NL1003538C2 - Werkwijze en inrichting voor het contactloos behandelen van een schijfvormig halfgeleidersubstraat. - Google Patents

Description

Werkwijze en inrichting voor het contactloos behandelen van een schijfvormig halfgeleidersubstraat

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze 5 voor het contactloos behandelen van een schijfvormig halfgeleidersubstraat, omvattende het aanbrengen van dat substraat in een dit substraat tenminste gedeeltelijk omhullende inrichting en het vanaf twee tegenover liggende eerste en tweede zijdelen opbrengen van twee tegengesteld gerichte gasstromen op beide tegenover liggende zijden van 10 het halfgeleidersubstraat.

Een dergelijke werkwijze is bekend uit de Nederlandse ter inzage gelegde aanvrage 8402410 waarin bovendien verwezen wordt naar de Nederlandse terinzageleggingen 8103979, 8200753 en 8203318.

Daaruit is het bekend een wafer zwevend te plaatsen tussen de 15 twee zijdelen. Indien de gasstroming passend gekozen wordt, is gebleken dat een zeer nauwkeurige definitie van de positie van de wafer ten opzichte van de zijdelen mogelijk is en deze positie verhoudingsgewijs vast is, d.w.z. dat weinig variatie van de positie van de wafer ten opzichte van die zijdelen optreedt. In de betreffende oc-20 trooipublikaties wordt beschreven dat de wafer aan een natte behandeling onderworpen wordt en daarna mogelijkerwijs gedroogd wordt. Voor dit drogen wordt het gas dat de wafer op zijn plaats houdt, verwarmd tot ongeveer 100°C en langs het oppervlak van de wafer bewogen waardoor het aanwezige vocht vanzelf afgevoerd wordt.

25 Bij het behandelen van halfgeleidersubstraten is vaak verhit ting noodzakelijk. Dit kan betreffen het uitgloeien (anneal) of het verhogen van de temperatuur om depositie of andere processen mogelijk te maken. In de stand der techniek worden hiertoe wafers in ovens geplaatst en vervolgens verwarmd. Hoewel deze methode voldoet, kleven 30 daaraan tenminste twee nadelen. Ten eerste is een dergelijke methode nooit contactloos, d.w.z. bepaalde punten van de wafer dienen altijd ondersteund te worden. Ten tweede kost het verhoudingsgewijs veel tijd om een wafer te verhitten. Dit wordt niet zozeer veroorzaakt door de warmtecapaciteit van de wafer zelf als wel door de warmteca-35 paciteit van de oven waarin deze geplaatst worden.

Om dit probleem op te lossen zijn single wafer systemen bekend waarbij met behulp van hoog vermogende lampen (50-80 kw) een snelle verhitting gerealiseerd werden. Een dergelijke werkwijze is bijzonder 1003538.

2 kostbaar en moeilijk regelbaar.

Gebleken is dat door het verwarmen van de gassen, zoals beschreven in de hierboven genoemde Nederlandse aanvragen, slechts een beperkte verwarming op doelmatige wijze kan plaatsvinden.

5 Het doel van de onderhavige uitvinding is in een werkwijze te voorzien waarmee het mogelijk wordt contactloos halfgeleidersubstra-ten in verhoudingsgewijs korte tijd tot verhoudingsgewijs hoge temperatuur te kunnen verhitten.

Dit doel wordt bij een hierboven beschreven inrichting verwe-10 zenlijkt doordat men de afstand tussen elk van die eerste en tweede zijdelen en het halfgeleidersubstraat instelt op ten hoogste 1,0 mm en tenminste een van die zijdelen verhit tot een temperatuur hoger dan 200°C.

Verrassenderwijs is gebleken dat indien men de afstand tussen 15 de zijdelen resp. zijdeel en wafer verhoudingsgewijs klein instelt een bijzonder snelle warmteoverdracht kan plaatsvinden. Het is mogelijk in enkele seconden een verhitting tot ver boven de 1000° C te verwezenlijken. Omdat de wafer daarbij in principe niet ondersteund behoeft te worden, maar door de gasstromen nauwkeurig definitief op 20 zijn plaats gehouden wordt, zal deze eveneens niet aan spanningen opgewekt worden die veroorzaakt worden voor plaatselijke temperatuurverschillen en wordt kromtrekken zoveel mogelijk vermeden. Overigens wordt opgemerkt dat indien in geringe mate kromtrekken optreedt het stabiliserende effekt van de tegenovergesteld gerichte gasstromen 25 zodanig is, dat de wafer zonder beschadiging op 'zachte' wijze recht-gedrukt wordt.

