JP2004510201A - 光スイッチ装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、スイッチ時間の短縮されたスイッチ装置に関する。本装置はスイッチ可能層(3)の水素含量を変更することで反射状態と吸収状態との間でスイッチされるスイッチ可能層(3)を有する。電子伝導層(11、13)に直流電圧を印加することにより、水素含量が変化する。これらの電子伝導層(11、13)は、このスイッチ可能層(3)と水素貯蔵層(9)とを有する積層を挟んでいる。この水素貯蔵層はスイッチ可能層(3)と実質的に同一の物質、すなわちLMgHx及び好適にはGdMgHxを有する。貯蔵層は薄くすることが可能であり、これにより水素輸送時間が比較的短くなり比較的速いディスプレイが得られる。本装置は散乱箔を適用することにより更に改良することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも光を反射する第一状態と光を吸収する第二状態との間で可逆的にスイッチ可能な光スイッチ装置に関し、前記装置は、水素密度を変化させることにより装置の第一状態から第二状態へのスイッチをもたらす、光学的にスイッチ可能な物質のスイッチ可能層を含む積層を有する。
【0002】
【従来の技術】
米国特許第5,905,590号では、マグネシウム以外の三価金属を伴うマグネシウムの水素化物を含むスイッチ薄膜を有するスイッチ装置について記述されている。このスイッチ薄膜は、水素の交換により、透明状態から中間の黒色の吸収状態を介して全く透過しない鏡のような状態へ可逆的にスイッチすることが可能である。このスイッチ薄膜は、透明な基板上に蒸着された積層中に含まれている。この装置は光学効果によって、例えば可変ビームスプリッタ及び光学シャッターのような光学スイッチ要素並びに照明器具中での光ビームの照度又は形を制御するための利用などが可能である。このスイッチ装置は記憶保存用、光学計算用、並びに、建築ガラス、視覚制御ガラス、サンルーフ及びバックミラーなどのアプリケーションとしての利用も可能である。スイッチ薄膜にパターンを作製し、そこに透明電極を備えることで、薄型ディスプレイを製造することが可能である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
これらのタイプの装置の問題は、スイッチ効果の速度が水素の輸送によって決定されるため、装置が比較的遅いということである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は速度が向上したスイッチ装置を提供することである。この目的のため、本発明は前記積層が更に、スイッチ可能層と実質的に同一の化合物を有する物質を有する、水素を貯蔵するための層を含むことを特徴とする。このスイッチ物質は不透明状態で優れた水素貯蔵容量を持つ。装置は反射状態と吸収状態との間でのみスイッチされるため、水素貯蔵層は不透明であってもよく、このスイッチ物質を前記の目的のために使用することができる。スイッチ物質の貯蔵容量が高いということを考慮すると、スイッチ物質を貯蔵層としても用いれば貯蔵層をより薄くすることができ、これは水素輸送の拡散時間が短縮されることにつながるため、結果として装置のスイッチ速度が増加する。更に、反射状態と吸収状態との間のスイッチにおいて、輸送しなければならない電荷は減少する、つまり、スイッチに要求される電流は減少する。
【0005】
本発明の利点のある実施例は従属請求項で説明される。
【0006】
本発明のこれらの及び他の側面を以下に記載の実施例を参照し、説明する。
【0007】
【発明の実施の形態】
一般的に、同様の参照番号は同様の要素を表す。
【0008】
図1A及び1Bは従来技術に基づいたスイッチミラー装置の断面図である。層の厚さの尺度は実際とは異なって描かれている。この装置は透明なガラス板1を有し、その上に真空蒸着、スパッタリング、レーザアブレーション、化学蒸着又は電気鍍金などの従来の方法により積層が蒸着されている。積層は、スイッチ薄膜として厚さ約200nmのLMgHx(LはNi、Sc若しくはY又は元素周期表のランタニド系元素を表す)層3と、厚さ約5nmのパラジウム層5と、厚さ0.1から10μmの範囲のイオン伝導電解質層7と、水素貯蔵層9とを有する。
【0009】
GdMgHxは、光学特性及びスイッチ時間に関する限り非常に適切なスイッチ物質であるが、スイッチ物質としては他の三価のマグネシウム−ランタニド合金を採用しても良い。スイッチ薄膜3は、低水素(x<〜2)組成と飽和した高水素(x〜5)組成との間で、中間水素組成を介して可逆的にスイッチすることが可能である。これらの種々の組成は異なった光学特性を持っている。水素含量が低いとき、薄膜は金属的な特徴を持ち、不透明である。このとき薄膜は鏡のように反射する。水素含量が高いとき薄膜3は半導体的且つ透明で、水素含量が中間の場合はスイッチ薄膜は吸収性である。
【0010】
パラジウム層5は水素化又は脱水素化の速度を増加させ、スイッチ速度を増加させる働きがある。白金又はニッケルなどの他の電気触媒的金属又は合金も使用することができる。加えて、この金属層はその下のスイッチ薄膜3の電解質による腐食を防止する。パラジウム層5の厚さは2から25nmの間の値をとることができる。しかし、薄膜の厚さがスイッチ装置の最大透過率を決定するため、厚さ2から10nmの薄い層が好適である。
