CN112951944B - 一种太阳能电池板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及新能源领域,特别是涉及一种太阳能电池板的制备方法。本发明所提供的太阳能电池板的制备方法包括:在面层上制备氢致变色层;在基层上制备太阳能电池组件膜层;通过胶膜层粘合,以提供所述太阳能电池板;或,所述制备方法包括:在基层上制备氢致变色层;在负载有氢致变色层的基层上制备太阳能电池组件膜层;通过胶膜层粘合,以提供所述太阳能电池板。本发明所提供的太阳能电池板的制备方法制备获得的电池板可以广泛应用于建筑物上,不仅具有一定的强度和硬度,还可以根据太阳光的强度合理的改变太阳光的透过率,以满足建筑物内对光照的需要,并能够实现调光的作用,作为建筑材料既美观又具有艺术性,具有良好的产业化前景。

Description

一种太阳能电池板的制备方法
技术领域
本发明涉及新能源领域,特别是涉及一种太阳能电池板的制备方法。
背景技术
我国地域辽阔、人口众多,并且正处于工业化、城镇化飞速发展的时期,能源消费强度高。但是,我国的能源,尤其是非再生能源相对短缺。随着经济规模进一步扩大,对能源供给形成很大压力,供求矛盾将长期存在。另外,化石能源的大规模使用给我们的生态环境造成了极其严重的负担。在这样的背景下,我国太阳能产业,尤其是薄膜太阳能产业蓬勃发展。具有高科技含量的碲化镉、铜铟镓硒等薄膜太阳能产线顺利建成并实现产业化。
光伏建筑一体化(BIPV)是一种将太阳能发电产品集成到建筑上的技术。也就是将太阳能光伏发电方阵安装在建筑的围护结构外表面来提供电力。用光伏组件来做建筑物的屋顶、外墙和窗户,这样既可用做建筑材料也可实现发电的目的,可谓一举两得。建筑外墙发出的电可供日常生活使用,大大节省了化石能源的利用。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种太阳能电池板及其制备方法和用途,用于解决现有技术中的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明一方面提供所述的太阳能电池板的制备方法,所述制备方法包括:
在面层上制备氢致变色层,以提供负载有氢致变色层的面层;
在基层上制备太阳能电池组件膜层,以提供负载有太阳能电池组件膜层的基层;
通过胶膜层将负载有氢致变色层的面层和负载有太阳能电池组件膜层的基层粘合,以提供所述太阳能电池板;
或,所述制备方法包括:
在基层上制备氢致变色层,以提供负载有氢致变色层的基层;
在负载有氢致变色层的基层上制备太阳能电池组件膜层,以提供负载有氢致变色层和太阳能电池组件膜层的基层;
通过胶膜层将负载有氢致变色层和太阳能电池组件膜层的基层和面层粘合,以提供所述太阳能电池板。
在本发明一些实施方式中,所述太阳能电池板包括依次叠加的基层、太阳能电池组件膜层、胶膜层和面层,还包括氢致变色层,所述氢致变色层位于胶膜层和面层之间、或者位于基层和太阳能电池组件膜层之间。
在本发明一些实施方式中,所述氢致变色层包括依次叠加的氢致变色材料层、中间分隔层和储氢材料层。
在本发明一些实施方式中,所述氢致变色材料层位于靠近基层的一侧,或者所述储氢材料层位于靠近基层的一侧。
在本发明一些实施方式中,所述氢致变色材料层的材料选自稀土元素、稀土镁合金、镁镍合金、三氧化钨中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述氢致变色材料层的厚度为0.1-5μm。
在本发明一些实施方式中,所述中间分隔层的材料选自无机离子导体、离子液体、离子导电聚合物中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述中间分隔层的厚度为0.1-5μm。
在本发明一些实施方式中,所述储氢材料层的材料选自Ti-Fe合金、稀土镁合金、稀土元素中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述储氢材料层的厚度为0.1-10μm。
在本发明一些实施方式中,所述太阳能电池组件膜层包括金属电极层、光致发电层和透明导电层。
在本发明一些实施方式中,所述金属电极层位于靠近基层的一侧,或者所述透明导电层位于靠近基层的一侧。
