JP2004504496A - 基質上へのフィルムの蒸着法 - Google Patents
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Abstract
基質上へのフィルムの化学蒸着法。バルク化学蒸着の前に、基質を核形成処理に供する。核形成処理は原子層蒸着を含み、ここで基質は少なくとも２種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、ここで核形成温度は用いられる反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれる。
Description
【０００１】
本発明は：
−反応室内に基質を導入し、
−該基質を第１の温度において核形成処理を含む第１の処理に供し、核形成層を得、
−続いて第２の温度においてバルク（ｂｕｌｋ）化学蒸着を含む第２の処理に供し、
−ここで該第１及び第２の処理を同じ反応室内で行う
ことを含む基質上にフィルムを化学蒸着するための方法に関する。
【０００２】
そのような方法はＵＳ−５４２００７２Ａから既知である。この文書は２段階で与えられる窒化チタンフィルムを開示している。第１段階の間に、第１のフィルムはフィルム中の結晶の正しい結晶学的配向を誘導し、第２段階の間に得られる第２のフィルムは優れた一致性（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）及び均一性を示す。第１の窒化チタン層はＣＶＤにより得られ、同じ室内における第２のチタン層のＣＶＤが続く。
【０００３】
ＥＰ ３４０１１３Ａ１は、ケイ素基質上におけるＧａＡｓの蒸着を開示している。最初に原子層エピタクシーによりヒ化アルミニウムが、ケイ素基質上に中間緩衝層として成長する。エピタクシャルバルクＣＶＤを介して約５０サイクルで緩衝層が設けられた後、さらなるヒ化ガリウムのフィルムが実現される。
【０００４】
ＷＯ ９９／２８５２７は、フィルムの核形成を助長する第１の蒸着段階及び続く第２の蒸着段階を含む、ＳｉＨ４及びＷＦ６を用いるタングステン層の化学蒸着を開示している。１種もしくはそれより多い気体状反応物を用いて基質上に固体薄フィルムを蒸着する化学蒸着の方法は、長年既知であった。反応室内に基質を導入し、反応室を閉じた後、室を排気する。経済的な速度で反応を進行させるのに必要な温度に基質を加熱し、１種もしくは複数種の気体状反応物を反応室内に導入する。プロセスの間、温度、反応物流量及び圧力のような条件を典型的には一定の値に保持する。反応物又は反応性種は基質の表面上に吸着され、固体フィルムの形成及び気体状副成物の放出下で分解するか又は互いに反応する。化学蒸着法において遭遇する問題の１つは、多くの方法が基礎をなす表面の条件に依存する核形成プロセスに悩まされることである。これは、表面上に吸着され、分解し、固体フィルムを形成する反応物の傾向が基質の表面の条件に依存することを意味する。いくつかの場合には、例えば露出されたケイ素表面上のフィルムの蒸着が望まれているが、酸化ケイ素で覆われている基質表面の部分上では望ましくない場合の選択的方法において、これを有利に適用することができる。この結果を達成するために、ケイ素上における核形成速度が酸化ケイ素上における核形成速度より高いように条件を選ぶことができる。表面が材料の薄フィルムで覆われた後、典型的にはもっと速い速度でさらなる蒸着が進行する。しかしながら多くの場合、この現象は、例えば表面のすべての部分を覆う均一な蒸着が望ましい場合に、望ましくない結果に導く。
【０００５】
先行技術において、表面依存性核形成に関連する問題は、蒸着されるべきフィルムの核形成に好ましく且つフィルムの残りが蒸着されるべき第２の且つ主要な蒸着段階における条件と異なるプロセス条件を有する第１の蒸着段階を化学蒸着プロセスに導入することにより克服されている。しかしながら、迅速な核形成に好ましい条件は、均一な核形成及び／又はウェハー表面全体ならびにウェハー表面における溝内を覆う蒸着に必ずしも好ましくはない。
【０００６】
さらに、反応室の部品上における核形成速度は基質上における核形成速度と異なり得る。結局、反応器中のいくらかの内面上における核形成段階は他の表面上より早く完了し得る。核形成段階が完了すると、フィルム蒸着が開始され、それは反応物のより多くの消費を生ずる。これは、反応室内の局部的条件が核形成段階の間の時間の経過中に変化することを意味し、それはプロセスの制御可能性に負に影響する。例えば蒸着時間を用いるフィルム厚さの直線的外挿が、達成される実際のフィルム厚さの信頼できない予測を与えるであろう。さらにバッチ反応器の場合、すべてのウェハーが同じ局部的環境に面するわけではない。多くの場合、基質はウェハー−様形を有し、すなわち１つの次元において薄く、２つの他の次元においてそれよりずっと大きく、バッチ反応器内でそれらは、それらの大きい表面を列の方向に垂直にして且ついくらかの互いの距離において、列内に置かれる。この場合、基質のほとんどは処理されるべき他の基質に面する。しかしながら、第１及び最後のウェハーは他の局部的環境に面し、それは蒸着プロセスの最後に基質上の有意に異なるフィルム厚さを生じ得る。製品ウェハーのバッチ内にテストウェハーが存在することも、局部的に異なる環境を生ずる。
【０００７】
プロセスの核形成段階に関連する他の問題は、表面の粗さである。核が形成されると、それらは水平及び垂直方向の両方において、全表面領域が覆われるまで成長する。このプロセスは表面のレリーフを生ずる。核の密度が高い時レリーフは小さく、核の密度が低い時レリーフは際立つ。このレリーフは典型的には、成長が進行している時残るであろう。
【０００８】
本発明の目的は、これらの欠点を避け且つ反応室内の全表面領域に関して均一な出発表面を与える、化学蒸着プロセスの実施の前のその場での前処理の方法を提供することである。
【０００９】
本発明に従い、この目的は上記の方法を用いて、該核形成処理が原子層蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を含み、ここで基質は少なくとも２種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、該第１の温度は該反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ該反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれる点で実現される。
【００１０】
本発明に従う方法では、１つの基質又は複数の基質を反応室内に導入し、反応室を閉じ、排気し、基質を第１の温度に加熱する。この第１の温度で、少なくとも２種の反応物を交互に且つ連続的に反応室内に導入する。この第１の温度は、基質表面上における反応物の凝縮を妨げるのに十分に高いが、個々の反応物の熱分解が起こらない程に低い。結局、第１の反応物の供給の間、反応物の単層のみが表面上に化学吸着し、次いで表面が飽和する。第２の反応物が供給されると、それは表面上に化学吸着し、前の反応物と反応し、表面が完全に飽和するまで固体単層を形成する。このサイクルを複数回繰り返すことができる。この方法は原子層蒸着と呼ばれ、通常の化学蒸着よりずっと表面の影響を受けにくい。それぞれの反応は自己−制限性（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）である。２種より多い反応物、例えば３成分化合物の蒸着のために３種の反応物を用いてこの方法を行うことができ、但し反応物は調和性であり且つ別々に反応器内に導入される時に第１の温度において熱分解しない。原子層蒸着による薄フィルムの蒸着の故に、反応室内のすべての表面上の続いての化学蒸着のための均一な出発表面が与えられる。原子層蒸着前処理の後、基質を第２の温度に加熱し、化学蒸着プロセス用の反応物を反応器内に導入する。化学蒸着による蒸着の完了後、反応物の供給を絶ち、反応室を排気及び／又はパージングし、必要ならそれを大気圧に上げ戻した後、基質を反応室から取り出す。
