JP2004356309A

JP2004356309A - 複合基板及びその製造方法

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Publication number: JP2004356309A
Application number: JP2003151146A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Sasaki; 康博佐々木
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-05-28
Filing date: 2003-05-28
Publication date: 2004-12-16

Abstract

【課題】寸法精度、接合信頼性及び生産性に優れた複合基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック基板３に接合材５を介して金属部材１を接合した複合基板において、前記接合材５の内部に該接合材５よりも高融点の内蔵金属部材７が内蔵され、該内蔵金属部材７が、前記セラミック基板３と前記金属部材１とにそれぞれ接触し、前記内蔵金属部材７が接触するセラミック基板接触面Ａと、前記内蔵金属部材７が接触する金属部材接触面Ｂとが略平行であることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属部材とセラミック基板とを接合材を介して接合した複合基板及びその製造方法に関するものであり、詳細にはパワーモジュール等の放熱性や大電流許容配線を必要とする分野に好適に用いることのできる複合基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、パワーモジュール等の放熱性や大電流許容配線を必要とする複合基板は、セラミック基板の表面に、Ｃｕ板やＡｌ板などの金属部材をＣｕＡｇ系ろう材やＡｌ系ろう材を用いて接合して作製されていた。
【０００３】
例えば、放熱性を向上させるため、ヒートシンク材などの熱伝導性に優れた金属部材とセラミック基板とを半田等で接合することが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
ところが、接合温度が高い場合、金属部材とセラミック基板との熱膨張係数の違いにより、反りや変形が発生するなどの問題があった。このような不具合の発生を抑制するため、Ｓｎ系、Ｉｎ系及びＺｎ系のろうや半田を用いて接合温度を下げ、熱膨張差で発生する残留応力を抑え、信頼性の向上を図った例も報告されている（例えば、特許文献３、４参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平４−１２５５４号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平６−５３６２４号公報
【０００７】
【特許文献３】
特開平７−１４９４０号公報
【０００８】
【特許文献４】
特開２００２−２２２９０５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献３、４に記載の方法では、ろう材や半田等の接合材を金属部材とセラミック基板との間に挿入して熱処理を行い、接合材を完全に溶融させてセラミック基板と金属部材を接合する際に、セラミック基板や金属部材が傾き、接合材の厚みが不均一となり、位置ずれが起こり、寸法精度が低下したり、接合信頼性が劣化するという問題があった。
【００１０】
また、セラミック基板や金属部材の位置ずれを防止したり、接合材の厚みを一定にするために、特殊な冶具を用いることもできるが、手間がかかり、生産性が低くなる、コストが上昇するという問題があった。
【００１１】
従って、本発明は上記問題に鑑み、寸法精度、接合信頼性及び生産性に優れたセラミック基板と金属部材との複合基板及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の複合基板は、セラミック基板に接合材を介して金属部材を接合した複合基板において、前記接合材の内部に該接合材よりも高融点の内蔵金属部材が内蔵され、該内蔵金属部材が、前記セラミック基板と前記金属部材とにそれぞれ接触し、前記内蔵金属部材が接触するセラミック基板接触面と、前記内蔵金属部材が接触する金属部材接触面とが略平行であることを特徴とする。
