JP2004361386A - 赤外線放射検出用装置 - Google Patents
赤外線放射検出用装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004361386A JP2004361386A JP2004027895A JP2004027895A JP2004361386A JP 2004361386 A JP2004361386 A JP 2004361386A JP 2004027895 A JP2004027895 A JP 2004027895A JP 2004027895 A JP2004027895 A JP 2004027895A JP 2004361386 A JP2004361386 A JP 2004361386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support surface
- infrared radiation
- sensor element
- base header
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
【解決手段】 熱形検出装置は、高温及び低温領域(240、250)と、高温及び低温領域(240、250)にわたって配置されかつその各々が低温領域(250)における端子(226、236)を有する熱電対(220、230)と、高温領域(240)に配置されかつ第1及び第2の熱電対(220、230)と熱伝達関係にある熱吸収体(280)と、支持面(320)と非支持面(312)とを有する基部ヘッダ(300)とを有する。支持面(320)の一部分は、低温領域(250)の一部分に対向し、また非支持面(312)の一部分は、高温領域(240)の一部分に対向している。第2の熱電対(230)は、第1の熱電対(220)の極性とは逆の極性を有する。
【選択図】 図1
Description
200 IRセンサ素子
226、236 端子
286、296 導線
300 基部ヘッダ
310 空洞
320 支持面
400 金属キャップ
420 ウインドフィルタ
426、436 ピン
500 ガス
Claims (10)
- 高温及び低温領域(240、250)を有する熱形検出装置であって、
前記高温及び低温領域(240、250)にわたって配置され、かつ前記低温領域(250)における第1の端子(226)と定められた極性とを有する第1の熱電対(220)と、
前記高温及び低温領域(240、250)にわたって配置され、かつ前記低温領域(250)における第2の端子(236)と前記第1の熱電対(220)の極性と逆の極性とを有する第2の熱電対(230)と、
前記高温領域(240)に配置されかつ前記第1及び第2の熱電対(220、230)と熱伝達関係にある熱吸収体(280)と、
支持面(320)と非支持面(312)とを有する基部ヘッダ(300)と、を含み、
前記支持面(320)の一部分が、前記低温領域(250)の一部分に対向し、また前記非支持面(312)の一部分が、前記高温領域(240)の一部分に対向している、
ことを特徴とする装置。 - 前記支持面(320)と前記第1及び第2の熱電対(220、230)との間に配置されたダイアフラム(270)を更に含み、
前記ダイアフラム(270)の一部分が、前記非支持面(312)に対向するようになっている、
ことを特徴とする、請求項1に記載の装置。 - 前記第1及び第2の熱電対(220、230)が、前記熱吸収体(280)において吸収された熱放射に応答して、前記第1及び第2の端子(226、236)において結合電気信号を発生し、
前記支持面(320)と前記非支持面(312)との間の約0.8mmに等しい距離を有する該装置における前記結合電気信号が、前記支持面(320)と前記非支持面(312)との間の約ゼロmmに等しい距離を有する該装置における前記結合電気信号の約1.65倍に等しいか又はそれよりも大きい、
ことを特徴とする、請求項1に記載の装置。 - 前記非支持面(312)が、前記支持面(320)に形成された空洞(310)を含み、
前記空洞(310)が、側部チャネル(490)を含む、
ことを特徴とする、請求項1に記載の装置。 - 前記支持面(320)と前記非支持面(312)との間の前記距離が、約0.1mmに等しいか又はそれよりも大きく、かつ約10mmに等しいか又はそれよりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記基部ヘッダ(300)との間に前記第1及び第2の熱電対(220、230)を収納するように配置され、前記基部ヘッダ(300)と共に内部ボリュームを形成し、かつ前記高温領域(240)に近接して配置されたそれを通して熱放射を透過させるためのウインド(420)を有するキャップ(400)と、
前記非支持面(312)と流体連通している、前記内部ボリューム内のガス(500)と、
を更に含むことを特徴とする、請求項1に記載の装置。 - 高温領域(240)に配置された赤外線放射レセプタ(280)とその各々が低温領域(250)に配置されかつ前記レセプタ(280)と信号伝達関係にある第1及び第2の端子(226、236)とを含む赤外線放射センサ素子(200)と、
前記赤外線放射センサ素子(200)を支持するための支持面(320)と前記支持面(320)から後退した非支持面(312)とを有する基部ヘッダ(300)と、
を含み、
前記低温領域(250)と前記支持面(320)との間の熱伝達が、熱伝導を含み、また前記高温領域(240)と前記非支持面(312)との間の熱伝達が、熱対流を含む、
ことを特徴とする赤外線放射検出用装置。 - 前記赤外線放射センサ素子(200)が、前記支持面(320)と前記第1及び第2の熱電対(220、230)との間に配置されたダイアフラム(270)を更に含み、前記ダイアフラム(270)が、前記非支持面(312)に対向する部分を有することを特徴とする、請求項7に記載の装置。
- 前記非支持面(312)が、前記支持面(320)から約1mmだけ後退していることを特徴とする、請求項7に記載の装置。
- 高温領域(240)と低温領域(250)とを含む赤外線放射センサ素子(200)と、
前記赤外線放射センサ素子(200)を支持するための支持面(320)と前記支持面(320)から後退した非支持面(312)とを有する基部ヘッダ(300)と、
を含み、
前記低温領域(250)における前記赤外線放射センサ素子(200)の一部分が、前記支持面(320)の一部分に対向し、また前記高温領域(240)における前記赤外線放射センサ素子(200)の一部分が、前記非支持面(312)の一部分に対向している、
ことを特徴とする赤外線放射検出用装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44516903P | 2003-02-05 | 2003-02-05 | |
US60/445,169 | 2003-02-05 | ||
US10/707,981 | 2004-01-29 | ||
US10/707,981 US20040187904A1 (en) | 2003-02-05 | 2004-01-29 | Apparatus for infrared radiation detection |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004361386A true JP2004361386A (ja) | 2004-12-24 |
JP2004361386A5 JP2004361386A5 (ja) | 2009-04-23 |
