JP2004513053A - 多孔性構造体の膜沸騰による高密度化の改良 - Google Patents

Abstract

本発明は、多孔性構造体（５）の膜沸騰高密度化法（混合気液法）に関し、多孔性構造体を例えば炭化水素等の液状前駆体に浸すことと、システムを加熱して例えば炭素等の前記液状前駆体の分解性生成物を前記多孔性構造体の孔に堆積させることからなる。本発明は、多孔性構造体の周りにポリテトラフルオロエチレンからなるフィルタを用いて、多孔性構造体に入り込む液状前駆体流を減量し、高密度多孔性構造体の周囲の液状前駆体の気化現象を低減させることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

【０００１】
発明の技術分野
本発明の目的は、多孔性構造体を高密度化するための方法であり、さらに正確には、前記方法の改善に関し、消費電力を低減し密度化速度を増加させると同時に堆積生成物組織の均質性を向上させることができる。
【０００２】
多孔性構造体における膜沸騰高密度化法（気液混合方法）は、液状前駆体の熱分解により多孔性構造体を構成する物質と同一の、または異なる物質を堆積することによって多孔性構造体の空間を充填することであることは既知である。
【０００３】
本発明は、特にフェルト、繊維、ニードルパンチおよび三方向性予備成形物等の多孔性物質の高密度化に適合し、それらが高い機械抵抗力、優れた断熱性、ならびに衝撃および摩耗に対する適度な抵抗力を有するために、熱遮蔽体、ブレーキディスクおよびノズルスロートを製作するために有利に利用することができる。
【０００４】
従来技術
膜沸騰高密度方法または高速高密度化の基本技術は、特に仏国特許出願公開第２５１６９１４号（参考文献［１］）に記載されている。この技術は、高密度化する多孔性構造体を炭化水素からなる液状前駆体に浸すことと、炭化水素の分解により、前記構造体の孔の内部に堆積可能な炭素または熱分解グラファイトを形成するように誘導により加熱することである。
【０００５】
また、仏国特許出願公開第２７１２８８４号（参考文献［２］）に記載されているように、この技術は、前駆体としてトリクロロボラジン等のボラジンから選択された液状前駆体を使用することで、窒化ホウ素等のセラミック物質を用いた多孔性構造体の高密度化に使用されている。
【０００６】
この技術を使用すると、欧州特許出願公開第０５１５１８６号（参考文献［３］）に開示されているように、前記構造体の内部に２つの物質の組成こう配を生成することにより、多孔性構造体の孔に２つの異なる物質を堆積することができる。
【０００７】
また、この膜沸騰高密度化技術に使用される装置の完成品が米国特許第５３８９１５２号（参考文献［４］）および米国特許第５５４７７１７号（参考文献［５］）に記載されている。
【０００８】
仏国特許出願公開第２７６０７４１号（参考文献［６］）および仏国特許出願公開第２７６０７４２号（参考文献［７］）では、シクロヘキサン等の他の液状前駆体を用いることを提案している。こういった前駆体は、ベンゼンおよびナフタレンのハロゲンまたはアルキル誘導体からなる芳香族化合物である。これら２つの文献は、高密度化する構造体と接する厚みが３ｍｍ以上の別の多孔性構造体を維持し、その全体の厚みを上回る多孔性構造体の高密度化を保証することを提案したものである。
【０００９】
上記引用文献に記載の方法では、物質の流れは膜沸騰現象により抑制され、自然発生的であって、その結果：
熱エネルギーの５０から９０％は気化に消費され、加熱分解の工程では使用されないのでエネルギー収率が悪い。
温度勾配が非常に高く、温度勾配が増大するほど密度化速度が減少するので、密度化速度は最適化されているとは言えない。
【００１０】
本発明の概要
本発明の目的は、詳細には、多孔性構造体の膜沸騰高密度化法を改善し、消費電力を低減し、密度化速度を増加させると同時に、堆積生成物が炭素である場合にその組織の均質性を向上させることである。
【００１１】
