CN112701078A - 晶片取放装置 - Google Patents

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郭炳熙
米艳娇
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Abstract

本公开提供一种晶片取放装置,包括夹持区和晶片区,夹持区和晶片区在厚度方向上均包括顶板和底板,其中,夹持区用于抓握并移动晶片取放装置;晶片区,设置有凸出于顶板的限位柱,用于限制晶片在长度方向或宽度方向的移动;晶片区的顶板上设置有气孔以及与气孔连通的线槽,用于传输并排出气体以抬升晶片。本公开的晶片清洗装置利用气体托举晶片,使晶片不与晶片取放装置有接触,避免晶片取放装置因接触晶片背面造成机械损伤,不影响晶片的使用及晶片清洗结构的改变,在移动晶片过程中防止机械运动过程中产生的震动对晶片造成损伤。

Description

晶片取放装置
技术领域
本公开涉及半导体晶片加工领域,尤其涉及一种晶片取放装置。
背景技术
GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能,在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管领域有着十分广泛的应用。目前, Ge、GaAs、InP或GaP的化合物半导体晶圆,其装载盒都是单片圆盒或者25 片装的晶舟。4寸晶舟晶片间的间隔为4~4.5mm。自动化操作过程中要用到取片手指,因晶舟存放量大,晶片间隔小,这就要求取片手指要做得薄而且不能变型,对手指平面的平整度要求高。如果有变型会影响取片效果,使用自动化的机械手通常采用真空吸附来达到取放片效果。真空吸附使用在LED 单面抛光及背面要求不高的晶片上使用。
随着对晶片双抛表面的洁净度要求越来越高,及晶片背面开发工艺的不断提升洁净度的要求也随之提高。现有的真空吸附方式已成为一种对晶片背面的伤害。吸附后会对晶片背面出现印痕、脏、损伤等缺陷,虽然可以通过调整真空压力减少背面影响,但不能完全解决。
发明内容
鉴于现有技术存在的缺陷,本公开的目的在于提供一种晶片取放装置,其能实现无接触式取片,有效解决取片时对晶片背面的影响。
本公开提供一种晶片取放装置,包括夹持区和晶片区,夹持区和晶片区在厚度方向上均包括顶板和底板,其中,夹持区用于抓握并移动晶片取放装置;晶片区,设置有凸出于顶板的限位柱,用于限制晶片在长度方向或宽度方向的移动;晶片区的顶板上设置有气孔以及与气孔连通的线槽,用于传输并排出气体以抬升晶片。
在一些实施例中,限位柱包括固定限位柱和活动限位柱。
在一些实施例中,活动限位柱设置于晶片区的头部;活动限位柱在无气体驱动时缩入顶板内,在气体驱动时凸出于顶板。
在一些实施例中,晶片区的底板上对应于活动限位柱的位置设置有向活动限位柱凸出的顶针。
在一些实施例中,限位柱凸出顶板的高度为1.5mm。
在一些实施例中,晶片区在宽度方向的中间区域设置有沿长度方向的开放槽。
在一些实施例中,线槽包括主线槽和分支线槽,主线槽从夹持区沿长度方向延伸到晶片区;分支线槽连接于主线槽并延伸至晶片区的边缘。
在一些实施例中,气孔与分支线槽连通。
在一些实施例中,活动限位柱与分支线槽连通。
在一些实施例中,晶片取放装置在宽度方向上为对称结构。
本公开的有益效果如下:本公开的晶片清洗装置利用气体托举晶片,使晶片不与晶片取放装置有接触,避免晶片取放装置因接触晶片背面造成机械损伤,不影响晶片的使用及晶片清洗结构的改变,在移动晶片过程中防止机械运动过程中产生的震动对晶片造成损伤。
附图说明
图1是根据本公开的晶片取放装置的顶板的结构示意图。
图2是根据本公开的晶片取放装置的侧视图。
图3是根据本公开的取放装置的顶板的立体结构示意图。
图4是根据本公开的晶片取放装置移动晶片至清洗盘上的立体结构示意图。
其中,附图标记说明如下:
100 晶片取放装置
1 夹持区
2 晶片区
21 限位柱
211 固定限位柱
212 活动限位柱
22 气孔
23 顶针
3 清洗盘
31 支撑柱
A 顶板
B 底板
L 长度方向
W 宽度方向
T 厚度方向
S 线槽
S1 主线槽
S2 分支线槽
H 头部
O 开放槽
具体实施方式
附图示出本公开的实施例,且将理解的是,所公开的实施例仅仅是本公开的示例,本公开可以以各种形式实施,因此,本文公开的具体细节不应被解释为限制,而是仅作为权利要求的基础且作为表示性的基础用于教导本领域普通技术人员以各种方式实施本公开。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本公开的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面将根据附图详细介绍根据本公开的晶片取放装置100。