在本发明一些实施方式中,所述金属电极层的材料选自Mo、Cu、Ag、Au中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述金属电极层的厚度为1-5μm。
在本发明一些实施方式中,所述光致发电层的材料选自CdTe/CdS、CIGS中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述光致发电层的厚度为1-5μm。
在本发明一些实施方式中,所述透明导电层的材料选自FTO、AZO、ITO。
在本发明一些实施方式中,所述透明导电层的厚度为10-500nm。
在本发明一些实施方式中,所述基层的材料选自玻璃、塑料、陶瓷中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述胶膜层的材料选自丁基胶、EVA中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述面层的材料选自玻璃、塑料、陶瓷中的一种或多种的组合。
在本发明一些实施方式中,所述基层的厚度为0.3-10mm。
在本发明一些实施方式中,所述面层的厚度为0.3-10mm。
在本发明一些实施方式中,所述氢致变色层和太阳能电池组件膜层的制备方法选自镀膜法,优选选自物理气相沉积、化学气相沉积、液相外延、溶胶凝胶、喷雾热解、悬涂中的一种或多种的组合。
附图说明
图1显示为本发明太阳能电池板一具体实例结构示意图。
图2显示为本发明太阳能电池板一具体实例结构示意图。
图3显示为本发明太阳能电池板一具体实例结构示意图。
图4显示为本发明太阳能电池板一具体实例结构示意图。
图5显示为本发明太阳能电池板一具体实例结构示意图。
图6显示为本发明太阳能电池板一具体实例结构示意图。
元件标号说明
1 基层
2 太阳能电池组件膜层
21 金属电极层
22 光致发电层
23 透明导电层
3 胶膜层
4 面层
5 氢致变色层
51 氢致变色材料层
52 储氢材料层
53 中间分隔层
具体实施方式
为了使本发明的发明目的、技术方案和有益技术效果更加清晰,以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容容易地了解本申请发明的其他优点及功效。
本发明发明人通过将氢致变色层应用于太阳能电池板,从而提供了一种可变色的太阳能电池板,所述太阳能电池板不仅具有合适的强度和硬度,还能够在产生电能的同时能够实现调光的功能,在此基础上完成了本发明。
本发明第一方面一种太阳能电池板,包括依次叠加的基层、太阳能电池组件膜层、胶膜层和面层,还包括氢致变色层,所述氢致变色层可以位于胶膜层和面层之间、或者位于基层和太阳能电池组件膜层之间。所述太阳能电池板通常可以将太阳能转化为电能,所述太阳能电池板通常包括氢致变色层,从而可以通过氢致变色层改变太阳能电池板整体上的颜色,实现调整颜色的功能。
本发明所提供的太阳能电池板中,可以包括所述氢致变色层,如上所述氢致变色层主要用于调节太阳能电池板整体上的颜色。所述氢致变色层可以位于胶膜层和面层之间,也可以位于基层和太阳能电池组件膜层之间。在本发明一具体实施例中,所述太阳能电池板包括依次叠加的基层、太阳能电池组件膜层、胶膜层、氢致变色层和面层;在本发明另一具体实施例中,所述太阳能电池板包括依次叠加的基层、氢致变色层、太阳能电池组件膜层、胶膜层和面层。
所述氢致变色层可以包括依次叠加的氢致变色材料层和储氢材料层,可以所述氢致变色材料层位于靠近基层的一侧,也可以所述储氢材料层位于靠近基层的一侧。所述氢致变色材料层和储氢材料层之间还可以设有中间分隔层。在本发明一具体实施例中,自靠近基层的一侧,所述储氢材料层包括依次叠加的氢致变色材料层、中间分隔层和储氢材料层;在本发明另一具体实施例中,自靠近基层的一侧,所述储氢材料层包括依次叠加的中间分隔层、储氢材料层和氢致变色材料层。所述氢致变色材料层通常可以随氢元素含量变化而改变其颜色,通常可以吸收来自储氢材料层的氢元素,从而改变颜色,在外界条件改变后,也可以可逆地释放氢元素,并可以变为原来的状态(例如,透明),所述氢致变色材料层的材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是可以被调整的,例如,所述氢致变色材料层的材料可以选自稀土元素、稀土镁合金、镁镍合金、三氧化钨等中的一种或多种的组合;再例如,所述氢致变色材料层的厚度可以为0.1-5μm、0.1-0.3μm、0.3-0.5μm、0.5-1μm、1-2μm、2-3μm、3-4μm、或4-5μm。