JP2004355796A - 多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム及びテスト方法 - Google Patents

多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム及びテスト方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004355796A
JP2004355796A JP2004151929A JP2004151929A JP2004355796A JP 2004355796 A JP2004355796 A JP 2004355796A JP 2004151929 A JP2004151929 A JP 2004151929A JP 2004151929 A JP2004151929 A JP 2004151929A JP 2004355796 A JP2004355796 A JP 2004355796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
under test
test
pin
channel
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004151929A
Other languages
English (en)
Inventor
Woo-Ik Park
佑 益 朴
Yong-Woon Kim
容 雲 金
Young-Gu Shin
永 枸 辛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2004355796A publication Critical patent/JP2004355796A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31926Routing signals to or from the device under test [DUT], e.g. switch matrix, pin multiplexing

Abstract

【課題】 多数の被試験素子を並列に検査するテストテスト方法を提供する。
【解決手段】 一つの入出力信号チャンネルに入出力信号のためのピンが共通し、共通した入出力信号チャンネルを通じて共に出力される出力データのうち何れか一つの出力データを特定するためにチップ選択信号を提供するチップ選択信号チャンネルがそれぞれ連結された少なくとも二つの被試験素子を準備するテスト方法である。以後に、共通した入出力信号チャンネルを通じてチップ選択信号によって特定された何れか一つの出力データをチップ選択信号によって選択された何れか一つの被試験素子から読み込む段階を含んで被試験素子をテストする。
【選択図】 図7

Description

本発明は集積回路素子の電気的テストに係り、特に、制限された数のチャンネルを有する集積回路素子テストシステムにおいて被試験素子(DUT:Device Under Test)を並列に同時にテストしてテスト効率を高めうるテストシステム及びテスト方法に関する。
DDR(Double Date Rate) SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)素子のような集積回路素子は、ユーザに販売される以前にパッケージ完了後に電気的動作に対するテストを受ける。テストにかかる時間は、結局製品コストに反映されるので、テスト時間を短縮させるための多くの努力がなされている。
素子製品個々に対するテスト項目を減らすことは難しいため、結局テスト時間を短縮させるためには、一つのテスト装備を利用して多数のDUTを同時にテストすることが要求される。しかし、テスト装備に備わったチャンネルは、装備構造的にその数が制限されてしまう。したがって、同じテスト装備で同時にテストされるDUTの数には制限がある。
これを克服するために、多数のDUTを並列にテスト装備に連結し、共通しうるそれぞれのDUTのピンを共通させて要求されるチャンネルの数を減らす効果を具現しようとする試みが多様に報告されている。例えば、特許文献1には共通の連結により余裕チャンネルを確保する方案が提示されている。
メモリ製品の集積度の上昇は、結局テスト装備でのチャンネルの数を増加させなければならないことを意味する。それにも拘わらず、テスト装備がこのような素子製品の発展趨勢を即刻反映して改善されることは現実的には非常に難しい。したがって、従来のテスト装備を利用してさらに多くのテスト変数を要求する素子製品を多数個同時にテストできる方案が要求されている。
このためには、制限されたチャンネル数から個々のDUTの入出力(I/O)ピンに分配されたチャンネルの数を減らす方案が考慮されうる。それにも拘わらず、個々のDUT内に備わった入出力ピンの相互間を共通させることは非常に難しい。データ出力信号は、DUT別に特定されなければならないので、同種のDUTの入出力同士で共通させることは実質的に不可能である。すなわち、I/Oチャンネルは、DUTの入出力と1:1連結されることが一般的である。したがって、DUTが×8製品であれば、一つのDUTに8個のI/Oチャンネルが要求される。これにより、同時にテストされるDUT数の8倍に達するI/Oチャンネル数が要求される。
テスト装備でこのようなチャンネルの数は、その構成上一定した数で制限されているので、このようなチャンネルの数によって同時にテストされうるDUTの数も制限される。したがって、テスト装備の制限された数のチャンネルをそのまま利用しても、さらに多くの数のDUTを同時にテストできる方案が切実に要求されている。