参照图1,晶片取放装置100包括夹持区1和晶片区2,夹持区1和晶片区2在厚度方向T上均包括顶板A和底板B,其中,夹持区1用于抓握并移动晶片取放装置100;晶片区2,设置有凸出于顶板A的限位柱,用于限制晶片在长度方向L或宽度方向W的移动;晶片区2的顶板A上设置有气孔 22以及与气孔22连通的线槽S,用于传输并排出气体以抬升晶片。
其中,底板B起密封作用,气体的进气孔(图中未示出)位于底板B上。
利用气体托举晶片,使晶片不与取片手指有接触,避免取片手指因接触晶圆背面造成机械损伤,不影响片的使用及晶片清洗结构的改变,在移动晶片过程中防止机械运动过程中产生的震动对晶片造成损伤。
参照图1、图2和图4,在一些实施例中,限位柱21包括固定限位柱211 和活动限位柱212。活动限位柱212设置于晶片区2的头部H;活动限位柱212在无气体驱动时缩入顶板A内,在气体驱动时凸出于顶板A。
当晶片取放装置100到达晶片位置时,打开气体进气孔22,气体从气孔 22中排出,产生推力抬起晶片,同时气体压力使活动限位柱212抬升并高于晶片,在固定限位柱211和活动限位柱212的共同作用下限制晶片的移动。
用气体控制活动限位柱212的升降,可以使晶片取放装置100在相邻的晶片间增加活动空间,避免因空间限制造成对晶片的机械损伤。
参照图2,晶片区2的底板B上对应于活动限位柱212的位置设置有向活动限位柱212凸出的顶针23。顶针23能够防止活动限位柱212贴平底面,而在通入气体时无法正常抬起。
参照图2,在一些实施例中,限位柱21凸出顶板A的高度为1.5mm。一方面防止限位柱21过高而占据过多的空间,另一方面避免限位柱21过低而无法限制晶片的移动。
参照图1、图2和图4,在一些实施例中,晶片区2在宽度方向W的中间区域设置有沿长度方向L的开放槽O。因为晶片取放装置100移动晶片到清洗盘3上清洗时,清洗盘3上有阻碍晶片清洗装置正常放置的支撑柱31,开放槽O能很好地避开这一阻碍。
参照图1,在一些实施例中,线槽S包括主线槽S1和分支线槽S2,主线槽S1从夹持区1沿长度方向L延伸到晶片区2;分支线槽S2连接于主线槽S1并延伸至晶片区2的边缘。气孔22与分支线槽S2连通。气体从位于底板B的进气孔22进入后,先进入主线槽S1然后在传输到与气孔22相连的分支线槽S2。活动限位柱212与分支线槽S2连通,这部分分支线槽S2的气体用于驱动活动限位柱212,使其凸出于顶板A。
参照图1、图2和图4,在一些实施例中,晶片取放装置100在宽度方向 W上为对称结构。
以上所述仅为本公开的优选实施例而已,并不用于限制本公开,对于本领域的技术人员来说,本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶片取放装置(100),其特征在于,包括夹持区(1)和晶片区(2),夹持区(1)和晶片区(2)在厚度方向(T)上均包括顶板(A)和底板(B),其中,
夹持区(1),用于抓握并移动晶片取放装置(100);
晶片区(2),设置有凸出于顶板(A)的限位柱(21),用于限制晶片在长度方向(L)或宽度方向(W)的移动;
晶片区(2)的顶板(A)上设置有气孔(22)以及与气孔(22)连通的线槽(S),用于传输并排出气体以抬升晶片。
2.根据权利要求1所述的晶片取放装置(100),其特征在于,限位柱(21)包括固定限位柱(211)和活动限位柱(212)。
3.根据权利要求2所述的晶片取放装置(100),其特征在于,活动限位柱(21)设置于晶片区(2)的头部(H);
活动限位柱(21)在无气体驱动时缩入顶板(A)内,有气体驱动时凸出于顶板(A)。
4.根据权利要求3所述的晶片取放装置(100),其特征在于,晶片区(2)的底板(B)上对应于活动限位柱(21)的位置设置有向活动限位柱(21)凸出的顶针(23)。
5.根据权利要求1所述的晶片取放装置(100),其特征在于,限位柱(21)凸出顶板(A)的高度为1.5mm。
6.根据权利要求1所述的晶片取放装置(100),其特征在于,晶片区(2)在宽度方向(W)的中间位置处设置有沿长度方向(T)的开放槽(O)。
7.根据权利要求2所述的晶片取放装置(100),其特征在于,线槽(S)包括主线槽(S1)和分支线槽(S2),其中,
主线槽(S1)从夹持区(1)沿长度方向(T)延伸到晶片区(2);
分支线槽(S2)连接于主线槽(S1)并延伸至晶片区(2)的边缘。
8.根据权利要求7所述的晶片取放装置(100),其特征在于,气孔(22)与分支线槽(S2)连通。
9.根据权利要求7所述的晶片取放装置(100),其特征在于,活动限位柱(21)与分支线槽(S2)连通。
10.根据权利要求1所述的晶片取放装置(100),其特征在于,晶片取放装置(100)在宽度方向(W)上为对称结构。
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