【0011】
適切に機能するためには、水素貯蔵層9及び水素イオン伝導電解質層7も必要である。良い水素イオン伝導電解質としてはZrO2Hxがある。電解質は良いイオン伝導体でなくてはならないが、また、装置の自己放電を防止するため電子の絶縁体でなくてはならない。装置を単純にし、封入の問題を防止して装置の取り扱いを容易にするには、透明な固体電解質の使用が最も好適である。
【0012】
もし切り換えミラーにおいて透明状態が必要であれば、貯蔵層の良い候補としてWO3がある。
【0013】
積層は、二つの透明電子伝導電極層11及び13、例えばインジウム−スズ酸化物(ITO)の間に挟まれている。電極層11及び13は外部の電流源(示されない)と結合されている。直流電流を印加することにより、鏡状の低水素組成が、透明で中間灰色の高水素組成にスイッチされる。これにより装置は、図1A中の点線で示されるように、透明な窓としての働きをもつようになる。電流の流れを逆にすると、スイッチ薄膜3は、図1Bに示されるように鏡状で不透明な低水素状態に戻る。このスイッチ時間は従来型のエレクトロクロミック装置に匹敵する。装置は室温で動作可能である。一旦鏡が所望の光学状態に達したら、装置には実質的に電流は流れなくなる。これは、ディスプレイが極めて低い電力で情報を保持することを意味する。
【0014】
ディスプレイは、基板の側から、すなわち基板の積層が蒸着されたのと反対側の面から見られる。従来のスイッチミラー装置の問題点は、図2に示されるように、ピクセル要素20の可視面24、つまりディスプレイが見られる側から、いわゆるアクティブマトリックスの要素22が見えてしまうことである。このアクティブマトリックス(薄膜トランジスタ、行部、列部、蓄積キャパシタ等)は、ピクセル要素のスイッチに必要な電気要素を有する。アクティブマトリックスは、埋め込み層26に埋め込まれており、これらは共にピクセル要素中に含まれている。アクティブマトリックスは電極層13及び15と電気的に接続されている。絶縁層28は積層からアクティブマトリックス要素22を絶縁する。
【0015】
従来技術に基づいた配置では、アクティブマトリックスに占有された表面領域は光学的に活性な層3として使用できない。これは可視面24からディスプレイが見られた場合にディスプレイのアパーチャを低減させる。特に、駆動回路が比較的複雑であり、スイッチミラーディスプレイを充電するのに必要な高電流を取り扱うためトランジスタが好適には比較的大きく作製されるため、アパーチャは比較的小さくなる。
【0016】
図3A及び3Bは本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層を示す。この場合ディスプレイは、基板の積層が蒸着された方の側24から見られる。スイッチ層3を構成する積層の順序は従来型とは逆になっている。この意味は、積層は、基板表面から始めて、水素貯蔵のための第一層9、水素伝導のための第二層7、そしてスイッチ可能層3を有するということである。
【0017】
積層は電子伝導電極層11及び13の間に挟まれている。光学的にスイッチ可能な物質3は、水素密度を変化させることにより光を反射する状態から光を吸収する状態へスイッチされる。電子伝導層に直流電圧を印加することにより水素密度は変化する。
【0018】
第二層が電解質物質、例えばZrO2Hxを有し、第二層7とスイッチ可能層3との間に分離層5が存在し、そして第一層9がGdMgHxを有する積層によって良い結果が得られた。
【0019】
図4は本発明記載のピクセル要素20の断面図である。積層の順序は逆になっており(図3A及び3Bにより詳細に示される)、スイッチ層3はアクティブマトリックス要素22間に延在している。よってディスプレイ装置の可視面24から見て電気的スイッチ手段は光学的スイッチ物質の層の後方に位置している。スイッチ層が、反射状態から吸収状態へ及びその逆方向へスイッチされるとき、アクティブマトリックス要素22は見えない。アクティブマトリックス要素がアパーチャを決定することはなくなり、結果的にアパーチャは増加する。
【0020】
スイッチ層3により基板とスイッチ層との間に位置する伝導層13も見えなくなる。従って、伝導層13は透明である必要がなくなるため金属を含むことができるようになり、伝導率が向上する。
【0021】
スイッチミラーが透明状態である必要がないため、第二のLMgHx(LはNi若しくはY又はランタニド系元素を表す)層は貯蔵層として使用することができる。よって、水素貯蔵層はスイッチ可能層と本質的に同一な化合物を有するが、層の中で種々の化合物が作る相互比はスイッチ可能層の相互比と異なっていてもよい。
【0022】
これには貯蔵層(9)をより薄くすることができるという利点があり、水素の輸送時間が短縮され結果としてより速いディスプレイが得られることになる。更に、反射状態と吸収状態との間のスイッチにおいて、輸送しなければならない電荷(水素イオン)は減少する、つまり、スイッチのために必要な電流は減少する。典型的には、100nmの薄いGd40Mg60水素化物層において、透明状態と反射状態との間でスイッチするために一つの層から他の層へ全ての水素を輸送させるのに約0.1C/cm2の電荷が必要である。反射状態と吸収状態との間でのみのスイッチには、輸送しなければならない水素はより少ない(約0.05C/cm2)。
