JP2004509455A

JP2004509455A - 平坦でない表面上に導電性の構造体を製造する方法及びその方法の使用

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Publication number: JP2004509455A
Application number: JP2002526808A
Authority: JP
Inventors: フロリアン　ヴィースト; イグナツ　アイゼレ
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: TDK Electronics AG
Priority date: 2000-09-12
Filing date: 2001-08-17
Publication date: 2004-03-25
Also published as: WO2002023961A1; DE10045072A1; CN1456032A; AU2001285710A1; US20040096781A1; CN1283133C; EP1317875A1; US6998222B2

Abstract

本発明は、次の工程：ａ）表面（１）上にフォトレジスト層（２）を電気化学的に析出させる工程；ｂ）フォトレジスト層（２）を部分的に露光する工程、ｃ）現像によりフォトレジスト層（２）の一部を除去する工程、ｄ）フォトレジスト層（２）から露出した表面（１）の部分上に導電性材料を析出させる工程を有する、平坦でない表面（１）上に導電性の構造体を製造する方法に関する。さらに、本発明は小型化されたコイルの製造方法に関する。フォトレジストを平坦でない表面上に電気化学的に析出させることにより、極めて均一な層厚が達成される。

Description

【０００１】
本発明は、第１の工程で表面上にフォトレジスト層を設置し、第２の工程でこのフォトレジスト層を露光しかつ現像することで構造化し、第３の工程でフォトレジストから露出した表面の部分に導電性材料を設置する、平坦でない表面上に導電性の構造体を製造する方法に関する。さらに、本発明はその方法の使用に関する。
【０００２】
刊行物ＤＥ１９８１７８５２Ａ１から、相互に傾斜した表面を有するコイル成形品からコイルを製造するために使用する冒頭に記載された種類の方法は公知である。この場合には、フォトレジスト層はコイル成形品上に吹き付けにより塗布されている。フォトレジスト層の構造化の後に、コイル成形品上に銅を電気メッキにより析出させ、それによりコイルの巻き線を形成する。フォトレジスト層の構造化は傾斜した面を用いてリソグラフィーによって行う。
【０００３】
この公知の方法は、フォトレジストの吹き付け塗布ではコイル成形品全体に均一な層厚を製造することが不可能であるという欠点を有する。特にコイル成形品の平坦な面の間の縁部では層厚が著しく変化し、それによりフォトレジストの露光時に問題が生じてしまう、それというのも層厚が異なると異なる露光時間が必要なためである。露光時間を変化させることは、莫大なコストを用いて達成可能であるにすぎない。
【０００４】
さらに、この公知の方法は、吹き付けにより塗布されたフォトレジスト層が特にコイル成形体の平坦な面の間の縁部で硬化後に引き裂ける傾向にあり、それにより続いて条導体の電気メッキの際に短絡が生じかねないという欠点を有する。
【０００５】
従って、本発明の課題は、均一性が改善されているフォトレジスト層の加工を可能する平坦でない表面上に導電性の構造体を製造する方法を提供することであった。
【０００６】
前記の課題は、本発明の場合に、請求項１記載の方法により達成される。本発明の有利な実施態様及びこの方法の使用は、その他の請求項に記載されている。
【０００７】
本発明は、次の工程：
ａ）　表面上にフォトレジスト層を電気化学的に析出させる工程、
ｂ）　このフォトレジスト層を部分的に露光する工程、
ｃ）　現像によりフォトレジスト層の一部を除去する工程、
ｄ）　フォトレジスト層から露出した表面の部分上に導電性材料を析出させる工程
を有する、平面でない表面上に導電性の構造体を製造する方法に関する。
【０００８】
この場合に、フォトレジストとは、半導体工業において、光、シンクロトロン放射線又は電子線を用いて露光することができる通常の材料であると解釈され、これは「レジスト」という名称でも公知である。
【０００９】
本発明による方法は平坦でない表面上に適当なフォトレジストを電気化学的に析出させるによって良好な均一性を有する層厚のフォトレジスト層の製造が可能であるという利点を有する。
【００１０】
さらに、本発明による方法は電気化学的析出により析出されたフォトレジストが平坦な面の間の縁部で亀裂形成する傾向が少ないという利点を有する。
【００１１】
フォトレジスト層の電気化学的析出のために、表面が導電性であるか又は表面に導電性の層が設けられている必要がある。このような層は有利に層厚に関して高い均一性を有するように化学的に析出させることができる。
【００１２】
本発明による方法を用いて、このフォトレジストは特に有利に、表面上で層厚が２５％より小さく変動するように析出させることができる。
【００１３】
さらに、本発明による方法は、１０〜５０μｍの層厚を有するフォトレジスト層を析出させるのが特に有利である。従って、このフォトレジスト層は、小型化されたコイルの巻き線を示す導電性の構造体の製造のために必要な十分な厚さで製造することができる。フォトレジストの層厚がわずかな場合には、コイルとしては高すぎるオーム抵抗を有する比較的薄い導電性の構造体が析出されてしまう。
【００１４】
本発明による方法の実施の際に、特に有利にフォトレジスト層の露光の際に１０ミリラド未満の発散を示す光線束を使用できる。わずかな発散を示すこのような光線束はシンクロトロン放射線の形で又はレーザー放射線の形で提供可能である。これらは、通常使用される平坦なフォトリソグラフィーマスクからの平坦でない表面の変動する距離を補正する必要がないという利点を提供する。比較的大きな放射線発散は、つまりフォトリソグラフィーマスクからフォトレジスト層の距離に応じて、写像すべき構造体の多様な拡大を引き起こす。
【００１５】
さらに、発散する光線束を用いて透明なマスク面を備えたフォトリソグラフィーマスクの写像によってフォトレジスト層を露光し、かつこの場合にフォトレジスト層上の対応する露光すべき面と比べてマスク面は、フォトレジストとフォトリソグラフィーマスクとの間隔に依存して、光線束の発散から生じる拡大された写像がマスク面の作用を打ち消すように縮小されている方法が特に有利である。
【００１６】
発散する光線束を用いてフォトリソグラフィーマスクの写像によってフォトレジストを露光する際に、半導体工業において公知でかつ容易に入手可能な露光装置を使用することができる。これは、一方で、この露光装置は２０ｃｍ×２０ｃｍの大面積を露光可能であり、複数の小さな平坦でない表面を同時に露光することが可能であるという利点を有する。他方で、この露光装置は、シンクロトロン放射線又はレーザー放射線と比較して、相対的に低コストであるという利点を有する。
【００１７】
この方法は、さらに、発散する光線束の使用から生じるマスク面の拡大された写像は少なくとも部分的に補正できるという利点を有する。
【００１８】
本発明による方法は、さらに導電性の構造体の製造のために特に有利に使用でき、この場合に発散角δを示す光線束を使用し、かつこの場合に、距離ｄの位置で設定幅ｂ_１を有するフォトレジスト層の面の露光のために、距離ｄの位置でのマスク面の幅ｂ_２は、次の式：
ｂ_３＝ｂ_１　−　２　×　ｄ　×　ｔａｎδ
により計算された幅ｂ_３の１０％より小さく偏倚するマスク面を使用する。
【００１９】
