絞り8が
設けられる。この絞り8を通った照明光(発散光)はミ
ラー9で反射され、集光レンズ系10に入射した後、レ
チクルブラインド11の矩形の開口部を均一な照度分布
で照射する。図1では、フライアイレンズ7の射出側に
形成される複数の2次光源像(点光源)のうち、光軸A
X上に位置する1つの2次光源像からの照明光のみを代
表的に図示してある。また集光レンズ系10によって、
フライアイレンズ7の射出側(2次光源像が形成される
面)はレチクルブラインド11の矩形開口面に対するフ
ーリエ変換面になっている。従ってフライアイレンズ7
の複数の2次光源像の夫々から発散して集光レンズ系1
0に入射した各照明光は、レチクルブラインド11上で
互いにわずかずつ入射角が異なる平行光束となって重畳
される。
光(ほぼ平行光束)は、フライアイレンズ7の複数のレ
ンズエレメントによって分割され、各レンズエレメント
の夫々の射出側には2次光源像(水銀ランプ1の発光点
の像)が形成される。従ってフライアイレンズ7の射出
側にはレンズエレメントの数と同じ数の点光源像が分布
し、面光源像が作られる。フライアイレンズ7の射出側
には、面光源像の大きさを調整するための可変絞り8が
設けられる。この絞り8を通った照明光(発散光)はミ
ラー9で反射され、集光レンズ系10に入射した後、レ
チクルブラインド11の矩形の開口部を均一な照度分布
で照射する。図1では、フライアイレンズ7の射出側に
形成される複数の2次光源像(点光源)のうち、光軸A
X上に位置する1つの2次光源像からの照明光のみを代
表的に図示してある。また集光レンズ系10によって、
フライアイレンズ7の射出側(2次光源像が形成される
面)はレチクルブラインド11の矩形開口面に対するフ
ーリエ変換面になっている。従ってフライアイレンズ7
の複数の2次光源像の夫々から発散して集光レンズ系1
0に入射した各照明光は、レチクルブラインド11上で
互いにわずかずつ入射角が異なる平行光束となって重畳
される。
【0014】レチクルブラインド11の矩形開口を通過
した照明光はレンズ系12、ミラー13を介してコンデ
ンサーレンズ14に入射し、コンデンサーレンズ14を
射出する光が照明光ILBとなってレチクルRに達す
る。ここでレチクルブラインド11の矩形開口面とレチ
クルRのパターン面とは、レンズ系12とコンデンサー
レンズ14との合成系によって互いに共役に配置され、
レチクルブラインド11の矩形開口の像が、レチクルR
のパターン面内に形成された矩形のパターン形成領域を
含むように結像される。図1に示すように、フライアイ
レンズ7の2次光源像のうち光軸AX上に位置する1つ
の2次光源像からの照明光ILBは、レチクルR上では
光軸AXに対して傾きのない平行光束になっているが、
これは投影光学系PLのレチクル側がテレセントリック
だからである。もちろん、フライアイレンズ7の射出側
には光軸AX上からずれて位置する多数の2次光源像
(軸外の点光源)が形成されるが、それらからの照明光
はいずれもレチクルR上では光軸AXに対して傾いた平
行光束となってパターン形成領域内で重畳される。尚、
レチクルRのパターン面とフライアイレンズ7の射出側
面(光源像面)とが、集光レンズ系10、レンズ系1
2、コンデンサーレンズ14の合成系によって光学的に
フーリエ変換の関係になっていることは言うまでもな
い。またレチクルRへの照明光ILBの入射角度範囲ψ
(図2参照)は絞り8の開口径によって変化し、絞り8
の開口径を小さくして面光源の実質的な面積を小さくす
ると、入射角度範囲ψも小さくなる。
した照明光はレンズ系12、ミラー13を介してコンデ
ンサーレンズ14に入射し、コンデンサーレンズ14を
射出する光が照明光ILBとなってレチクルRに達す
る。ここでレチクルブラインド11の矩形開口面とレチ
クルRのパターン面とは、レンズ系12とコンデンサー
レンズ14との合成系によって互いに共役に配置され、
レチクルブラインド11の矩形開口の像が、レチクルR
のパターン面内に形成された矩形のパターン形成領域を
含むように結像される。図1に示すように、フライアイ
レンズ7の2次光源像のうち光軸AX上に位置する1つ
の2次光源像からの照明光ILBは、レチクルR上では
光軸AXに対して傾きのない平行光束になっているが、
これは投影光学系PLのレチクル側がテレセントリック
だからである。もちろん、フライアイレンズ7の射出側
には光軸AX上からずれて位置する多数の2次光源像
(軸外の点光源)が形成されるが、それらからの照明光
はいずれもレチクルR上では光軸AXに対して傾いた平
行光束となってパターン形成領域内で重畳される。尚、
レチクルRのパターン面とフライアイレンズ7の射出側
面(光源像面)とが、集光レンズ系10、レンズ系1
2、コンデンサーレンズ14の合成系によって光学的に
フーリエ変換の関係になっていることは言うまでもな
い。またレチクルRへの照明光ILBの入射角度範囲ψ
(図2参照)は絞り8の開口径によって変化し、絞り8
の開口径を小さくして面光源の実質的な面積を小さくす
ると、入射角度範囲ψも小さくなる。
【0015】すなわち、フライアイレンズ7の射出面近
傍で照明光束の光量分布を変化させると、レチクルR面
に入射する光束の入射角度に対する光量分布を変化させ
ることができる。そのため絞り8により、照明光の空間
的コヒーレンシィを調整することができる(詳細後
述)。その空間的コヒーレンシィの度合いを表すファク
タとして、照明光ILBの最大入射角ψ/2の正弦と投
影光学系PLのレチクル側の開口数NArとの比(σ
値)が用いられている。このσ値は通常、σ=sin
(ψ/2)/NArで定義され、現在稼働中のステッパ
ーの多くは、σ=0.5〜0.7程度の範囲で使われて
いる。
傍で照明光束の光量分布を変化させると、レチクルR面
に入射する光束の入射角度に対する光量分布を変化させ
ることができる。そのため絞り8により、照明光の空間
的コヒーレンシィを調整することができる(詳細後
述)。その空間的コヒーレンシィの度合いを表すファク
タとして、照明光ILBの最大入射角ψ/2の正弦と投
影光学系PLのレチクル側の開口数NArとの比(σ
値)が用いられている。このσ値は通常、σ=sin
(ψ/2)/NArで定義され、現在稼働中のステッパ
ーの多くは、σ=0.5〜0.7程度の範囲で使われて
いる。
【0016】さて、レチクルRのパターン面にはクロム
層によって所定のレチクルパターンが形成されている
が、ここではクロム層が全面に蒸着され、その内に微小
な矩形開口部(クロム層のない透明部)で形成された複
数のコンタクトホールパターンが存在するものとする。
コンタクトホールパターンはウェハW上に投影したと
き、0.5μm角(又は径)以下の寸法になるように設
計されていることもあり、投影光学系PLの投影倍率1
/Mを考慮してレチクルR上での寸法が決められてい
る。また互いに隣接するコンタクトホールパターン間の
寸法は、通常1つのコンタクトホールパターンの開口部
寸法に対してかなり大きくなっているため、孤立的な微
小パターンとして存在する。すなわち、隣接する2つの
コンタクトホールパターンは、それぞれから発生した光
(回折、散乱光)が、回折格子のように互いに強く影響
し合うことがない程度に離れていることが多い。ところ
が後で詳しく述べるが、かなり接近した配置でコンタク
トホールパターンを形成したレチクルも存在する。
層によって所定のレチクルパターンが形成されている
が、ここではクロム層が全面に蒸着され、その内に微小
な矩形開口部(クロム層のない透明部)で形成された複
数のコンタクトホールパターンが存在するものとする。
コンタクトホールパターンはウェハW上に投影したと
き、0.5μm角(又は径)以下の寸法になるように設
計されていることもあり、投影光学系PLの投影倍率1
/Mを考慮してレチクルR上での寸法が決められてい
る。また互いに隣接するコンタクトホールパターン間の
寸法は、通常1つのコンタクトホールパターンの開口部
寸法に対してかなり大きくなっているため、孤立的な微
小パターンとして存在する。すなわち、隣接する2つの
コンタクトホールパターンは、それぞれから発生した光
(回折、散乱光)が、回折格子のように互いに強く影響
し合うことがない程度に離れていることが多い。ところ
が後で詳しく述べるが、かなり接近した配置でコンタク
トホールパターンを形成したレチクルも存在する。
【0017】図1において、レチクルRはレチクルステ
ージRSTに保持され、レチクルRのコンタクトホール
パターンの光学像(光強度分布)は投影光学系PLを介
してウェハWの表面のフォトレジスト層に結像される。
ここで、図1中のレチクルRからウェハWまでの光路
は、結像光束の主光線のみで示す。そして投影光学系P
L内のレチクルRに対するフーリエ変換面FTP(以下