【0023】
このような装置は反射状態と吸収状態との間でのみスイッチが必要なアプリケーションに使用することができる。もしディスプレイ装置の可視面24に散乱箔が具備されていれば、ディスプレイのコントラストは改善される。箔の存在により、反射状態のスイッチミラーピクセルは白く見え、吸収状態のスイッチミラーピクセルは黒く見える。このようなタイプのディスプレイは例えば書類リーダとして使用することができる。この原理をカラーフィルタと組み合わせることにより、フルカラー書類リーダが得られる。
【0024】
他の態様として、反射層表面を意図的に荒くして、白く又は黒く見える反射状態を提供するための所望の散乱反射を得ることができる。
【0025】
まとめとして、本発明は、スイッチ時間の短縮されたスイッチ装置に関する。本装置は、スイッチ可能層3の水素含量を変更することで反射状態と吸収状態との間でスイッチされるスイッチ可能層3を有する。電子伝導層11及び13に直流電圧を印加することにより、水素含量が変化する。これらの電子伝導層11及び13は、スイッチ可能層3と水素貯蔵層9とを有する積層を挟んでいる。この水素貯蔵層はスイッチ可能層3と同一の物質、すなわちLMgHx及び好適にはGdMgHxを有する。貯蔵層は薄くすることが可能であり、これにより水素輸送時間が比較的短くなり比較的速いディスプレイが得られる。本装置は散乱箔を適用することにより更に改良することができる。
【0026】
上記の実施例は本発明を制限するのではなく説明しているのであって、当業者は添付の請求項の範囲から出ることなく多くの代替実施例をデザインすることが可能であるということに注意すべきである。これは特に、引用した従来技術の書類の、米国特許第5,905,590号に示された応用例に関連した実施例に関して有効である。請求項においては、いかなる括弧内の参照記号も請求項を制限するものではない。動詞「有する(to comprise)」及びその活用形の使用は、請求項記載以外の要素又は段の存在を排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1A】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイの積層の断面図。
【図1B】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイの積層の断面図。
【図2】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイのピクセル要素の断面図。
【図3A】本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層。
【図3B】本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層。
【図4】本発明記載のスイッチミラー装置のピクセル要素の断面図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも光を反射する第一状態と光を吸収する第二状態との間で可逆的にスイッチ可能な光スイッチ装置に関し、前記装置は、水素密度を変化させることにより装置の第一状態から第二状態へのスイッチをもたらす、光学的にスイッチ可能な物質のスイッチ可能層を含む積層を有する。
【0002】
【従来の技術】
米国特許第5,905,590号では、マグネシウム以外の三価金属を伴うマグネシウムの水素化物を含むスイッチ薄膜を有するスイッチ装置について記述されている。このスイッチ薄膜は、水素の交換により、透明状態から中間の黒色の吸収状態を介して全く透過しない鏡のような状態へ可逆的にスイッチすることが可能である。このスイッチ薄膜は、透明な基板上に蒸着された積層中に含まれている。この装置は光学効果によって、例えば可変ビームスプリッタ及び光学シャッターのような光学スイッチ要素並びに照明器具中での光ビームの照度又は形を制御するための利用などが可能である。このスイッチ装置は記憶保存用、光学計算用、並びに、建築ガラス、視覚制御ガラス、サンルーフ及びバックミラーなどのアプリケーションとしての利用も可能である。スイッチ薄膜にパターンを作製し、そこに透明電極を備えることで、薄型ディスプレイを製造することが可能である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
これらのタイプの装置の問題は、スイッチ効果の速度が水素の輸送によって決定されるため、装置が比較的遅いということである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は速度が向上したスイッチ装置を提供することである。この目的のため、本発明は前記積層が更に、スイッチ可能層と実質的に同一の化合物を有する物質を有する、水素を貯蔵するための層を含むことを特徴とする。このスイッチ物質は不透明状態で優れた水素貯蔵容量を持つ。装置は反射状態と吸収状態との間でのみスイッチされるため、水素貯蔵層は不透明であってもよく、このスイッチ物質を前記の目的のために使用することができる。スイッチ物質の貯蔵容量が高いということを考慮すると、スイッチ物質を貯蔵層としても用いれば貯蔵層をより薄くすることができ、これは水素輸送の拡散時間が短縮されることにつながるため、結果として装置のスイッチ速度が増加する。更に、反射状態と吸収状態との間のスイッチにおいて、輸送しなければならない電荷は減少する、つまり、スイッチに要求される電流は減少する。