JP5016182B2 JP5016182B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=32850973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004027895A Expired - Fee Related JP5016182B2 (ja) | 2003-02-05 | 2004-02-04 | ジェットポンプ立上り管のクランプ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040187904A1 (ja) |
EP (1) | EP1464933B1 (ja) |
JP (1) | JP5016182B2 (ja) |
AT (1) | ATE378578T1 (ja) |
DE (1) | DE602004009980T2 (ja) |
ES (1) | ES2295779T3 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011185926A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | General Electric Co <Ge> | 熱測定システムおよび漏れ検出方法 |
US20110280281A1 (en) * | 2008-12-19 | 2011-11-17 | Qhi Group Limited | Temperature Sensor |
US9285274B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-03-15 | Seiko Epson Corporation | Infrared detecting element and electronic device |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004002164A1 (de) * | 2004-01-15 | 2005-08-04 | Robert Bosch Gmbh | Strahlungsdetektor, Sensormodul mit einem Strahlungsdetektor und Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsdetektors |
US20070095380A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Dewes Brian E | Infrared detecting device with a circular membrane |
US7785002B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-31 | Delphi Technologies, Inc. | P-N junction based thermal detector |
CN102575983A (zh) * | 2009-06-25 | 2012-07-11 | 松下电器产业株式会社 | 红外线式气体检测器以及红外线式气体测量装置 |
CN102564603A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-07-11 | 南阳森霸光电有限公司 | 热释电红外传感器 |
DE102011077005B4 (de) | 2011-06-06 | 2017-11-16 | Rehm Thermal Systems Gmbh | Anlage zur Wärmebehandlung von Substraten und Verfahren zum Erfassen von Messdaten darin |
US9250126B2 (en) | 2012-10-26 | 2016-02-02 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd | Optical sensing element arrangement with integral package |
GB2521474A (en) * | 2013-12-22 | 2015-06-24 | Melexis Technologies Nv | Infrared thermal sensor with beams having different widths |
GB2527348A (en) * | 2014-06-19 | 2015-12-23 | Melexis Technologies Nv | Infrared sensor with sensor temperature compensation |
JP6398808B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-10-03 | オムロン株式会社 | 内部温度測定装置及びセンサパッケージ |
JP6398810B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-10-03 | オムロン株式会社 | 内部温度測定装置及び温度差測定モジュール |
US10113912B2 (en) | 2015-05-30 | 2018-10-30 | Pixart Imaging Inc. | Thermopile module |
US10168220B2 (en) | 2015-03-20 | 2019-01-01 | Pixart Imaging Inc. | Wearable infrared temperature sensing device |
CN115581439A (zh) * | 2016-03-23 | 2023-01-10 | 原相科技股份有限公司 | 穿戴式装置 |
CN106500835B (zh) * | 2016-09-22 | 2017-12-22 | 北京空间机电研究所 | 一种适于低温环境的单元型双波段红外探测组件 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06129898A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
JPH07301679A (ja) * | 1994-05-02 | 1995-11-14 | Nissan Motor Co Ltd | 人体検出装置 |
JPH0989655A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2213492B1 (ja) * | 1972-10-09 | 1975-03-28 | Sodern | |
US4922116A (en) * | 1988-08-04 | 1990-05-01 | Hughes Aircraft Company | Flicker free infrared simulator with resistor bridges |
US5010251A (en) * | 1988-08-04 | 1991-04-23 | Hughes Aircraft Company | Radiation detector array using radiation sensitive bridges |
DE4102524C2 (de) * | 1990-01-30 | 2000-05-25 | Citizen Watch Co Ltd | Infrarotsensor |
JPH08278192A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Ishizuka Denshi Kk | 赤外線検出器 |
DE19735379B4 (de) * | 1997-08-14 | 2008-06-05 | Perkinelmer Optoelectronics Gmbh | Sensorsystem und Herstellungsverfahren |