Bovendien is gebleken dat verhoudingsgewijs bijzonder weinig energie nodig is om een dergelijke verhitting van wafers te bewerkstelligen. Begrepen zal worden dat de hierboven beschreven werkwijze 30 bij uitstekend geschikt is voor processen waarbij wafers stuk voor stuk ('single wafer processing)' behandeld worden. Het is echter ook mogelijk grote aantallen wafers achter elkaar of parallel aan elkaar op de hierboven beschreven wijze te behandelen.

Het inbrengen van de wafer in de hierboven beschreven omhullen-35 de inrichting kan op alle in de stand der techniek bekende wijzen plaatsvinden. Een bijzonder eenvoudige wijze is die waarbij de zijdelen uit elkaar bewogen kunnen worden, in de uit elkaar bewogen stand kan de wafer daartussen geplaatst worden. Eventueel kunnen steunmid- 1003538.

3 delen aanwezig zijn om de wafer in die positie te fixeren. Daarna bewegen de zijdelen naar elkaar toe en kan de functie van de steun-middelen worden overgenomen door de uit de betreffende zijdelen bewegende gasstroom. Daardoor beweegt de wafer weg van de steunmiddelen.

5 Behalve het op deze wijze verhitten van het halfgeleidersub- straat is het eveneens mogelijk daaraan behandelingen uit te voeren, zoals oxydatie, etsen of de depositie van lagen. Daartoe is het mogelijk een gasvormig middel met het gas te mengen dat de wafer op zijn plaats houdt. Vanzelfsprekend is het ook mogelijk om uitsluitend met 10 procesgas de wafer te positioneren. Dit in tegenstelling tot hetgeen beschreven en gesuggereerd wordt in de hierboven genoemde Nederlandse terinzageleggingen waar uitsluitend natte behandeling van het betreffende substraat plaatsvindt. Dit procesgas kan gelijkmatig verdeeld vanaf één van de zijdelen toegevoegd worden, zodat een gelijkmatige 15 verdeling over het betreffende waferoppervlak plaatsvindt.

Een van de problemen ontmoet in de stand der techniek bij het toevoeren van procesgas bij hogere temperatuur en meer in het bijzonder bij de depositie van lagen, is dat de inrichting waarmee het procesgas toegevoegd wordt, vervuild raakt door neerslagen van het be-20 treffende materiaal uit het procesgas. Dit betekent dat dergelijke inrichtingen regelmatig gereinigd moeten worden en dat grote problemen ontstaan met betrekking tot verstoppingen.

Met de werkwijze volgens de uitvinding is het mogelijk deze problemen te vermijden. Volgens een verdere uitvoering van deze werk-25 wijze wordt namelijk een temperatuurverschil over de wafer opgelegd. Een van de zijdelen wordt tot een verhoudingsgewijs hoge temperatuur verhit terwijl de andere van die zijdelen tot een verhoudingsgewijs lage temperatuur verhit. Door het thermische gedrag van de omhullende inrichting is gebleken, dat de wafer een temperatuur zal aannemen, 30 die afhankelijk is van de positie van de wafer ten opzichte van beide verhitte zijdelen, indien de afstanden van de beide zijdelen tot de wafer gelijk zijn en hetzelfde gas aan beide kanten aanwezig is, zal de temperatuur vrij nauwkeurig het gemiddelde zijn van de waarden van de temperatuur van elk van de zijdelen.

35 Indien door sturing van een of beide gasstromen de wafer zich niet in het midden tussen beide zijdelen bevindt, zal de temperatuur dienovereenkomstig veranderen.

Indien verschillende soorten gas gebruikt worden, d.w.z. gassen 1003538.

4 met verschillende warmte-geleidende eigenschappen zal eveneens een verandering van temperatuur plaatsvinden. Het is bijvoorbeeld gebleken bij toepassing van enerzijds argon en anderzijds waterstof aan de zijde waar waterstof toegevoegd wordt een tien maal betere overdracht 5 tussen het betreffende zijdeel en de wafer plaatsvindt.