特開2001−176293号公報
本発明が解決しようとする技術的課題は、集積回路素子のためのテスト装備の制限された数のチャンネルをそのまま利用しても、さらに多くの数のDUTを同時にテストできてテスト効率を大きく高めうるテストシステム及びテスト方法を提供することである。
前記課題を達成するための本発明の一観点は、多数のDUTを並列に検査するテストシステムを提供する。前記テストシステムは、多数のDUTと、前記DUTのI/O信号のためのピンに共通に連結されるI/O信号チャンネルと、前記共通するI/O信号チャンネルを通じて共に出力される出力データのうち何れか一つの出力データを特定するために前記DUTにチップ選択(CS:Chip Selection)信号を提供するチップ選択信号チャンネル、及び前記I/O信号チャンネル及び前記チップ選択信号チャンネルを通じて前記DUTをテストするテスト装備を含んで構成されうる。
何れか一つの前記ピンは、前記I/O信号チャンネルに直接的に連結され、他の一つの前記ピンは前記直接的に連結されるピンに短絡されるものでありうる。この時、前記直接的に連結されるピンと短絡されるピンとは相異なるDUTに属するものでありうる。
前記I/O信号チャンネルの数は、何れか一つの前記DUTのI/O信号のためのピンの数に対して1/2の数でありうる。
前記DUTのクロックバー(CLKB)信号のためのピン及び基準電圧(VREF)のためのピンに共通連結される直流電流(DC:Direct Current)チャンネルをさらに含んで構成されうる。この時、前記直流電流チャンネルは、前記I/O信号チャンネルに共通する前記DUTの前記CLKB信号のためのピン及び前記VREFのためのピンに共通するように連結されうる。
前記CSチャンネルの数は、前記I/O信号チャンネルに共通する前記DUTの数に依存しうる。
前記CSチャンネルに共通するが、前記共通しるI/O信号チャンネルに共通していない第2のDUTをさらに含んで構成されうる。
前記課題を達成するための本発明の他の一観点は、多数のDUTを並列に検査するテスト方法を提供する。前記テスト方法は、一つのI/O信号チャンネルにI/O信号のためのピンが共通し、前記共通するI/O信号チャンネルを通じて共に出力される出力データのうち何れか一つの出力データを特定するためにCS信号を提供するCS信号チャンネルがそれぞれ連結される少なくとも二つのDUTを準備する段階、及び前記共通するI/O信号チャンネルを通じて前記CS信号によって特定された何れか一つの出力データを前記CS信号によって選択された何れか一つの前記DUTから読み込む段階を含んで構成されうる。
前記準備段階は、何れか一つの前記ピンを前記I/O信号チャンネルに直接的に連結させ、他の一つの前記ピンは、前記直接的に連結されるピンに短絡させる段階を含んで構成されうる。この時、前記直接的に連結されるピンと短絡されるピンとは相異なるDUTに属するものでありうる。
前記準備段階は、前記DUTのCLKB信号のためのピン及びVREFのためのピンにDCを提供するためのDCチャンネルを共通に連結させる段階をさらに含んで構成されうる。
前記CSチャンネルに共通するが、前記共通するI/O信号チャンネルに共通していない第2のDUTをさらに導入する段階をさらに含んで構成されうる。
また、前記リード段階で前記共通するI/O信号チャンネルとは異なるI/O信号チャンネルを通じて前記CS信号によって特定された何れか一つの出力データを前記第2DUTから読み込む段階が共に行われうる。
前記CS信号は、前記共通するI/O信号チャンネルの出力データのうち選択された出力データ以外の出力データを高いインピーダンス(Hi−Z)状態により前記選択された出力データだけが前記共通するI/O信号チャンネルに出力されるように作用しうる。
前記リード段階以前に前記DUTに共通に書き込み動作を行う段階をさらに含んで構成されうる。
本発明によれば、集積回路素子のためのテスト装備の制限された数のチャンネルをそのまま利用しても、さらに多くの数のDUTを同時にテストするか、またはさらに多くの変数を一度にテストできる。したがって、テスト効率を大きく高めうる。
テスト装備の制限された数のチャンネルをそのまま利用しても、さらに多くの数のDUTを同時にテストしうる。DQピンを共通または短絡させることによって要求されるI/O信号チャンネルの数を減少させ、結局同時にテストするDUTの数を増加させうる。
さらに、CS信号を提供し、このようなCS信号を、出力データを読み込む動作を行う時に出力データの特定に利用することによって、DQピンの共通または短絡による出力データの重複による問題を解決できる。この時、CS信号提供のためのCS信号チャンネルを、CLKBとVREFとを共通させて確保したドライバチャンネルを転用して使用することによって、CS信号チャンネルの導入による実質的に要求されるチャンネル数の増加を補償防止しうる。
また、CS信号チャンネルを導入することによって、DQピンの共通または短絡による重複出力データの特定のため素子に追加機能を付与する必要がなくなる。したがって、テストの汎用性を向上させうる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。しかし、本発明の実施の形態は色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施の形態によって限定されると解釈されてはならない。本発明の実施の形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状は、さらに明確な説明を強調するために誇張されたものであり、図面上で同じ符号で表示された要素は同じ要素を意味する。