【００１３】
このような複合基板では、接合材の融点以上で熱処理した際に、接合材と一緒に挟み込んだ内蔵金属部材が、セラミック基板と金属部材とに、それぞれ接触することにより、セラミック基板と内蔵金属部材及び金属部材と内蔵金属部材との間で摩擦が生じ、位置ずれを抑制するため、寸法精度を高めることができるとともに、セラミック基板と内蔵金属部材とが接触する側のセラミック基板接触面と、金属部材と内蔵金属部材との金属部材接触面とを略平行にすることで、金属部材とセラミック基板との間隔が、接合材が設けられた部分で略均一になり、接合材の厚みが一定となるため、応力発生の不均一を防止することができ、接合信頼性を高めることができる。また、特別な治具も不要となり、容易に複合基板を作製することができる。
【００１４】
また、本発明の複合基板は、内蔵金属部材が、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ及びＭｏのうち少なくとも一種を主成分とすることを特徴とする。
【００１５】
本発明に用いられる内蔵金属部材は、接合材の融点より高い金属部材であれば良いが、接合層にも金属部材と同様の熱伝導性、電気特性が必要な場合、Ｃｕ又はＡｌのように金属部材１と同じ材質が良く、セラミック基板との接合信頼性が必要な場合はセラミック基板の熱膨張係数が近いＷ又はＭｏを主成分とする材質が良く、コストの点ではＦｅ又はＮｉを主成分とする材質が好適に用いられる。
【００１６】
また、本発明の複合基板は、金属部材が、Ｃｕ及び／又はＡｌを主成分とすることを特徴とする。
【００１７】
金属部材は、電気伝導及び熱伝導に優れているＣｕ及び／又はＡｌを主成分とする金属であることが望ましく、特に、電気伝導及び熱伝導に優れている点でＣｕを主成分とする金属が、加工性に優れている点ではＡｌを主成分とする金属が望ましい。
【００１８】
また、本発明の複合基板は、接合材が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする。
【００１９】
これらは、いずれも高い接合強度を実現することが可能であり、金属部材及びセラミック基板の材質と表面状態、接合材の融点及び接合条件に応じて上記の元素を含む半田やろう材を選択すれば良い。
【００２０】
また、本発明の複合基板は、セラミック基板が、アルミナ、窒化珪素及び窒化アルミニウムのうち少なくとも１種からなることを特徴とする。
【００２１】
複合基板に用いられるセラミック基板は、絶縁性や熱伝導性に優れるアルミナ、窒化珪素及び窒化アルミニウムのうち少なくとも１種からなることが望ましい。
【００２２】
また、本発明の複合基板の製造方法は、接合材と、該接合材よりも高融点の内蔵金属部材を、セラミック基板と金属部材とで挟持するように重ねた状態で、前記接合材の融点以上、前記内蔵金属部材の融点以下の温度で熱処理し、前記セラミック基板を、前記接合剤及び前記内蔵金属部材とを介して前記金属部材と接合する工程を具備することを特徴とする。
【００２３】
このように内蔵金属部材を、接合材よりも高融点し、接合材の融点以上、前記内蔵金属部材の融点以下の温度で熱処理することで、接合時に接合材が溶融しても、接合材の内蔵金属部材は溶融することがないため、熱処理を行っても内蔵金属部材は変形することがなく、内蔵金属部材とセラミック基板及び金属部材との摩擦は維持され、セラミック基板及び金属部材の位置ずれを抑制することができる。
【００２４】
また、本発明の複合基板の製造方法は、金属部材とセラミック基板の対向面に略垂直な方向に圧力を加えて熱処理する工程を具備することを特徴とする。
【００２５】
特に、熱処理において、金属部材とセラミック基板の対向面に略垂直な方向に圧力を加えることが望ましく、これにより、内蔵金属部材とセラミック基板及び金属部材との摩擦が増大するため、位置ずれをさらに効果的に防止することができるとともに、接合界面の密着性が高まりボイドの少ない複合基板を得ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の複合基板は、図１に示すように、金属部材１とセラミック基板３とが接合材５を介して接合され、接合部材５内部には、金属部材１及びセラミック基板３と、それぞれ接触し、セラミック基板３と内蔵金属部材７との複数の接触点を結んで形成されるセラミック基板接触面Ａと、金属部材１と内蔵金属部材７との複数の接触点を結んで形成される金属部材接触面Ｂとが略平行になるように内蔵金属部材７が配置されて構成される。