「瞳面FTP」と称す。)には透過光の位相及び透過率
を制御する多重焦点フィルターMFF(詳細後述)を設
けてある。フーリエ変換面FTPは同時にウェハWに対
してもフーリエ変換面となっている。
ージRSTに保持され、レチクルRのコンタクトホール
パターンの光学像(光強度分布)は投影光学系PLを介
してウェハWの表面のフォトレジスト層に結像される。
ここで、図1中のレチクルRからウェハWまでの光路
は、結像光束の主光線のみで示す。そして投影光学系P
L内のレチクルRに対するフーリエ変換面FTP(以下
「瞳面FTP」と称す。)には透過光の位相及び透過率
を制御する多重焦点フィルターMFF(詳細後述)を設
けてある。フーリエ変換面FTPは同時にウェハWに対
してもフーリエ変換面となっている。
【0018】この多重焦点フィルターMFFは、瞳面F
TPの最大径をカバーする直径を有し、スライダー機構
20によって光路外へ退出したり、光路内に進入したり
することができる。コンタクトホールパターン以外のレ
チクルパターンの露光時には、多重焦点フィルターMF
Fは瞳面FTPから除いておくことが望ましい。多重焦
点フィルターを除いて使用する場合、その代わりにほぼ
同じ厚さおよび材質の平行平板を挿入することにより、
光学系の収差の変動を防ぐことができる。
TPの最大径をカバーする直径を有し、スライダー機構
20によって光路外へ退出したり、光路内に進入したり
することができる。コンタクトホールパターン以外のレ
チクルパターンの露光時には、多重焦点フィルターMF
Fは瞳面FTPから除いておくことが望ましい。多重焦
点フィルターを除いて使用する場合、その代わりにほぼ
同じ厚さおよび材質の平行平板を挿入することにより、
光学系の収差の変動を防ぐことができる。
【0019】さて、ウェハWは、光軸AXと垂直な面内
で2次元移動(以下、XY移動とする)するとともに、
光軸AXと平行な方向に微動(以下、Z移動とする)す
るウェハステージWST上に保持される。ウェハステー
ジWSTのXY移動、Z移動は、ステージ駆動ユニット
22によって行われ、XY移動に関してはレーザ干渉計
23による座標計測値に従って制御され、Z移動に関し
てはオートフォーカス用のフォーカスセンサー24の検
出値に基づいて制御される。ステージ駆動ユニット2
2、スライダー機構20等は、主制御ユニット25から
の指令で動作する。この主制御ユニット25は、さらに
シャッタ駆動ユニット26へ指令を送り、シャッター3
の開閉を制御するとともに、開口制御ユニット27へ指
令を送り、絞り8、又はレチクルブラインド11の各開
口の大きさを制御する。また主制御ユニット25は、レ
チクルステージRSTへのレチクルの搬送路中に設けら
れたバーコードリーダー28が読み取ったレチクル名を
入力できるようになっている。従って主制御ユニット2
5は、入力したレチクル名に応じてスライダー機構20
の動作、開口駆動ユニット27の動作等を統括的に制御
し、絞り8、レチクルブラインド11の各開口寸法、及
び多重焦点フィルターMFFの要、不要を、そのレチク
ルに合わせて自動的に調整することができる。
で2次元移動(以下、XY移動とする)するとともに、
光軸AXと平行な方向に微動(以下、Z移動とする)す
るウェハステージWST上に保持される。ウェハステー
ジWSTのXY移動、Z移動は、ステージ駆動ユニット
22によって行われ、XY移動に関してはレーザ干渉計
23による座標計測値に従って制御され、Z移動に関し
てはオートフォーカス用のフォーカスセンサー24の検
出値に基づいて制御される。ステージ駆動ユニット2
2、スライダー機構20等は、主制御ユニット25から
の指令で動作する。この主制御ユニット25は、さらに
シャッタ駆動ユニット26へ指令を送り、シャッター3
の開閉を制御するとともに、開口制御ユニット27へ指
令を送り、絞り8、又はレチクルブラインド11の各開
口の大きさを制御する。また主制御ユニット25は、レ
チクルステージRSTへのレチクルの搬送路中に設けら
れたバーコードリーダー28が読み取ったレチクル名を
入力できるようになっている。従って主制御ユニット2
5は、入力したレチクル名に応じてスライダー機構20
の動作、開口駆動ユニット27の動作等を統括的に制御
し、絞り8、レチクルブラインド11の各開口寸法、及
び多重焦点フィルターMFFの要、不要を、そのレチク
ルに合わせて自動的に調整することができる。
【0020】図2に投影光学系PL部の拡大図を示す
が、両側テレセントリックな投影光学系では瞳面FTP
においては、レチクルR上の任意の点(例えばPr)を
発した光束LLpが略平行光となって透過し、ウェハW
上の点(例えばPr’)に結像する。瞳面FTPに設け
られた多重焦点フィルターMFFを透過した光束は、中
心部FA(光軸近傍の円内)では、周辺部FBに比べ強
度的に弱められると共に、中心部FAの透過光LFaは
周辺部FB部の透過光LFbに比べて位相がπ〔ra
d〕ずれた光束となるように、多重焦点フィルターMF
Fは設計されている。
が、両側テレセントリックな投影光学系では瞳面FTP
においては、レチクルR上の任意の点(例えばPr)を
発した光束LLpが略平行光となって透過し、ウェハW
上の点(例えばPr’)に結像する。瞳面FTPに設け
られた多重焦点フィルターMFFを透過した光束は、中
心部FA(光軸近傍の円内)では、周辺部FBに比べ強
度的に弱められると共に、中心部FAの透過光LFaは
周辺部FB部の透過光LFbに比べて位相がπ〔ra
d〕ずれた光束となるように、多重焦点フィルターMF
Fは設計されている。
【0021】次に図3を参照して多重焦点フィルターM
FFの振幅透過率について説明する。図3(A)は多重
焦点フィルターMFFの構造を示し、図3(B)は多重
焦点フィルターMFFの振幅透過率を示す。図3(B)
で縦軸は振幅透過率tを示し、横軸は瞳面FTP上での
中心(投影光学系の光軸AX)からの距離rを示してい
る。
FFの振幅透過率について説明する。図3(A)は多重
焦点フィルターMFFの構造を示し、図3(B)は多重
焦点フィルターMFFの振幅透過率を示す。図3(B)
で縦軸は振幅透過率tを示し、横軸は瞳面FTP上での
中心(投影光学系の光軸AX)からの距離rを示してい
る。
【0022】多重焦点フィルターMFFは図3(A)に
示す如く、透明な円形の平行平板MFFaの片面に半透
過性の薄膜TPCを付加して形成されている。多重焦点
フィルターMFFの振幅透過率は図3(B)に示す如
く、周辺部FBではFBtとなり、光軸AXを中心とし
た円形状の中心部FAではFAtとなる。多重焦点フィ
ルターMFFの周辺部FBは完全透過であり、振幅透過
率FBtは+1(基準値)となる。これに対して中心部
FAでの振幅透過率FAtは薄膜TPCにより−a(a
≦1)となっている。すなわち、薄膜TPCは多重焦点
フィルターMFFの中心部FAの透過率を周辺部FBの
透過率より低くし、かつ、中心部FAを透過する光と周
辺部FBを通過する光の位相を反転させている。図3
(B)で距離r1 は中心部FAの光軸AXを中心とした
半径を示し、距離rmaxは多重焦点フィルターMFF
の光軸AXを中心とした最大半径を示している。
示す如く、透明な円形の平行平板MFFaの片面に半透
過性の薄膜TPCを付加して形成されている。多重焦点
フィルターMFFの振幅透過率は図3(B)に示す如
く、周辺部FBではFBtとなり、光軸AXを中心とし
た円形状の中心部FAではFAtとなる。多重焦点フィ
ルターMFFの周辺部FBは完全透過であり、振幅透過
率FBtは+1(基準値)となる。これに対して中心部
FAでの振幅透過率FAtは薄膜TPCにより−a(a
≦1)となっている。すなわち、薄膜TPCは多重焦点
フィルターMFFの中心部FAの透過率を周辺部FBの
透過率より低くし、かつ、中心部FAを透過する光と周
辺部FBを通過する光の位相を反転させている。図3
(B)で距離r1 は中心部FAの光軸AXを中心とした
半径を示し、距離rmaxは多重焦点フィルターMFF
の光軸AXを中心とした最大半径を示している。
【0023】前述の如くこのような多重焦点フィルター
MFFを設けることにより、焦点深度は拡大する。しか
しながら近接した各ホールパターンを転写する場合、各
ホールの周囲にはいわゆるリンギング(サブピーク)が
生じ、それらが重なる領域では、夫々のリンギングのピ
ーク強度が重なり合う。このようなリンギングのサブピ
ークの重畳によってゴースト像の発生等の悪影響が生ず
る。そこで、本発明では多重焦点フィルターMFFを使
ってコンタクトホールパターンを転写する時に発生する
リンギングによる悪影響をレチクルを照明する照明光の
コヒーレンシィを調整することにより除去するものであ
る。
MFFを設けることにより、焦点深度は拡大する。しか
しながら近接した各ホールパターンを転写する場合、各