所述中间分隔层通常用于氢离子的传输,所述中间分隔层的材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是可以被调整的,例如,所述中间分隔层的材料可以选自无机离子导体、离子液体、离子导电聚合物等中的一种或多种的组合,更具体的,所述无机离子导体可以是例如LiClO3、LiPF6、LiBF4等中的一种或多种的组合,所述离子液体可以是咪唑盐类、哌啶盐类、吡啶盐类等中的一种或多种的组合,所述离子导电聚合物可以是PVDF基凝胶聚合物、PEO基凝胶聚合物、PAN基凝胶聚合物等中的一种或多种的组合;再例如,所述中间分隔层的厚度可以为0.1-5μm、0.1-0.3μm、0.3-0.5μm、0.5-1μm、1-2μm、2-3μm、3-4μm、或4-5μm。所述储氢材料层通常用于储备氢元素,并可在外界条件改变时吸收和/或释放氢元素,所述储氢材料层的材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是可以被调整的,例如,所述储氢材料层的材料可以选自Ti-Fe合金、稀土镁合金合金、稀土元素等中的一种或多种的组合,这些材料通常是可以接受氢化处理的;再例如,所述储氢材料层的厚度可以为0.1-10μm、0.1-0.3μm、0.3-0.5μm、0.5-1μm、1-2μm、2-3μm、3-4μm、4-6μm、6-8μm、或8-10μm。
本发明所提供的太阳能电池板中,可以包括基层,所述基层通常用于负载太阳能电池板上的各层体,并提供支撑。所述基层通常具有良好的透光度,还具有一定的硬度。适合于形成太阳能电池板的基层材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述基层的材料可以选自玻璃、塑料、陶瓷等中的一种或多种的组合;再例如,基层的厚度可以为0.3-10mm、0.3-0.5mm、0.5-1mm、1-2mm、2-3mm、3-4mm、4-6mm、6-8mm、或8-10mm。
本发明所提供的太阳能电池板中,可以包括面层,所述面层通常位于太阳能电池板的表面,且主要起到保护电池板中各层体的作用。所述面层通常具有良好的透光度,还具有一定的硬度。适合于形成太阳能电池板的面层材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述面层的材料可以选自玻璃、塑料、陶瓷等中的一种或多种的组合;再例如,面层的厚度可以为0.3-10mm、0.3-0.5mm、0.5-1mm、1-2mm、2-3mm、3-4mm、4-6mm、6-8mm、或8-10mm。
本发明所提供的太阳能电池板中,可以包括胶膜层,所述胶膜层通常用于起到粘合作用。所述胶膜层通常具有良好的透光度,且具有一定的粘结强度。适合于形成太阳能电池板的胶膜层材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述胶膜层的材料可以选自丁基胶、EVA等中的一种或多种的组合;再例如,胶膜层的厚度可以为0.05~0.5mm、0.05~0.5mm、0.05~0.5mm、0.05~0.5mm、0.05~0.5mm、0.05~0.5mm。
本发明所提供的太阳能电池板中,可以包括太阳能电池组件膜层,所述太阳能电池组件膜层主要用于将太阳能转化为电能。合适的用于形成太阳能电池板的太阳能电池组件膜层对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述太阳能电池组件膜层可以包括金属电极层、光致发电层和透明导电层。所述太阳能电池组件膜层中,所述金属电极层可以位于靠近基层的一侧,也可以所述透明导电层位于靠近基层的一侧。在本发明一具体实施例中,自靠近基层的一侧,所述太阳能电池组件膜层可以包括依次叠加的金属电极层、光致发电层和透明导电层;在本发明另一具体实施例中,自靠近基层的一侧,所述太阳能电池组件膜层可以包括依次叠加的光致发电层、透明导电层和金属电极层。