【００２７】
このとき、内蔵金属部材７と金属部材１及びセラミック基板３との接触点は、それぞれ３点以上必要で、且つ、その接触点が少なくとも三角形以上の多角形を形成することが必要である。このようにして形成された両接触面を略平行とすることで、金属部材１とセラミック基板３とを平行に接合することができる。
【００２８】
そのため、内蔵金属部材７は、上記の条件を満たす形状のものであればよい。例えば、金属球を用いる場合には、接合材と混合して用いることができ、取り扱いが容易となる点で望ましい。また、金属線材を用いる場合には、コストを下げることができ、加工も容易である点で望ましい。なお、金属線材を用いる場合には、金属線材を図２（ａ）示すように円状、あるいは図２（ｂ）に示すように多角形状にして用いることができる。また、円状、多角形状とし、さらに、金属部材１やセラミック基板３と接する方向が凸凹となるように波形に加工してもよい。また、シート状の金属板を用いてもよく、この場合には、表面を凸凹状とすることで、金属板の上下面の金属部材１やセラミック基板３と接する面で凹状になる部分に接合材が配置されるようになる。
【００２９】
なお、内蔵金属部材７の形態によっては、点ではなく、線や面で金属部材１やセラミック基板３と接触する場合もあるが、金属部材１とセラミック基板３とを略平行にできる形態であればよいのは勿論である。
【００３０】
また、内蔵金属部材７は、接合材５の融点より高い金属部材であれば、特に材質は問わないが、接合材５と内蔵金属部材７とからなる接合層にも金属部材１と同様の熱伝導性、電気特性が必要な場合、金属部材１と同じ材質、例えば、ＣｕやＡｌなどを用いることが望ましく、セラミック基板３との接合信頼性を向上させるためにはセラミック基板３の熱膨張係数に近い、例えば、Ｗ又はＭｏを主成分とする材質が良く、コストを下げるという点ではＦｅ又はＮｉを主成分とする材質が好適である。
【００３１】
また、内蔵金属部材７の厚みの平均値は、金属部材１とセラミック基板３との間隔を確保するための機能を有するものであり、接合材５が溶融した際に均一な厚みを確保できるように５０μｍ以上、特に７０μｍ以上であることが好ましい。また、金属部材１が大きい場合は接合信頼性を確保するため、７０μｍ以上、特に１００μｍ以上であることが望ましい。
【００３２】
また、金属部材１は、パワーモジュールのように大電流が配線基板に流れ、放熱量が大きい用途に用いられる場合、電気伝導及び熱伝導に優れているのが好ましい。さらにこれらを考慮すると、Ｃｕ及び／又はＡｌを主成分とする金属であることが望しい。特に、電気伝導及び熱伝導に優れている点でＣｕを主成分とする金属が、加工性に優れている点ではＡｌを主成分とする金属が望ましい。
【００３３】
金属部材１及び内蔵金属部材７の接合材５と接する側の表面は、図３に示したように、耐腐食性を高めるとともに、接合材５との濡れ性を向上させるため、金属部材被覆層９、内装金属部材被覆層１１を設けることが望ましく、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ及びＳｎのうち少なくとも１種からなるメッキ層が形成されていることが望ましい。例えば、ＣｕＡｇ系、Ａｌ系ろうの接合材５で接合する場合はＮｉ、Ｃｕがメッキ層として好適であり、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ系ろうの接合材５で接合する場合はＳｎがメッキ層として好適である。
【００３４】
上記メッキ層の厚みは、十分な腐食性を確保し、高い密着性を保持するように、１〜３０μｍ、特に５〜１０μｍであることが望ましい。なお、耐腐食性を効果的に高めるため、上記のメッキ層の表面に、メッキによってさらにＡｕ層を形成することが望ましい。
【００３５】