本発明の実施の形態では、テスト装備に構成された制限された数のチャンネルをそのまま利用しつつもさらに高容量化してさらに多くの変数のテストが必要な素子製品を同時に多数個テストできるテストシステム及びテスト方法を提供する。
制限されたチャンネルの数を克服するために、本発明の実施の形態では一つの特定I/Oチャンネルに少なくとも2つまたはそれ以上のDUTの入出力(DQ)ピンを共通に連結させるところを提示する。これにより、多数のDUTに要求されるチャンネルの数は、実際多数のDUTのDQピンの数に比べて1/2以下に減少する。
この時、共通したDQピンを通じては二つDUTの出力データが共に出力されるので、この二つの出力データを個々のDUTに対する出力データとして特定して読み込むためにCS信号を利用して読み込もうとするDUTの出力データだけを読み込ませることができる。すなわち、CS信号によって出力される二つの出力データのうち何れか一つを選択するようにクロックを与えることによって特定出力データだけを選択して読み込ませることができる。
また、要求されるチャンネル数を節約するために、本発明の実施の形態ではまたDUTのCLKB信号のためのピンとVREF信号のためのDCを提供するためのピンとを一つのチャンネルに共通に連結させるものを提示する。すなわち、CLKBをVREFのような形態の信号として使用するものを提示する。
CLKB信号は、クロック(CLK)信号の反転信号であって、CLKとCLKBとのレベル交差地点をタイミングの基準地点として使用する。この時、CLKBがVREFのような形態の信号であっても、CLKとCLKBとのレベルの交差地点をタイミングの基準地点として使用できる。
このようにCLKBとVREFとのためのDUTのピンを共通させることによって、結局一つのチャンネルを余裕分として確保できる。
図1は、本発明の実施の形態によるテストシステム及びテスト方法を説明するために典型的なテストシステムを概略的に示す概略図である。図2は、本発明の実施の形態によるテストシステム及びテスト方法を説明するために概略的に示す図面である。図3は、図2の二つのDUTのDQピンを共通させるものを説明するために概略的に示す図面である。図4は、本発明の実施の形態によるCS信号提供による出力データリード方法を説明するために概略的に示すタイミング図である。図5A及び図5Bは、本発明の実施の形態によるCS信号を提供するためのチャンネルを連結するものを説明するために概略的に示す図面である。図6A及び図6Bは、本発明の実施の形態によるCLK及びCLKBによって具現される信号形態を説明するために概略的に示すタイミング図である。図7は、本発明の実施の形態によるテスト方法を説明するために概略的に示すフローチャートである。
図1を参照すれば、テスト装備10とDUT 100,200,300,400とは、チャンネル500,700,800によって電気的に連結されてDUT 100,200,300,400はテストされる。この時、DUT 100,200,300,400は、ソケットボード600またはインターフェースボードに装着されてテスト装備10によってテストされる。
図2を参照すれば、多数のDUT 100,200,300,400の特定ピンは、典型的なテスト装備の特定チャンネルに共通に連結される。例えば、4つのDUT100,200,300,400が縦横に配置され、その特定DQピンまたは制御入力ピンが相互間で共通に連結されて特定チャンネルに連結される。このような配置及び連結は、多数回反復されうる。
例えば、A縦列の第1横列に位置する第1DUT 100の第1ピン110とB縦列の第1横列に位置する第2DUT 200の第1ピン210、A縦列の第2横列に位置する第3DUT 300の第1ピン310とB縦列の第2横列に位置する第4DUT 400の第1ピン410は、何れもDUTにCLK信号を提供するためのものであって、相互間に共通して一つのドライブチャンネルに共通に連結されても良いので、何れも共通に連結される。追加のDUTをさらに配置しても同様である。また、DUT 100,200,300,400のアドレスADDR信号のための第2ピン120,220,320,420は、一つのチャンネルに共通に連結されても良いので、何れも共通に連結される。
データの入力及び出力DQ/DQSのためのデータDQピンは、横方向に隣接するDUT同士で共通に連結または短絡されうる。すなわち、第1DUT 100の入出力のための第3ピン130は、第2DUT 200の第3ピン230に共通し、第3DUT 300の第3ピン330は第4DUT 400の第3ピン430に共通する。このように隣接する2つのDUT 100と200または300と400がI/O信号チャンネル500を共通に利用することによって実質的に要求されるI/O信号チャンネル500の数は1/2に減らせる。
すなわち、DUT 100,200,300,400が×16製品である場合、DQピンはDUT当り16個となる。したがって、DQピンが共通または短絡されていない場合、DUT当り16個のI/O信号チャンネル500が要求される。しかし、前記のようにDQピンが共通または短絡される場合、共通する数に比例して要求されるI/O信号チャンネル500の数を減らせる。この時、DQピンを通じて出力される出力データを特定することが問題になるが、これに対する解決方法については以後に詳細に説明する。