ホールの周囲にはいわゆるリンギング(サブピーク)が
生じ、それらが重なる領域では、夫々のリンギングのピ
ーク強度が重なり合う。このようなリンギングのサブピ
ークの重畳によってゴースト像の発生等の悪影響が生ず
る。そこで、本発明では多重焦点フィルターMFFを使
ってコンタクトホールパターンを転写する時に発生する
リンギングによる悪影響をレチクルを照明する照明光の
コヒーレンシィを調整することにより除去するものであ
る。
【0024】図4は図1に示す装置において照明光のコ
ヒーレンシィを調整するための照明方法を実現するため
の構成である。本実施例では図4(A)に示すように照
明光のコヒーレンシィの調整を実現するために、フライ
アイレンズ7の射出側近傍に、ターレット式の交換可能
な複数の絞り81、82、83、─を設けた(図1では
便宜上絞り8として表してある)。このターレット80
0は駆動系800aにより回転可能となっている。この
交換用の回転駆動系800aは駆動ユニット27を介し
た主制御ユニット25の指令により動作する。このとき
の指令は例えば前述の様にレチクル上のバーコードから
の情報に基づいたもの、あるいはオペレータが入力する
ものである。図4(B)はターレットに装着された各絞
りの形状を表す。図4(B)で絞り81は円形開口を有
する従来の照明系の絞りを表し、絞り82、83は輪帯
状の開口を有する輪帯照明用の絞りを表し、絞り84は
いわゆる変形光源と呼ばれるSHRINC法の絞りをそ
れぞれ表す。絞り82はσ値(照明系の開口部のウェハ
側換算と投影光学系のウェハ側開口数NAwとの比)が
0.5となるような開口部を有し、遮光部の半径を開口
部の半径の0.6倍(輪帯比0.6)とした輪帯照明用
の絞りである。絞り83はラインアンドスペースパター
ンを投影する場合に使用される絞りであり、σ値をライ
ンアンドスペースパターンに最適化した(例えばσ=
0.7)輪帯照明を実現するための絞りである。
ヒーレンシィを調整するための照明方法を実現するため
の構成である。本実施例では図4(A)に示すように照
明光のコヒーレンシィの調整を実現するために、フライ
アイレンズ7の射出側近傍に、ターレット式の交換可能
な複数の絞り81、82、83、─を設けた(図1では
便宜上絞り8として表してある)。このターレット80
0は駆動系800aにより回転可能となっている。この
交換用の回転駆動系800aは駆動ユニット27を介し
た主制御ユニット25の指令により動作する。このとき
の指令は例えば前述の様にレチクル上のバーコードから
の情報に基づいたもの、あるいはオペレータが入力する
ものである。図4(B)はターレットに装着された各絞
りの形状を表す。図4(B)で絞り81は円形開口を有
する従来の照明系の絞りを表し、絞り82、83は輪帯
状の開口を有する輪帯照明用の絞りを表し、絞り84は
いわゆる変形光源と呼ばれるSHRINC法の絞りをそ
れぞれ表す。絞り82はσ値(照明系の開口部のウェハ
側換算と投影光学系のウェハ側開口数NAwとの比)が
0.5となるような開口部を有し、遮光部の半径を開口
部の半径の0.6倍(輪帯比0.6)とした輪帯照明用
の絞りである。絞り83はラインアンドスペースパター
ンを投影する場合に使用される絞りであり、σ値をライ
ンアンドスペースパターンに最適化した(例えばσ=
0.7)輪帯照明を実現するための絞りである。
【0025】絞り84は1つの開口部のウェハ側での換
算値とウェハ側NAとの比が0.1〜0.3程度である
開口部を4つ有する絞りである(各開口部の最適位置に
ついては後述する)。各絞り81、82、83、84は
フライアイレンズ7の射出側に接近して配置されるた
め、投影レンズPLの瞳FTP(フーリエ変換面)とほ
ぼ共役になっている。
算値とウェハ側NAとの比が0.1〜0.3程度である
開口部を4つ有する絞りである(各開口部の最適位置に
ついては後述する)。各絞り81、82、83、84は
フライアイレンズ7の射出側に接近して配置されるた
め、投影レンズPLの瞳FTP(フーリエ変換面)とほ
ぼ共役になっている。
【0026】図5(A)はウェハ上の寸法に換算して
0.3μm角の2つのコンタクトホールパターンP1 、
P2 が近接して並ぶレチクルRの部分断面図を示してい
る。また、両パターンの中心間隔dはウェハ上の寸法に
換算して0.96μmとしてある。図5(B)、(C)
はこのレチクルパターンP1 、P2 を投影光学系PLを
介してウェハ上に投影するときのレチクル上でのコヒー
レンス関数(複素コヒーレンス度)のシミュレーション
結果を示したものである。ここで、上記の照明光学系の
条件はウェハ側の開口数NAwが0.57であるi線
(波長0.365μm)用の投影光学系PLに対しての
ものである。
0.3μm角の2つのコンタクトホールパターンP1 、
P2 が近接して並ぶレチクルRの部分断面図を示してい
る。また、両パターンの中心間隔dはウェハ上の寸法に
換算して0.96μmとしてある。図5(B)、(C)
はこのレチクルパターンP1 、P2 を投影光学系PLを
介してウェハ上に投影するときのレチクル上でのコヒー
レンス関数(複素コヒーレンス度)のシミュレーション
結果を示したものである。ここで、上記の照明光学系の
条件はウェハ側の開口数NAwが0.57であるi線
(波長0.365μm)用の投影光学系PLに対しての
ものである。
【0027】ここで用いる多重焦点フィルターMFFは
多重焦点フィルターMFFはr1 /rmax =0.5とな
るように設定され、rmax はウェハ側の開口数NAw、
すなわち0.57に相当するように設定されている。ま
た図3(B)の如く、周辺部FBでは+1の振幅透過率
であり、中心部FAでは−a(−a=−0.3)の振幅
透過率である。すなわち、多重焦点フィルターMFFは
r1 /rmax =0.5となる中心部FAでの振幅透過率
は−0.3(完全透過部と逆符号)であり、その外側の
透過部FBの振幅透過率が+1となるフィルターであ
る。
多重焦点フィルターMFFはr1 /rmax =0.5とな
るように設定され、rmax はウェハ側の開口数NAw、
すなわち0.57に相当するように設定されている。ま
た図3(B)の如く、周辺部FBでは+1の振幅透過率
であり、中心部FAでは−a(−a=−0.3)の振幅
透過率である。すなわち、多重焦点フィルターMFFは
r1 /rmax =0.5となる中心部FAでの振幅透過率
は−0.3(完全透過部と逆符号)であり、その外側の
透過部FBの振幅透過率が+1となるフィルターであ
る。
【0028】図5(B)、(C)はレチクル上のコヒー
レンス関数(複素コヒーレンス度)を示す。コヒーレン
ス関数はファンシター・ツェルンケの定理により、レチ
クル上から見た光源(フライアイ射出面に設けた各種絞
り)の光量分布のフーリエ変換により得られる。光源が
通常の如く円形であれば、コヒーレンス関数は円のフー
リエ変換となり、第1種1次のベッセル関数J1 を用い
て2×J1 (2π×NAi×x/λ)/(2π×NAi
×x/λ)と表せる。ここで、NAiは照明系のNA、
xは基準点からの距離を表している。なお、ここでコヒ
ーレンス関数の基準位置は一方のコンタクトホールパタ
ーンP1の中心とした。
レンス関数(複素コヒーレンス度)を示す。コヒーレン
ス関数はファンシター・ツェルンケの定理により、レチ
クル上から見た光源(フライアイ射出面に設けた各種絞
り)の光量分布のフーリエ変換により得られる。光源が
通常の如く円形であれば、コヒーレンス関数は円のフー
リエ変換となり、第1種1次のベッセル関数J1 を用い
て2×J1 (2π×NAi×x/λ)/(2π×NAi
×x/λ)と表せる。ここで、NAiは照明系のNA、
xは基準点からの距離を表している。なお、ここでコヒ
ーレンス関数の基準位置は一方のコンタクトホールパタ
ーンP1の中心とした。
【0029】図5(B)は絞り82を使用した場合のレ
チクル上のコヒーレンス関数(複素コヒーレンス度)を
示す。すなわち、σ(コヒーレンスファクター)=0.
5(ウェハ側の開口数NAw=0.57に対して照明系
の開口数NAiはウェハ側換算で0.285)、輪帯比
0.6の輪帯照明(遮光部のウェハ側の開口数はウェハ
側換算で0.171)を行った場合のレチクル上のコヒ
ーレンス関数を示す。尚、横軸の寸法はウェハ側換算
(投影倍率倍した値)である。この場合、P1 を基準と
したコヒーレンス関数CAはP2 の位置では−0.3程
度と負に大きな値となっている。この結果、図5(B)
に示す輪帯照明下では2つのホールパターンP1 、P2
の像はウェハー上で振幅的に相殺し合い、2つのパター
ンからの両方の像の重なる領域での強度は低下すること
となる。
チクル上のコヒーレンス関数(複素コヒーレンス度)を
示す。すなわち、σ(コヒーレンスファクター)=0.