【００１１】
第１の態様においては、原子層蒸着前処理により蒸着される薄フィルムは化学蒸着により蒸着されるフィルムと同じ組成を主に有する。第２の態様においては、原子層蒸着前処理により蒸着される薄フィルムは化学蒸着段階において蒸着されるフィルムと異なる組成を有する。２つの蒸着段階で蒸着される実質的に同じ組成を有する層の場合、原子層蒸着が行われる第１の温度は、典型的には化学蒸着が行われる第２の温度より低いが、これは選ばれる反応物にも依存する。
【００１２】
原子層蒸着プロセスにおいては、それぞれの反応物のパルスの間内における必要なパージ時間のために、蒸着速度は非常に低い。従って原子層蒸着反応器の反応器容積及び形は最小パージ時間及び最大蒸着速度を与えるように最適化される。十分な反応物が供給される限り、圧力、温度及び流量のようなプロセス条件が決定的でないことは、原子層蒸着プロセスに固有である。プロセスは反応物の１つの単層で表面を連続的且つ交互に飽和することに基づいているので、繰り返されるサイクル中で表面の飽和が達成される時はいつでも、均一なフィルム蒸着が得られるであろう。他方、通例の化学蒸着用の反応器は、経済的な蒸着速度における均一なフィルム蒸着のために最適化される。化学蒸着において、温度、圧力及び反応物流量は決定的なパラメーターであり、均一な蒸着を達成するために、反応器の設計はこれを考慮する。この反応器設計は経済的な原子層蒸着のためには最適でない。しかしながら、原子層蒸着を通例の化学蒸着用に設計された反応器における化学蒸着に先立ってその場での予備コンディショニングとして適用する場合、原子層蒸着にとって経済的でない持続時間を有する限られた回数の原子層蒸着サイクルは、依然として経済的であるプロセス全体を与えるために許され得る。原子層蒸着パルスのサイクル時間を短縮するためにとられる手段の１つは、反応室内の圧力を低い値に保持し、パルス間内の反応室容積の迅速なパージングを可能にすることである。好ましくはこの圧力は１０ Ｔｏｒｒ未満に保持され、より好ましくはこの値は１ Ｔｏｒｒ未満に保持される。
【００１３】
原子層蒸着の方法は基質表面の完全な被覆及び１層づつの成長を生ずる。従って核形成段階の結果である表面の粗さは省かれ、原子層蒸着後の表面は基本的に出発表面とちょうど同じに滑らかである。
【００１４】
本発明の好ましい態様に従うと、核形成処理は３０サイクル未満、より特定的には２０サイクル未満を含む。核形成層の厚さは３０Å未満、より特定的には２０Å未満でなければならない。好ましくは、本発明は酸化タンタル層を得るために用いられる。
【００１５】
（本発明の詳細な説明）
図１は酸化タンタル蒸着の目的で本発明に記載の方法の態様に使用されるガス系統と炉の概略表示である。この炉は全体が１により示され、プロセスチューブは２により、そしてインナーライナーは３により示され、インナーライナーは反応室４の範囲を定める。このプロセスチューブは図示しないが、加熱要素により囲まれている。複数のウエハー様の基質１０はホルダー１１中に置かれ、このホルダーはペデスタル１２により支持されている。このペデスタルは反応室４を閉じる扉板１３により支持されている。プロセスチューブ２とインナーライナー３はフランジ２０により支持されている。ガスはガス供給ライン４０及び４１により、直接に、あるいはガス注入器４２を介してプロセスチャンバー４の中に注入される。このガスはインナーライナーとプロセスチューブの間の隙間を介してガス排出ライン３０からポンプ（図示せず）に排出される。タンタルペンタエトキシド５０を入れた容器が窒素供給ライン４３に接続されていて、この液体源材料を圧力下に置くことを可能としている。この液体源材料流は液体流量計５４により計量される。蒸発器ユニット５５中でこの液体源材料流は制御され、窒素と混合され、そして蒸発される。この蒸発物流はオープニングバルブ５６によりガス供給ライン４１の中に供給される。あるいは、この蒸発物流を反応器の中に供給する前後、バルブ５６を閉じている間に、オープニングバルブ５７によりこの流れをポンプ（図示せず）に向けて方向を変えることができる。この蒸発器の窒素流はマスフローコントローラー６２により制御され、他方、マスフローコントローラー７２はガス供給ライン４１の中に直接に供給される窒素流を制御する。マスフローコントローラー８２、９２及び１０２はガス供給ライン４０を介してこの反応器の中に供給されるＨ２Ｏ、Ｏ２及びＮ２の流れをそれぞれ制御する。空気圧で操作されるシャットオフバルブ６１、７１、８１、９１及び１０１は、上流側で各マスフローコントローラーをこのガス供給ラインから分離するための手段を提供し、そして、空気圧で操作されるバルブ６３、７３、８３、９３及び１０３は下流側でこのマスフローコントローラーを分離する手段を提供する。シャットオフバルブ５１はタンタルペンタエトキシド容器５０を窒素供給ライン４３から分離することができる。シャットオフバルブ５３を閉じることにより液体タンタルペンタエトキシド流が中断され、そしてオープニングバルブ５２により液体フローコントローラー５４のＮ２によるパージが可能になる。
【００１６】
図２には、酸化タンタル化学蒸着法に対する厚さの結果が従来技術に記載の方法に対して示されている。この具体的な例では、この処理を図１に概略表示したバッチ反応器中で１１０基質のバッチサイズで行った。このガスはウエハー１が位置する側方から注入され、ウエハー１１０が位置する側方から排出される。酸化タンタルの蒸着を含む１１０充填ウエハーを充填した反応器中で、位置またはスロット６、７、９９及び１００の４枚の充填ウエハーをベアシリコン試験ウエハーにより置き換えた。結果として、２枚のベアシリコン試験ウエハー、すなわち６及び９９は、前面でベアシリコン試験ウエハー７及び１００と面し、他方、ウエハー７及び１００は酸化タンタルで被覆した充填ウエハーと面していた。蒸着後、この酸化タンタル膜の膜厚をエリプソメーターによりこのウエハーの中心からこのウエハーの縁までのこのウエハー上の１３個の点で測定した。ベアシリコン試験ウエハーに面するウエハー上の膜厚は、酸化タンタルで被覆した充填ウエハーに面するウエハー上よりも大きいように思われる。この効果はこのウエハーの中心領域で最も著しい。この効果に加えて、一方ではウエハー６及び７、他方ウエハー９９及び１４０の間に厚さの差があることを注目すべきである。この「ダウンロード」の差異はウエハー充填にわたる不足の影響により生じ、この方法が未だ充分に最適化されていないという事実による。
【００１７】
図３では、この試験ウエハーに面するウエハーの表面条件が重要であるのみならず、すべての試験ウエハーの表面条件が全体の結果に影響を及ぼすことが示される。図３では、すべての充填ウエハーを清浄な、ベアシリコン充填ウエハーにより置き換えた。この蒸着速度は全体のバッチにわたって更に均一である。明らかに、ベアシリコンウエハー上で、酸化タンタル蒸着法は核形成相に供され、他方、酸化タンタル表面上ではこの蒸着は直ぐに開始することができる。それゆえ、この酸化タンタル表面は結果としてこのベアシリコン試験ウエハー上に不足の効果と更に薄い膜を生じる。
【００１８】