所述金属电极层通常用于将太阳能电池组件转化的电能汇集并传输,合适的用于形成太阳能电池组件膜层的金属电极层的材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述金属电极层的材料可以选自Mo、Cu、Ag、Au等材料中的一种或多种的组合;再例如,所述金属电极层的厚度可以为1-5μm、1-2μm、2-3μm、3-4μm、或4-5μm。所述光致发电层通常用于将太阳能转化成电能,合适的用于形成太阳能电池组件膜层的光致发电层的材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述光致发电层的材料可以选自CdTe/Cds、CIGS等中的一种或多种的组合;再例如,所述光致发电层的厚度可以为1-5μm、1-2μm、2-3μm、3-4μm、或4-5μm。所述透明导电层通常可以作为薄膜太阳能电池的电极,其通常能够具有良好的导电性和透光度,合适的用于形成太阳能电池组件膜层的透明导电层的材料种类和尺寸对于本领域技术人员来说应该是已知的,例如,所述透明导电层的材料可以选自FTO(掺杂氟的SnO2导电玻璃)、AZO(铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃)、ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜)等中的一种或多种的组合;再例如,所述透明导电层的厚度可以为100-500nm、100-150nm、150-200nm、200-250nm、250-300nm、300-400nm、或400-500nm。
本发明第二方面提供本发明第一方面所提供的太阳能电池板的制备方法,所述制备方法可以包括:
在面层上制备氢致变色层,以提供负载有氢致变色层的面层;
在基层上制备太阳能电池组件膜层,以提供负载有太阳能电池组件膜层的基层;
通过胶膜层将负载有氢致变色层的面层和负载有太阳能电池组件膜层的基层粘合,以提供所述太阳能电池板;
所述制备方法也可以包括:
在基层上制备氢致变色层,以提供负载有氢致变色层的基层;
在负载有氢致变色层的基层上制备太阳能电池组件膜层,以提供负载有氢致变色层和太阳能电池组件膜层的基层;
通过胶膜层将负载有氢致变色层和太阳能电池组件膜层的基层和面层粘合,以提供所述太阳能电池板。
本发明所提供的太阳能电池板的制备方法中,本领域技术人员可选择合适的方法在面层和/或基层上制备氢致变色层,例如,可以采用蒸镀、磁控溅射、脉冲激光沉积等方法形成储氢材料层;再例如,可以采用磁控溅射、溶胶凝胶、悬涂等方法形成中间分隔层;再例如,可以采用磁控溅射、热蒸发、脉冲激光沉积、悬涂等方法形成氢致变色材料层。
本发明所提供的太阳能电池板的制备方法中,本领域技术人员可选择合适的方法制备太阳能电池组件膜层,例如,可以采用磁控溅射、溶胶凝胶、喷雾热解、化学气相沉积等方法形成透明导电层;再例如,可以采用近空间升华、磁控溅射、溶胶凝胶等方法形成光致发电层;再例如,可以采用磁控溅射、热蒸发等方法形成金属电极层。
本发明第三方面提供一种太阳能发电系统,包括本发明第一方面所提供的太阳能电池板。所述太阳能发电系统通常可以通过所述太阳能电池板将太阳能转化为电能,并将电能引出,以向其他设备或装置提供电能。
本发明所提供的太阳能电池板可以广泛应用于建筑物上,不仅具有一定的强度和硬度,还可以根据太阳光的强度合理的改变太阳光的透过率,以满足建筑物内对光照的需要,并能够实现调光的作用,作为建筑材料既美观又具有艺术性,具有良好的产业化前景。
下面通过实施例对本申请的发明予以进一步说明,但并不因此而限制本申请的范围。
实施例1
实施例1所提供的是一种氢致变色薄膜太阳能电池板,具体为利用氢致变色技术制备的碲化镉薄膜太阳能电池板,其具体结构如图3所示,包括基层(1)(基板玻璃)、太阳能电池组件膜层(2)、胶膜层(3)(EVA,(日本三井,VA:33,M1:30g/10min),下同)、面层(4)(盖板玻璃)、氢致变色层(5);太阳能电池组件膜层(2)包括金属电极层(21)、光致发电层(22)、透明导电层(23),其中金属电极层(21)为Mo金属电极,透明导电层(23)为FTO(氟掺杂氧化锡,Fluorine doped tin oxide)透明导电薄膜;氢致变色层(5)包括氢致变色材料层(51)、储氢材料层(52)、中间分隔层(53),其中氢致变色材料层(51)为WO3,储氢材料层(52)为Ti-Fe合金(17%钛、7%碳,余量铁,下同),中间分隔层(53)通过将30g三甘醇二异辛酸酯和18g高氯酸锂充分混合后加入到2000g PVB(聚乙烯醇缩丁醛酯)树脂中,在混料机中搅拌均匀而得。