さらに、本発明の方法は有利に成形品の周面に帰属する表面上に導電性構造体を製造するために適用され、この場合に、縦軸、周面及び端面を用いる成形品を使用し、かつこの場合にこの成形品は露光の間に周面の少なくとも半分が露光され得るように位置設定される。
【００２０】
このような方法は、成形品として例えばコイル成形品が使用できるという利点を有する。露光の間の成形品の位置設定によって、反対側からの２回の露光工程によって成形品の全体の周面をとらえることができる。
【００２１】
さらに、露光の間に、周面に帰属する露光すべき平坦な面と使用した光線束の放射方向とが少なくとも４０°の角度をなすように成形品を位置設定するのが有利である。
【００２２】
この方法は、フォトレジストに対して光線束の極端に浅い入射角（これは有効に露光すべき著しく変動するレジスト厚さを生じかねない）を回避するという利点を有する。
【００２３】
さらに、長方体の形の成形品を使用し、この成形品の、周面に帰属する側面の間の縁部が丸められているのが有利である。
【００２４】
平坦な側面を有する周面を備えた成形品を使用することは、少なくとも平坦な側面に関してはフォトレジスト層とフォトリソグラフィーマスクとの間で変動する距離の線形補正で十分であるという利点を有する。マスクデザインのこのような線形補正は、容易に実施可能である、それというのも、たとえばフォトレジスト層上の露光すべき長方形はフォトリソグラフィーマスク中では台形の形のマスク面を必要とするためである。
【００２５】
この丸められた縁部は、さらに、鋭角の縁部で生じることが多いフォトレジスト層内の亀裂を十分に回避できるという利点を有する。
【００２６】
さらに、この方法は有利に、成形品を２つの側面から露光することで、導電性の構造体として成形品の縦軸を中心に少なくとも１回転する条導体が生じるように実施できる。それにより、本発明による方法を用いて簡単にコイルが製造される。
【００２７】
さらに、この方法の場合に、成形品の端面で固定ウェブによって平坦な基体に懸架されている成型品を使用するのが有利である。成形品の基体への懸架は、相応して小さなコイルを製造するための小型化された成形体の使用を可能にし、この場合に基体への懸架は小さな成形品の取り扱いを容易にする。
【００２８】
さらに、平坦な基体の上側及び下側から成形品が突出していないような平坦な基体の使用は、露光に対してリソグラフィーもしくは半導体工業の全ての標準的方法の使用及び他の必要な方法工程を可能にする。
【００２９】
さらに、基体に懸架された複数の同じ成形品を有する基体を使用しかつ本発明による製造工程が同時に複数の成形品に実施されるのが有利である。このような処理方法は、複数のコイルを同時に製造可能な「バッチプロセス」の実現を容易にする。
【００３０】
基体としては、この場合にポリイミドを使用するのが有利であり、このポリイミドはレーザーを用いて構造化されている。この場合、レーザーを用いた構造化とは平板状の基体から成形品を成型することに関する。ポリイミドは、その透過性に基づきコイル成形品として適しており、かつさらに調達において容易に入手可能でかつ低コストであるという利点を有する。
【００３１】
さらに、基体として、高い熱安定性を有する射出成形されたプラスチック、例えば液晶性ポリマー又はポリエーテルエーテルケトンを有利に使用でき、これらは容易に実施可能でかつ低コストの射出成形によって、基体に固定された成形体を備えた基体の形に製造できる。
【００３２】
前記の全ての基体材料はプラスチックであり、このプラスチックは、例えば３００℃より高い温度で行われるハンダ付けプロセスのために必要な、高い使用温度を有するという利点を有する。
【００３３】
さらに、本発明は、小型化されたコイルの製造のための前記の方法の使用に関する。
【００３４】
次に、本発明を実施例及びそれに対応する図面を用いて詳細に説明する。
【００３５】
図１は、例示的に成形品の平坦でない表面上での本発明による方法の実施を示す図式的な断面図を示す。
【００３６】
図２は、露光すべき面７に比べて縮小されたマスク面５を示す。