本発明によれば、多孔性構造体の膜沸騰高密度化の過程は、サセプタに結合したか否かを問わず、多孔性構造体を液状前駆体に浸すことと、システムを加熱して多孔性構造体の孔に前記液状前駆体の分解生成物を堆積することからなり、多孔性構造体に入り込む液状前駆体流を減少させ、よって高密度化する多孔性構造体の周囲の前記液状前駆体の気化現象を低減することを特徴とする。加熱は、（予備成形物に直接結合することによりサセプタの有無を問わず）抵抗型または誘導型とすることができる。
【００１２】
このように、本発明は、高密度化する多孔性部分への液状前駆体の到達を制御することからなる。これは、多孔性構造体の周りの少なくとも一部に、高密度化する構造体の透過率より小さい透過度を有し、構造体を形成する物質とは異なる物質からなるフィルタを配置することにより達成できる。例えば、透過率０．０５から２０Ｄおよび厚み５０μｍから２ｍｍのフィルタを使用することができる。
【００１３】
多孔性構造体の周囲に前記フィルタがあるおかげで、当該部分が一様に最大温度となるために電気エネルギーが低下し密度化速度が増加する。
【００１４】
電気エネルギーの低下は、主に、エネルギーを吸収し多孔性構造体の外部を冷却する強い吸熱現象である前記前駆体の気化の流れがかなり低減するという事実に起因する。
【００１５】
前記現象の結果、密度化速度の増加が起こる。これは、排除された熱量がより小さいために該部分の温度勾配が小さく、沈着速度が熱と反比例して急速に伸びることにより、全体的に密度化速度が速くなる。
【００１６】
最後に、炭素沈着により多孔性構造体を高密度化するために本発明を使用する場合、前記フィルタは、最低上昇温度範囲において堆積した炭素の均一性も改善する。多孔性構造体の繊維線または繊維網の内部にモザイク状またはエクスピッチ（ｅｘ−ｐｉｔｃｈ）系炭素の形成を排除すると同時に、前駆体の沸騰による摂動、または液体の多孔性構造体への急激な透過を軽減することができる。
【００１７】
よって、液体の波を生成することにより対照的に構造体への前駆体の流れを増大させることを目的とした参考文献［４］の目的とは逆に、本発明では多孔性構造体に入り込む液状前駆体の流れを低減することにより前述した結果を達成する。
【００１８】
同様に、フィルタの存在により得られる効果は、参考文献［６］と［７］で使用されるフェルトを用いた効果とは全く異なる。
【００１９】
参考文献［６］と［７］では、フェルトは多孔性構造体の延長として働き、当該過程の開始時に部分的に高密度化される。よって、厚み全体にわたって多孔性構造体の項密度化が提供される。
【００２０】
本発明によれば、フィルタは多孔性構造体の延長でなく、多孔性構造体に入り込む液状前駆体の流入制限として機能する。
【００２１】
本発明で用いられるフィルタには、使用する液状前駆体に対して不活性であり、液状前駆体の沸点に耐える物質を使用する限りにおいて、様々な物質を使用することができる。
【００２２】
このフィルタは、（例えば、一または複数層構造状の）鉱物繊維、有機繊維またはガラス繊維製とすることができる。
【００２３】
また、フィルタに使用される物質は、液状前駆体により適度な湿潤性を有するように、使用する液状前駆体の性質に合わせて選択されてもよい。
【００２４】
本発明によれば、ポリテトラフルオロエチレン繊維からなるフィルタを有利に使用することができる。
【００２５】
フィルタの厚みもまた、適当な前駆体流を低減させるために使用される前駆体の性質に合わせて選択される。さらに、厚みの選択により多孔性構造体への堆積力および堆積速度を調節することができる。しかし、フィルタが特定の厚みを超えると、結果的に高密度化は多孔性を増すことになり、一般的に現在の用途の大部分で高密度物質の品質を損なう。
【００２６】
本発明によれば、連結金具（ガラスビーズ、ラッシングリング）からなる拡散隔膜を当該部分の周りに配することにより、当該部分に流れ込む液状前駆体流の影響は同様に低減することができる。
【００２７】
本発明の方法を実行すると、炭素又はセラミック化合物或いはその化合物または混合体等の様々な生成物を堆積することができる。
【００２８】
多孔性構造体を炭素の堆積物により高密度化する場合、液状前駆体は、アルカン、シクロアルカン、アルケン、芳香族炭化水素およびそれらの誘導体の中から選択される液状炭化水素とすることができる。
