JP2004349466A - 撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】撮像素子の割れあるいは電極下の絶縁膜の破損などといった不具合を生じさせることなく、撮像素子の電極とパッケージの電極との間のワイヤボンディングを行うことができる撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子1がパッケージ4に湾曲して固定された撮像装置の製造プロセスにおいては、まず撮像素子1の電極2の上にめっき等によりバンプ3を形成する。続いて、撮像素子1を、電極2が形成された広がり面とは反対側の広がり面側から、厚さが10〜50μmになるまで薄膜化する。次に、薄膜化された撮像素子1を、接着剤6により、パッケージ4の凹部5に、凹状に湾曲した状態で固定する。この後、バンプ3とパッケージ4の電極7とを、ワイヤボンディングにより、ワイヤ8で電気的に接続する。
【選択図】 図1
【解決手段】撮像素子1がパッケージ4に湾曲して固定された撮像装置の製造プロセスにおいては、まず撮像素子1の電極2の上にめっき等によりバンプ3を形成する。続いて、撮像素子1を、電極2が形成された広がり面とは反対側の広がり面側から、厚さが10〜50μmになるまで薄膜化する。次に、薄膜化された撮像素子1を、接着剤6により、パッケージ4の凹部5に、凹状に湾曲した状態で固定する。この後、バンプ3とパッケージ4の電極7とを、ワイヤボンディングにより、ワイヤ8で電気的に接続する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結像レンズと、パッケージに固定された撮像素子とを有する撮像装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子を用いた撮像装置は、例えば、カメラ付き携帯電話等の種々の携帯情報端末に幅広く用いられている。かかる撮像装置においては、被写体から出た光は、結像レンズ(撮像レンズ)および絞りを経由して、撮像素子の受光エリアに映像として投影され、この映像は撮像素子によって電気信号に変換され、出力される。
【0003】
この種の撮像装置においては、撮像素子の受光面(受光エリア)の中央部と周辺部とでは結像レンズまでの距離が異なるので、一般に像面湾曲と呼ばれるレンズの収差により、映像にひずみが生じる。そこで、従来は、撮像素子上に形成されたマイクロレンズをずらせて像面湾曲ないしはレンズの収差をなくすなどといった対応がなされている。しかし、このような手法では、結像レンズの位置に応じて、その都度マイクロレンズの位置をずらさなければならない。
【0004】
そこで、撮像素子を湾曲可能な厚さまで薄膜化し、接着剤等により、凹状の撮像素子保持部に湾曲した形状で固定することにより、像面湾曲ないしはレンズの収差の発生を防止するようにした撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1〜4参照)。
【0005】
このように、撮像素子を湾曲させて凹面状に固定すれば、受光エリアでの像面湾曲ないしはレンズの収差がなくなるので、画像の中心部と周辺部とで焦点ずれが生じなくなり、撮像素子を平面状に保持した場合に比べて、画質が良くなる。具体的には、例えば、特許文献1にかかる撮像装置ないしはその製造方法では、撮像素子を約30μmの厚さに薄く研磨し、底面を凹面状に湾曲させたパッケージの凹部に撮像素子を押し付けて接着剤で固定し、撮像素子上の電極とパッケージの電極とをワイヤボンダを用いて金ワイヤで接合する。次に、パッケージの上部にカバーガラスを取り付け、撮像素子を密封する。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−156278号公報(段落[0012]、図2)
【特許文献2】
特開2001−284564号公報(段落[0033]、図7)
【特許文献3】
特開平01−202989号公報(第2頁、第1図)
【特許文献4】
特開平10−108078号公報(段落[0017]、図1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、接着剤を用いて、パッケージの凹部に撮像素子を湾曲させて固定した従来のこの種の撮像装置では、撮像素子が非常に薄いので、ワイヤボンディング時に先端が球状になったワイヤを、撮像素子上の電極に押し付けると、撮像素子が大きく変形して割れることがあるといった問題がある。
【0008】
すなわち、従来のこの種の撮像装置では、撮像素子上の電極とパッケージの電極とを電気的に接続するワイヤボンディングは、ワイヤ(通常は金線)の先端の球(ボール)を撮像素子の電極に押し当てた状態で超音波振動を印加し、界面に発生する摩擦熱により金属(金)の固相拡散を誘引してワイヤと電極との接合を行うといった手順で行うようにしている。このようなワイヤボンディングを行う場合、一般的には、撮像素子を200℃程度まで加熱することにより、固相拡散を起こし易くしている。しかし、この種の撮像装置では、薄い撮像素子上に形成されたマイクロレンズの耐熱性が低いので、このような加熱を行うことは困難である。
【0009】
このため、この種の撮像装置では、ワイヤの押し付け荷重と超音波振動とを強くし、固相拡散を生じさせる熱エネルギーを発生させる必要がある。しかし、押し付け荷重を大きくすると、ワイヤの先端が球状になっていることから、撮像素子上の電極の応力が大きくなり、薄い撮像素子が割れてしまうといった問題が生じる。一方、超音波振動を強くすると、電極下の絶縁膜が破損し、リーク電流が大きくなるといった問題が生じる。