金属部材１の形状は、平板（金属板）であっても、ブロックであっても、いくつかのブロックに分割されて、例えば、配線を形成するような形状であっても、更には冷却用のフィン形状等の複雑形状であっても良く、金属部材１の使用目的に従って決定すれば良い。
【００３６】
接合材５は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも１種を含むことが望ましい。これらは、いずれも高い接合強度を実現することを可能とするもので、金属部材１及びセラミック基板３の材質と表面状態、接合材５の融点及び接合条件によって上記の元素を含む半田やろう材を選択すれば良い。
【００３７】
具体的には、Ｉｎろう、Ｓｎ−Ｃｕろう、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇろう、Ａｕ−Ｃｕろう半田等を例示できるが、他の接合材５も使用できることは言うまでもない。
【００３８】
接合材５としてＣｕＡｇ系、Ａｌ系ろうを用いる場合は、Ｎｉ又はＣｒを金属部材被覆層９、内蔵金属部材被覆層１１として用いることが望ましく、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ系ろうを用いる場合はＳｎを金属部材被覆層９、内蔵金属部材被覆層１１として用いることが望ましく、半田を用いる場合はＳｎ、Ａｕを金属部材被覆層９、内蔵金属部材被覆層１１に用いることが望ましい。特に、耐腐食性をさらに高めることが必要な場合は、金属部材被覆層９、内蔵金属部材被覆層１１の厚みを３μｍ以上にするか、金属部材被覆層９、内蔵金属部材被覆層１１上にＡｕめっきを施すことが望ましい。
【００３９】
また、接合材５の厚みは、再現良く均一な厚みを確保できるように５０μｍ以上、特に７０μｍ以上が好ましい。また、金属部材１が大きい場合、例えば金属部材１の主面の一辺が１０ｍｍ以上の正方形の場合や主面の直径が１０ｍｍ以上の円形の場合、接合信頼性を確保するため、７０μｍ以上、特に１００μｍ以上が望ましい。
【００４０】
セラミック基板３は、平板を形成できる材料であれば良いが、パワーモジュールのように大電流が複合基板に流れ、放熱量が大きい用途に用いられる場合、絶縁性、強度、及び熱伝導に優れていることが望ましく、さらに低コストであるのことが望ましい。例えば、強度とコストの点ではアルミナが、高強度と高熱伝導性が必要な場合には窒化珪素が、さらに高い熱伝導性が必要な場合は窒化アルミニウムが好適に用いられる。
【００４１】
セラミック基板３の接合材５との当接部には、メタライズ層１３が形成されていることが望ましい。メタライズ層１３を設けることで、セラミック基板３の接合部を金属化して接合材５との濡れを向上させることができ、接合性、接合信頼性を向上させることができる。さらに、メタライズ層１３の表面には、金属部材１の場合と同様に、耐腐食性や接合材５との濡れ性をさらに向上させるために、Ｎｉ、Ｃｒ及びＳｎのうち少なくとも１種の被覆層（図示せず）を設けることも可能である。
【００４２】
次に、本発明の複合基板の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、金属部材１を用意する。金属部材１は、エッチング法や金型プレスによる機械加工等の公知の手法で所望の形状に加工しても良い。また、耐腐食性を高めるとともに、接合材５との濡れ性を向上させて接合強度を高めるため金属部材被覆層９となるメッキ層を形成しても良い。
【００４４】
次に、セラミック基板３を準備する。セラミック基板３の製造方法は、公知のセラミック焼結体の製造方法を用いることができる。例えば、アルミナからなる原料粉末を混合してスラリーを作製し、このスラリーを用いてドクターブレード法やロールコンパクション法等の公知のセラミック成形方法によりグリーンシートを作製する。得られたグリーンシートの表面に、所望により導体ペーストを塗布し、所望の厚みになるまで複数のグリーンシートを積層した後に、同時焼成によってメタライズ層１３を形成する。
【００４５】
さらに、所望により、メタライズ層１３の表面に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｌのうち少なくとも１種を含む金属をメッキ法、スパッタリングやＣＶＤ（気相蒸着法）等の公知のコーティング方法によって、被覆し、被覆層（図示せず）を形成することができる。これらのうち、簡便で低コストである点でメッキ法が好ましい。