【００２９】
シクロアルカンは、特に、シクロヘキサンとすることができる。
【００３０】
芳香族炭化水素は、ベンゼン、ナフタレンおよびそれらハロゲン化またはアルキル化誘導体の中から選択することができる。
【００３１】
セラミック化合物を沈殿させる場合、液状前駆体は、ボラジン、アルコラート、シランおよびそれらの誘導体の中から選択することができる。
【００３２】
本発明によれば、厚みが３ｍｍから１０ｍｍのフェルト等の厚みが３ｍｍ以上の別の多孔性構造体を、高密度化する多孔性構造体とフィルタ間に介在させることができる。
【００３３】
本発明の方法を実施するために、当該システムは、誘導、ジュール効果または直結、或いはこれら手段の組み合わせによって加熱することができる。
【００３４】
加熱が、サセプタにより実施される誘導過熱か、または抵抗を用いて実施する抵抗過熱である場合、望ましくは、高密度化する多孔性構造体と、サセプタまたは抵抗との間に伸縮継手を配する。
【００３５】
一般的に、このような継ぎ手部の厚みは少なくとも１ｍｍ、有利には少なくとも３ｍｍである。前記継ぎ手部は、紙またはグラファイト製とすることができる。
【００３６】
本発明による方法で高密度化が可能な多孔性構造体は、特に、炭素またはグラファイトのフェルト或いは繊維とすることができる。
【００３７】
一般的に、高密度化は、上記のような多孔性構造体上に、前記液状前駆体を元にする炭素を堆積することにより行われる。
【００３８】
本発明の他の特徴及び長所は、添付図を参照して後述する非限定的な実施例により明らかにする。
【００３９】
図１は、本発明の方法を実施可能なサセプタを用いた誘導過熱を使用する高密度化装置を図示している。
【００４０】
本装置は、反応炉１、液滴粒子分離装置２またはエアゾールトラップおよび熱コンデンサまたは熱交換器３の、３つの部分からなるカラム（ｃｏｌｕｍｎ）を具備する。反応炉部分には、閉込み用の囲いまたはグローブボックス４が装備されており、内部は中性ガス流で掃引されている。これにより反応炉が破裂した場合におけるオペレータの安全性が確保されており、反応ガスの燃焼または爆発、およびオペレータによる生成物の吸入を予防することができる。
【００４１】
高密度化する多孔性構造体５およびサセプタ７を具備するシステムを、回転可能な、または不可能な支持部６上に配置する。前記支持部６は反応炉１の底部に搭載されており、スライド可能に閉蓋８を挿通している。
【００４２】
反応炉内部に配置可能な誘導コイル１０に、ジェネレータ１１により高周波電力を供給する。多孔性構造体およびサセプタの温度は、ジェネレータ１１の電力を調節して堆積温度を制御することが可能なプログラマ１３に接続された熱電対または熱感知器１２によって測定される。
【００４３】
さらに、当該反応炉は、当該反応炉１内部に連続的に前駆体を導入可能な導管１４と、導管１５に発生したタールと懸濁液を取り除くために反応炉の含有物を連続的にフィルタ可能な導管１５とを具備する。該２つの導管には、循環ポンプ１６および１７がそれぞれ装備される。また、反応炉には、窒素管１８、または処理の始めに反応炉１に収容された空気を取り除くために使用される他の中性ガスと、最後に、反応炉の底部に配され、反応炉のエア抜きを可能にするバルブ１９を装備した開口部とが装備されている。
【００４４】
反応炉１の上部に配置された液滴粒子分離装置２は、反応炉１内に生成されたミストを除去するように機能する。液滴粒子分離装置２の上部に配置されたコンデンサまたは熱交換器３は、冷却液（通常は水）の循環用の蛇行部２０を具備する。
【００４５】
当該熱交換器で前駆体の蒸気を冷却して液化することにより、反応炉１に送り返すことができる。
【００４６】
反応ガスは圧力調整バルブ２１を用いて負圧下で抽出され、導管を介してガス処理装置２２（ハロゲン化合物を利用する場合の中和）に達する。該ガス調整バルブ２１は、アクチュエータポジショナ（ｐｒｅｓｓｏｓｔａｔ）２４に接続されたレギュレータ２３により制御する。クラッキングからのガス流は、流量測定器２５で測定する。