【００３７】
図３Ａ及び３Ｂは、本発明による方法を例示的に実施する際に使用される、固定ウェブを備えた成形品の平面図及び側面図を示す。
【００３８】
図４は、フレーム内に配置されている図３Ａによる複数の成形体の平面図を示す。
【００３９】
図５は１つの基体中に配置された図４による複数のフレームの平面図を示す。
【００４０】
図６Ａ〜図６Ｆは、本発明の方法による導電性の構造体の製造の間の、個々の製造工程の完了後の、図１による成形品の平坦でない表面の平坦な部分の図式的な縦断面図を示す。
【００４１】
図７〜９は、本発明の方法により製造されたコイルの電気的測定データを示す。
【００４２】
図１は、平坦でない表面１を備え、この表面１上にフォトレジスト層２が電気化学的に析出されている成形品８を示す。透明なマスク面を備えたフォトリソグラフィーマスク４は、発散角δを示す光線束６によってフォトレジスト層２上に写像をつくる。この発散角δは、この場合に図示された平面だけでなく、この図示された平面に垂直方向の平面にも通用する。フォトレジスト層２とフォトリソグラフィーマスク４との間の変動する距離ｄのために、フォトリソグラフィーマスク４上のマスク面は、フォトレジスト層２上の露光すべき面と比較して縮小されている。
【００４３】
この処理方法は図１の平面図として図２に示した。成形品８の前面の露光すべき長方形の形の平面７はマスク面５の相応する縮小を必要とし、つまりこのマスク面５の幅は外方向に向かって、つまり距離ｄが増大すると共に縮小する。それにより、使用した光線束６の発散により生じる、拡大された写像はマスク面５により補償できるため、最終的に所望の露光すべき面７が達成される。
【００４４】
次に本発明による方法を用いたコイルの製造を例示的に記載する。
【００４５】
図３はコイル成形品として使用される成形品８を示し、これは長方体の形を有しかつ縦軸９を有している。この長方体の周面１０は４つの長方形を有し、この長方形は９０°の角度で相互に当接している。この当接した縁部は７０μｍの曲率半径で丸められている。成形品８の２つの端面１１で、この成形品８は固定ウェブ１３によって図４に示されたフレーム１４に固定されている。使用された成形体８は、この場合に１ｍｍの長さ及び対角線方向で測定して６５０μｍの幅を有する。
【００４６】
このフレーム１４は図５に示された基体１２にまとめられており、この場合にフレーム１４は基体１２の機械強度を高めるためにハニカム構造で配置されている。
【００４７】
基体材料として、全てのプロセス工程と相容性のポリイミド、例えばＣｙｒｌｅｘＣＬ３０００ＨＮ（ＤＵＰＯＮＴ社）が選択される。次に記載する初期メタライジング層は、基体と製造プロセスとの間の唯一の界面であるため、このプロセスは全ての類似の材料に関して適用することができ、この材料上に初期メタライジング層は十分な付着性で析出される。
【００４８】
この基体は７３０μｍの厚さのシートからレーザーアブレーションを用いて製造され、３″×３″×７３０μｍのサイズを有する。図５は、これについて、特にフレーム１４の数に関連する単なる図式的な図である。この例中に使用された基体１２は５ｍｍ×５ｍｍのサイズの１７６個の個々のセルを有している。この個々のセルの４つは、位置調整マーク１７として使用され、これらのマーク１７は両面のフォトリソグラフィープロセスのために必要である。
【００４９】
図６Ａ〜６Ｆは、コイル成形品として成形品８を用いてコイルを製造するために実施する個々のプロセス工程の実施後のそれぞれの成形品８の表面の図式的な縦断面図を示す。図６Ａは成形品８の表面上の初期メタライジング層を示す。図６Ｂは初期メタライジング層１５上にすでに構造化されたフォトレジスト層２を示す。図６Ｃは導電性材料３で充填されたフォトレジスト層２の構造体を示す。この導電性材料３はこの場合に電気メッキにより析出された銅であることができる。図６Ｄはフォトレジスト層２の除去後の成形品８を示す。図６Ｅは初期メタライジング層１５のエッチバック後の成形品８を示す。図６Ｆは保護不動態層１６の設置後の成形品８を示す。