図４では、本発明に記載の方法の流れ図を示す。第１の段階は基質を挿入するか、あるいはバッチ反応器の場合には複数の基質をこの反応室の中に挿入することである。つぎに、この反応室を排気及び／またはパージして、この反応室から不純物を除去する。数字３で示されるのは、基質（または複数の基質）が第１の温度に加熱されるのを示す。段階４−７では、二つの反応物を使用する原子層蒸着サイクルの例を示す。各反応物の暴露段階の間で、この反応室を排気及び／またはパージして、この２つの反応物を充分に分離状態に保つ。このサイクルを必要な頻度で繰り返して、この反応室内部のすべての表面積にわたって所望の均一な表面条件を得ることができる。サイクルの最少数は１回でなければならない。この原子層蒸着サイクルの完結後、数字８により示されるように、この基質を第２の温度に加熱する。引き続いて、参照番号９に示すように、この基質をＬＰＣＶＤ法に使用する反応物に暴露する。段階番号１０では、この反応物と反応生成物を排気及び／またはパージにより反応室から除去する。最後の段階１１でこの基質をこの反応室から取り出す。
【００１９】
図５では、本発明と実施例１に記載の方法の結果を示す。
実施例１
本発明に記載の方法の具体的な例が次である。複数の基質をホットウオールバッチ反応器の中に挿入した後、この基質を２２０°Ｃまで加熱する。第１の反応物として、反応器の排出端でポンプ排気し、１トールの圧力を維持しながら、窒素と混合したタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ、−Ｔａ−（ＯＣ２Ｈ５）５）をこの反応器の中に導入する。（ＴＡＥＴＯ）を入れた容器の温度を３５°Ｃに維持する。窒素圧力をこの容器に印加し、９ｓｃｃｎの蒸気流に相当する液体ＴＡＥＴＯ流をこの容器から蒸発器の中に供給する。５００ｓｃｃｍの窒素流もこの蒸発器の中に供給する。ＴＡＥＴＯ蒸気をこの窒素ガス流と一緒にこの蒸発器からこの反応器の中に供給する。ＴＡＥＴＯ暴露時間は２分間である。ＴＡＥＴＯ供給の打ち切りの後、この反応器をほぼ５００ｓｃｃｍＮ２で２分間パージし、排気を継続しながらこのＮ２流を３０秒間中断し、そしてＮ２流を２分間再開する。次に、５００ｓｃｃｍの水蒸気流をこの反応器に２分間供給し、続いてパージ／排気／パージシーケンスを行う。この全サイクルを２０回繰り返した。これらの原子層蒸着サイクルの後、この基質を４００°Ｃまで加熱し、ＬＰＣＶＤ法を次の条件で行った：２５０あるいは３７５ミリトール、９ｓｃｃｍＴＡＥＴＯ蒸気、２００ｓｃｃｍＯ２、５５０ｓｃｃｍＮ２。
【００２０】
第２の実施例では、酸化タンタル蒸着用の原材料としてタンタルテトラエトキシドジメチルアミノエトキシド［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）４ＯＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２］を使用する。
【００２１】
実施例１ではホットウオールバッチ炉を使用するが、当業者ならば本発明の方法が現状技術に記載のいかなるバッチ、単一のウエハー、ホットウオールあるいはコールドウオールＣＶＤ反応器にも適用されることを理解するであろう。別な例では、この核形成処理はアルミナあるいはジルコニア層の原子層蒸着を含んでなる。更に別な例では、このバルク化学蒸着は好ましくはジルコニア核形成段階により先行されたＴｉＮ層の蒸着を含んでなる。
【００２２】
当業者ならば上記においては実施態様の好ましい例のみが示されていることを直ちに認識するであろう。保護の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１はガス系統と炉の概略表示である。
【図２】
図２は従来技術に記載のＬＰＣＶＤ法による厚さの結果であり、異なるタイプの基質が存在する。
【図３】
図３は従来技術に記載のＬＰＣＶＤ法による厚さの結果であり、存在する基質はベアシリコン基質である。
【図４】
図４は本発明に記載の方法の流れ図である。
【図５】
図５は本発明に記載の方法による厚さの結果である。
本発明は：
−反応室内に基質を導入し、
−該基質を第１の温度において核形成処理を含む第１の処理に供し、核形成層を得、
−続いて第２の温度においてバルク（ｂｕｌｋ）化学蒸着を含む第２の処理に供し、
−ここで該第１及び第２の処理を同じ反応室内で行う
ことを含む基質上にフィルムを化学蒸着するための方法に関する。
【０００２】
そのような方法はＵＳ−５４２００７２Ａから既知である。この文書は２段階で与えられる窒化チタンフィルムを開示している。第１段階の間に、第１のフィルムはフィルム中の結晶の正しい結晶学的配向を誘導し、第２段階の間に得られる第２のフィルムは優れた一致性（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）及び均一性を示す。第１の窒化チタン層はＣＶＤにより得られ、同じ室内における第２のチタン層のＣＶＤが続く。
【０００３】
ＥＰ ３４０１１３Ａ１は、ケイ素基質上におけるＧａＡｓの蒸着を開示している。最初に原子層エピタクシーによりヒ化アルミニウムが、ケイ素基質上に中間緩衝層として成長する。エピタクシャルバルクＣＶＤを介して約５０サイクルで緩衝層が設けられた後、さらなるヒ化ガリウムのフィルムが実現される。
【０００４】
ＷＯ ９９／２８５２７は、フィルムの核形成を助長する第１の蒸着段階及び続く第２の蒸着段階を含む、ＳｉＨ４及びＷＦ６を用いるタングステン層の化学蒸着を開示している。１種もしくはそれより多い気体状反応物を用いて基質上に固体薄フィルムを蒸着する化学蒸着の方法は、長年既知であった。反応室内に基質を導入し、反応室を閉じた後、室を排気する。経済的な速度で反応を進行させるのに必要な温度に基質を加熱し、１種もしくは複数種の気体状反応物を反応室内に導入する。プロセスの間、温度、反応物流量及び圧力のような条件を典型的には一定の値に保持する。反応物又は反応性種は基質の表面上に吸着され、固体フィルムの形成及び気体状副成物の放出下で分解するか又は互いに反応する。化学蒸着法において遭遇する問題の１つは、多くの方法が基礎をなす表面の条件に依存する核形成プロセスに悩まされることである。これは、表面上に吸着され、分解し、固体フィルムを形成する反応物の傾向が基質の表面の条件に依存することを意味する。いくつかの場合には、例えば露出されたケイ素表面上のフィルムの蒸着が望まれているが、酸化ケイ素で覆われている基質表面の部分上では望ましくない場合の選択的方法において、これを有利に適用することができる。この結果を達成するために、ケイ素上における核形成速度が酸化ケイ素上における核形成速度より高いように条件を選ぶことができる。表面が材料の薄フィルムで覆われた後、典型的にはもっと速い速度でさらなる蒸着が進行する。しかしながら多くの場合、この現象は、例えば表面のすべての部分を覆う均一な蒸着が望ましい場合に、望ましくない結果に導く。
【０００５】
先行技術において、表面依存性核形成に関連する問題は、蒸着されるべきフィルムの核形成に好ましく且つフィルムの残りが蒸着されるべき第２の且つ主要な蒸着段階における条件と異なるプロセス条件を有する第１の蒸着段階を化学蒸着プロセスに導入することにより克服されている。しかしながら、迅速な核形成に好ましい条件は、均一な核形成及び／又はウェハー表面全体ならびにウェハー表面における溝内を覆う蒸着に必ずしも好ましくはない。
【０００６】
さらに、反応室の部品上における核形成速度は基質上における核形成速度と異なり得る。結局、反応器中のいくらかの内面上における核形成段階は他の表面上より早く完了し得る。核形成段階が完了すると、フィルム蒸着が開始され、それは反応物のより多くの消費を生ずる。これは、反応室内の局部的条件が核形成段階の間の時間の経過中に変化することを意味し、それはプロセスの制御可能性に負に影響する。例えば蒸着時間を用いるフィルム厚さの直線的外挿が、達成される実際のフィルム厚さの信頼できない予測を与えるであろう。さらにバッチ反応器の場合、すべてのウェハーが同じ局部的環境に面するわけではない。多くの場合、基質はウェハー−様形を有し、すなわち１つの次元において薄く、２つの他の次元においてそれよりずっと大きく、バッチ反応器内でそれらは、それらの大きい表面を列の方向に垂直にして且ついくらかの互いの距離において、列内に置かれる。この場合、基質のほとんどは処理されるべき他の基質に面する。しかしながら、第１及び最後のウェハーは他の局部的環境に面し、それは蒸着プロセスの最後に基質上の有意に異なるフィルム厚さを生じ得る。製品ウェハーのバッチ内にテストウェハーが存在することも、局部的に異なる環境を生ずる。