【００４７】
また、当該ガス処理装置は、反応炉内部の圧力を確認するための第２アクチュエータポジショナ２７と、コラム内の超過圧（０．２ＭＰａに設定）を抑制するための安全解放バルブ２８および２９を装備する２つの導管とを具備する。また、当該ガス処理装置の近傍に爆発力計３０を配置し、クラッキングによる該装置外部へのガス漏れを検知する。
【００４８】
バルブ３２、３３、３４および３５によりポンプ１６の使用が可能で、本発明の方法を実施中に前駆体Ｐを送り出すか、または実験の最後に導管１４および３６を通ずる閉路に溶媒Ｓを循環させて当該装置のクリーニングを行うことができる。
【００４９】
図２は、ペイエックス（ｐａｙｅｘ）（グラファイト紙）５３で覆われた図１の多孔性構造体５とサセプタで形成されたシステムの水平断面図を示している。
【００５０】
この図では、サセプタ７の周囲に多孔性構造体５が配置され、本発明によるフェルト５１とフィルタ５２によって覆われていることがわかる。
【００５１】
この図では、フィルタの厚みは実質的により小さいものなので、フェルトの厚みと対比させると実際より大きく表現されている。
【００５２】
以下にこの装置における本発明の実施形態を記述する。
【００５３】
サセプタ７、多孔性構造体５、フェルト５１およびフィルタ５２からなるシステムを、反応炉１の外部において支持部６上に配置する。熱感知器１２を配置し、次いで不活性ガスを使用して反応炉１と密封室４とから残留する酸素を駆逐するためにパージする。その後反応炉に前駆体（例えばシクロヘキサン）を充填する。
【００５４】
冷却回路２０とガス処理装置２２を作動させ、濾過ポンプ１７、ジェネレータ１１、温度プログラマ１３、圧力レギュレータ２３の動力を上昇させた後、システムの温度を上昇させる。圧力は圧力レギュレータ２３によって０．１２ＭＰａに設定する。
【００５５】
前駆体が沸騰し始めると、反応炉の不活性ガスパージが抑制される。クラッキング温度（シクロヘキサンの場合は約８００℃）に達すると、前駆体の気体は多孔性構造体内で分解し、基材の孔の内部で炭素沈着物となる。
【００５６】
さらに詳細には、多孔性構造体壁が最高温度に達したときクラッキングが生じる。多孔性構造体がサセプタに載置されているとき、高密度化の前面は、サセプタと接触する多孔性構造体の表面から外壁の方向に広がる。サセプタが存在しないときには、高密度化の前面は、多孔性構造体の内部から液状前駆体に接触配置された外壁の方向に広がる。
【００５７】
高密度化前面の前進速度は、多孔性構造体の最大温度とその特性（多孔性形式）に応じて、数十ｍｍ／ｈからｃｍ／ｈ（ｒ）まで変化してよい。温度は、サセプタ７（サセプタが存在しない場合は多孔性構造体５の中央部）に配置された熱電対１２に接続されたプログラマ１３により制御する。反応ガス流を流量計測器２５により計測し、反応ガス流の成分を識別することにより、高密度化前面の前進速度を計算することが可能となる。
【００５８】
反応炉内の前駆体を一定に保つために、前駆体を連続的に加える。
【００５９】
反応ガス混合体、非分解蒸気、および反応炉で生成されたエアゾールを反応炉の上方部から抜く。前記エアゾールおよび蒸気を液滴粒子分離装置２および交換器３で液化し、前記反応ガスを当該装置の上部において抽出し、最終的にガス処理装置２２で中和する。高密度化の最後で、ガス流の計測値は著しく落ち込む。すると、温度は大気温度に達するまで徐々に低下する。
【００６０】
このようにして得られるシステムを次いで換熱し、真空下の炉内で約５００度で熱処理することにより、残った間隙率に滲み込んで残余している前駆体を除去する。前駆体とフィルタをシステムから分離し、高密度化されなかった構造体の外側部分（例えば追加フェルト）を機械処理する。
【００６１】
炭素を堆積させた場合、得られた高密度化構造体は均質で、密度は１．７以上であり、偏光での光学顕微鏡による特徴付けにより明らかであるように、粗層構造を有する。この構造は、高温（２４００度）での熱処理によりグラファイトに近似した結晶構造を得ることを可能にするため、特に興味深い。
【００６２】