【００４６】
ここで接合材５を準備する。接合材５の形状は、特に制限はないが、粉末、ペースト及び箔のうち少なくとも１種を用いることができ、接合面に均一に形成する点でペースト又は箔が好ましい。また、接合材５の選択に当っては、金属部材１とセラミック基板３との組合せを考慮し、さらに接合材５の融点及び接合部との良好な濡れ状態を形成する温度を選択する。
【００４７】
例えば、接合温度が８００℃前後の場合には、Ａｇ及びＣｕを主成分とする接合材５が好適に使用され、６００℃前後の場合には、Ａｌを主成分とする接合材５が好適に使用され、４００℃以下の場合にはＩｎ、Ｓｎ及びＰｂの少なくとも１つを含む接合材５が好適に使用される。
【００４８】
また、複合基板の構造が接合面に関して対称性に乏しい場合、例えば、セラミック基板３の一方の主面のみに金属部材１を接合する場合や、残留応力による反りや変形の抑制が必要な場合は、融点が４００℃以下のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ系のろう材や半田を用いることが望ましい。
【００４９】
次に、セラミック基板３又はその表面に設けられたメタライズ層１３と当接するように、接合材５を形成し、この上に内蔵金属部材７を配置して、この内蔵金属部材２上に金属部材１を配置することで、セラミック基板３と金属部材１で接合材５と内蔵金属部材７を挟持する状態にし、金属部材１の上に重しをのせるなどして、所望により接合面に垂直な方向に加圧しながら加熱処理をして接合する。
【００５０】
加熱処理は、ＡｇＣｕ系ろう材の場合、還元雰囲気で８００〜９００℃、Ａｌ系ろう材の場合還元雰囲気で５５０℃〜６６０℃、半田の場合、還元雰囲気で２５０〜４００℃、Ｉｎ系の場合、還元雰囲気で２００〜３００℃の条件で行う。
【００５１】
また、接合部のボイドを低減したい場合は、１×１０⁻ ^４ｔｏｒｒ以上の減圧状態で熱処理することが望ましい。
【００５２】
尚、本発明は上記形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。
【００５３】
例えば、セラミック基板３の両面に金属部材１を接合してもよく、金属部材１は穴が設けられた形状であってもよい。
【００５４】
【実施例】
実施例１
縦１２ｍｍ、横２２ｍｍ、厚み０．２ｍｍのＣｕ板及びＡｌ板を金属部材１として準備した。また、Ｃｕを主成分とする直径５０μｍ金属線材を縦８ｍｍ、横１６ｍｍの図２（ｂ）に示すような矩形に加工し、内蔵金属部材７を準備した。
【００５５】
次いで、金属部材１と内蔵金属部材７に無電解法で厚み３μｍのＮｉメッキ層を形成した。
【００５６】
次に、厚み０．３ｍｍのアルミナグリーンシートの一方の主面にタングステンペーストを塗布し、さらに、タングステンペーストを塗布していない面に、他のアルミナグリーンシートを２層積層した後、同時焼成して、表面にメタライズ層１３を具備するアルミナ基板３を作製した。アルミナ基板３の寸法は縦１５ｍｍ、横２５ｍｍであった。
【００５７】
次いで、このメタライズ層１３の表面に、電解法によって、Ｎｉ被覆層３μｍを形成した。
【００５８】
さらに、厚み５０μｍのＩｎ系半田箔をメタライズ層１３上に配置し、接合材５である半田箔に内蔵金属部材７と金属部材１を重ね合わせ、金属部材１上に無機多孔体からなる重しを乗せ、大気中雰囲気中２００℃で熱処理を行って接合した。
【００５９】
接合した試料を切断し、顕微鏡によって接合材５の厚みを確認した。その結果、いずれの試料においても、クラックや剥離といった異常は観られなかった。また、接合材５の厚みも均一であり、寸法の大きなずれは見られなかった。
【００６０】
また、接合した試料を−３０℃〜１２０℃の冷熱サイクルを１００サイクル行って熱負荷を与えた後、顕微鏡により金属部材１とセラミック基板３との接合界面を観察した。その結果、何らの異常も見られず、良好な接合状態を呈しており、寸法精度も良好であった。
【００６１】
実施例２
縦１２ｍｍ、横２２ｍｍ、厚み０．３ｍｍのＣｕ板及びＡｌ板を金属部材１として準備した。また、Ｗを主成分とする直径７０μｍの金属線材を縦８ｍｍ、横１６ｍｍの図２（ｂ）に示すような矩形に加工し、内蔵金属部材７を準備し、この金属部１材と内蔵金属部材７に実施例１と同様にして３μｍのＮｉメッキ層を形成した。