【０００７】
プロセスの核形成段階に関連する他の問題は、表面の粗さである。核が形成されると、それらは水平及び垂直方向の両方において、全表面領域が覆われるまで成長する。このプロセスは表面のレリーフを生ずる。核の密度が高い時レリーフは小さく、核の密度が低い時レリーフは際立つ。このレリーフは典型的には、成長が進行している時残るであろう。
【０００８】
本発明の目的は、これらの欠点を避け且つ反応室内の全表面領域に関して均一な出発表面を与える、化学蒸着プロセスの実施の前のその場での前処理の方法を提供することである。
【０００９】
本発明に従い、この目的は上記の方法を用いて、該核形成処理が原子層蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を含み、ここで基質は少なくとも２種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、該第１の温度は該反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ該反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれる点で実現される。
【００１０】
本発明に従う方法では、１つの基質又は複数の基質を反応室内に導入し、反応室を閉じ、排気し、基質を第１の温度に加熱する。この第１の温度で、少なくとも２種の反応物を交互に且つ連続的に反応室内に導入する。この第１の温度は、基質表面上における反応物の凝縮を妨げるのに十分に高いが、個々の反応物の熱分解が起こらない程に低い。結局、第１の反応物の供給の間、反応物の単層のみが表面上に化学吸着し、次いで表面が飽和する。第２の反応物が供給されると、それは表面上に化学吸着し、前の反応物と反応し、表面が完全に飽和するまで固体単層を形成する。このサイクルを複数回繰り返すことができる。この方法は原子層蒸着と呼ばれ、通常の化学蒸着よりずっと表面の影響を受けにくい。それぞれの反応は自己−制限性（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）である。２種より多い反応物、例えば３成分化合物の蒸着のために３種の反応物を用いてこの方法を行うことができ、但し反応物は調和性であり且つ別々に反応器内に導入される時に第１の温度において熱分解しない。原子層蒸着による薄フィルムの蒸着の故に、反応室内のすべての表面上の続いての化学蒸着のための均一な出発表面が与えられる。原子層蒸着前処理の後、基質を第２の温度に加熱し、化学蒸着プロセス用の反応物を反応器内に導入する。化学蒸着による蒸着の完了後、反応物の供給を絶ち、反応室を排気及び／又はパージングし、必要ならそれを大気圧に上げ戻した後、基質を反応室から取り出す。
【００１１】
第１の態様においては、原子層蒸着前処理により蒸着される薄フィルムは化学蒸着により蒸着されるフィルムと同じ組成を主に有する。第２の態様においては、原子層蒸着前処理により蒸着される薄フィルムは化学蒸着段階において蒸着されるフィルムと異なる組成を有する。２つの蒸着段階で蒸着される実質的に同じ組成を有する層の場合、原子層蒸着が行われる第１の温度は、典型的には化学蒸着が行われる第２の温度より低いが、これは選ばれる反応物にも依存する。
【００１２】
原子層蒸着プロセスにおいては、それぞれの反応物のパルスの間内における必要なパージ時間のために、蒸着速度は非常に低い。従って原子層蒸着反応器の反応器容積及び形は最小パージ時間及び最大蒸着速度を与えるように最適化される。十分な反応物が供給される限り、圧力、温度及び流量のようなプロセス条件が決定的でないことは、原子層蒸着プロセスに固有である。プロセスは反応物の１つの単層で表面を連続的且つ交互に飽和することに基づいているので、繰り返されるサイクル中で表面の飽和が達成される時はいつでも、均一なフィルム蒸着が得られるであろう。他方、通例の化学蒸着用の反応器は、経済的な蒸着速度における均一なフィルム蒸着のために最適化される。化学蒸着において、温度、圧力及び反応物流量は決定的なパラメーターであり、均一な蒸着を達成するために、反応器の設計はこれを考慮する。この反応器設計は経済的な原子層蒸着のためには最適でない。しかしながら、原子層蒸着を通例の化学蒸着用に設計された反応器における化学蒸着に先立ってその場での予備コンディショニングとして適用する場合、原子層蒸着にとって経済的でない持続時間を有する限られた回数の原子層蒸着サイクルは、依然として経済的であるプロセス全体を与えるために許され得る。原子層蒸着パルスのサイクル時間を短縮するためにとられる手段の１つは、反応室内の圧力を低い値に保持し、パルス間内の反応室容積の迅速なパージングを可能にすることである。好ましくはこの圧力は１０ Ｔｏｒｒ未満に保持され、より好ましくはこの値は１ Ｔｏｒｒ未満に保持される。
【００１３】
原子層蒸着の方法は基質表面の完全な被覆及び１層づつの成長を生ずる。従って核形成段階の結果である表面の粗さは省かれ、原子層蒸着後の表面は基本的に出発表面とちょうど同じに滑らかである。
【００１４】
本発明の好ましい態様に従うと、核形成処理は３０サイクル未満、より特定的には２０サイクル未満を含む。核形成層の厚さは３０Å未満、より特定的には２０Å未満でなければならない。好ましくは、本発明は酸化タンタル層を得るために用いられる。
【００１５】
（本発明の詳細な説明）
図１は酸化タンタル蒸着の目的で本発明に記載の方法の態様に使用されるガス系統と炉の概略表示である。この炉は全体が１により示され、プロセスチューブは２により、そしてインナーライナーは３により示され、インナーライナーは反応室４の範囲を定める。このプロセスチューブは図示しないが、加熱要素により囲まれている。複数のウエハー様の基質１０はホルダー１１中に置かれ、このホルダーはペデスタル１２により支持されている。このペデスタルは反応室４を閉じる扉板１３により支持されている。プロセスチューブ２とインナーライナー３はフランジ２０により支持されている。ガスはガス供給ライン４０及び４１により、直接に、あるいはガス注入器４２を介してプロセスチャンバー４の中に注入される。このガスはインナーライナーとプロセスチューブの間の隙間を介してガス排出ライン３０からポンプ（図示せず）に排出される。タンタルペンタエトキシド５０を入れた容器が窒素供給ライン４３に接続されていて、この液体源材料を圧力下に置くことを可能としている。この液体源材料流は液体流量計５４により計量される。蒸発器ユニット５５中でこの液体源材料流は制御され、窒素と混合され、そして蒸発される。この蒸発物流はオープニングバルブ５６によりガス供給ライン４１の中に供給される。あるいは、この蒸発物流を反応器の中に供給する前後、バルブ５６を閉じている間に、オープニングバルブ５７によりこの流れをポンプ（図示せず）に向けて方向を変えることができる。この蒸発器の窒素流はマスフローコントローラー６２により制御され、他方、マスフローコントローラー７２はガス供給ライン４１の中に直接に供給される窒素流を制御する。マスフローコントローラー８２、９２及び１０２はガス供給ライン４０を介してこの反応器の中に供給されるＨ２Ｏ、Ｏ２及びＮ２の流れをそれぞれ制御する。空気圧で操作されるシャットオフバルブ６１、７１、８１、９１及び１０１は、上流側で各マスフローコントローラーをこのガス供給ラインから分離するための手段を提供し、そして、空気圧で操作されるバルブ６３、７３、８３、９３及び１０３は下流側でこのマスフローコントローラーを分離する手段を提供する。シャットオフバルブ５１はタンタルペンタエトキシド容器５０を窒素供給ライン４３から分離することができる。シャットオフバルブ５３を閉じることにより液体タンタルペンタエトキシド流が中断され、そしてオープニングバルブ５２により液体フローコントローラー５４のＮ２によるパージが可能になる。