以下に、シクロヘキサンを液状前駆体として使用し、フィルタを使用したときと使用しないときの高密度化の結果を示すことにより、部分的な炭素高密度化の２つの実施例を説明する。
【００６３】
実施例１
使用する反応炉は内径２００ｍｍ、高さ３００ｍｍである。反応炉内部に配置される誘導器は高さ１５０ｍｍで、内径および外径がそれぞれ１７５ｍｍおよび１９５ｍｍである６回転からなる。
【００６４】
使用するサセプタは直径８０ｍｍおよび高さ１００ｍｍである。該サセプタは、以下３つの部分からなる、高密度化する炭素フェルト（密度０．４０から０．４５）を使用して完全に包まれている。
−　側表面を覆う、内径および外径がそれぞれ８０ｍｍおよび１２０ｍｍ、高さ１００ｍｍの中空のシリンダ
−　２つの平坦な上部および底部表面を覆う、直径１２０ｍｍおよび厚さ２０ｍｍの２つのディスク
【００６５】
システムは、以下の特徴を備えるポリテトラフルオロエチレンＧＯＲＥ−ＴＥＸ（登録商標）の２層から形成されるフィルタにより覆われている。
−　１つの層の厚みが０．２ｍｍ
−　濾過特性：直径７．５μｍ未満の粒子のみを通過させる。
−　透過率：１ダルシー（または１μｍ^２）
−　熱伝導率：摂氏５０度において０．０４５Ｗ／ｍ．Ｋ、摂氏１００度において０．０５４Ｗ／ｍ．Ｋ
【００６６】
フィルタ全体の厚みは０．４ｍｍである。
【００６７】
圧力を０．１Ｍｐａに設定する。温度を摂氏５００度／ｈの速度で１，１００度まで上昇させる。電力は、分解ガス流がほぼ一定に維持されるように実験時間にわたって調整される。高密度化を約７時間行った後、気温を摂氏８００度／ｈの速度で低減する。
【００６８】
結果は以下の通りである：
−　高密度化速度は３ｍｍ／ｈであった。
−　エネルギー消費は堆積した炭素１ｋｇにつき６５ｋＷｈであった。
−　炭素が一様に堆積し、粗層型の構造となった。
【００６９】
比較のため、同条件下でＧＯＲＥ−ＴＥＸ（登録商標）を使用せずに高密度化を約１０時間行うと：
−　高密度化速度は１．９ｍｍ／ｈであった。
−　エネルギー消費は１２０ｋＷｈ／ｋｇであった。
−　繊維束や外部にモザイク状の炭素またはエクスピッチ型の炭素の堆積があったため、堆積は一様でなかった。
【００７０】
実施例２
本実施例は炭素の小片の高密度化に関する。加熱は抵抗加熱である。
【００７１】
加熱要素は直径３ｍｍのグラファイトである。それを、炭素フェルト（密度０．１）からなる直系２ｃｍおよび高さ３ｃｍのチューブである、高密度化する試料で囲む。システムを、実施例１と同様のＧＯＲＥ−ＴＥＸ（登録商標）の２層から形成されるフィルタに包む。
【００７２】
圧力を０．１Ｍｐａに設定する。温度を摂氏１，０００度／ｈの速度で１，１００度まで上昇させる。温度を３０分間摂氏１，１００度に維持し、その後摂氏１，０００度／ｈの速度で低減する。
【００７３】
結果は以下の通りである：
−　高密度化速度は４ｍｍ／ｈであった。
−　エネルギー消費は堆積した炭素１ｋｇにつき１１０ｋＷｈであった。
−　密度は１，８であった。
【００７４】
比較のため、同条件下でＧＯＲＥ−ＴＥＸ（登録商標）を使用しない場合は：
−　高密度化速度は０．６ｍｍ／ｈであった。
−　エネルギー消費は堆積した炭素１ｋｇにつき１，４００ｋＷｈであった。
−　密度は１，８であった。
【００７５】
図３および図４は、実施例１で高密度化した２０ｍｍの炭素ディスクにおける温度プロフィールを示す。
【００７６】
図３の曲線Ｔｓは、時間の経過（時間，分）に伴うサセプタの温度（摂氏）変化を示す。その下の複数の曲線は、表示された距離（ｍｍ）だけ離れたディスクの領域における時間の経過（時間，分）に伴う温度（摂氏）の変化を表す。それぞれの距離は、温度を測定した部分における位置とサセプタとの距離に一致する。
【００７７】
図４の曲線は、同じ条件下でＧＯＲＥ−ＴＥＸ（登録商標）フィルタを使用しない場合の厚さ２０ｍｍのディスク上の温度プロフィールを表す。
【００７８】
これら２つの図を比較することにより、最も急激な上昇は図３に見られ、その温度勾配は小さいことがわかる。繊維上への堆積速度および生成される炭素の量は、温度と反比例するので、ＧＯＲＥ−ＴＥＸ（登録商標）を使用しない場合、勾配が小さい部分の最高温度の値は、高密度化の速度を速め、エネルギー消費を低減し、炭素の生成を増大させる結果となる。