この時、縦方向に隣接するDUT同士ではこのようなデータDQピンは共通していない。例えば、第1DUT 100のI/Oのための第3ピン130は、第3DUT 300の第3ピン330とは独立的であり、第2DUT 200の第3ピン230は第4DUT 400の第3ピン430に独立的になる。したがって、第1DUTの第3ピン130と第2DUTの第3ピン230とに共通するI/O信号チャンネル500及び第3DUTの第3ピン330と第4DUTの第3ピン430とに共通するI/O信号チャンネル500は別個に導入される。
隣接する2つのDUT100と200または300と400は、図3に示されたようにDQピンが共通して何れか一つのチャンネル、例えば、I/O信号チャンネル500に連結されうる。したがって、図2に示された第3ピン130,230,330,430は、それぞれのDUT 100,200,300,400内で要求されるDQピンをそれぞれ代表すると理解することが望ましい。
図2と共に図3を参照すれば、隣接する第1DUT 100と第2DUT 200とのDQピン、すなわち、第3ピン130,230を一つのI/O信号チャンネル500に共通させる。これにより、2つのDQピン130,230が一つのI/O信号チャンネル500を共通使用するので、要求される全体I/O信号チャンネル500の数を1/2に減らせる。これは、すなわち、さらに多くの数のDUTを同時にテストできることを意味する。
一方、このような何れか一つの第1DUT 100のI/Oのための第3ピン130と第2DUT 200のI/Oのための第3ピン230とを対応するように2つずつ共通または短絡させることは、第1DUT 100及び第2DUT 200がテストのために装着されるソケットボード600またはインターフェースボード内で導線605の連結や別途の回路基板の導入で具現されうる。
しかし、データ入出力のための第3ピン130及び230を2つずつ共通または短絡させれば、第3ピン130及び230を通じて出力される出力データは二つが同時に存在する。テストのためにはこのような二つの信号を分離して特定させなければならない。CS信号は、チップ、すなわち、DUTを選択するので、このような選択によって相互共通した第3ピン130及び230は特定されうる。
したがって、第1CS信号を提供するための第1CS信号チャンネル701は、第1DUT 100の第4ピン140に連結され、これと別個に独立的な第2CS信号チャンネル705が第2DUT 200の第4ピン240に連結される。結局、第1及び第2CS信号チャンネル701,705は、チップ、すなわち、第1DUT 100をこれとI/O信号チャンネル500とを共通に使用する第2DUT 200と区分して選択するための第1及び第2CS信号を提供するために導入される。
図4を参照すれば、第1DUT 100と第2DUT 200とは、同じI/O信号チャンネル500を通じて同時に出力される。したがって、何れか一つの信号を特定しようとすれば、二つの信号のうち一つをブロッキングし、他の一つを活性化させる過程が要求される。これは当該DUT 100及び200の第4ピン140及び240に各々別個に独立的に連結されるCS信号チャンネル701,705によって提供される第1及び第2CS信号によってなされうる。すなわち、図4に示されたようにCS信号のチップ(またはDUT)選択によって何れか一つはブロッキングされる。
すなわち、CS信号によって選択される信号以外の他の信号は、高いインピーダンス状態を有する。図4に示されたように、CS信号による選択によって第1DUT 100と第2DUT 200とがデータ区別されて特定されるように唯一出力信号として出力される。
図2を再び参照すれば、CS信号チャンネル701または705は、相互間にI/O信号チャンネル500を共通していないDUTには共通するように連結されうる。図2で、第1DUT 100の第4ピン140と第3DUT 300の第4ピン340とは同じ第1CS信号チャンネル701に共通に連結されうる。また、第2DUT 200の第4ピン240と第4DUT 400の第4ピン440とは同じ第2CS信号チャンネル705に共通に連結されうる。
第1DUT 100と第3DUT 300とが同じ第1CS信号チャンネル701に共通に連結されても、第1DUT 100と第3DUT 300との入出力のための第3ピン130,330は相異なるI/O信号チャンネル500に連結される。したがって、出力信号は重複されずに特定されて相互区別される出力信号がそれぞれのI/O信号チャンネル500に出力される。これは、結局、一つのCS信号チャンネル701または705に多数個のDUTが共通しうるということを意味する。
一方、このようにCS信号チャンネル701または705を導入する場合、テストに要求されるチャンネルの数は増加できる。
図5Aを参照すれば、図5AのCLKB信号のための第5ピン150に連結されるチャンネル700’をCS信号チャンネル700に転用することによって、このような必要チャンネル数の増加を抑制できる。
DDR SDRAM素子の場合、データを入出力するためにCLKB信号はCLK信号の反転信号であってCLKとCLKBとのレベル交差地点をタイミングの基準地点として使用する。この時、CLKBがVREFのような形態の信号であってもCLKとCLKBとのレベル交差地点をタイミングの基準地点として使用できる。したがって、図5Bに提示されたようにDUT 100のCLKB信号を提供するための第5ピン150をCLK信号の基準として利用されるVREF信号を提供するためのDUT 100の第6ピン160に共通させて同じチャンネル、例えば、DCを提供するのためのDCチャンネル800に共通に連結させうる。すなわち、CLKBとVREF信号とを同じ形態で提供する。これにより、図5AでCLKBのための第5ピン150に連結されたチャンネル700’は余裕分として残る。
図6A及び図6Bを参照すれば、図5Aに示されたようにCLKと別途の独立的なCLKB信号を提供する場合、図6Aに示されたようなタイミング図となる。この時、CLKとCLKBとのレベル交差地点が検出されるにつれてDDR SDRAMが作動する。図5BのようにCLKBとVREF信号とを共通させた時は、図6Bに示されたようなタイミング図となる。この時、検出されるCLKとCLKBとのレベル交差地点は、図6Aに示された別途の独立的なCLKB信号を提供した場合と同じ時間位置で検出される。したがって、DUTのDDR SDRAMの動作には影響を及ぼさない。
また、図2を参照すれば、DCチャンネル800は、同じ第1DUT 100内でのCLKB信号のための第5ピン150とVREF信号のための第6ピン160とに共通に連結されるだけでなく、隣接する第2DUT 200のCLKB信号のための第5ピン250とVREF信号のための第6ピン260とに共通に連結されうる。この時、第2DUT 200は、第1DUT 100とI/O信号チャンネル500とを共通に使用する関係であることが望ましい。同様に、相互間にI/O信号チャンネル500を共通に使用している関係である、第3DUT 300と第4DUT 400とはCLKB信号のための第5ピン350,450とVREF信号のための第6ピン360,460とが共通に同じDCチャンネル800に連結されうる。
一方、第1選択電圧VS1のためのチャンネルは、第1DUT 100のVDDのための第7ピン170に連結される。また、第2選択電圧VS2のためのチャンネルは、I/O信号チャンネル500に対して共通関係ではない第3DUT 300のVDDのための第7ピン370に連結される。第1DUT 100とI/O信号チャンネル500とに対して共通関係にある第2DUT 200のVDDのための第7ピン270にもVS1のためのチャンネルが連結される。この時、第1DUT 100の第7ピン170に対してスイッチング関係で連結される。これは、第4DUT 400の第7ピン470がVS2のためのチャンネルに連結される場合にも同様である。この時、第1DUT 100または第3DUT 300の第7ピン170または370へのVS1またはVS2は、デフォルトON状態で提供される。そして、VDDQのためのDUT 100,200,300,400の第8ピン180,280,380,480には共通に第3選択電圧VS3のためのチャンネルが連結される。
図7を参照すれば、本発明の実施の形態によるテスト方法は、まず、テスト準備を行う(図7の71)。すなわち、図2及び図3を参照して説明したように、隣接する第1DUT 100のDQピンである第3ピン130と第2DUT 200のDQピンである第3ピン230のピン数の1/2に該当されるI/O信号チャンネル500を第3ピン130及び230に連結させる。この時、本発明の概念を拡張してさらに少ない数のI/O信号チャンネル500だけを利用することもある。そして、I/O信号チャンネル500に第3ピン130及び230は、図3に示されたようにI/O信号チャンネル500に連結された第3ピン130及び230と共通または短絡させる。そして、CS信号をDUTに提供するためにCS信号チャンネル(図1の700)を第1及び第2DUT 100,200の第4ピン140または240に各々連結させる。
この時、個々のCS信号チャンネル701または705を共通に使用できるように図2に示されたように第3DUT 300及び第4DUT 400を導入できる。このような場合、DUT 100,200,300,400のテストに要求されるI/Oチャンネルの数はさらに減少されうることは明らかである。
以後に、DUT 100,200,300,400に書き込み動作を行う(図7の73)。この時、書き込み動作は、4つのDUT 100,200,300,400に同時に行われうる。これは個々のDUTを特定する必要がないためである。
次いで、CS信号によって選択される何れか一つまたは二つのDUTから特定されて唯一の出力データを読み込む動作を行う(75)。このようなCS信号によって共通したDQピンから出力データ信号を特定することは、図4を参照して説明したように行われうる。一つのCS信号チャンネル701または705に二つのDUT100及び300または200及び400が共通した場合に、二つのDUTから同時にリード動作を行える。
以上、本発明を×16である製品をテストする場合を例として説明したが、×4または×8の製品にも適用できる。また、二つのDQピンを共通または短絡することを例としたが、その以上のDQピンを共通または短絡することも可能である。
また、以上では、本発明を具体的な実施の形態を通じて詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の技術的思想内で当業者によってその変形や改良が可能であることは明らかである。
本発明は集積回路素子、例えば、メモリ素子を多数個一括テストするのに使用されうる。
本発明の実施の形態によるテストシステム及びテスト方法を説明するために典型的なテストシステムを概略的に示す概略図である。 本発明の実施の形態によるテストシステム及びテスト方法を説明するために概略的に示す図面である。 図2の二つのDUTのDQピンを共通させるところを説明するために概略的に示す図面である。 本発明の実施の形態によるCS信号提供による出力データのリード方法を説明するために概略的に示すタイミング図である。 本発明の実施の形態によるCS信号を提供するためのチャンネルを連結するところを説明するために概略的に示す図面である。 本発明の実施の形態によるCS信号を提供するためのチャンネルを連結するところを説明するために概略的に示す図面である。 本発明の実施の形態によるCLK及びCLKBによって具現される信号形態を説明するために概略的に示すタイミング図である。 本発明の実施の形態によるCLK及びCLKBによって具現される信号形態を説明するために概略的に示すタイミング図である。 本発明の実施の形態によるテスト方法を説明するために概略的に示すフローチャートである。