【００１６】
図２には、酸化タンタル化学蒸着法に対する厚さの結果が従来技術に記載の方法に対して示されている。この具体的な例では、この処理を図１に概略表示したバッチ反応器中で１１０基質のバッチサイズで行った。このガスはウエハー１が位置する側方から注入され、ウエハー１１０が位置する側方から排出される。酸化タンタルの蒸着を含む１１０充填ウエハーを充填した反応器中で、位置またはスロット６、７、９９及び１００の４枚の充填ウエハーをベアシリコン試験ウエハーにより置き換えた。結果として、２枚のベアシリコン試験ウエハー、すなわち６及び９９は、前面でベアシリコン試験ウエハー７及び１００と面し、他方、ウエハー７及び１００は酸化タンタルで被覆した充填ウエハーと面していた。蒸着後、この酸化タンタル膜の膜厚をエリプソメーターによりこのウエハーの中心からこのウエハーの縁までのこのウエハー上の１３個の点で測定した。ベアシリコン試験ウエハーに面するウエハー上の膜厚は、酸化タンタルで被覆した充填ウエハーに面するウエハー上よりも大きいように思われる。この効果はこのウエハーの中心領域で最も著しい。この効果に加えて、一方ではウエハー６及び７、他方ウエハー９９及び１４０の間に厚さの差があることを注目すべきである。この「ダウンロード」の差異はウエハー充填にわたる不足の影響により生じ、この方法が未だ充分に最適化されていないという事実による。
【００１７】
図３では、この試験ウエハーに面するウエハーの表面条件が重要であるのみならず、すべての試験ウエハーの表面条件が全体の結果に影響を及ぼすことが示される。図３では、すべての充填ウエハーを清浄な、ベアシリコン充填ウエハーにより置き換えた。この蒸着速度は全体のバッチにわたって更に均一である。明らかに、ベアシリコンウエハー上で、酸化タンタル蒸着法は核形成相に供され、他方、酸化タンタル表面上ではこの蒸着は直ぐに開始することができる。それゆえ、この酸化タンタル表面は結果としてこのベアシリコン試験ウエハー上に不足の効果と更に薄い膜を生じる。
【００１８】
図４では、本発明に記載の方法の流れ図を示す。第１の段階は基質を挿入するか、あるいはバッチ反応器の場合には複数の基質をこの反応室の中に挿入することである。つぎに、この反応室を排気及び／またはパージして、この反応室から不純物を除去する。数字３で示されるのは、基質（または複数の基質）が第１の温度に加熱されるのを示す。段階４−７では、二つの反応物を使用する原子層蒸着サイクルの例を示す。各反応物の暴露段階の間で、この反応室を排気及び／またはパージして、この２つの反応物を充分に分離状態に保つ。このサイクルを必要な頻度で繰り返して、この反応室内部のすべての表面積にわたって所望の均一な表面条件を得ることができる。サイクルの最少数は１回でなければならない。この原子層蒸着サイクルの完結後、数字８により示されるように、この基質を第２の温度に加熱する。引き続いて、参照番号９に示すように、この基質をＬＰＣＶＤ法に使用する反応物に暴露する。段階番号１０では、この反応物と反応生成物を排気及び／またはパージにより反応室から除去する。最後の段階１１でこの基質をこの反応室から取り出す。
【００１９】
図５では、本発明と実施例１に記載の方法の結果を示す。
実施例１
本発明に記載の方法の具体的な例が次である。複数の基質をホットウオールバッチ反応器の中に挿入した後、この基質を２２０°Ｃまで加熱する。第１の反応物として、反応器の排出端でポンプ排気し、１トールの圧力を維持しながら、窒素と混合したタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ、−Ｔａ−（ＯＣ２Ｈ５）５）をこの反応器の中に導入する。（ＴＡＥＴＯ）を入れた容器の温度を３５°Ｃに維持する。窒素圧力をこの容器に印加し、９ｓｃｃｎの蒸気流に相当する液体ＴＡＥＴＯ流をこの容器から蒸発器の中に供給する。５００ｓｃｃｍの窒素流もこの蒸発器の中に供給する。ＴＡＥＴＯ蒸気をこの窒素ガス流と一緒にこの蒸発器からこの反応器の中に供給する。ＴＡＥＴＯ暴露時間は２分間である。ＴＡＥＴＯ供給の打ち切りの後、この反応器をほぼ５００ｓｃｃｍＮ２で２分間パージし、排気を継続しながらこのＮ２流を３０秒間中断し、そしてＮ２流を２分間再開する。次に、５００ｓｃｃｍの水蒸気流をこの反応器に２分間供給し、続いてパージ／排気／パージシーケンスを行う。この全サイクルを２０回繰り返した。これらの原子層蒸着サイクルの後、この基質を４００°Ｃまで加熱し、ＬＰＣＶＤ法を次の条件で行った：２５０あるいは３７５ミリトール、９ｓｃｃｍＴＡＥＴＯ蒸気、２００ｓｃｃｍＯ２、５５０ｓｃｃｍＮ２。
【００２０】
第２の実施例では、酸化タンタル蒸着用の原材料としてタンタルテトラエトキシドジメチルアミノエトキシド［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）４ＯＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２］を使用する。
【００２１】
実施例１ではホットウオールバッチ炉を使用するが、当業者ならば本発明の方法が現状技術に記載のいかなるバッチ、単一のウエハー、ホットウオールあるいはコールドウオールＣＶＤ反応器にも適用されることを理解するであろう。別な例では、この核形成処理はアルミナあるいはジルコニア層の原子層蒸着を含んでなる。更に別な例では、このバルク化学蒸着は好ましくはジルコニア核形成段階により先行されたＴｉＮ層の蒸着を含んでなる。
【００２２】
当業者ならば上記においては実施態様の好ましい例のみが示されていることを直ちに認識するであろう。保護の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１はガス系統と炉の概略表示である。
【図２】
図２は従来技術に記載のＬＰＣＶＤ法による厚さの結果であり、異なるタイプの基質が存在する。
【図３】
図３は従来技術に記載のＬＰＣＶＤ法による厚さの結果であり、存在する基質はベアシリコン基質である。
【図４】
図４は本発明に記載の方法の流れ図である。
【図５】
図５は本発明に記載の方法による厚さの結果である。
Claims (12)
- −反応室内に基質を導入し、
−該基質を第１の温度において核形成処理を含む第１の処理に供し、核形成層を得、
−続いて第２の温度においてバルク（ｂｕｌｋ）化学蒸着を含む第２の処理に供し、
−ここで該第１及び第２の処理を同じ反応室内で行う
ことを含み、
−該核形成処理が原子層蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を含み、ここで基質は少なくとも２種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、該第１の温度は該反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ該反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれ、核形成処理は２０サイクル未満を含む
ことを特徴とする、基質上にフィルムを化学蒸着するための方法。 - 該第１及び第２の処理を同じ反応室内で行う請求項１に従う方法。
- 第１の処理で用いられる該反応物の１つが第２の処理で用いられる請求項１及び２のいずれか１つに従う方法。
- 少なくとも２種の反応性反応物の連続するパルスの間に、基質を不活性ガスで処理する請求項１〜３のいずれか１つに従う方法。
- 第１の温度が第２の温度に等しいかそれ未満である請求項１〜４のいずれか１つに従う方法。