【００７９】
よって、本発明によるフィルタを使用することにより、液体／気体の界面制御が可能で、内部の蒸気流を簡単に変化させることができ、よって部品製造において重要な経済的要素となる高密度化速度、および高密度化に要する電力に関して多大な利益をもたらすことが可能である。
【００８０】
参考文献
［１］仏国特許出願公開第２５１６９１４号
［２］仏国特許出願公開第２７１２８８４号
［３］欧州特許出願公開第０５１５１８６号
［４］米国特許第５３８９１５２号
［５］米国特許第５５４７７１７号
［６］仏国特許出願公開第２７６０７４１号
［７］仏国特許出願公開第２７６０７４２号
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に利用可能な高密度化装置を図示している。
【図２】図２は、高密度化される多孔性構造体の水平断面図を示している。
【図３】図３は、フィルタが存在する場合の高密度化されるディスク状多孔性構造体の温度プロフィールを示している。
【図４】図４は、フィルタを使用せずに高密度化した点以外は図３で使用したものと同一の多孔性構造体の温度プロフィールを示している。

Claims (12)

1. 多孔性構造体の膜沸騰高密度化法であって、多孔性構造体を液状前駆体に浸すことと、システムを加熱して前記液状前駆体の分解生成物を多孔性構造体の孔に堆積させることからなり、多孔性構造体の少なくとも一部の周囲に、該構造体を構成する物質とは異なる物質からなり、高密度化する多孔性構造体の透過性より低い透過性を有するフィルタを装着することにより、多孔性構造体に入り込む液状前駆体流を減少させ、よって高密度化する多孔性構造体の周囲の液状前駆体の気化現象を低減することを特徴とする方法。
2. 前記フィルタが０．０５から２０Ｄの透過度と５０μｍから２ｍｍの厚みを有する請求項１に記載の方法。
3. 前記フィルタがポリテトラフルオロエチレン繊維製である請求項１または請求項２に記載の方法。
4. 前記フィルタが１ダルシーの透過度と０．２ｍｍの厚みを有する請求項３に記載の方法。
5. 厚み３ｍｍ以上の別の多孔性構造体が高密度化する多孔性構造体と前記フィルタ間に介在する請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の方法。
6. 液状前駆体が、アルカン、シクロアルカン、アルケン、芳香族炭化水素およびそれらの誘導体から選択される液状炭化水素である請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記液状前駆体がシクロヘキサンである請求項６に記載の方法。
8. 前記液状前駆体が、ベンゼン、ナフタレンおよびそれらのハロゲン化またはアルキル化誘導体から選択される芳香族炭化水素である請求項６に記載の方法。
9. 液状前駆体が、ボラジン、アルコラート、シランおよびそれらの誘導体から選択されるセラミック化合物の前駆体である請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の方法。
10. システムの加熱法は、サセプタを利用した誘導加熱法および／またはジュール効果による抵抗加熱法および／または直接結合による誘導加熱法である請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の方法。
11. 加熱法は、サセプタを利用して実行する誘導加熱法、または抵抗を利用して実行する抵抗加熱法であり、前記高密度化する多孔性構造体と前記サセプタまたは前記抵抗との間に伸縮継手を配置する請求項１０に記載の方法。
12. 前記多孔性構造体が炭素からなり、前記液状前駆体がシクロヘキサンである請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の方法。

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