KR100239494B1 (ko) * | 1998-02-28 | 2000-01-15 | 구자홍 | 써모파일 센서 및 그 제조방법 |
JP2001330511A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
US6670538B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-12-30 | Endevco Corporation | Thermal radiation sensor |
US6828560B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-12-07 | Delphi Technologies, Inc. | Integrated light concentrator |
-
2004
- 2004-01-29 US US10/707,981 patent/US20040187904A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-04 EP EP04250583A patent/EP1464933B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-04 JP JP2004027895A patent/JP5016182B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-04 DE DE602004009980T patent/DE602004009980T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-04 AT AT04250583T patent/ATE378578T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-02-04 ES ES04250583T patent/ES2295779T3/es not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06129898A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
JPH07301679A (ja) * | 1994-05-02 | 1995-11-14 | Nissan Motor Co Ltd | 人体検出装置 |
JPH0989655A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110280281A1 (en) * | 2008-12-19 | 2011-11-17 | Qhi Group Limited | Temperature Sensor |
JP2011185926A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | General Electric Co <Ge> | 熱測定システムおよび漏れ検出方法 |
US9285274B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-03-15 | Seiko Epson Corporation | Infrared detecting element and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1464933B1 (en) | 2007-11-14 |
ATE378578T1 (de) | 2007-11-15 |
US20040187904A1 (en) | 2004-09-30 |
EP1464933A3 (en) | 2005-02-16 |
DE602004009980D1 (de) | 2007-12-27 |
DE602004009980T2 (de) | 2008-07-31 |
ES2295779T3 (es) | 2008-04-16 |
JP5016182B2 (ja) | 2012-09-05 |
EP1464933A2 (en) | 2004-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5016182B2 (ja) | ジェットポンプ立上り管のクランプ装置 | |
Xu et al. | MEMS-based thermoelectric infrared sensors: A review | |
KR102091040B1 (ko) | 웨이퍼-레벨 패키지의 열 적외선 센서 어레이 | |
KR102214389B1 (ko) | 온도를 측정하거나 가스를 검출하기 위한 서모파일 적외선 개별 센서 | |
CN104412082B (zh) | Ir热电堆探测器 | |
US7435964B2 (en) | Thermal sensor with increased sensitivity | |
US7692148B2 (en) | Thermal sensor with thermal barrier | |
EP2084502B1 (en) | Die temperature sensors | |
US8487260B2 (en) | Sensor | |
EP3408629B1 (en) | An ir detector array device | |
KR20140090909A (ko) | 적외선 검출기 및 적외선 이미지 센서 | |
CN105209872A (zh) | 热电堆差示扫描量热仪传感器 | |
JP5514071B2 (ja) | 温度センサ | |
US20130206989A1 (en) | Radiation Sensor | |
JP2005221483A (ja) | 赤外線検出器 | |
CN109084901A (zh) | 一种红外辐射传感器 | |
JPH0249124A (ja) | サーモパイル | |
JPH0783756A (ja) | 振動型赤外線センサ、振動型赤外線イメージャ、及び赤外線検出方法 | |
JP3775830B2 (ja) | 赤外線検出素子 | |
CN113514160A (zh) | 一种红外测温传感芯片 | |
JP5920388B2 (ja) | 温度センサ | |
CN108458783B (zh) | 一种热电式激光功率探头及其制造方法 | |
JPH0498883A (ja) | シリコンを用いたサーモパイル装置 | |
KR20170011512A (ko) | 열차폐 홀을 구비하는 써모파일 장치 및 이를 이용한 온도센서 | |
JPH02257680A (ja) | シリコンサーモパイル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070131 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090306 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090310 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100609 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110614 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120608 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |