CN208787059U - 非接触式清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种非接触式清洗装置,其包括至少一个取放部件,所述取放部件包括一圆盘以及一扣件,所述圆盘上开设有一圈气孔、一圈水孔、一圈药剂孔,所述气孔、水孔、药剂孔所分别形成的圆形均以圆盘的圆心为圆心,所述气孔、药剂孔上下贯穿圆盘,在所述药剂孔和水孔之间开设一环形水槽,所述环形水槽与水孔连通,所述扣件嵌入环形水槽内固定,所述扣件上设有若干进水通道,所述进水通道与水孔连通。本实用新型非接触式清洗装置,利用气体流动产生压差保持晶片不掉落,使用高纯度保护气体保护晶片免受外界因素影响,同时利用水和药剂完成晶片的清洗,保证晶片特性,结构简单而设计合理,值得推广应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体材料制备领域,尤其涉及用于晶片清洗的非接触式清洗装置。
背景技术
目前在半导体晶片制备领域中,清洗取放晶片大多采用真空吸附及手动挑晶片背面的方式,这种方式可以适用于单面抛光且背面无要求的晶片清洗,然而这种方式不适用于双面抛光晶片的清洗,因为双面抛光晶片对晶片背面的要求虽然没有晶片正面高,但也要求晶片背面保持较高的洁净度,采用真空吸附及手动挑晶片背面的方式难免会在晶片背面留下痕迹,这对双面抛光晶片的质量会造成影响。现在,为了节省成本,晶片制作厚度越来越薄,采用真空吸附容易造成晶片变形和平面凹陷,因晶片的重量较轻,采用手动挑晶片会使晶片不稳,进而造成晶片掉落风险上升。
因此,需要一种既不触碰晶片正背面,又不使晶片变形凹陷的清洗装置以解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述技术问题,提出一种既不触碰晶片正背面,又不使晶片变形凹陷的非接触式清洗装置用于清洗半导体晶片。
为实现前述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种非接触式清洗装置,其包括至少一个取放部件,所述取放部件包括一圆盘以及一扣件,所述圆盘上开设有一圈气孔、一圈水孔、一圈药剂孔,所述气孔、水孔、药剂孔所分别形成的圆形均以圆盘的圆心为圆心,所述气孔、药剂孔上下贯穿圆盘,在所述药剂孔和水孔之间开设一环形水槽,所述环形水槽与水孔连通,所述扣件嵌入环形水槽内固定,所述扣件上设有若干进水通道,所述进水通道与水孔连通。
作为本实用新型的进一步改进,所述非接触式清洗装置包括两个取放部件,两个取放部件上下相对设置。
作为本实用新型的进一步改进,所述气孔、水孔、药剂孔内分别设有气管、水管和药剂管。
作为本实用新型的进一步改进,所述气孔的出气方向与圆盘的轴线呈一倾角,所有的气孔的出气方向与圆盘的轴线之间的倾角相同。
本实用新型非接触式清洗装置,利用气体流动产生压差保持晶片不掉落,使用高纯度保护气体保护晶片免受外界因素影响,同时利用水和药剂完成晶片的清洗,保证晶片特性,结构简单而设计合理,值得推广应用。
附图说明
图1为本实用新型非接触式清洗装置的第一视角下的整体结构示意图。
图2为本实用新型非接触式清洗装置的第二视角下的整体结构示意图。
图3为本实用新型非接触式清洗装置的第三视角下的整体结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例对技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1、2、3,非接触式清洗装置100,包括至少一个取放部件110,所述取放部件110包括一圆盘111以及一扣件112,所述圆盘111上开设有一圈气孔111a、一圈水孔111b、一圈药剂孔111c,所述气孔111a、水孔111b、药剂孔111c所分别形成的圆形均以圆盘111的圆心为圆心,所述气孔111a、药剂孔111c上下贯穿圆盘111,在所述药剂孔111c和水孔111b之间开设一环形水槽111d,环形水槽111d与水孔111b连通,所述扣件112嵌入环形水槽111d内固定,扣件112上设有若干进水通道112a,所述进水通道112a与水孔111b连通。
在本实施例中,非接触式清洗装置100,包括两个取放部件110,两个取放部件110上下相对设置。
所述气孔111a、水孔111b、药剂孔111c内分别设有气管、水管和药剂管(图上均未示出)。
所述圆盘111相对的一面设置有若干限位针111f,限位针111f用于防止第一部件110和第二部件120相互接触。
所述气孔111a的出气方向与圆盘111的轴线呈一倾角,所有的气孔111a的出气方向与圆盘111的轴线之间的倾角相同。
该装置100的运行过程为:两个取放部件110相对设置,同时通过气管喷出高纯高压保护气体,此时,在取放部件110之间放置一晶片200,晶片200利用气体流动产生压差保持悬浮于空中,同时,因气孔111a的出气方向与圆盘111的轴线呈一倾角,使得晶片200开始自转,通过水管喷水、药剂管喷药剂对晶片200的上下表面进行清洗,直至清洗干净。
保护气体采用5N及以上高纯氮气或者高纯惰性气体。
该装置100根据空气动力学原理,利用气体流动产生压差保持晶片不掉落,使用高纯度保护气体保护晶片免受外界因素影响,同时利用水和药剂完成晶片的清洗,保证晶片特性。
在某些实施例中,一个取放部件110亦可单独使用,取放部件110通过气管喷出高纯高压保护气体,克服晶片200的重力,使得晶片200悬浮于空中,同时,因气孔111a的出气方向与圆盘111的轴线呈一倾角,使得晶片200开始自转,其能够实现晶片的取放功能,可避免物体直接触碰到晶片正背面,防止晶片出现凹陷,还可以很好的保护晶片不受外界因素影响。
本实用新型非接触式清洗装置100,利用气体流动产生压差保持晶片不掉落,使用高纯度保护气体保护晶片免受外界因素影响,同时利用水和药剂完成晶片的清洗,保证晶片特性,结构简单而设计合理,值得推广应用。
尽管为示例目的,已经公开了本实用新型的优选实施方式,但是本领域的普通技术人员将意识到,在不脱离由所附的权利要求书公开的本实用新型的范围和精神的情况下,各种改进、增加以及取代是可能的。
Claims (4)
1.一种非接触式清洗装置,其特征在于:其包括至少一个取放部件,所述取放部件包括一圆盘以及一扣件,所述圆盘上开设有一圈气孔、一圈水孔、一圈药剂孔,所述气孔、水孔、药剂孔所分别形成的圆形均以圆盘的圆心为圆心,所述气孔、药剂孔上下贯穿圆盘,在所述药剂孔和水孔之间开设一环形水槽,所述环形水槽与水孔连通,所述扣件嵌入环形水槽内固定,所述扣件上设有若干进水通道,所述进水通道与水孔连通。
2.根据权利要求1 所述的非接触式清洗装置,其特征在于:所述非接触式清洗装置包括两个取放部件,两个取放部件上下相对设置。
3.根据权利要求1 所述的非接触式清洗装置,其特征在于:所述气孔、水孔、药剂孔内分别设有气管、水管和药剂管。
4.根据权利要求1 所述的非接触式清洗装置,其特征在于:所述气孔的出气方向与圆盘的轴线呈一倾角,所有的气孔的出气方向与圆盘的轴线之间的倾角相同。
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CN201820805177.2U CN208787059U (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 非接触式清洗装置 |
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CN201820805177.2U CN208787059U (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 非接触式清洗装置 |
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CN208787059U true CN208787059U (zh) | 2019-04-26 |
Family
ID=66200448
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CN (1) | CN208787059U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112701078A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-23 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 晶片取放装置 |
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2018
- 2018-05-29 CN CN201820805177.2U patent/CN208787059U/zh active Active
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