【００５０】
次に、図６Ａによる初期メタライジング層の製造を記載する。
【００５１】
プラスチックの化学的メタライジングのための標準プロセスは公知であり、この場合に約５０ｎｍの厚さの金属層がパラジウム種結晶及び引き続き銅リンクを用いて析出させる。電気化学的にレジストを析出させるために、この５０ｎｍの厚さの金属層は２００〜３００ｎｍの厚さに補強される、それというのも補強しないとレジストは十分に均一に析出されないためである。
【００５２】
次に、初期メタライジング層を製造する他の方法を記載する。
【００５３】
基体上に２００ｎｍの厚さのチタン層をＤＣスパッタリングによって析出させる。この層は付着層として機能する。その上に、本来のいわゆるフォトレジスト及び電気メッキのためのシード層である２００ｎｍの厚さの銅層を、熱的蒸着によって析出させる。この金属系も化学的に析出する銅層と同様に適していることが判明した。
【００５４】
初期メタライジング層の層厚は、２００ｎｍよりも厚いのが好ましく、それにより一方で電気化学的プロセスにおいてより高い電流密度で作業でき、他方でフォトレジストは十分な均一性で析出する。さらに、より厚い層を用いて側面縁部の被覆の改善も達成される。
【００５５】
次に、図６Ｂによるフォトレジスト層の析出を記載する。
【００５６】
例示した方法の場合には、タイプＥＡＧＬＥ２１００ＥＤ（Ｓｈｉｐｌｅｙ社）の電気化学的に析出可能なフォトレジストを使用する。しかしながら、電気化学的に析出可能である他の適当なフォトレジストも使用することもできる。
【００５７】
慣用の被覆技術、例えばスピンコーティング、浸漬又は吹き付けを用いても均一性に関して不十分な結果が達成されただけである。
【００５８】
このフォトレジストを３５℃までの温度で電気化学的に析出させる。アノード材料として特殊鋼が使用され、この場合にカソード対アノードの面積比はほぼ１である。できる限り均一な被覆を達成するために、基体前面もしくは背面まで１０ｃｍの距離の２つの対称のアノードを用いて作業し、電解液を連続的に攪拌する。析出電流は３００ｍＡであり、この場合に、この電流は広範囲にわたり可変であり、最終的に初期メタライジング層の電流負荷能力により制限される。この析出工程自体は約３０秒必要なだけである。
【００５９】
フォトレジストは絶縁性であるため、カソードとアノードとの間の電圧は析出プロセスの間にレジスト層の厚さが増大すると共に指数的に増大する。フォトレジストが電気分解により分解されるのを抑制するために、電圧を１８０Ｖまでに制限し、約１〜５ｍＡの最小電流が達成された後に電解液を電源から切り離す。この理由から、電気メッキによる金属析出とは反対に、任意の層厚を達成することはできない。レジストの厚さもしくは析出方法の強さもこの絶縁性の関係にある、それというのも自然に均一な層厚が生じるためである。このレジストはフォトレジスト層厚が最も少ない箇所で常に優先的に析出する、それというのもこの箇所で電気力線の勾配が最大であるためである。
【００６０】
このレジスト層厚は温度によっても、またフォトレジストを脱塩水で希釈することによっても影響され、この場合に４μｍ〜２５μｍのレジスト層厚が達成された。２２℃の温度及びフォトレジスト÷脱塩水＝２÷１の希釈の場合にレジスト層厚１８±２μｍであり、これはこの方法に適している。
【００６１】
平坦な基体のために、強制空気循環炉中での１０５℃で１０〜２０分間のソフトベーキングが適している。このソフトベーキングによって一方でレジストから水が排除され、他方では基体への付着が改善される。水の損失によって一般にレジストは収縮し、これは鋭角な端部では、それ自体の表面張力を最小化するためにレジストが最小の平面湾曲部を備えた領域に戻ることになる。これは特にコイル側面縁部の被覆の際に問題となることは明らかである。
【００６２】
コイルの縁部をフォトレジストで被覆するために、レジスト析出と電気メッキとの間で熱処理工程を行ってはならない。このために１０５℃で行われる標準ソフトベーキングを、１００分間の１０⁻ ^５ｍｂａｒでの真空中での室温での硬化に置き換える。
【００６３】
使用した露光装置の光学系はマスクの箇所で平坦な波面を提供しないため、スリットを通過してマスクに当たる光線は発散する。この発散は、幅ｂの長方形のマスクスリットが距離ｄで幅ｂ′＝ｂ＋２×ｄ×ｔａｎδのスリットに形成されることになる。プレーナー技術に対して慣用の露光装置の場合に、光線発散角δは約１°〜３°である。この光線発散角は、フォトリソグラフィーマスク中での幅ｂの長方形を辺の長さｂ及びｂ−γ（γ＝２×ｄ×ｔａｎδ）の台形に置き換えることにより補正される。値κ＝（ｂ−γ）／ｂは補正ファクタである。この場合に、提供される露光装置ＭＡ４（ＫａｒｌＳＵＳＳ社）を用いて７５％のκで光線発散は良好に補正される。
【００６４】
フォトレジストの現像は製造元から提供された現像浴中で４０±２℃の温度で行う。露出したレジスト構造体は機械的負荷に対してきわめて敏感であるため、基体の運動は現像浴中でも並びに引き続く脱塩水中での現像停止の際にも極めてやさしくかつ注意深く行わなければならない。
【００６５】
フォトレジストの収縮及びそれによる側面縁部でのフォトレジストウェブの破断を抑制するために、基体を現像停止後に乾燥させずにすぐに電気メッキする。電気メッキにより銅を析出させる前の付加的な清浄化工程は必要でない。
【００６６】
次に、図６Ｃによる導電性材料３の析出を記載する。
【００６７】
電気メッキによる造形のために、工業的適用のために想定される標準浴調製物Ｋｕｐｆｅｒ８７３（ＤｅｇｕｓｓａＧａｌｖａｎｏｔｅｃｈｎｉｋ社）を使用した。できる限り均一な析出を達成するために、基体に対して１０ｃｍの間隔で２枚の対称のアノード（有効面積：５ｃｍ×１０ｃｍ）を用いて作業した。さらに、十分なイオン搬送及びイオン濃度補償を保証するために連続的に窒素を導入した。
【００６８】
銅は２２℃の電解液温度及び２０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で析出させた。ウェハにわたり測定された析出速度は約０．４μｍ／分であるが、小さな巻き線構造体の範囲では１／３だけ小さい。コイル成形品に関する構造体サイズはほぼ同じであるため、コイル成形品に関して相対的に均一な析出速度０．１〜０．２μｍ／分が達成される。
【００６９】
次に、図６Ｄで示されたプロセス工程の製造のためのフォトレジスト層２の除去を記載する。
【００７０】
このフォトレジスト構造体は、リムーバーＭＰ１１６５（ＭｉｃｒｏＲｅｓｉｓｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社）を用いて十分に除去する。この除去は、５０℃の温度でリムーバーを加熱する場合に促進される。一連の他の有機リムーバーもこの場合に使用することができる。この有機リムーバーは、従って、条導体の銅を攻撃しないために適している。
【００７１】
従って、フォトレジスト構造体の徹底した除去は特に重要である、それというのも電解研磨及びフッ酸に対して耐性のあるフォトレジスト残留物は初期メタライジング層のエッチバックを妨害するためである。この理由から、ウェハをリムーバー浴の後に短時間酸素プラズマにさらし、引き続きアセトン中で１５分間煮沸する。
【００７２】
次に、図６Ｅで示した方法工程の製造のための初期メタライジング層１５のエッチバックを記載する。
【００７３】
２００ｎｍの厚さの銅層の初期メタライジング層のシード層を電解研磨工程で除去する。これは、銅巻き線の表面が同時に研磨されるという利点を有する。ＤｅｇｕｓｓａＧａｌｖａｎｏｔｅｃｈｎｉｋ社の工業的電解研磨浴タイプ６１００を使用した。