5(ウェハ側の開口数NAw=0.57に対して照明系
の開口数NAiはウェハ側換算で0.285)、輪帯比
0.6の輪帯照明(遮光部のウェハ側の開口数はウェハ
側換算で0.171)を行った場合のレチクル上のコヒ
ーレンス関数を示す。尚、横軸の寸法はウェハ側換算
(投影倍率倍した値)である。この場合、P1 を基準と
したコヒーレンス関数CAはP2 の位置では−0.3程
度と負に大きな値となっている。この結果、図5(B)
に示す輪帯照明下では2つのホールパターンP1 、P2
の像はウェハー上で振幅的に相殺し合い、2つのパター
ンからの両方の像の重なる領域での強度は低下すること
となる。
【0030】一方、図5(C)はσ=0.6の通常照明
の場合のレチクル上のコヒーレンス関数を示す。σ=
0.6の通常照明ではP2 の位置でコヒーレンス関数C
Cは−0.1程度で0に近い。この結果、σ=0.6の
通常の照明では両ホール像の振幅的な干渉作用は極めて
弱く、従って両像の重なる領域での強度は両像の強度の
単純な加算となる。
の場合のレチクル上のコヒーレンス関数を示す。σ=
0.6の通常照明ではP2 の位置でコヒーレンス関数C
Cは−0.1程度で0に近い。この結果、σ=0.6の
通常の照明では両ホール像の振幅的な干渉作用は極めて
弱く、従って両像の重なる領域での強度は両像の強度の
単純な加算となる。
【0031】本発明のように、レチクルRのフーリエ変
換面で光源の形状(光量分布)を操作すると、前述のフ
ァンシターツェルンケの定理によりレチクル面上の照明
光の空間的コヒーレンシー(可干渉性)が変化するが、
従来、多重焦点フィルターMFFと照明光の空間的コヒ
ーレンシーとの最適化を行う検討は成されていなかっ
た。
換面で光源の形状(光量分布)を操作すると、前述のフ
ァンシターツェルンケの定理によりレチクル面上の照明
光の空間的コヒーレンシー(可干渉性)が変化するが、
従来、多重焦点フィルターMFFと照明光の空間的コヒ
ーレンシーとの最適化を行う検討は成されていなかっ
た。
【0032】そこで以後、シミュレーション結果を基に
多重焦点フィルターMFFと照明光の空間的コヒーレン
シーとの最適化について説明する。先ず、多重焦点フィ
ルターMFFを設けた投影光学系PLを使ってσ=0.
6の通常照明行った場合のシミュレーション結果につい
て図8、図9を用いて説明する。図8は図5のレチクル
と異なり、ウェハ上換算で0.3μm角のホールパター
ンが完全に孤立して存在する場合の像強度分布(断面)
であり、図9は図5に示すパターンP1 、P2 のレチク
ルの像強度分布(断面)である。各図共に(A)はベス
トフォーカス、(B)は±1μmデフォーカス、(C)
は±2μmデフォーカス状態での像を示す。
多重焦点フィルターMFFと照明光の空間的コヒーレン
シーとの最適化について説明する。先ず、多重焦点フィ
ルターMFFを設けた投影光学系PLを使ってσ=0.
6の通常照明行った場合のシミュレーション結果につい
て図8、図9を用いて説明する。図8は図5のレチクル
と異なり、ウェハ上換算で0.3μm角のホールパター
ンが完全に孤立して存在する場合の像強度分布(断面)
であり、図9は図5に示すパターンP1 、P2 のレチク
ルの像強度分布(断面)である。各図共に(A)はベス
トフォーカス、(B)は±1μmデフォーカス、(C)
は±2μmデフォーカス状態での像を示す。
【0033】また、各図中Eopはパターニングすべき
ポジ型フォトレジストを完全に感光させる(現像後、完
全に除去される)光量レベルを示し、各像の縦方向の倍
率(実際の露光では露光量に対応)は、各条件でのベス
トフォーカスに於いて、各像のEopでのスライス幅が
0.3μm(設計値)となるように設定してある。一
方、各図中EcはEopの半分の光量で現在のポジ型フ
ォトレジストはこのEcより高い光量を受けると膜べり
(現像により一部が溶解する現象)が生じる。良好なホ
ールパターン像をレジストに転写するためにはホールパ
ターン部がEop以上であり、その他の部分はEc以下
であるような像強度分布が必要である。 さて、図8
(A)に示す像I81の如く、多重焦点フィルターを用
いて形成した像の周囲にはいわゆるリンギングI81
a、I81bが生じる。
ポジ型フォトレジストを完全に感光させる(現像後、完
全に除去される)光量レベルを示し、各像の縦方向の倍
率(実際の露光では露光量に対応)は、各条件でのベス
トフォーカスに於いて、各像のEopでのスライス幅が
0.3μm(設計値)となるように設定してある。一
方、各図中EcはEopの半分の光量で現在のポジ型フ
ォトレジストはこのEcより高い光量を受けると膜べり
(現像により一部が溶解する現象)が生じる。良好なホ
ールパターン像をレジストに転写するためにはホールパ
ターン部がEop以上であり、その他の部分はEc以下
であるような像強度分布が必要である。 さて、図8
(A)に示す像I81の如く、多重焦点フィルターを用
いて形成した像の周囲にはいわゆるリンギングI81
a、I81bが生じる。
【0034】図8は断面図であるので、2つのリンギン
グが生じているように見えるが実際にはホールパターン
の像の周囲をとり囲む、円環状のリンギングが生じる。
しかしながら、このリンギングI81a、I81bはポ
ジレジストに膜べりを与えるレベルEcよりも低いた
め、特に問題となるものではない。また、±1μm、±
2μmデフォーカス状態においては、ホール像強度I8
2、I83も低下するがリンギングも低下するため膜べ
りは生じず、ホールパターン像がレジストパターンに転
写することはない。
グが生じているように見えるが実際にはホールパターン
の像の周囲をとり囲む、円環状のリンギングが生じる。
しかしながら、このリンギングI81a、I81bはポ
ジレジストに膜べりを与えるレベルEcよりも低いた
め、特に問題となるものではない。また、±1μm、±
2μmデフォーカス状態においては、ホール像強度I8
2、I83も低下するがリンギングも低下するため膜べ
りは生じず、ホールパターン像がレジストパターンに転
写することはない。
【0035】図8(A)、(B)より、この条件での焦
点深度は±1μm、幅で2μm程度あることがわかる
が、これは多重焦点フィルターを用いない場合に比べて
圧倒的に大きな値であり、多重焦点フィルターの効果が
確認されている。しかしながら、図9(A)の如く、近
接した2個のホールパターンの場合、従来のσ=0.6
の通常照明では両ホールがそれぞれ作るリンギングのピ
ーク値が単純に強度加算されるため両ホールの中間に、
両リンギングの重なった明るい領域(リンギングの重な
りによる強度)I910が形成されてしまう。シミュレ
ーション結果の如く強度I910はレベルEcより大き
いため、ポジレジストに不要な膜べりを生じさせてしま
い、良好なホールパターンは形成できなくなる。また、
±1μm、±2μmデフォーカス状態においては、ホー
ル像強度I92、I93も低下し、リンギングも低下す
るため、レジストパターンに転写すること(膜べり)は
ないが、ホール像強度が低下しているため、像の忠実度
が低下する。
点深度は±1μm、幅で2μm程度あることがわかる
が、これは多重焦点フィルターを用いない場合に比べて
圧倒的に大きな値であり、多重焦点フィルターの効果が
確認されている。しかしながら、図9(A)の如く、近
接した2個のホールパターンの場合、従来のσ=0.6
の通常照明では両ホールがそれぞれ作るリンギングのピ
ーク値が単純に強度加算されるため両ホールの中間に、
両リンギングの重なった明るい領域(リンギングの重な
りによる強度)I910が形成されてしまう。シミュレ
ーション結果の如く強度I910はレベルEcより大き
いため、ポジレジストに不要な膜べりを生じさせてしま
い、良好なホールパターンは形成できなくなる。また、
±1μm、±2μmデフォーカス状態においては、ホー
ル像強度I92、I93も低下し、リンギングも低下す
るため、レジストパターンに転写すること(膜べり)は
ないが、ホール像強度が低下しているため、像の忠実度
が低下する。
【0036】一方、本発明に従って、多重焦点フィルタ
ーと照明光の空間的コヒーレンシーとの最適化を図るた
めに輪帯照明を採用した場合のシミュレーション結果を
図6、7に示す。図6、図7における、輪帯照明の条件
は絞り82に示したものであり、すなわちσ=0.5、