【0005】
本発明の利点のある実施例は従属請求項で説明される。
【0006】
本発明のこれらの及び他の側面を以下に記載の実施例を参照し、説明する。
【0007】
【発明の実施の形態】
一般的に、同様の参照番号は同様の要素を表す。
【0008】
図1A及び1Bは従来技術に基づいたスイッチミラー装置の断面図である。層の厚さの尺度は実際とは異なって描かれている。この装置は透明なガラス板1を有し、その上に真空蒸着、スパッタリング、レーザアブレーション、化学蒸着又は電気鍍金などの従来の方法により積層が蒸着されている。積層は、スイッチ薄膜として厚さ約200nmのLMgHx(LはNi、Sc若しくはY又は元素周期表のランタニド系元素を表す)層3と、厚さ約5nmのパラジウム層5と、厚さ0.1から10μmの範囲のイオン伝導電解質層7と、水素貯蔵層9とを有する。
【0009】
GdMgHxは、光学特性及びスイッチ時間に関する限り非常に適切なスイッチ物質であるが、スイッチ物質としては他の三価のマグネシウム−ランタニド合金を採用しても良い。スイッチ薄膜3は、低水素(x<〜2)組成と飽和した高水素(x〜5)組成との間で、中間水素組成を介して可逆的にスイッチすることが可能である。これらの種々の組成は異なった光学特性を持っている。水素含量が低いとき、薄膜は金属的な特徴を持ち、不透明である。このとき薄膜は鏡のように反射する。水素含量が高いとき薄膜3は半導体的且つ透明で、水素含量が中間の場合はスイッチ薄膜は吸収性である。
【0010】
パラジウム層5は水素化又は脱水素化の速度を増加させ、スイッチ速度を増加させる働きがある。白金又はニッケルなどの他の電気触媒的金属又は合金も使用することができる。加えて、この金属層はその下のスイッチ薄膜3の電解質による腐食を防止する。パラジウム層5の厚さは2から25nmの間の値をとることができる。しかし、薄膜の厚さがスイッチ装置の最大透過率を決定するため、厚さ2から10nmの薄い層が好適である。
【0011】
適切に機能するためには、水素貯蔵層9及び水素イオン伝導電解質層7も必要である。良い水素イオン伝導電解質としてはZrO2Hxがある。電解質は良いイオン伝導体でなくてはならないが、また、装置の自己放電を防止するため電子の絶縁体でなくてはならない。装置を単純にし、封入の問題を防止して装置の取り扱いを容易にするには、透明な固体電解質の使用が最も好適である。
【0012】
もし切り換えミラーにおいて透明状態が必要であれば、貯蔵層の良い候補としてWO3がある。
【0013】
積層は、二つの透明電子伝導電極層11及び13、例えばインジウム−スズ酸化物(ITO)の間に挟まれている。電極層11及び13は外部の電流源(示されない)と結合されている。直流電流を印加することにより、鏡状の低水素組成が、透明で中間灰色の高水素組成にスイッチされる。これにより装置は、図1A中の点線で示されるように、透明な窓としての働きをもつようになる。電流の流れを逆にすると、スイッチ薄膜3は、図1Bに示されるように鏡状で不透明な低水素状態に戻る。このスイッチ時間は従来型のエレクトロクロミック装置に匹敵する。装置は室温で動作可能である。一旦鏡が所望の光学状態に達したら、装置には実質的に電流は流れなくなる。これは、ディスプレイが極めて低い電力で情報を保持することを意味する。
【0014】
ディスプレイは、基板の側から、すなわち基板の積層が蒸着されたのと反対側の面から見られる。従来のスイッチミラー装置の問題点は、図2に示されるように、ピクセル要素20の可視面24、つまりディスプレイが見られる側から、いわゆるアクティブマトリックスの要素22が見えてしまうことである。このアクティブマトリックス(薄膜トランジスタ、行部、列部、蓄積キャパシタ等)は、ピクセル要素のスイッチに必要な電気要素を有する。アクティブマトリックスは、埋め込み層26に埋め込まれており、これらは共にピクセル要素中に含まれている。アクティブマトリックスは電極層13及び15と電気的に接続されている。絶縁層28は積層からアクティブマトリックス要素22を絶縁する。
【0015】
従来技術に基づいた配置では、アクティブマトリックスに占有された表面領域は光学的に活性な層3として使用できない。これは可視面24からディスプレイが見られた場合にディスプレイのアパーチャを低減させる。特に、駆動回路が比較的複雑であり、スイッチミラーディスプレイを充電するのに必要な高電流を取り扱うためトランジスタが好適には比較的大きく作製されるため、アパーチャは比較的小さくなる。
【0016】
図3A及び3Bは本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層を示す。この場合ディスプレイは、基板の積層が蒸着された方の側24から見られる。スイッチ層3を構成する積層の順序は従来型とは逆になっている。この意味は、積層は、基板表面から始めて、水素貯蔵のための第一層9、水素伝導のための第二層7、そしてスイッチ可能層3を有するということである。
【0017】
積層は電子伝導電極層11及び13の間に挟まれている。光学的にスイッチ可能な物質3は、水素密度を変化させることにより光を反射する状態から光を吸収する状態へスイッチされる。電子伝導層に直流電圧を印加することにより水素密度は変化する。