制备过程包括如下工序:
a)基板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,将其清洗后,利用磁控溅射法在其表面上沉积200nm左右的FTO透明导电薄膜作为透明导电层(23);其中镀膜温度200℃,腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属掺氟的氧化锡靶,溅射离子为Ar+,最后成膜厚度为300nm;
b)将工序a中的样品取出,利用近空间升华法先后进行CdTe和CdS薄膜的生长,从而形成光致发电层(22),其中镀膜温度600℃,基板与坩埚距离为1cm,腔室的真空度低于1*10-3Pa;
c)将工序b样品表面活化后先后进行第一次刻线、光刻胶填充、第二次刻线、铜溶液(600g/L氯化铜水溶液,下同)浸泡;
d)利用磁控溅射技术在工序c的样品表面沉积Mo电极层作为金属电极层(21),厚度为2μm;其中镀膜温度200℃,腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属Mo靶,溅射离子为Ar+,最后成膜厚度为200nm;
e)将工序d的样品退火后进行第三次激光刻线并边缘处理;
f)盖板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,在盖板玻璃表面蒸镀一层Ti-Fe合金,厚度为2μm,并通入H2进行氢化处理,即在室温下置于氢气气氛中半小时,形成厚度约为500nm的储氢材料层(52)。然后利用磁控溅射技术生长一层厚度约为1μm Pd金属;其中腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属Pd靶,溅射离子为Ar+,最后成膜厚度为100nm;
g)将工序f中的样品取出,并利用磁控溅射技术在储氢层表面沉积WO3,构成厚度约为2μm的氢致变色材料层(51);其中腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属WO3靶,通入气体为Ar和O2(2:1);
h)将工序g的样品和工序e的样品通过胶膜层(3)合片,并利用丁基胶密封。
需要指出的是,在本实施例中,可以先进行工序f-g,再进行工序a—e。
实施例2
实施例2所提供的是一种氢致变色薄膜太阳能电池板,具体为利用氢致变色技术制备的碲化镉薄膜太阳能电池板,其具体结构如图4所示,包括基层(1)(基板玻璃)、太阳能电池组件膜层(2)、胶膜层(3)(EVA)、面层(4)(盖板玻璃)、氢致变色层(5);太阳能电池组件膜层(2)包括金属电极层(21)、氢致发电层(22)、透明导电层(23),其中金属电极层(21)为Mo金属电极,透明导电层(23)为FTO透明导电薄膜;氢致变色层(5)包括氢致变色材料层(51)、储氢材料层(52),其中氢致变色材料层(51)为WO3,储氢材料层(52)为Ti-Fe合金。
制备过程包括如下工序:
a)基板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,将其清洗后,利用磁控溅射法在其表面上沉积200nm左右的FTO透明导电薄膜作为透明导电层(23),具体工艺条件参照实施例1;
b)将工序a中的样品取出,利用近空间升华法先后进行CdTe和CdS薄膜的生长,形成光致发电层(22),具体工艺条件参照实施例1;
c)将工序b样品表面活化后先后进行第一次刻线、光刻胶填充、第二次刻线、铜溶液浸泡;
d)利用磁控溅射技术在工序c的样品表面沉积Mo电极层作为金属电极层(21),厚度为2μm,具体工艺条件参照实施例1;
e)将工序d的样品退火后进行第三次激光刻线并边缘处理;
f)盖板玻璃(4)为3.2mm厚的超白浮法玻璃,在盖板玻璃上利用磁控溅射技术在储氢层表面沉积WO3,构成氢致变色材料层(51),具体工艺条件参照实施例1步骤g)。然后利用磁控溅射技术生长一层Pd金属,具体工艺条件参照实施例1步骤f);
g)将工序f中的样品取出,并在表面蒸镀一层Ti-Fe合金,厚度为2μm,并通入H2S进行氢化处理,即在室温下置于氢气气氛中半小时,形成厚度约为100nm的储氢材料层(52),具体工艺条件参照实施例1步骤f);
h)将工序g的样品和工序e的样品通过胶膜层(3)合片,并利用丁基胶密封。
需要指出的是,在本实施例中,可以先进行工序f-g,再进行工序a—e。
实施例3
实施例3所提供的是一种氢致变色薄膜太阳能电池板,具体为铜铟镓硒薄膜太阳能电池板,其具体结构如图5所示,包括基层(1)(基板玻璃)、太阳能电池组件膜层(2)、胶膜层(3)(EVA)、面层(4)(盖板玻璃)、氢致变色层(5);太阳能电池组件膜层(2)包括金属电极层(21)、光致发电层(22)、透明导电层(23),其中金属电极层(21)为Mo金属电极,透明导电层(23)为AZO透明导电薄膜;氢致变色层(5)包括氢致变色材料层(51)、储氢材料层(52),其中氢致变色材料层(51)为Mg-Gd合金与钯,储氢材料层(52)为LaNi5
制备过程包括如下工序:
a)基板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,将其清洗后,在其表面蒸镀一层LaNi5,厚度为2μm,并通入H2S进行氢化处理,即在室温下置于氢气气氛中半小时,形成厚度约为100nm的储氢材料层(52);
b)将工序a中的样品取出,利用磁控溅射技术在LaNi5上沉积Mg-Gd合金后,再沉积10nm钯,从而构成氢致变色材料层(51);其中腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属Mg、Gd、钯靶,通入气体为Ar;
c)将工序b中的样品取出,利用磁控溅射技术在其表面沉积Mo金属电极,即金属电极层(21),厚度为2μm;其中镀膜温度200℃,腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属Mo靶,溅射离子为Ar+,最后成膜厚度为200nm;
d)将工序c的样品取出后,利用磁控溅射技术在其表面溅射生长一层CIG薄膜,镀膜前先对基板进行预加热,利用铜钠靶、铜镓靶、铟靶进行沉积。再在150℃利用高纯硒作为蒸发源,蒸镀一层Se后,在H2S气氛中于600℃进行快速热处理;
e)在工序d样品表面蒸镀InS,随后利用磁控溅射技术在其上溅射ZnO层,形成光致发电层(22);其中,腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为ZnO靶,溅射离子为Ar+
f)利用磁控溅射法在工序e的样品表面上沉积100nm左右的AZO透明导电薄膜,即透明导电层(23);其中,腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为AZO靶,溅射离子为Ar+
g)盖板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,将工序f和盖板玻璃通过胶膜层(3)合片,并利用丁基胶密封。
实施例4
实施例4所提供的是一种氢致变色薄膜太阳能电池板,具体为利用氢致变色技术制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池板,其具体结构如图6所示,包括基层(1)(基板玻璃)、太阳能电池组件膜层(2)、胶膜层(3)(EVA)、面层(4)(盖板玻璃)、氢致变色层(5)。太阳能电池组件膜层(2)包括金属电极层(21)、光致发电层(22)、透明导电层(23),其中金属电极层(21)为Mo金属电极,透明导电层(23)为AZO透明导电薄膜。氢致变色层(5)包括氢致变色材料层(51)、储氢材料层(52),其中氢致变色材料层(51)为Mg-Gd合金(Mg-Gd比例9:1)与钯,储氢材料层(52)为LaNi5
制备过程包括如下工序:
a)基板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,将其清洗后,利用磁控溅射技术在其上沉积Mg-Gd合金后,再沉积10nm钯,从而构成氢致变色材料层(51);其中腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属Mg、Gd、钯靶,通入气体为Ar;
b)将工序a中的样品取出,在其表面蒸镀一层LaNi5,厚度为2μm,并通入H2S进行氢化处理,即在室温下置于氢气气氛中半小时,形成厚度约为100nm储氢材料层(52);
c)将工序b中的样品取出,利用磁控溅射技术在其表面沉积Mo金属电极,即金属电极层(21),厚度为2μm;其中镀膜温度200℃,腔室的真空度低于1*10-3Pa,靶材为金属Mo靶,溅射离子为Ar+,最后成膜厚度为200nm;
d)将工序c的样品取出后,利用磁控溅射技术在其表面溅射生长一层CIG后,再蒸镀一层Se后,在H2S气氛中快速热处理;具体工艺条件参照实施例3步骤d。
e)在工序d样品表面蒸镀InS,随后利用磁控溅射技术在其上溅射ZnO层,形成光致发电层(22);具体工艺条件参照实施例3步骤e。
f)利用磁控溅射法在工序e的样品表面上沉积100nm左右的AZO透明导电薄膜,即透明导电层(23);具体工艺条件参照实施例3步骤f。
g)盖板玻璃为3.2mm厚的超白浮法玻璃,将工序f和盖板玻璃通过胶膜层(3)合片,并利用丁基胶密封。
综上所述,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种太阳能电池板的制备方法,所述制备方法包括:
在面层(4)上制备氢致变色层(5),以提供负载有氢致变色层(5)的面层(4);
在基层(1)上制备太阳能电池组件膜层(2),以提供负载有太阳能电池组件膜层(2)的基层(1);
通过胶膜层(3)将负载有氢致变色层(5)的面层(4)和负载有太阳能电池组件膜层(2)的基层(1)粘合,以提供所述太阳能电池板;
或,所述制备方法包括:
在基层(1)上制备氢致变色层(5),以提供负载有氢致变色层(5)的基层(1);
在负载有氢致变色层(5)的基层(1)上制备太阳能电池组件膜层(2),以提供负载有氢致变色层(5)和太阳能电池组件膜层(2)的基层(1);
通过胶膜层(3)将负载有氢致变色层(5)和太阳能电池组件膜层(2)的基层(1)和面层(4)粘合,以提供所述太阳能电池板;
所述太阳能电池板包括依次叠加的基层(1)、太阳能电池组件膜层(2)、胶膜层(3)和面层(4),还包括氢致变色层(5),所述氢致变色层(5)位于胶膜层(3)和面层(4)之间、或者位于基层(1)和太阳能电池组件膜层(2)之间;
所述氢致变色层(5)包括依次叠加的氢致变色材料层(51)、中间分隔层(53)和储氢材料层(52);
所述中间分隔层(53)的材料选自无机离子导体、离子液体、离子导电聚合物中的一种或多种的组合。
2.如权利要求1所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述氢致变色材料层(51)位于靠近基层的一侧,或者所述储氢材料层(52)位于靠近基层的一侧。
3.如权利要求1所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述氢致变色材料层(51)的材料选自稀土元素、稀土镁合金、镁镍合金、三氧化钨中的一种或多种的组合;
和/或,所述氢致变色材料层(51)的厚度为0.1-5µm;
和/或,所述中间分隔层(53)的厚度为0.1-5µm;
和/或,所述储氢材料层(52)的材料选自Ti-Fe合金、稀土镁合金、稀土元素中的一种或多种的组合;
和/或,所述储氢材料层(52)的厚度为0.1-10µm。
4.如权利要求1所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池组件膜层(2)包括金属电极层(21)、光致发电层(22)和透明导电层(23)。
5.如权利要求4所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述金属电极层(21)位于靠近基层的一侧,或者所述透明导电层(23)位于靠近基层的一侧。
6.如权利要求4所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述金属电极层(21)的材料选自Mo、Cu、Ag、Au中的一种或多种的组合;
和/或,所述金属电极层(21)采用磁控溅射方法或热蒸发方法形成;
和/或,所述金属电极层(21)的厚度为1-5µm;