Daardoor is het door passende keuze van de betreffende temperaturen mogelijk het zijdeel, waaruit het procesgas uitgeworpen wordt, een zodanige temperatuur te geven dat op dit zijdeel geen depositie plaatsvindt, terwijl de wafer een zodanig hogere temperatuur heeft 10 dat daar wel depositie plaatsvindt.

Gebleken is dat de depositiesnelheid van bijvoorbeeld polysili-cium uitgaande van silaan op een substraat bij 700 k en een partiële druk van 0,4 Torr een faktor 350 lager ligt dan bij 900 k. Dit houdt in dat door beheersing van de temperatuur depo-15 sitie op het zijdeel, waarvanaf het procesgas toegevoerd wordt en dat zich op lage temperatuur bevindt, verwaarloosbaar is.

Daarbij is het mogelijk in de uitgangspositie de wafer te plaatsen met de 'device side' van de wafer op het zijdeel met de laagste temperatuur door welk zijdeel het procesgas later toegevoerd 20 wordt. Door het toevoeren van de reactieve gassen wordt de wafer naar het zijdeel met hogere temperatuur verplaatst en bij het aannemen van de hogere temperatuur vindt dienovereenkomstig depositie plaats. Opstelling andersom is eveneens mogelijk. D.w.z. het zijdeel waarvan het gas afkomstig is, heeft een hogere temperatuur dan het tegenover-25 liggende zijdeel. In dat geval wordt de 'device side' van de wafer naar het zijdeel met lagere temperatuur gericht en kan met behulp van het Bernouilli-principe gebruik gemaakt worden door de juiste gas flow tegen de bovenzijde van de wafer te laten stromen. Daarbij ontstaat onder de wafer een onderdruk welke ervoor zorgt dat de wafer 30 (stabiel) onder het bovenste zijdeel zal zweven. Daarna wordt het hete (onderste) zijdeel omhoog gebracht tot de processituatie verwezenlijkt is.

Gebleken is dat met de hierboven beschreven constructie aanzienlijke temperatuurverschillen tussen het betreffende zijdeel en de 35 wafer mogelijk zijn. Als voorbeeld wordt een waarde van tenminste 150°C en meer in het bijzonder 200°C genoemd.

Met de werkwijze volgens de uitvinding kunnen deze waarden zeer nauwkeurig worden ingesteld. Gebleken is immers dat deze waarden 1003538.

5 vooral afhankelijk zijn van de positie van de wafer in de omhullende inrichting. Zoals hierboven reeds aangegeven, hangt de positie van de wafer in deze tunnelachtige inrichting nauwkeurig samen met de hoeveelheid en soort toegevoerd gas vanaf de betreffende zijdelen.

5 De uitvinding heeft eveneens betrekking op een inrichting waar mee de bovenstaande werkwijze in al zijn uitvoeringsvarianten uitgevoerd kan worden. Daarbij is tenminste één van de zijdelen voorzien van verwarmingsmiddelen voor het op boven 250°C verhitten daarvan. Verrassenderwijs is gebleken dat verhoudingsgewijs weinig vermogen 10 nodig is om een verhoudingsgewijs hoge temperatuur te bewerkstelligen. Voor de stabiliteit van het proces is met name de warmtecapaci-teit van het betreffende zijdeel van belang. Deze dient zo groot mogelijk te zijn.

Het betreffende zijdeel kan van een aantal op afstand van el-15 kaar aangebrachte gastoevoerkanalen voorzien zijn om in een gelijkmatige dosering van het gas en meer in het bijzonder procesgas te voorzien .

Bij een eenvoudige uitvoering die bijzonder geschikt is voor depositiedoeleinden dient een zeer groot aantal injectiepunten aanwe-20 zig te zijn. Een dergelijke constructie kan bijvoorbeeld verwezenlijkt worden door te voorzien in poreuze platen.

De uitvinding zal hieronder aan de hand van een in de tekening afgebeeld uitvoeringsvoorbeeld verduidelijkt worden. Daarbij tonen:

Fig. 1 schematisch een inrichting volgens de uitvinding in de 25 toestand bij het inbrengen van het halfgeleidersubstraat;

Fig. 2 een deel van de inrichting na het inbrengen van het halfgeleidersubstraat; en

Fig. 3 een grafiek waarin de opwarmsnelheid van het halfgeleidersubstraat voor de inrichting volgens fig. 1 en 2 is weergegeven.

30 In fig. 1 is de inrichting volgens de uitvinding in zijn geheel met 1 aangegeven. Deze inrichting is voorzien van een inlaat 4, die op niet nader afgebeelde wijze verbonden kan zijn met een ’load lock* of een clustersysteem voor verdere behandeling van halfgeleidersub-straten.

35 De eigenlijke inrichting volgens de uitvinding, bestaande uit de eerste en tweede zijdelen resp. 6 en 7, is opgenomen in een drukvat 2 voor het uitvoeren van een proces in een bepaald milieu resp. verhoogde of verlaagde druk.

1003538.

6

Het eerste zijdeel 6 is vast met het drukvat 2 verbonden. Daarin is een verwarmingsspiraal 8 aangebracht die verbonden is met een sturing 5. Tevens is een gastoevoerleiding 12 aanwezig die verbonden is met de gastoevoeren 10 die bestaan uit een aantal gelijkmatig 5 verdeelde doorgangsopeningen.

Begrepen dient te worden, dat in praktijk in het algemeen een veel groter aantal doorgangsopeningen toegepast zal worden die elk veel kleiner zijn dan afgebeeld. Vanwege de duidelijkheid is een en ander in de tekening overdreven afgebeeld.

10 Zijdeel 6 is bij de uiteinden voorzien van centreerafschuinin- gen 13. Zoals uit fig. 2 blijkt, dienen deze voor het opsluiten van een halfgeleidersubstraat of wafer 3.

Tweede zijdeel 7 is op overeenkomstige wijze opgebouwd. Door het tweede zijdeel 7 strekken zich steunpennen 11 uit voor het onder-15 steu-nen van het halfgeleidersubstraat.

Een en ander is zodanig gedimensioneerd, zoals blijkt uit fig. 2, dat in de gesloten toestand van de twee zijdelen, d.w.z. in de toestand waarin deze zich op typisch 0,1 tot 1 mm van elkaar bevinden, het halfgeleidersubstraat 3 niet langer door de steunpennen 11 20 gedragen wordt maar door de gasstromen die vanaf beide zijdelen zich naar het halfgeleidersubstraat 3 bewegen.

Begrepen zal worden dat een en ander afhankelijk is van de betreffende toepassing.

Gasdoorvoeropeningen 10 van het tweede zijdeel 7 zijn verbonden 25 met een gastoevoerleiding 14, die verbonden is met een bron 15.

De hierboven beschreven inrichting werkt als volgt:

Uitgaande van hetgeen in fig. 1 getoond is, wordt, zoals ook getoond in fig. 2, de wafer 3 op de steunpennen 11 geplaatst. Daarna wordt het tweede zijdeel 7 naar boven bewogen en ontstaat de toestand 30 zoals weergegeven in fig. 2. Door de gasstromen tredend uit de doorgangsopeningen 10 van beide zijdelen wordt de wafer 3 nauwkeurig in het midden tussen deze twee zijdelen 6 en 7 gepositioneerd. Afwijking van de positie is mogelijk door het aanpassen van de gasstroming.

Door werking van de verwarmingsspiralen 8 en 9 worden de zijde-35 len verhit en gebleken is, dat deze warmte zonder noemenswaardig verlies overgedragen wordt aan de wafer. In praktijk is gebleken, dat de wafer bijna direkt na het binnentreden in de ruimte tussen de zijdelen 6 en 7 de temperatuur daarvan aanneemt. Dit is in een situa- 1003538.

7 tie waarin de temperatuur van de zijdelen 6 en 7 gelijk is. In fig. 3 is een dergelijk voorbeeld weergegeven. Daarbij zijn beide zijdelen verhit op een temperatuur van ongeveer 1200°C. Het blijkt dat binnen vier seconden wafer 3 eenzelfde temperatuur heeft. Omdat wafer 3 niet 5 wordt ondersteund en uniform wordt verhit zullen geen warmtespan-ningen ontstaan waardoor geen sprake is van kromtrekken.

Bij een dergelijke verhoogde temperatuur is het mogelijk de wafer uit te gloeien of een oxiderende resp. reducerende behandeling uit te voeren. In het laatste geval worden door de openingen 10 de 10 betreffende gassen als procesgassen toegevoerd.

Behalve ovens worden ook stralingslampen in de stand der techniek toegepast, waarbij de wafer op een draagvlak geplaatst wordt. Afgezien van het hierboven aangegeven gevaar van kromtrekken door ongelijkmatige verhitting door warmteafvoer naar het steunpunt is de 15 verwarmingssnelheid verhoudingsgewijs traag. Waarden van 5-10°/s zijn niet ongebruikelijk. Indien de wafer op een susceptor ligt. In alle andere gevallen zijn waarden van 50-100°/s aangetroffen.

In bepaalde gevallen is het echter wenselijk de wafer aan een depositiebehandeling te onderwerpen. Als voorbeeld wordt hier het 20 geval gekozen waarin een procesgas waaruit materiaal moet neerslaan op de wafer aanwezig is in bron 15. Om te voorkomen dat de doorgangs-openingen 10 in het eerste zijdeel 7 verstoppen door voortijdige depositie van materie uit het betreffende procesgas, wordt voorgesteld met behulp van sturing 5 het eerste zijdeel 6 op een verhou-25 dingsgewijs hoge temperatuur te brengen en het tweede zijdeel 7 op een verhoudingsgewijs lage temperatuur.

Indien bijvoorbeeld voor polysilicium de depositietemperatuur van materie uit het silaangas afkomstig van bron 15, 625°C (900 K) is, wordt voorgesteld het eerste zijdeel 6 op een temperatuur van 30 1100 K te verhitten en het tweede zijdeel 7 op een temperatuur van ongeveer 700 K. Bij 700 K zal nagenoeg geen depositie van materie uit het gas plaatsvinden, zodat de betreffende toevoeropeningen 10 niet zullen verstoppen. De wafer blijkt echter nauwkeurig een temperatuur aan te nemen, die in het midden ligt tussen het eerste zijdeel 6 en 35 het tweede zijdeel 7, zijnde de gewenste temperatuur van 900 K. Door de getoonde stroming van de gassen (fig. 2) is het hoofdzakelijk uitgesloten dat gas, afkomstig van het tweede zijdeel 7, in het eerste warme zijdeel 6 komt en daar neerslaat. In ieder geval is niet 1003538.

8 gebleken dat openingen 10 van het eerste zijdeel 6 verstoppen.

Bij een dergelijke depositiebehandeling is het niet ongebruikelijk eerst een inert gas en vervolgens het behandelende gas toe te voeren. Dit is symbolisch weergegeven door bij 15 een aantal gasfles-5 sen te tonen en de aan leiding 12 resp. 14 Toegevoerde hoeveelheid resp. Mengverhouding resp. Soort gas kan met niet nader afgeheelde besturingsmiddelen beheersd worden.

Nabij einddelen van de zijdelen is het bovenste zijdeel van een groot aantal gasopeningen voorzien terwijl dit niet geldt voor zij-10 deel 7. Op deze wijze kan een nauwkeurig gestuurde radiaal naar buiten lopende 'gas purge' verschaft worden en depositie op deel 6 voorkomen worden.

Indien het zijdeel 7 zich op een lagere temperatuur bevindt, is het niet nodig de hierboven beschreven pennen toe te passen. De wafer 15 kan rechtstreeks op zijdeel 7 geplaatst worden. In een dergelijk geval zijn pennen zelfs niet gewenst, omdat in een dergelijke opstelling de 'device side' naar beneden gericht is.

Gebleken is dat met de hierboven beschreven werkwijze een zeer kleine hoeveelheid gas noodzakelijk is. Als voorbeeld wordt hier 20 genoemd een hoeveelheid van liggend tussen 0,1 en 25 liter per secon de onder standaardomstandigheden bij een druk in het vat die ligt tussen 1 Torr en 1 Atm. Een en ander is volledig afhankelijk van de procesomstandigheden.

Na afloop van de behandeling kunnen de zijdelen weer ten op-25 zichte van elkaar worden wegbewogen en kan de wafer uitgenomen worden. De afkoeling vindt net zo snel als de opwarming zonder enige schade over de gehele omvang van de wafer plaats.

Begrepen moet worden dat de verhoudingen getoond in de figuren onjuist zijn en vanwege de duidelijkheid ingebracht. Zo is de diame-30 ter van een typische wafer ongeveer 6-8 inch en de dikte ongeveer 0,7 mm. De afstand tussen een wafer en het oppervlak van de betreffende zijdelen waaruit gassen treden ligt in de ordegrootte van één of enkele tienden millimeters.

Het is mogelijk om aan de wafer een draaiende beweging op te 35 leggen waardoor in een nog verdere gelijkmatige behandeling voorzien wordt.

Een dergelijke draaiing kan bijvoorbeeld verwezenlijkt worden door een of meer van de kanalen 10 onder een hoek ten opzichte van de 1003538.

9 vertikaal te plaatsen waardoor een spiraalvormige gasstroming opgewekt wordt.

Deze en verdere varianten zijn voor de vakman voor de handliggend na het lezen van de bovenstaande beschrijving en liggen binnen 5 het bereik van de bijgevoegde conclusies.

1003538.

Claims (16)

1. Werkwijze voor het contactloos behandelen van een schijfvormig halfgeleidersubstraat, omvattende het aanbrengen van dat substraat in een dit substraat tenminste gedeeltelijk omhullende inrich- 5 ting en het vanaf twee tegenoverliggende eerste en tweede zijdelen opbrengen van twee tegengesteld gerichte gasstromen op beide tegenoverliggende zijden van het halfgeleidersubstraat, met het kenmerk, dat men de afstand tussen elk van die eerste en tweede zijdelen en het halfgeleidersubstraat op ten hoogste 2 mm instelt en tenminste 10 een van die zijdelen verhit tot een temperatuur hoger dan 200°C.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij die zijdelen ten opzichte van elkaar verplaatsbaar zijn, men het halfgeleidersubstraat met een verhoudingsgewijs lage temperatuur tussen de twee op verhoudingsgewijs grote afstand geplaatste zijdelen wordt aangebracht, 15 waarna de zijdelen naar elkaar toe worden bewogen.

3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij het substraat in de uitgangspositie door mechanische hulpmiddelen ondersteund wordt.

4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij men het substraat aan een roterende beweging onderwerpt.

5. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste een van die gasstromen een procesgas omvat.

6. Werkwijze volgens conclusie 5, waarbij men het eerste zijdeel van de omhullende inrichting op een eerste temperatuur brengt, het tweede, daar tegenoverliggende zijdeel op een tweede hogere tem- 25 peratuur brengt, en dat het procesgas vanaf het eerste zijdeel wordt toegediend.

7. Werkwijze volgens conclusie 6, waarbij men het temperatuurverschil tussen het eerste en tweede zijdeel op tenminste 150°C instelt .

8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij men een temperatuur verschil tussen het eerste en tweede zijdeel op ten minste 200°C instelt.

9. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, in combinatie met conclusie 5, waarbij men het procesgas gelijkmatig ver- 35 deeld over het oppervlak van het te behandelen halfgeleidersubstraat toevoert.

10. werkwijze volgens een van de conclusies 6-9, waarbij men door beheersing van de flow gassen het substraat uit het midden van 1003538. de zijdelen geplaatst wordt.

11. Werkwijze volgens een van de conclusies 6-10, waarbij vanaf het eerste zijdeel en vanaf het tweede zijdeel steeds gassen met verschillende warmteoverdracht gebruikt worden.

12. Inrichting (1) voor het contactloos behandelen van een schijfvormig halfgeleidersubstraat (3) omvattende een omhullend deel voorzien van tenminste eerste en tweede zijdelen (6,7) voor het daartussen opnemen van een halfgeleidersubstraat (3), met het kenmerk, dat de afstand tussen die eerste en tweede zijdelen ten hoogste 2 mm 10 en bij voorkeur 0,1 - 1 mm is en dat tenminste een van die zijdelen van verwarmingsmiddelen (8,9) voorzien is voor het tot boven 250°C verhitten daarvan.

13. Inrichting volgens conclusie 12, waarbij die zijdelen ten opzichte van elkaar beweegbaar zijn.

14. Inrichting volgens conclusie 12 of 13, waarbij steunmidde- len (11) aanwezig zijn werkzaam in de naar buiten gebrachte positie van die zijdelen.

15. Inrichting volgens een van de conclusies 12-14, waarbij tenminste een van die zijdelen voorzien is van een aantal zich over 20 die lengte van dat zijdeel verspreid aangebrachte gastoevoerkanalen (10) .

16. Inrichting volgens conclusie 15, waarbij het aantal gastoevoerkanalen een poreuze plaat omvat. 25 ***** 1003538.