【0018】
第二層が電解質物質、例えばZrO2Hxを有し、第二層7とスイッチ可能層3との間に分離層5が存在し、そして第一層9がGdMgHxを有する積層によって良い結果が得られた。
【0019】
図4は本発明記載のピクセル要素20の断面図である。積層の順序は逆になっており(図3A及び3Bにより詳細に示される)、スイッチ層3はアクティブマトリックス要素22間に延在している。よってディスプレイ装置の可視面24から見て電気的スイッチ手段は光学的スイッチ物質の層の後方に位置している。スイッチ層が、反射状態から吸収状態へ及びその逆方向へスイッチされるとき、アクティブマトリックス要素22は見えない。アクティブマトリックス要素がアパーチャを決定することはなくなり、結果的にアパーチャは増加する。
【0020】
スイッチ層3により基板とスイッチ層との間に位置する伝導層13も見えなくなる。従って、伝導層13は透明である必要がなくなるため金属を含むことができるようになり、伝導率が向上する。
【0021】
スイッチミラーが透明状態である必要がないため、第二のLMgHx(LはNi若しくはY又はランタニド系元素を表す)層は貯蔵層として使用することができる。よって、水素貯蔵層はスイッチ可能層と本質的に同一な化合物を有するが、層の中で種々の化合物が作る相互比はスイッチ可能層の相互比と異なっていてもよい。
【0022】
これには貯蔵層(9)をより薄くすることができるという利点があり、水素の輸送時間が短縮され結果としてより速いディスプレイが得られることになる。更に、反射状態と吸収状態との間のスイッチにおいて、輸送しなければならない電荷(水素イオン)は減少する、つまり、スイッチのために必要な電流は減少する。典型的には、100nmの薄いGd40Mg60水素化物層において、透明状態と反射状態との間でスイッチするために一つの層から他の層へ全ての水素を輸送させるのに約0.1C/cm2の電荷が必要である。反射状態と吸収状態との間でのみのスイッチには、輸送しなければならない水素はより少ない(約0.05C/cm2)。
【0023】
このような装置は反射状態と吸収状態との間でのみスイッチが必要なアプリケーションに使用することができる。もしディスプレイ装置の可視面24に散乱箔が具備されていれば、ディスプレイのコントラストは改善される。箔の存在により、反射状態のスイッチミラーピクセルは白く見え、吸収状態のスイッチミラーピクセルは黒く見える。このようなタイプのディスプレイは例えば書類リーダとして使用することができる。この原理をカラーフィルタと組み合わせることにより、フルカラー書類リーダが得られる。
【0024】
他の態様として、反射層表面を意図的に荒くして、白く又は黒く見える反射状態を提供するための所望の散乱反射を得ることができる。
【0025】
まとめとして、本発明は、スイッチ時間の短縮されたスイッチ装置に関する。本装置は、スイッチ可能層3の水素含量を変更することで反射状態と吸収状態との間でスイッチされるスイッチ可能層3を有する。電子伝導層11及び13に直流電圧を印加することにより、水素含量が変化する。これらの電子伝導層11及び13は、スイッチ可能層3と水素貯蔵層9とを有する積層を挟んでいる。この水素貯蔵層はスイッチ可能層3と同一の物質、すなわちLMgHx及び好適にはGdMgHxを有する。貯蔵層は薄くすることが可能であり、これにより水素輸送時間が比較的短くなり比較的速いディスプレイが得られる。本装置は散乱箔を適用することにより更に改良することができる。
【0026】
上記の実施例は本発明を制限するのではなく説明しているのであって、当業者は添付の請求項の範囲から出ることなく多くの代替実施例をデザインすることが可能であるということに注意すべきである。これは特に、引用した従来技術の書類の、米国特許第5,905,590号に示された応用例に関連した実施例に関して有効である。請求項においては、いかなる括弧内の参照記号も請求項を制限するものではない。動詞「有する(to comprise)」及びその活用形の使用は、請求項記載以外の要素又は段の存在を排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1A】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイの積層の断面図。
【図1B】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイの積層の断面図。
【図2】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイのピクセル要素の断面図。
【図3A】本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層。
【図3B】本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層。
【図4】本発明記載のスイッチミラー装置のピクセル要素の断面図。
Claims (6)
- 少なくとも光を反射する第一状態と光を吸収する第二状態との間で可逆的にスイッチ可能な装置であって、前記装置が、水素密度を変化させることにより前記装置の前記第一状態から前記第二状態へのスイッチをもたらす、光学的にスイッチ可能な物質のスイッチ可能層を含む積層を有し、前記積層が更に、スイッチ可能層と本質的に同一の化合物を有する物質を有する、水素を貯蔵するための層を含むことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記装置が、少なくとも光を反射する前記第一状態と光を吸収する前記第二状態との間で可逆的にスイッチ可能なピクセル要素を持ち、前記ピクセル要素が前記積層を有することを特徴とするディスプレイ装置である装置。
- 散乱フォイルが具備された可視面を持つ請求項2に記載の装置。
- 前記スイッチ可能層の表面が光を散乱するよう荒くしてある請求項2に記載の装置。
- 前記光学的にスイッチ可能な物質がLMgHxを有し、LはNi、Sc若しくはY又はランタニド系元素を表す請求項1に記載の装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記ディスプレイ装置が可視面及び前記スイッチ可能層をスイッチさせるための電気的スイッチ手段を持ち、前記ディスプレイ装置の前記可視面から見て前記電気的スイッチ手段が前記スイッチ可能層の後方に位置している装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00203378 | 2000-09-28 | ||
PCT/EP2001/010640 WO2002027394A1 (en) | 2000-09-28 | 2001-09-13 | Light-switching device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004510201A true JP2004510201A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=8172084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002530911A Withdrawn JP2004510201A (ja) | 2000-09-28 | 2001-09-13 | 光スイッチ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6535323B2 (ja) |
EP (1) | EP1236070A1 (ja) |
JP (1) | JP2004510201A (ja) |
KR (1) | KR20020059787A (ja) |
CN (1) | CN1392966A (ja) |
TW (1) | TW575778B (ja) |
WO (1) | WO2002027394A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW518446B (en) * | 2000-09-28 | 2003-01-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Switching display device having a large aperture |
WO2003036380A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-05-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrophoretic active matrix display device |
US7209915B1 (en) * | 2002-06-28 | 2007-04-24 | Microsoft Corporation | Method, system and apparatus for routing a query to one or more providers |
EP1605302A4 (en) * | 2003-03-14 | 2008-10-15 | Sharp Kk | DIMMERELEMENT AND DISPLAY ELEMENT FOR THIS |
US6862125B2 (en) * | 2003-05-05 | 2005-03-01 | The Regents Of The University Of California | Reversible electro-optic device employing aprotic molten salts and method |
US8790537B2 (en) | 2008-06-09 | 2014-07-29 | Council Of Scientific & Industrial Research | Process for the preparation of solid polymer electrolytes using ionic liquids |
JP5900954B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-04-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 反射型調光素子、該反射型調光素子を用いた反射型調光部材、及び、複層ガラス。 |
DE102011088850B3 (de) * | 2011-12-16 | 2013-04-04 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Detektion von Rauch und Verfahren zum Prüfen der Funktionsfähigkeit einer Vorrichtung zur Detektion von Rauch |
DE102015120571A1 (de) * | 2014-12-01 | 2016-06-02 | Schott Ag | Verfahren zum Trennen von Dünnglas |
DE102015120569A1 (de) * | 2014-12-01 | 2016-06-02 | Schott Ag | Herstellen von waferartigen Dünnglasplatten mit Aufbauten und Auftrennen in einzelne kleinere Dünnglasplatten |
US10247997B2 (en) | 2016-08-16 | 2019-04-02 | Cardinal Cg Company | Switchable hydride smart window and the methods for producing the same |
CN112864263B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-01-24 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 一种太阳能电池板及其用途 |
CN112951944B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-11-18 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 一种太阳能电池板的制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2835347A1 (de) * | 1978-08-11 | 1980-02-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Anzeigevorrichtung mit einem elektrooptischen lichtventil |
DE3008768C2 (de) * | 1980-03-07 | 1985-04-04 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Elektrochromer Spiegel |
DE3369571D1 (en) * | 1982-06-18 | 1987-03-05 | Philips Nv | Liquid-crystal display device |
EP0574354B1 (de) * | 1992-06-09 | 1995-08-30 | AVL Medical Instruments AG | Körper für die Bildung mindestens einer Elektrode und/oder eines Sensors |
EP0871926B1 (en) * | 1996-09-05 | 2004-02-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical switching device |
-
2001
- 2001-08-21 TW TW90120551A patent/TW575778B/zh active
- 2001-09-13 EP EP01967343A patent/EP1236070A1/en not_active Withdrawn
- 2001-09-13 KR KR1020027006679A patent/KR20020059787A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-13 WO PCT/EP2001/010640 patent/WO2002027394A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-09-13 JP JP2002530911A patent/JP2004510201A/ja not_active Withdrawn
- 2001-09-13 CN CN01802909A patent/CN1392966A/zh active Pending
- 2001-09-27 US US09/965,415 patent/US6535323B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1392966A (zh) | 2003-01-22 |
US6535323B2 (en) | 2003-03-18 |
US20020036816A1 (en) | 2002-03-28 |
EP1236070A1 (en) | 2002-09-04 |
KR20020059787A (ko) | 2002-07-13 |
WO2002027394A1 (en) | 2002-04-04 |
TW575778B (en) | 2004-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081202 |