符号の説明
10 テスト装備
100 DUT
130 DQピン
140 CSピン
500 I/O信号チャンネル
700 CSチャンネル
800 DCチャンネル

Claims (18)

  1. 多数の被試験素子と、
    前記被試験素子の入出力信号のためのピンに共通に連結される入出力信号チャンネルと、
    前記共通する入出力信号チャンネルを通じて共に出力される出力データのうち何れか一つの出力データを特定するために前記被試験素子にチップ選択信号を提供するチップ選択信号チャンネルと、
    前記入出力信号チャンネル及び前記チップ選択信号チャンネルを通じて前記被試験素子をテストするテスト装備と、
    を含むことを特徴とする多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  2. 前記被試験素子は、メモリ素子製品であることを特徴とする請求項1に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  3. 何れか一つの前記ピンは、前記入出力信号チャンネルに直接的に連結され、他の一つの前記ピンは前記直接的に連結されるピンに短絡されることを特徴とする請求項1に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  4. 前記直接的に連結されるピンと短絡されるピンとは相異なる被試験素子に属することを特徴とする請求項3に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  5. 前記入出力信号チャンネルの数は、何れか一つの前記被試験素子の入出力信号のためのピンの数に対して1/2以下の数であることを特徴とする請求項1に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  6. 前記被試験素子のクロックバー信号のためのピン及び基準電圧のためのピンに共通に連結される直流電流チャンネルをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  7. 前記直流電流チャンネルは、前記入出力信号チャンネルに共通する前記被試験素子の前記クロックバー信号のためのピン及び前記基準電圧のためのピンに共通に連結されることを特徴とする請求項6に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  8. 前記チップ選択チャンネルの数は、前記入出力信号チャンネルに共通する前記被試験素子の数に依存することを特徴とする請求項1に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  9. 前記チップ選択チャンネルに共通するが、前記共通する入出力信号チャンネルに共通していない第2の被試験素子をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム。
  10. 一つの入出力信号チャンネルに入出力信号のためのピンが共通し、前記共通する入出力信号チャンネルを通じて共に出力される出力データのうち何れか一つの出力データを特定するためにチップ選択信号を提供するチップ選択信号チャンネルがそれぞれ連結される少なくとも二つの被試験素子を準備する段階と、
    前記共通する入出力信号チャンネルを通じて前記チップ選択信号によって特定された何れか一つの出力データを前記チップ選択信号によって選択された何れか一つの前記被試験素子から読み込む段階と、
    を含むことを特徴とする多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  11. 前記準備段階は
    何れか一つの前記ピンを前記入出力信号チャンネルに直接的に連結させ、他の一つの前記ピンは前記直接的に連結されるピンに短絡させる段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  12. 前記直接的に連結されるピンと短絡されるピンとは相異なる被試験素子に属することを特徴とする請求項11に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  13. 前記準備段階は、
    前記被試験素子のクロックバー信号のためのピン及び基準電圧のためのピンに直流電流を提供するための直流電流チャンネルを共通に連結させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  14. 前記直流電流チャンネルは、前記入出力信号チャンネルに共通する前記被試験素子の前記クロックバー信号のためのピン及び前記基準電圧のためのピンにだけ共通に連結されることを特徴とする請求項13に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  15. 前記準備段階は、
    前記チップ選択チャンネルに共通するが、前記共通する入出力信号チャンネルに共通していない第2の被試験素子をさらに導入する段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  16. 前記リード段階で、