遮光部が開口部の0.6倍(輪帯比0.6)の輪帯照明
を行った場合のシミュレーション結果を示している。
ーと照明光の空間的コヒーレンシーとの最適化を図るた
めに輪帯照明を採用した場合のシミュレーション結果を
図6、7に示す。図6、図7における、輪帯照明の条件
は絞り82に示したものであり、すなわちσ=0.5、
遮光部が開口部の0.6倍(輪帯比0.6)の輪帯照明
を行った場合のシミュレーション結果を示している。
【0037】図6は図5のレチクルと異なり、図8と同
様にウェハ上換算で0.3μm角のホールパターンが完
全に孤立して存在する場合の像強度分布(断面)であ
り、図7は図9と同様に図5に示すパターンP1 、P2
のレチクルの像強度分布(断面)である。図6、図7各
図共に(A)はベストフォーカス、(B)は±1μmデ
フォーカス、(C)は±2μmデフォーカス状態での像
を示し、図6、図7中のEop、Ecは図8、図9と同
様の意味である。また、図6、図7中の各像の縦方向の
倍率(実際の露光では露光量に対応)は、図8、図9と
同様に各条件でのベストフォーカスに於いて、各像のE
opでのスライス幅が0.3μm(設計値)となるよう
に設定してある。
様にウェハ上換算で0.3μm角のホールパターンが完
全に孤立して存在する場合の像強度分布(断面)であ
り、図7は図9と同様に図5に示すパターンP1 、P2
のレチクルの像強度分布(断面)である。図6、図7各
図共に(A)はベストフォーカス、(B)は±1μmデ
フォーカス、(C)は±2μmデフォーカス状態での像
を示し、図6、図7中のEop、Ecは図8、図9と同
様の意味である。また、図6、図7中の各像の縦方向の
倍率(実際の露光では露光量に対応)は、図8、図9と
同様に各条件でのベストフォーカスに於いて、各像のE
opでのスライス幅が0.3μm(設計値)となるよう
に設定してある。
【0038】図7は図9と同様に図5に示すレチクルパ
ターンの像強度分布であるが、両ホール像から生じるリ
ンギングは前述の如く両ホールパターンの照明光のコヒ
ーレンスが負であるために、振幅的に相殺し、従って強
度は両ホールのリンギングの強度の単純な加算より小さ
くなる。その結果、図7(A)に示すようにリンギング
の重なり合う領域での強度I710をレベルEcより低
くすることができ、不要な膜べりの発生を押さえること
ができる。
ターンの像強度分布であるが、両ホール像から生じるリ
ンギングは前述の如く両ホールパターンの照明光のコヒ
ーレンスが負であるために、振幅的に相殺し、従って強
度は両ホールのリンギングの強度の単純な加算より小さ
くなる。その結果、図7(A)に示すようにリンギング
の重なり合う領域での強度I710をレベルEcより低
くすることができ、不要な膜べりの発生を押さえること
ができる。
【0039】また、図7(B)、(C)、図6(A)、
(B)、(C)に示す如く、輪帯照明を行った場合で
も、焦点深度や完全孤立のホールパターンについてのホ
ールパターン像特性も従来のσ=0.6の照明系(図
8、9)の場合の焦点深度や完全孤立のホールパターン
についてのホールパターン像特性と同等である。従っ
て、本発明による輪帯照明によれば、多重焦点フィルタ
ーを使った場合の他の性能を何ら犠牲とすることなく、
通常の照明では生じてしまう近接ホール間の膜べり問題
を解決することができる。
(B)、(C)に示す如く、輪帯照明を行った場合で
も、焦点深度や完全孤立のホールパターンについてのホ
ールパターン像特性も従来のσ=0.6の照明系(図
8、9)の場合の焦点深度や完全孤立のホールパターン
についてのホールパターン像特性と同等である。従っ
て、本発明による輪帯照明によれば、多重焦点フィルタ
ーを使った場合の他の性能を何ら犠牲とすることなく、
通常の照明では生じてしまう近接ホール間の膜べり問題
を解決することができる。
【0040】また以上の説明ではあらかじめ決定された
レチクルパターンの寸法(2つのホール間の寸法)d=
0.96μmに対してコヒーレンス関数を負とするよう
な輪帯照明を採用するものとした。しかし近接したホー
ルパターンに於いてリンギングが問題となるのは、この
リンギングが重なる場合であり、従って両ホールの間隔
がホール像の中心からリンギングのピークまでの距離の
2倍程度離れている場合である。
レチクルパターンの寸法(2つのホール間の寸法)d=
0.96μmに対してコヒーレンス関数を負とするよう
な輪帯照明を採用するものとした。しかし近接したホー
ルパターンに於いてリンギングが問題となるのは、この
リンギングが重なる場合であり、従って両ホールの間隔
がホール像の中心からリンギングのピークまでの距離の
2倍程度離れている場合である。
【0041】ところで、ホール像の中心からリンギング
のピーク値までの距離は使用する多重焦点フィルターの
振幅透過率と中心部FAの半径r1 と露光波長λ及び投
影光学系PLの開口数NA(ウェハ側開口数NAwもし
くはレチクル側開口数NAr)によりほぼ定まるもので
ある。従って、レチクル上でどの程度離れた位置でコヒ
ーレンス関数を負の最大とすればよいかはレチクルパタ
ーンによらず露光装置(投影光学系の開口数NA、多重
焦点フィルターの振幅透過率と中心部FAの半径r1 、
露光波長λ)のみによって決定される。
のピーク値までの距離は使用する多重焦点フィルターの
振幅透過率と中心部FAの半径r1 と露光波長λ及び投
影光学系PLの開口数NA(ウェハ側開口数NAwもし
くはレチクル側開口数NAr)によりほぼ定まるもので
ある。従って、レチクル上でどの程度離れた位置でコヒ
ーレンス関数を負の最大とすればよいかはレチクルパタ
ーンによらず露光装置(投影光学系の開口数NA、多重
焦点フィルターの振幅透過率と中心部FAの半径r1 、
露光波長λ)のみによって決定される。
【0042】多重焦点フィルター、又は一般的な瞳フィ
ルターを投影光学系の瞳面に用いない場合には、投影光
学系により形成される露光波長程度に微小なコンタクト
ホールパターン像の振幅分布は前述のコヒーレンス関数
と同様にJ1 を用いて、ほぼ2×J1 (2π×NAw×
x/λ)/(2π×NAw×x/λ)となる。このと
き、コンタクトホール像の第1暗環の半径は 0.610×λ/NAw (λ:露光波長、NAw:投影光学系のウェハ側開口
数)となり、第1明環(リンギング)の半径は0.81
8×λ/NAwとなることは広く知られている。
ルターを投影光学系の瞳面に用いない場合には、投影光
学系により形成される露光波長程度に微小なコンタクト
ホールパターン像の振幅分布は前述のコヒーレンス関数
と同様にJ1 を用いて、ほぼ2×J1 (2π×NAw×
x/λ)/(2π×NAw×x/λ)となる。このと
き、コンタクトホール像の第1暗環の半径は 0.610×λ/NAw (λ:露光波長、NAw:投影光学系のウェハ側開口
数)となり、第1明環(リンギング)の半径は0.81
8×λ/NAwとなることは広く知られている。
【0043】ところで、ウェハ側開口数NAwに相当す
るrmax (瞳の半径)に対して、r1 <rmax となるr
1 を半径とする中心領域内の振幅透過率がtであり、そ
の外側の振幅透過率が+1であるような多重焦点フィル
ターを用いると、上記の第1明環の半径、換言すればコ
ンタクトホールパターンの中心とリンギングのピークの
距離)は近似的に
るrmax (瞳の半径)に対して、r1 <rmax となるr
1 を半径とする中心領域内の振幅透過率がtであり、そ
の外側の振幅透過率が+1であるような多重焦点フィル
ターを用いると、上記の第1明環の半径、換言すればコ
ンタクトホールパターンの中心とリンギングのピークの
距離)は近似的に
【0044】
【数1】
【0045】となることがわかった。例えば前述の条件
の多重焦点フィルターMFF(ξ=0.5、t=−0.
3)を使った露光では、λ=0.365μm、NAw=
0.57より、第1明環の半径は0.48μmとなる。
である前述の如く問題となるのは、リンギングが重なる
場合であり、両ホール像の間隔がホール像の中心からリ
ンギングのピークまでの距離の2倍程度離れている場合
である。この半径の約2倍離れた任意の2点の照明光の
コヒーレンスが負となっていれば、ホール像は振幅的に
相殺し合いリンギングの強度は低下する。
の多重焦点フィルターMFF(ξ=0.5、t=−0.