【００６２】
また、縦１５ｍｍ、横２５ｍｍ、厚み０．３ｍｍの窒化珪素基板３を準備し、その主面にＣＶＤ（化学気相）法で０．１μｍのＣｒ層を形成した。
【００６３】
次いで、窒化珪素基板３のＣｒ層上にＣｕＳｎ系のろうペーストを印刷し、内蔵金属部材７と金属部材３を重ね合わせ、金属部材１上に無機多孔体からなる重しを乗せ、還元中雰囲気中４００℃で熱処理を行った。
【００６４】
実施例１と同様の方法で評価を行ったところ、異常は無く、良好な接合状態であった。
【００６５】
比較例１
実施例１と同じ形状のＣｕ板及びＡｌ板を準備し、内蔵金属部材７を設置しない以外は実施例１と同様にして複合基板を作製した。また、評価も実施例１と同様にして行った。その結果、内蔵金属材７が配置されていないため、接合材５の厚みが２０〜１００μｍとばらついており、金属部材１に傾きが生じていた。また、所定の位置から最大５００μｍ以上ずれていた。そして、冷熱サイクル後に、接合材５の薄い部位にクラックが観察された。
【００６６】
比較例２
実施例２と同一形状のＣｕ板及びＡｌ板を準備し、内蔵金属部材７を設置しない以外は実施例１と同様にして複合基板を作製した。また、評価も実施例１と同様にして行った。その結果、内蔵金属材７が配置されていないため、接合材５の厚みが１０〜１００μｍとばらついており、金属部材１に傾きを生じていた。また、所定の位置から最大５００μｍ以上ずれていた。そして、冷熱サイクル後に、接合材５の薄い部分の界面に剥離が観察された。
【００６７】
【発明の効果】
本発明の複合基板では、金属部材とセラミック基板間に内蔵金属部材が設置されるため、特殊な治具や工程を要せずに、高い寸法精度を実現することができる。しかも、均一な接合材厚みで接合することができるため、接合工程の生産性が高く、且つ接合信頼性に優れた複合基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複合基板の構造を示す概略断面図である。
【図２】本発明の内蔵金属部材を示す斜視図である。
【図３】本発明の複合基板の一部を拡大した概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・金属部材
３・・・セラミック基板
５・・・接合材
７・・・内蔵金属部材
Ａ・・・セラミック基板接触面
Ｂ・・・金属部材接触面Ｂ

Claims

セラミック基板に接合材を介して金属部材を接合した複合基板において、前記接合材の内部に該接合材よりも高融点の内蔵金属部材が内蔵され、該内蔵金属部材が、前記セラミック基板と前記金属部材とにそれぞれ接触し、前記内蔵金属部材が接触するセラミック基板接触面と、前記内蔵金属部材が接触する金属部材接触面とが略平行であることを特徴とする複合基板。
内蔵金属部材が、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ及びＭｏのうち少なくとも一種を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の複合基板。
金属部材が、Ｃｕ及び／又はＡｌを主成分とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合基板。
接合材が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の複合基板。
セラミック基板が、アルミナ、窒化珪素及び窒化アルミニウムのうち少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の複合基板。
接合材と、該接合材よりも高融点の内蔵金属部材を、セラミック基板と金属部材とで挟持するように重ねた状態で、前記接合材の融点以上、前記内蔵金属部材の融点以下の温度で熱処理し、前記セラミック基板を、前記接合剤及び前記内蔵金属部材とを介して前記金属部材と接合する工程を具備することを特徴とする複合基板の製造方法。
金属部材とセラミック基板の対向面に略垂直な方向に圧力を加えて熱処理する工程を具備することを特徴とする請求項６記載の複合基板の製造方法。