【００７４】
このために基体を３０秒間９．０Ａの電流で研磨した。
【００７５】
２００ｎｍの厚さのチタン層を１％のフッ酸溶液中でエッチングした。これは銅巻き線もポリイミドも攻撃しない、従ってこのプロセスは重要ではない。自然形成された二酸化チタン（１ｎｍ）をエッチングした場合にこの反応は約１分後に著しくガスを発生しながら始まる。約３分後にチタン層は完全に除去される。
【００７６】
化学的に析出させた初期メタライジング層は、電解研磨工程の後に硫酸（１０％Ｖｏｌ）及び過酸化水素（１％Ｖｏｌ）からなる溶液中で約１０秒間で残留せずに除去される。
【００７７】
次に、図６Ｆ中に示された保護不動態層１６の設置を記載する。
【００７８】
保護不動態層１６の析出もこのバッチプロセスに組み込むために、コイルを感光性ポリイミド又はマイクロシステム技術において公知のネガティブラック（Ｎｅｇａｉｔｖｌａｃｋ）ＳＵ８で保護する。従って、この保護不動態層を基体上の全面に析出させることができ、引き続き他のフォトリソグラフィー工程によってコンタクト箇所もしくは端面を露出させることができる。
【００７９】
上記の方法を用いて４種の異なるコイルを製造した。コイル０６及びコイル０７は巻数Ｎ＝６．８及びインダクタンスＬ＝１１．４ｎＨを有する。コイル０８は巻数Ｎ＝７．６及びインダクタンスＬ＝１４．５ｎＨを有する。コイル０８は巻数Ｎ＝９．２及びインダクタンスＬ＝２１．２ｎＨを有する。このインダクタンスはそれぞれ１００ＭＨｚで通用する。
【００８０】
図７は４種のコイルの電気抵抗を示す。この直流抵抗は全てのコイルの場合に約０．５Ωである。１ＧＨｚの周波数から抵抗は急激に上昇し始める。
【００８１】
この場合に、測定曲線７２はコイル１１についての抵抗を、曲線７３はコイル０８についての抵抗を、曲線７４はコイル０７についての抵抗を、最後の曲線７５はコイル０６についての抵抗を示す。
【００８２】
図８は、一般的測定周波数１００ＭＨｚでのインダクタンス値を有する、コイルの測定されたインダクタンスを示す。この場合に、測定曲線８２はコイル１１についてのインダクタンスを、曲線８３はコイル０８についてのインダクタンスを、曲線８４はコイル０７についてのインダクタンスを、曲線８５はコイル０６についてのインダクタンスを示す。
【００８３】
他の重要な特性パラメータは複素インピーダンスの虚数部と実数部との商から計算される、インダクタンスのＱ値である。
【００８４】
図９は上記の方法により製造されたコイルのＱ値を示す。この場合に、曲線９１はコイル１１についてのＱ値を、曲線９３はコイル０７及び０６についてのＱ値（これらは選択されたスケールにおいて相互に区別不能であった）を、並びに曲線９２はコイル０８についてのＱ値を表す。
【００８５】
本発明にとって、フォトレジスト層の析出について及び有利に初期メタライジング層についても電気化学的もしくは化学的方法を使用することが重要である。それにより、３次元的表面、特に縁部を備えた表面上で、指向性の方法、例えばスパッタリング又は蒸着と比較して、層の均一性に関する利点が得られる。
【００８６】
本発明は、記載された実施例に制限されるのではなく、最も普遍的な形式で請求項１により定義される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
成形品の平坦でない表面上での本発明による方法の実施を示す図式的な断面図
【図２】
露光すべき面７に比べて縮小されたマスク面５の平面図
【図３】
３Ａは本発明による方法を例示的に実施する際に使用される固定ウェブを備えた成形品の平面図、３Ｂはその側面図
【図４】
フレーム内に配置されている図３Ａによる複数の成形体の平面図
【図５】
１つの基体中に配置された図４による複数のフレームの平面図
【図６】
発明の方法による導電性の構造体の製造の間の各段階の図１による成形品の平坦でない表面の平坦な部分の図式的な縦断面図
【図７】