    前記共通する入出力信号チャンネルとは異なる入出力信号チャンネルを通じて前記チップ選択信号によって特定された何れか一つの出力データを前記第2被試験素子から読み込む段階が共に行われることを特徴とする請求項15に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  17. 前記チップ選択信号は、前記共通する入出力信号チャンネルの出力データのうち選択された出力データ以外の出力データを高いインピーダンス状態により前記選択された出力データだけが前記共通する入出力信号チャンネルに出力されるように作用することを特徴とする請求項10に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
  18. 前記リード段階以前に、
    前記被試験素子に共通に書き込み動作を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の多数の被試験素子を並列に検査するテスト方法。
JP2004151929A 2003-05-26 2004-05-21 多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム及びテスト方法 Pending JP2004355796A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0033348A KR100505686B1 (ko) 2003-05-26 2003-05-26 다수의 피시험 소자들을 병렬로 검사하는 테스트 시스템및 테스트 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004355796A true JP2004355796A (ja) 2004-12-16

Family

ID=33448249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004151929A Pending JP2004355796A (ja) 2003-05-26 2004-05-21 多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム及びテスト方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7012443B2 (ja)
JP (1) JP2004355796A (ja)
KR (1) KR100505686B1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796246A (en) * 1996-05-29 1998-08-18 Texas Instruments Incorporated Test board and process of testing wide word memory parts
JPH11502353A (ja) * 1995-03-17 1999-02-23 エーイーエイチアール テスト システムズ メモリプログラミング素子を試験する方法及びシステム
JP2001176293A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Nec Kansai Ltd 半導体メモリの検査方法及び検査装置
JP2001176269A (ja) * 1999-10-18 2001-06-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> アドレス指定可能メモリ素子のアドレス・ラップ機能
JP2001516121A (ja) * 1997-09-09 2001-09-25 テラダイン・インコーポレーテッド 低コスト・高度並列メモリ・テスタ
JP2001351381A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp クロック発生回路およびそれを備える半導体記憶装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4244048A (en) * 1978-12-29 1981-01-06 International Business Machines Corporation Chip and wafer configuration and testing method for large-scale-integrated circuits
US4947357A (en) * 1988-02-24 1990-08-07 Stellar Computer, Inc. Scan testing a digital system using scan chains in integrated circuits
US5623202A (en) * 1994-09-26 1997-04-22 United Microelectronics Corporation Testing multiple IC in parallel by a single IC tester
US5994912A (en) * 1995-10-31 1999-11-30 Texas Instruments Incorporated Fault tolerant selection of die on wafer