和/或,所述光致发电层(22)的材料选自CdTe/CdS、CIGS中的一种或多种的组合;
和/或,所述光致发电层(22)的厚度为1-5µm;
和/或,所述光致发电层(22)采用近空间升华方法、磁控溅射方法或溶胶凝胶方法形成;
和/或,所述透明导电层(23)的材料选自FTO、AZO、ITO;
和/或,所述透明导电层(23)的厚度为10-500nm;
和/或,所述透明导电层(23)采用磁控溅射方法、溶胶凝胶方法、喷雾热解方法或化学气相沉积方法形成。
7.如权利要求1所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述基层的材料选自玻璃、塑料、陶瓷中的一种或多种的组合;
和/或,所述胶膜层(3)的材料选自丁基胶、EVA中的一种或多种的组合;
和/或,所述面层(4)的材料选自玻璃、塑料、陶瓷中的一种或多种的组合;
和/或,所述基层的厚度为0.3-10mm;
和/或,所述面层(4)的厚度为0.3-10mm。
8.如权利要求1所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述氢致变色层和太阳能电池组件膜层的制备方法选自镀膜法。
9.如权利要求8所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述镀膜法选自物理气相沉积、化学气相沉积、液相外延、溶胶凝胶、喷雾热解、悬涂中的一种或多种的组合。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3516021A1 (de) * 1985-05-04 1986-11-06 Schott Glaswerke, 6500 Mainz Elektrochromes system mit dritter elektrode
TW575778B (en) * 2000-09-28 2004-02-11 Koninkl Philips Electronics Nv Light-switching device
KR20050089380A (ko) * 2004-03-04 2005-09-08 김의중 스마트 윈도우 장치
NZ571375A (en) * 2008-09-18 2011-05-27 Kyle Lloyd Herbert Building sheet and method for detecting weatherproofness of structures
CN101930142B (zh) * 2009-06-22 2012-08-08 财团法人工业技术研究院 光电致变色元件及其制造方法
CN102736342A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 介面光电股份有限公司 电致变色装置
CN103777424A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 珠海兴业绿色建筑科技有限公司 一种光电致变色器件
FR3012656A1 (fr) * 2013-10-30 2015-05-01 St Microelectronics Crolles 2 Dispositif optoelectronique, en particulier dispositif de memoire
WO2016126693A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-11 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Schottky uv solar cell and applications thereof
CN106932993A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 中国科学院上海硅酸盐研究所 镁钇合金及氧化钨薄膜为基的全固体电致变色调光器件
CN105978444A (zh) * 2016-05-25 2016-09-28 黄石金能光伏有限公司 一种可调光的建材型光伏构件及光伏系统

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