- 第２の温度で蒸着されるフィルムが酸化タンタルである請求項１〜５のいずれか１つに従う方法。
- 酸化タンタル用の供給源反応物がタンタルペンタエトキシド［Ｔａ−（Ｏ−Ｃ２Ｈ５）５］又はタンタルテトラエトキシドジメチルアミノエトキシド［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）４（ＯＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２）を含む請求項１〜６のいずれか１つに従う方法。
- 第１の温度で蒸着されるフィルムが第２の温度で蒸着されるフィルムと異なる組成のものである請求項１に従う方法。
- 該核形成処理がアルミナの蒸着を含む請求項１〜８のいずれか１つに従う方法。
- 該核形成処理がジルコニアの蒸着を含む請求項１〜９のいずれか１つに従う方法。
- 該バルク化学蒸着が酸化タンタル層の蒸着を含む請求項１〜１０のいずれか１つに従う方法。
- 該バルク化学蒸着がＴｉＮ層の蒸着を含む請求項１〜１１のいずれか１つに従う方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318175A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Nec Electronics Corp | 酸化物誘電体膜の気相成長方法 |
| JP2009246365A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 原子層堆積（ａｌｄ）法及び化学気相成長（ｃｖｄ）法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積 |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554829B2 (en) | 1999-07-30 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
| US6319766B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
| US20030012875A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-16 | Shreyas Kher | CVD BST film composition and property control with thickness below 200 A for DRAM capacitor application with size at 0.1mum or below |
| US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6900122B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high-quality ultra-thin praseodymium gate dielectrics |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| DE10208450B4 (de) * | 2002-02-27 | 2004-09-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Abscheiden dünner Schichten mittels ALD/CVD-Prozessen in Verbindung mit schnellen thermischen Prozessen |
| US7220312B2 (en) * | 2002-03-13 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating semiconductor substrates |
| US6932871B2 (en) | 2002-04-16 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-station deposition apparatus and method |
| US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| US7205218B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers |
| US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
| US7221586B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
| US6921702B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
| US7084078B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-08-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films |
| US6753248B1 (en) | 2003-01-27 | 2004-06-22 | Applied Materials, Inc. | Post metal barrier/adhesion film |
| US7192892B2 (en) * | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
| US7238595B2 (en) * | 2003-03-13 | 2007-07-03 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
| US7682947B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-03-23 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
| JP4009550B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2007-11-14 | エルピーダメモリ株式会社 | 金属酸化膜の形成方法 |
| US20050070126A1 (en) * | 2003-04-21 | 2005-03-31 | Yoshihide Senzaki | System and method for forming multi-component dielectric films |
| US7183186B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-02-27 | Micro Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrTiO4 films |
| DE10319540A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur ALD-Beschichtung von Substraten sowie eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung |
| US7192824B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers |
| US6818517B1 (en) | 2003-08-29 | 2004-11-16 | Asm International N.V. | Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ |
| EP1763893A2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-03-21 | ASM America, Inc. | Germanium deposition |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| KR100614801B1 (ko) * | 2004-07-05 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 막 형성방법 |
| US7081421B2 (en) | 2004-08-26 | 2006-07-25 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide dielectric layer |
| US7494939B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-02-24 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer |
| US7588988B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| US7508648B2 (en) | 2005-02-08 | 2009-03-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Dy doped HfO2 films as gate dielectrics |
| US7498247B2 (en) | 2005-02-23 | 2009-03-03 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Hf3N4/HfO2 films as gate dielectrics |
| US7687409B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium silicon oxide films |
| US7390756B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited zirconium silicon oxide films |
| US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
| US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US8110469B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-02-07 | Micron Technology, Inc. | Graded dielectric layers |
| KR100642763B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 ＴｉＮ 막 구조, 그 제조 방법, ＴｉＮ 막구조를 채용하는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| FR2890982B1 (fr) * | 2005-09-21 | 2008-05-02 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'une couche dielectrique sur un materiau porteur et un circuit integre comprenant un condensateur incorporant une couche dielectrique |
| WO2007142690A2 (en) | 2005-11-04 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US7648853B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-01-19 | Asm America, Inc. | Dual channel heterostructure |
| US20100062149A1 (en) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
| US9790594B2 (en) | 2010-12-28 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Combination CVD/ALD method, source and pulse profile modification |
| US8524322B2 (en) | 2010-12-28 | 2013-09-03 | Asm International N.V. | Combination CVD/ALD method and source |
| US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
| US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
| US9218963B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437832A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Fujitsu Ltd | Method of growing compound semiconductor crystal |
| JPH0547666A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| NL8200753A (nl) | 1982-02-24 | 1983-09-16 | Integrated Automation | Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape. |
| US4420385A (en) * | 1983-04-15 | 1983-12-13 | Gryphon Products | Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films |
| US4798165A (en) | 1985-10-07 | 1989-01-17 | Epsilon | Apparatus for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow |
| DE3884682T2 (de) * | 1987-07-01 | 1994-05-05 | Nippon Electric Co | Verfahren zur Züchtung eines Halbleiterkristalles aus III-V-Gruppen-Verbindung auf einem Si-Substrat. |
| US4992301A (en) | 1987-09-22 | 1991-02-12 | Nec Corporation | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness |
| US5166092A (en) * | 1988-01-28 | 1992-11-24 | Fujitsu Limited | Method of growing compound semiconductor epitaxial layer by atomic layer epitaxy |