KR100294021B1 (ko) * 1998-09-08 2001-07-12 윤종용 메모리모듈의테스트장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11502353A (ja) * 1995-03-17 1999-02-23 エーイーエイチアール テスト システムズ メモリプログラミング素子を試験する方法及びシステム
US5796246A (en) * 1996-05-29 1998-08-18 Texas Instruments Incorporated Test board and process of testing wide word memory parts
JP2001516121A (ja) * 1997-09-09 2001-09-25 テラダイン・インコーポレーテッド 低コスト・高度並列メモリ・テスタ
JP2001176269A (ja) * 1999-10-18 2001-06-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> アドレス指定可能メモリ素子のアドレス・ラップ機能
JP2001176293A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Nec Kansai Ltd 半導体メモリの検査方法及び検査装置
JP2001351381A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp クロック発生回路およびそれを備える半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100505686B1 (ko) 2005-08-03
US20040239361A1 (en) 2004-12-02
US7012443B2 (en) 2006-03-14
KR20040101659A (ko) 2004-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6711075B2 (en) Semiconductor wafer, semiconductor chip, and manufacturing method of semiconductor device
JP5579972B2 (ja) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のテスト方法
JP3708641B2 (ja) 半導体メモリ装置のテスト方法
US20090296504A1 (en) Semiconductor memory device and method of testing semiconductor memory device
JP4870325B2 (ja) テストモードのために選択的にイネーブルされる出力回路を有するメモリ装置及びそのテスト方法
US6823485B1 (en) Semiconductor storage device and test system
WO2006063850A2 (en) Random access memory having test circuit with test data compression
KR20120068620A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 테스트 방법
KR100211184B1 (ko) 반도체 기억장치
US20130265831A1 (en) Semiconductor device having plural data input/output terminals
US7948912B2 (en) Semiconductor integrated circuit with test mode
US7251762B2 (en) On-chip sampling circuit and method
JP2004355796A (ja) 多数の被試験素子を並列に検査するテストシステム及びテスト方法
US8036055B2 (en) Semiconductor storage device
JP2010003388A (ja) 半導体記憶装置およびそのテスト方法
US6795943B2 (en) Semiconductor device with test mode
KR20040089188A (ko) 상대 어드레스 방식으로 모든 메모리 셀들의 액세스가가능하게 하는 반도체 메모리 장치
US20050096876A1 (en) Semiconductor test apparatus and method thereof and multiplexer and method thereof
KR100537115B1 (ko) 반도체 기억 장치
KR100491052B1 (ko) 시스템온칩 시험 회로 및 시험 방법
US8310881B2 (en) Semiconductor device testing memory cells and test method
US7685483B1 (en) Design features for testing integrated circuits
JP3654013B2 (ja) 半導体装置及びそのテスト方法
KR100324018B1 (ko) 반도체메모리와그의멀티비트테스트방법
US7743291B2 (en) Semiconductor memory device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100413