本発明の方法により製造されたコイルの電気的測定データを示すグラフ
【図８】
本発明の方法により製造されたコイルの電気的測定データを示すグラフ
【図９】
本発明の方法により製造されたコイルの電気的測定データを示すグラフ

Claims

平坦でない表面（１）上に導電性の構造体を製造する方法において、次の工程：
ａ）　表面（１）上にフォトレジスト層（２）を電気化学的に析出させる工程、
ｂ）　フォトレジスト層（２）を部分的に露光する工程、
ｃ）　現像によりフォトレジスト層（２）の一部を除去する工程、
ｄ）　フォトレジスト層（２）から露出した表面（１）の部分上に導電性材料（３）を析出させる工程
を有する、平面でない表面（１）上に導電性の構造体を製造する方法。
表面（１）上で層厚が２５％より少なく変動するフォトレジスト層（２）を析出させる、請求項１記載の方法。
フォトレジスト層（２）を１０〜５０μｍの層厚で析出させる、請求項２記載の方法。
フォトレジスト層（２）の露光の際に１０ミリラド未満の発散を示す光線束（６）を使用する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
発散する光線束（６）を用いて透明なマスク面（５）を備えたフォトリソグラフィーマスク（４）の写像によってフォトレジスト層（２）の露光を行い、かつこの場合にマスク面（５）はフォトレジスト層（２）上の対応する露光すべき面（７）と比べて、フォトレジスト層（２）とフォトリソグラフィーマスク（４）との間の距離に依存して、光線束（６）の発散から生じた拡大された写像がマスク面（５）の作用を打ち消すように縮小されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
発散角δを示す光線束（６）を使用し、かつこの場合に、距離ｄの位置で設定幅ｂ_１を有するフォトレジスト（２）上の面（７）を露光するために、距離ｄの位置でのマスク面（５）の幅ｂ_２が、次の式：
ｂ_３＝ｂ_１　−　２　×　ｄ　×　ｔａｎδ
により計算された幅ｂ_３の１０％より小さく偏倚しているマスク面（５）を使用する、請求項５記載の方法。
縦軸（９）、周面（１０）及び端面（１１）を備えた成形品（８）の平坦でない表面（１）上に導電性の構造体を製造し、かつこの場合に前記の成形品（８）は露光の間に周面（１０）の少なくとも半分を露光できるように位置決めされている、請求項２から６までのいずれか１項記載の方法。
成形品（８）は露光の間に、周面（１０）に帰属する露光すべき平坦な面（７）と使用した光線束（６）の放射方向とは少なくとも４０°の角度をなしている、請求項７記載の方法。
長方体の形の成形品（８）を使用し、周面（１０）に帰属する側面の間の縁部は丸められている、請求項８記載の方法。
成形品（８）は２つの側面から露光され、導電性の構造体として、成形品（８）の縦軸（９）を中心に少なくとも１周する条導体が生じる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
端面（１１）が固定ウェブ（１３）によって平面状の基体（１２）に懸架されている成形品（８）を使用する、請求項１０記載の方法。
基体（１２）に懸架された複数の同じ成形品（８）を有する基体（１２）を使用し、かつこの場合にこの方法工程を同時に複数の成形品（８）を用いて実施する、請求項３から９までのいずれか１項記載の方法。
基体（１２）としてポリイミドを使用し、この基体（１２）はレーザーを用いて構造化されている、請求項１２記載の方法。
基体（１２）として高い耐熱性を有する射出成形されたプラスチックを使用する、請求項１２記載の方法。
基体（１２）上にフォトレジスト層の析出の前に初期メタライジング層（１５）を析出させる、請求項１３又は１４記載の方法。
小型化されたコイルの製造のための、請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法の使用。