| US5130269A (en) * | 1988-04-27 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Hetero-epitaxially grown compound semiconductor substrate and a method of growing the same |
| US4931132A (en) * | 1988-10-07 | 1990-06-05 | Bell Communications Research, Inc. | Optical control of deposition of crystal monolayers |
| JPH0824191B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| US5788425A (en) | 1992-07-15 | 1998-08-04 | Imation Corp. | Flexible system for handling articles |
| JPH06177381A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスおよびその製造方法 |
| US5443647A (en) * | 1993-04-28 | 1995-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for depositing a refractory thin film by chemical vapor deposition |
| US5420072A (en) * | 1994-02-04 | 1995-05-30 | Motorola, Inc. | Method for forming a conductive interconnect in an integrated circuit |
| US5841490A (en) * | 1994-10-31 | 1998-11-24 | Kyocera Corporation | Liquid crystal display device and its fabricating method |
| FI97731C (fi) | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FR2727693A1 (fr) | 1994-12-06 | 1996-06-07 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur pour le depot de couches minces en phase vapeur (cvd) |
| US5772770A (en) | 1995-01-27 | 1998-06-30 | Kokusai Electric Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US5708559A (en) * | 1995-10-27 | 1998-01-13 | International Business Machines Corporation | Precision analog metal-metal capacitor |
| NL1003538C2 (nl) | 1996-07-08 | 1998-01-12 | Advanced Semiconductor Mat | Werkwijze en inrichting voor het contactloos behandelen van een schijfvormig halfgeleidersubstraat. |
| US5719417A (en) * | 1996-11-27 | 1998-02-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ferroelectric integrated circuit structure |
| JPH10239698A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5879459A (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-09 | Genus, Inc. | Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition |
| US5851849A (en) * | 1997-05-22 | 1998-12-22 | Lucent Technologies Inc. | Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography |
| KR100269306B1 (ko) * | 1997-07-31 | 2000-10-16 | 윤종용 | 저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법 |
| US6271129B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a gap filling refractory metal layer having reduced stress |
| KR100287180B1 (ko) * | 1998-09-17 | 2001-04-16 | 윤종용 | 계면 조절층을 이용하여 금속 배선층을 형성하는 반도체 소자의 제조 방법 |
| US6124158A (en) * | 1999-06-08 | 2000-09-26 | Lucent Technologies Inc. | Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
-
2000
- 2000-07-07 US US09/611,602 patent/US6592942B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-09 EP EP01952051A patent/EP1299572B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-09 DE DE60104426T patent/DE60104426T2/de not_active Expired - Lifetime
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437832A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Fujitsu Ltd | Method of growing compound semiconductor crystal |
| JPH0547666A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318175A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Nec Electronics Corp | 酸化物誘電体膜の気相成長方法 |
| JP2009246365A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 原子層堆積（ａｌｄ）法及び化学気相成長（ｃｖｄ）法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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