3)を使った露光では、λ=0.365μm、NAw=
0.57より、第1明環の半径は0.48μmとなる。
である前述の如く問題となるのは、リンギングが重なる
場合であり、両ホール像の間隔がホール像の中心からリ
ンギングのピークまでの距離の2倍程度離れている場合
である。この半径の約2倍離れた任意の2点の照明光の
コヒーレンスが負となっていれば、ホール像は振幅的に
相殺し合いリンギングの強度は低下する。
【0046】従って、レチクルパターンに依存すること
なく、投影露光装置のみによってリンギングのピークを
小さくするための照明条件が定まる。このように第1明
環の半径の約2倍離れた任意の2点間で照明光のコヒー
レンスを負とすることを輪帯照明により実現するには、
(1)式を輪帯照明にも適用すると
なく、投影露光装置のみによってリンギングのピークを
小さくするための照明条件が定まる。このように第1明
環の半径の約2倍離れた任意の2点間で照明光のコヒー
レンスを負とすることを輪帯照明により実現するには、
(1)式を輪帯照明にも適用すると
【0047】
【数2】
【0048】となる。ここで、σは照明系のコヒーレン
スファクターであり、従ってNAw×σは照明系の開口
数のウェハ側換算値となる。またρは輪帯比であり、多
重焦点フィルターでのξに相当する。ただし、輪帯照明
では中心部が遮光されており、照明光学系中の瞳面での
光軸近傍の光量は零であるため、tの値は零となる。従
って、多重焦点フィルターに最適な輪帯照明の条件は、
スファクターであり、従ってNAw×σは照明系の開口
数のウェハ側換算値となる。またρは輪帯比であり、多
重焦点フィルターでのξに相当する。ただし、輪帯照明
では中心部が遮光されており、照明光学系中の瞳面での
光軸近傍の光量は零であるため、tの値は零となる。従
って、多重焦点フィルターに最適な輪帯照明の条件は、
【0049】
【数3】
【0050】を満たすσ、ρ程度であればよい。上式中
σをρ、t、ξで表すと、
σをρ、t、ξで表すと、
【0051】
【数4】
【0052】となる。以上より投影露光装置(多重焦点
フィルターの振幅透過率t、多重焦点フィルターの中心
部FAの半径r1 と投影光学系PLのウェハ側開口数N
Awに相当するrmax との比ξ)のみによってリンギン
グのピークを小さくするための照明条件(コヒーレンス
ファクターσ、輪帯比ρ)が定まる。このとき開口数N
Awや波長λには依存しない。
フィルターの振幅透過率t、多重焦点フィルターの中心
部FAの半径r1 と投影光学系PLのウェハ側開口数N
Awに相当するrmax との比ξ)のみによってリンギン
グのピークを小さくするための照明条件(コヒーレンス
ファクターσ、輪帯比ρ)が定まる。このとき開口数N
Awや波長λには依存しない。
【0053】例えば前述のシミュレーションで用いた多
重焦点フィルターMFF(ξ=0.5、t=−0.3)
を使った露光では、λ=0.365μm、NAw=0.
57より、コンタクトホールパターンの中心とリンギン
グのピークとの間隔(第1明環の半径)は(1)式、及
び図6(1)、図8(1)の如く、ほぼ0.48μm
(0.96μmの半分)となる。従って、基準位置に対
して0.48×2=0.96μm離れた位置で(ウェハ
上換算)コヒーレンシーを負の最大とするような空間的
コヒーレンシー(光源形状のフーリエ変換)を照明光学
系に与えるようにする。すなわち、例えば前述のシミレ
ーションで用いたようにσ=0.5の照明系であって、
かつ照明系瞳面上で光軸からその半径の0.6倍(輪帯
比)程度の円形部を遮光する輪帯照明とすればよい。
重焦点フィルターMFF(ξ=0.5、t=−0.3)
を使った露光では、λ=0.365μm、NAw=0.
57より、コンタクトホールパターンの中心とリンギン
グのピークとの間隔(第1明環の半径)は(1)式、及
び図6(1)、図8(1)の如く、ほぼ0.48μm
(0.96μmの半分)となる。従って、基準位置に対
して0.48×2=0.96μm離れた位置で(ウェハ
上換算)コヒーレンシーを負の最大とするような空間的
コヒーレンシー(光源形状のフーリエ変換)を照明光学
系に与えるようにする。すなわち、例えば前述のシミレ
ーションで用いたようにσ=0.5の照明系であって、
かつ照明系瞳面上で光軸からその半径の0.6倍(輪帯
比)程度の円形部を遮光する輪帯照明とすればよい。
【0054】ここで、前述のシミレーションに用いた多
重焦点フィルターMFF(ξ=0.5、t=−0.3)
でのσとρの関係を図10に示す。図10で縦軸はσを
示し、横軸はρを示している。この図からも明らかなよ
うに本発明で用いる輪帯照明のσ値は、例えば’91、
秋応物「超解像リソグラフィー(2)輪帯照明による高
解像化、東内ほか、Resolution improvement with annu
lar illmination,K.Tounai et al. Proc. SPIE, Vol 1
674,P753などで一般に輪帯照明で通常最適と言われる条
件σ=0.7程度より小さい方が好ましいことがわか
る。すなわち、輪帯照明によって作られるコヒーレンス
の負の最大が一般に最適と言われる位置より離れた位置
になるように設定する方が好ましい。また、多重焦点フ
ィルターの条件(ξ、t)を変更しても、σが通常より
小さい方が良いという条件は大きく変わらない。ここ
で、図4(B)中の絞り82は本発明の特徴的であるσ
値の小さめの輪帯照明用の絞りである。
重焦点フィルターMFF(ξ=0.5、t=−0.3)
でのσとρの関係を図10に示す。図10で縦軸はσを
示し、横軸はρを示している。この図からも明らかなよ
うに本発明で用いる輪帯照明のσ値は、例えば’91、
秋応物「超解像リソグラフィー(2)輪帯照明による高
解像化、東内ほか、Resolution improvement with annu
lar illmination,K.Tounai et al. Proc. SPIE, Vol 1
674,P753などで一般に輪帯照明で通常最適と言われる条
件σ=0.7程度より小さい方が好ましいことがわか
る。すなわち、輪帯照明によって作られるコヒーレンス
の負の最大が一般に最適と言われる位置より離れた位置
になるように設定する方が好ましい。また、多重焦点フ
ィルターの条件(ξ、t)を変更しても、σが通常より
小さい方が良いという条件は大きく変わらない。ここ
で、図4(B)中の絞り82は本発明の特徴的であるσ
値の小さめの輪帯照明用の絞りである。
【0055】尚、前述のシミレーションではξ=0.
5、t=−0.3の多重焦点フィルターにσ=0.5、
ρ=0.6の輪帯照明を用いており、このσ、ρはは図
10の最適条件よりわずかにずれた値となっている。し
かし前述のシミレーションの如く本発明の効果は充分に
発揮され、上記条件式より多少ずれたσ、ρの条件でも
充分に本発明の効果が得られることがわかる。
5、t=−0.3の多重焦点フィルターにσ=0.5、
ρ=0.6の輪帯照明を用いており、このσ、ρはは図
10の最適条件よりわずかにずれた値となっている。し
かし前述のシミレーションの如く本発明の効果は充分に
発揮され、上記条件式より多少ずれたσ、ρの条件でも
充分に本発明の効果が得られることがわかる。
【0056】従って、σ及びρの値は厳密に上式を満た
す必要はなく10%程度の差を含んでいても本発明の効
果は発揮される。なお、以上の実施例として光学系の諸
条件をi線(λ=0.365μm)、NA=0.57、
r1 /rmax であるξ=0.5、振幅透過率t=−0.
3とし、照明光学系はσ=0.5、また半径がその0.
6倍の部分を遮光する輪帯照明系としたが、本発明の効
果はこの条件に限定して得られるものではない。
す必要はなく10%程度の差を含んでいても本発明の効
果は発揮される。なお、以上の実施例として光学系の諸
条件をi線(λ=0.365μm)、NA=0.57、
r1 /rmax であるξ=0.5、振幅透過率t=−0.
3とし、照明光学系はσ=0.5、また半径がその0.
6倍の部分を遮光する輪帯照明系としたが、本発明の効
果はこの条件に限定して得られるものではない。
【0057】例えば露光波長λは任意であり、KrFレ
ーザの0.248μmやArFレーザの0.193μm
でも良い。また、ウェハ側開口数NAwについても任意
の値で構わない。また以上の実施例では照明系として輪
帯照明のみを用いるものとしたが、レチクル上の照明光
のコヒーレンスをより強力に変化させるためにSHRI
NC法(変形光源)を用いてもよい。すなわち、図4
(B)中の絞り84の如く照明光束を照明系瞳面で例え
ば4ヶ所の領域に限定する。これにより、レチクル面上
でのコヒーレンスは基準位置に対して特定の位置では輪
帯照明より、さらに大きな負の値とすることができる。
尚、照明光束を4ヶ所に限定されるものではなくnヶ所
でもよい(nは自然数)。最適化された変形光源を用い
ると輪帯照明の場合よりも近接したコンタクホールの中
間に生じる不要パターンの除去に効果的である。
ーザの0.248μmやArFレーザの0.193μm
でも良い。また、ウェハ側開口数NAwについても任意
の値で構わない。また以上の実施例では照明系として輪
帯照明のみを用いるものとしたが、レチクル上の照明光
のコヒーレンスをより強力に変化させるためにSHRI
NC法(変形光源)を用いてもよい。すなわち、図4
(B)中の絞り84の如く照明光束を照明系瞳面で例え
ば4ヶ所の領域に限定する。これにより、レチクル面上
でのコヒーレンスは基準位置に対して特定の位置では輪
帯照明より、さらに大きな負の値とすることができる。
尚、照明光束を4ヶ所に限定されるものではなくnヶ所
でもよい(nは自然数)。最適化された変形光源を用い
ると輪帯照明の場合よりも近接したコンタクホールの中
間に生じる不要パターンの除去に効果的である。
【0058】またこのときの変形光源の形状は使用する
多重焦点フィルターにより生じるコンタクトホール像の
ピークとリンギングとの間隔の2倍の距離のパターンピ
ッチに対して最適化するとよい。変形光源形状の最適化
は特開平4−225359号公報等に詳細に説明されて
いるのでここでは簡単に説明する。例えば、第1明環の
半径の2倍をピッチPMとしたとき、そのピッチPMに
対して最適化された配置をもつ4つ(又は2つ)の2次
光源像(例えば絞り84中の4つの開口部分や絞り81
を十字状に遮光した4つの開口部分)を用いるSHRI
NC法を採用すれば、レチクル上でピッチPM(ウェハ
側換算)の間隔をもつ2つの位置において、一方の位置
に対する他方の位置でのコヒーレンス関数を大きく負
(逆符号)にすることができる。
多重焦点フィルターにより生じるコンタクトホール像の
ピークとリンギングとの間隔の2倍の距離のパターンピ
ッチに対して最適化するとよい。変形光源形状の最適化
は特開平4−225359号公報等に詳細に説明されて
いるのでここでは簡単に説明する。例えば、第1明環の
半径の2倍をピッチPMとしたとき、そのピッチPMに
対して最適化された配置をもつ4つ(又は2つ)の2次
光源像(例えば絞り84中の4つの開口部分や絞り81
を十字状に遮光した4つの開口部分)を用いるSHRI
NC法を採用すれば、レチクル上でピッチPM(ウェハ
側換算)の間隔をもつ2つの位置において、一方の位置
に対する他方の位置でのコヒーレンス関数を大きく負
(逆符号)にすることができる。
【0059】図11は2次光源像の最適化を説明するた
めの図であり、ここでは絞り81を十字状に遮光した4
つの開口部分による2次光源について説明する。図11
はフライアイレンズ7(図1)の射出面における十字状
遮光部84aの配置を示し、x方向とy方向とに延びた
遮光部は中心CCで交差して十字状になっている。この
とき、十字状の遮光部のx、y方向の各幅は、フライア
イレンズ7を構成する複数の角柱状エレメントの境界線
に合わせるように設定される。さらに十字状遮光部の4
つの開口部の夫々に現れるフライアイレンズ7のエレメ
ント数も極力等しくするのが望ましい。
めの図であり、ここでは絞り81を十字状に遮光した4
つの開口部分による2次光源について説明する。図11
はフライアイレンズ7(図1)の射出面における十字状
遮光部84aの配置を示し、x方向とy方向とに延びた
遮光部は中心CCで交差して十字状になっている。この
とき、十字状の遮光部のx、y方向の各幅は、フライア
イレンズ7を構成する複数の角柱状エレメントの境界線
に合わせるように設定される。さらに十字状遮光部の4
つの開口部の夫々に現れるフライアイレンズ7のエレメ
ント数も極力等しくするのが望ましい。
【0060】さて、図11においてフライアイレンズ7
の射出端面は絞り81を十字状に遮光した4つの開口部
によって4分割され、分割されたそれぞれのフライアイ
レンズの組の光量上の重心点PG1 〜PG4 が黒丸で示
されている。この光量重心点PG1 〜PG4 の中心CC
からのx方向、y方向の各偏心量Pu、Pvを、レチク
ル上のピッチPMに対応したものとすればよい。
の射出端面は絞り81を十字状に遮光した4つの開口部
によって4分割され、分割されたそれぞれのフライアイ
レンズの組の光量上の重心点PG1 〜PG4 が黒丸で示
されている。この光量重心点PG1 〜PG4 の中心CC
からのx方向、y方向の各偏心量Pu、Pvを、レチク
ル上のピッチPMに対応したものとすればよい。
【0061】前述の如く、フライアイレンズ7の射出端
面はレチクルパターン面に対して光学的にフーリエ変換
の関係となっている。このためフライアイレンズ7の射
出端面での光軸での光軸AXからある1点までの距離Δ
xはレチクルパターン上での上記1点を発した光束の入
射角度(θ0 )に比例し、f・sinθ0 =Δxとな
る。ここでfはレチクルパターン面とフライアイレンズ
射出面とをフーリエ変換の関係で結ぶ光学系(合成光学
系)の焦点距離(合成焦点距離)である。
面はレチクルパターン面に対して光学的にフーリエ変換
の関係となっている。このためフライアイレンズ7の射
出端面での光軸での光軸AXからある1点までの距離Δ
xはレチクルパターン上での上記1点を発した光束の入
射角度(θ0 )に比例し、f・sinθ0 =Δxとな
る。ここでfはレチクルパターン面とフライアイレンズ
射出面とをフーリエ変換の関係で結ぶ光学系(合成光学
系)の焦点距離(合成焦点距離)である。
【0062】前述の特開平4−225359号公報等に
記載された条件は、主にラインアンドスペースパターン
等の周期パターンに適合する条件であり、周期パターン
のピッチがPであるとき、sinθ1 =λ/(2・P)
なる入射角θ1 でレチクルを照明するのがよいとされて
いる。このときレチクル上の周期パターンから発生する
0次回折光及び、片方の一次回折光が共にθ1 だけ光軸
から等しく傾いて発生する。またウェハへもsinθ2
=M×sinθ1 なるθ2 だけ等しく傾いて入射するた
め、焦点深度が増大するとされている。
記載された条件は、主にラインアンドスペースパターン
等の周期パターンに適合する条件であり、周期パターン
のピッチがPであるとき、sinθ1 =λ/(2・P)
なる入射角θ1 でレチクルを照明するのがよいとされて
いる。このときレチクル上の周期パターンから発生する
0次回折光及び、片方の一次回折光が共にθ1 だけ光軸
から等しく傾いて発生する。またウェハへもsinθ2
=M×sinθ1 なるθ2 だけ等しく傾いて入射するた
め、焦点深度が増大するとされている。
【0063】また2次元(x、y方向)の周期パターン
に対応するためには図11中のPu、PvをPu=f・
λ/(2・Px) Pv=F・λ/(2・Py) とするとよいとされている。ここでPx、Pyはそれぞ
れレチクル上でx方向及びy方向のパターンの周期であ
る。これを比較的近接したコンタクトホールパターンに
適用するには上記のパターン周期(Px、Py)をレチ
クル上のホールパターン間距離Dhとすればよい。すな
わち、Pu、Pv=f・λ(2・Dh)となるPu、P
vを各4光源の光量重心位置とすればよい。なお、この
条件ではレチクル上にはx方向又はy方向に近接したコ
ンタクトホールに有効であり、x,y方向から45°ず
れた方向に近接したコンタクトホールにはあまり有効で
はない。
に対応するためには図11中のPu、PvをPu=f・
λ/(2・Px) Pv=F・λ/(2・Py) とするとよいとされている。ここでPx、Pyはそれぞ
れレチクル上でx方向及びy方向のパターンの周期であ
る。これを比較的近接したコンタクトホールパターンに
適用するには上記のパターン周期(Px、Py)をレチ
クル上のホールパターン間距離Dhとすればよい。すな
わち、Pu、Pv=f・λ(2・Dh)となるPu、P
vを各4光源の光量重心位置とすればよい。なお、この
条件ではレチクル上にはx方向又はy方向に近接したコ
ンタクトホールに有効であり、x,y方向から45°ず
れた方向に近接したコンタクトホールにはあまり有効で
はない。
【0064】従ってレチクルパターン上でのコンタクト
ホールの近接し合う方向に応じて4光源の位置と光軸を
中心に回転させるとよい。尚、上記のPu、Pv=f・
λ(2・Dh)を満たすPu、Pvに各4光源の光量重
心を配置してレチクルを照明すると、レチクル上でDh
離れた2点でのコヒーレンシィは逆極性となる。なぜな
ら、フライアイレンズ7の射出面で光軸からx方向に+
Pu、およびx方向に−Pu離れた2つの光源(点光
源)の強度分布をフーリエ変換し、レチクル上のコヒー
レンス関数をu、vをフライアイレンズ7の射出面の座
標とすると、コヒーレンス関数C(x)は C(x)=∫〔δ(u−Pu))+δ(u+Pu)〕×exp〔2πixu/ (f・λ)〕du となり、 C(x)=exp〔2πiPux/(f・λ)〕 +exp〔−2πiPux/(f・λ)〕 となる。
ホールの近接し合う方向に応じて4光源の位置と光軸を
中心に回転させるとよい。尚、上記のPu、Pv=f・
λ(2・Dh)を満たすPu、Pvに各4光源の光量重
心を配置してレチクルを照明すると、レチクル上でDh
離れた2点でのコヒーレンシィは逆極性となる。なぜな
ら、フライアイレンズ7の射出面で光軸からx方向に+
Pu、およびx方向に−Pu離れた2つの光源(点光
源)の強度分布をフーリエ変換し、レチクル上のコヒー
レンス関数をu、vをフライアイレンズ7の射出面の座
標とすると、コヒーレンス関数C(x)は C(x)=∫〔δ(u−Pu))+δ(u+Pu)〕×exp〔2πixu/ (f・λ)〕du となり、 C(x)=exp〔2πiPux/(f・λ)〕 +exp〔−2πiPux/(f・λ)〕 となる。
【0065】これは C(x)=cos〔2π・Pu・x/(f・λ)〕 であるため、Pu=f・λ/(2・Dh)であれば C(x)=cos(πx/Dh) はなり、 x=0(基準点)でC(0)=+1 x=DhでC(Dh)=−1 となり、照明光のコヒーレンスは大きく逆符号となる。
【0066】尚、前述の式(4)、あるいは式(1)と
SHRINC法による光源位置の最適方法から予め照明
条件を求めることができ、この照明条件はオペレータに
よる入力等により主制御ユニット25に入力される。そ
して主制御ユニットはこの照明条件を満たすように駆動
ユニット27を制御して最適な絞りを選択する。さて本
発明の露光装置をコンタクトホール以外のパターンの露
光に使用する場合には投影光学系の瞳面の多重焦点フィ
ルターは除いたほうがよく、かつ照明条件も通常の円形
絞り(例えば図4(B)中の絞り84や一般に最適とさ
れるσの大きめの輪帯照明の図4(B)の絞り83)を
用いるとよい。
SHRINC法による光源位置の最適方法から予め照明
条件を求めることができ、この照明条件はオペレータに
よる入力等により主制御ユニット25に入力される。そ
して主制御ユニットはこの照明条件を満たすように駆動
ユニット27を制御して最適な絞りを選択する。さて本
発明の露光装置をコンタクトホール以外のパターンの露
光に使用する場合には投影光学系の瞳面の多重焦点フィ
ルターは除いたほうがよく、かつ照明条件も通常の円形
絞り(例えば図4(B)中の絞り84や一般に最適とさ
れるσの大きめの輪帯照明の図4(B)の絞り83)を
用いるとよい。
【0067】また、多重焦点フィルターMFFは円形状
のフィルターであるとしたが、多角形のフィルターであ
ってもよい。また本発明にさらに前述の累進焦点法(F
LEX)を併用することで、さらに焦点深度を拡大する
こともできる。
のフィルターであるとしたが、多角形のフィルターであ
ってもよい。また本発明にさらに前述の累進焦点法(F
LEX)を併用することで、さらに焦点深度を拡大する
こともできる。
【0068】
【発明の効果】本発明に於いては、投影光学系内のマス
クに対する光学的フーリエ変換面に透過光の振幅及び位
相を変化せしめる瞳フィルター(多重焦点フィルター)
を設け、完全に孤立していない、すなわち近接したコン
タクトホールパターンに対する照明光の位相(コヒーレ
ンス)を近接した両ホールパターン上で逆符号とするこ
とができる。これにより、従来の多重焦点フィルターの
性能を低下させることなくリンギングによる悪影響(ゴ
ースト像の発生)を除去することができ、近接したホー
ルパターンを良好に露光可能となる。
クに対する光学的フーリエ変換面に透過光の振幅及び位
相を変化せしめる瞳フィルター(多重焦点フィルター)
を設け、完全に孤立していない、すなわち近接したコン
タクトホールパターンに対する照明光の位相(コヒーレ
ンス)を近接した両ホールパターン上で逆符号とするこ
とができる。これにより、従来の多重焦点フィルターの
性能を低下させることなくリンギングによる悪影響(ゴ
ースト像の発生)を除去することができ、近接したホー
ルパターンを良好に露光可能となる。
【図1】本発明の一実施例に好適な投影露光装置の全体
的な構成を示す図である。
的な構成を示す図である。
【図2】投影光学系の部分的な構造を示す部分断面図で
ある。
ある。
【図3】多重焦点フィルターの振幅透過率を示す図であ
る。
る。
【図4】照明系内部の光源像の形状を切り換える交換絞
り機構を示す図である。
り機構を示す図である。
【図5】レチクル上の接近した2つのコンタクトホール
パターンに対するコヒーレンス関数を通常照明と輪帯照
明との夫々でシミュレーションした結果を示すグラフで
ある。
パターンに対するコヒーレンス関数を通常照明と輪帯照
明との夫々でシミュレーションした結果を示すグラフで
ある。
【図6】多重焦点フィルターと輪帯照明とを用いたとき
のコンタクトホールパターン像のデフォーカスに伴う強
度分布の変化をシミュレーションしたグラフである。
のコンタクトホールパターン像のデフォーカスに伴う強
度分布の変化をシミュレーションしたグラフである。
【図7】2つのホールパターンを多重焦点フィルターと
輪帯照明を用いて投影したときのデフォーカスに伴う強
度分布の変化をシミュレーションしたグラフである。
輪帯照明を用いて投影したときのデフォーカスに伴う強
度分布の変化をシミュレーションしたグラフである。
【図8】多重焦点フィルターを用いたときのコンタクト
ホールパターン像のデフォーカスに伴う強度分布の変化
をシミュレーションしたグラフである。
ホールパターン像のデフォーカスに伴う強度分布の変化
をシミュレーションしたグラフである。
【図9】2つのホールパターンを多重焦点フィルターを
用いて投影したときのデフォーカスに伴う強度分布の変
化をシミュレーションしたグラフである。
用いて投影したときのデフォーカスに伴う強度分布の変
化をシミュレーションしたグラフである。
【図10】輪帯照明におけるσとρの関係を示すグラフ
である。
である。
【図11】照明系のフライアイレンズとSHRINC法
で使う絞りとの配置関係を投影レンズの瞳内で見た図で
ある。
で使う絞りとの配置関係を投影レンズの瞳内で見た図で
ある。
【図12】SHRINC法の原理を説明する光線図であ
る。
る。
8、81、82、83、84…絞り 25…主制御ユニット 27…駆動ユニット R…レチクル W…ウェハ PL…投影光学系 MFF…多重焦点フィルター FTP…フーリエ変換面(瞳面)
Claims (4)
- 【請求項1】 少なくとも2つの微細のホール用パター
ンが形成されたマスクを、露光用の照明光で照射する照
明系と、前記マスクのホール用パターンから発生した光
を入射して前記ホール用パターンの像を感応基板上に結
像投影する投影光学系とを備えた投影露光装置におい
て、 前記投影光学系内の前記マスクに対する光学的フーリエ
変換面又はその近傍に、前記投影光学系の光軸を中心と
する円形領域内の振幅透過率をt(−1≦t≦0)と
し、前記円形領域外の振幅透過率をほぼ+1とする多重
焦点フィルターと;前記ホール用パターン面における照
明光のコヒーレンス関数が前記ホールパターン面上で所
定間隔だけ離れた2つの位置の一方の位置に対して他方
の位置でほぼ逆極性となるように、前記照明光のマスク
への入射角度範囲を設定する設定部材とを設けたことを
特徴とする投影露光装置。 - 【請求項2】前記設定手段は前記照明系中の前記ホール
用パターン面に対する光学的フーリエ変換面、もしくは
その近傍に設けられ、中央部を遮光した輪帯状のフィル
ターであることを特徴とする請求項1記載の投影露光装
置。 - 【請求項3】前記設定手段は前記照明系中の前記ホール
用パターン面に対する光学的フーリエ変換面、もしくは
その近傍面内における光量分布のピーク値を前記照明系
の光軸から偏心した位置に設定する手段であることを特
徴とする請求項1記載の投影露光装置。 - 【請求項4】前記所定間隔は前記振幅透過率と前記円形
領域の大きさ、及び前記投影光学系の開口数に応じて予
め定められることを特徴とする請求項1記載の投影露光
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5010794A JPH06224106A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5010794A JPH06224106A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 投影露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06224106A true JPH06224106A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11760257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5010794A Pending JPH06224106A (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06224106A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0720055A1 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | International Business Machines Corporation | Focal plane phase-shifting lithography |
WO2002052348A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-04 | Infineon Technologies North America Corp. | Projection lithography using a phase shifting aperture |
JP2005513833A (ja) * | 2001-12-18 | 2005-05-12 | ザ ユニバーシティ オブ ロチェスター | 多重焦点非球面レンズを使用して拡大焦点距離を得る撮像 |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP5010794A patent/JPH06224106A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0720055A1 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | International Business Machines Corporation | Focal plane phase-shifting lithography |
WO2002052348A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-04 | Infineon Technologies North America Corp. | Projection lithography using a phase shifting aperture |
JP2005513833A (ja) * | 2001-12-18 | 2005-05-12 | ザ ユニバーシティ オブ ロチェスター | 多重焦点非球面レンズを使用して拡大焦点距離を得る撮像 |
US7554750B2 (en) | 2001-12-18 | 2009-06-30 | The University Of Rochester | Imaging using a multifocal aspheric lens to obtain extended depth of field |
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