【0010】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、撮像素子の割れあるいは電極下の絶縁膜の破損などといった不具合を生じさせることなく、撮像素子の電極とパッケージの電極との間のワイヤボンディングを行うことができる、パッケージの凹部に撮像素子が湾曲状態で固定された撮像装置の製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた本発明にかかる撮像素子の製造方法は、(i)被写体から出た光を結像させる結像レンズと、該結像レンズによって結像された映像が受光面に投影される撮像素子と、該撮像素子を固定するパッケージとを備えた撮像装置の製造方法において、(ii)撮像素子の電極の上にバンプ(突起電極)を形成する工程と、(iii)撮像素子を、前記電極が形成された面とは反対側の面側から薄くする(薄膜化する)工程と、(iv)薄くなった(薄膜化された)撮像素子を、パッケージの凹部に湾曲した状態で固定する工程と、(v)バンプとパッケージの電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の実施の形態を具体的に説明する。図1(a)〜図1(d)は、本発明の実施の形態にかかる撮像装置ないしはその製造プロセス(製造方法)を示す図(立面断面図)である。また、図2は、この撮像装置の製造プロセスにおいて、撮像素子の電極上のバンプにワイヤボンディングを行う際のボンディング手法を示す図(斜視図)である。
【0013】
図1(d)に示すように、この撮像装置は、被写体から出た光を結像させる結像レンズ(図示せず)と、該結像レンズによって結像された映像がその受光面に投影される撮像素子1と、該撮像素子1を固定するパッケージ4とを備えている。そして、撮像素子1は湾曲可能な厚さまで薄膜化され、その受光面が結像レンズと対向するようにして、接着剤6によりパッケージ4の凹部5に、凹状に湾曲した状態で固定されている。撮像素子1の受光面側の広がり面には、複数の電極2が設けられ、各電極2上にはバンプ3が形成されている。一方、パッケージ4には、複数の電極7が設けられている。そして、撮像素子1の各電極2は、それぞれワイヤ8を介して、対応するパッケージ4の電極7に電気的に接続されている。
【0014】
この撮像装置では、撮像素子1が結像レンズに向かって凹面状となるように湾曲した状態でパッケージ4の凹部5に固定されているので、像面湾曲ないしはレンズの収差の発生が有効に防止される。このため、撮像素子1の受光面上の映像の中心部と周辺部とで焦点ずれが生じなくなり、良好な画質が得られる。
【0015】
以下、図1(a)〜図1(d)を参照しつつ、この撮像装置の製造プロセスを説明する。
この撮像装置1の製造プロセスにおいては、まず、図1(a)に示すように、撮像素子1の電極2の上に、バンプ3(突起電極)を形成する。ここで、バンプ3は、メッキまたはバンプボンダにより形成する。バンプ3の金属材料としては、金または銅を用いる。
【0016】
続いて、図1(b)に示すように、撮像素子1を、電極2ないしは受光面が形成された方の広がり面とは反対側の広がり面側から薄膜化する。すなわち、撮像素子1を、凹面状に湾曲しやすくするため、厚さが10〜50μmになるまで薄くする。撮像素子1を薄膜化するための加工手法としては、化学エッチング、研磨またはドライエッチングなどを用いることができる。
【0017】
次に、図1(c)に示すように、接着剤6により、薄膜化された撮像素子1を電極2ないしは受光面が形成された広がり面とは反対側の広がり面が凹部5と対向するようにして、パッケージ4の凹部5に固定する。なお、パッケージ4には電極7が形成されている。接着剤6としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂系の接着剤を用いる。これらの樹脂は、比較的低温で硬化可能であるので、接着時に、撮像素子1上に設けたマイクロレンズ(図示せず)にダメージを与えるおそれはない。
【0018】
この後、図1(d)に示すように、各バンプ3と、これに対応するパッケージ4の電極7とを、ワイヤボンダを用いて、ワイヤ8で電気的に接続する。
図2は、このワイヤボンディング工程において、バンプ3にワイヤボンディングを行う状態を示している。図2に示すように、この工程では、撮像素子1の電極2上の、めっきにより形成されたバンプ3に、キャピラリ9に保持された、金線からなるワイヤ8の先端の球10(ボール)を押し付け、キャピラリ9ないし球10に超音波振動11を印加する。この超音波振動11により、球10とバンプ3との界面に摩擦熱が発生し、この熱により金の固相拡散が誘引され、ワイヤ8ないしは球10とバンプ3電極とが接合される。なお、バンプ3は、ワイヤ8よりも硬い材料で形成されている。
【0019】
このワイヤボンディング工程では、バンプ3の表面が平坦であるので、バンプ3と、ワイヤ8ないしその先端の球10との接触面積が大きくなり、十分な接合力が得られる。また、ワイヤボンディングは、薄い撮像素子1の電極2上に形成されたバンプ2に対して行われるが、バンプ3は厚いので、ワイヤ8の先端の球10がバンプに押し付けられたときには、バンプ3が変形してこの押圧力を吸収する。したがって、撮像素子1が損傷することはない。
なお、撮像素子1の受光面に投影された映像が撮像素子1によって光電変換されて生成された電気信号は、ワイヤ8を介して出力される。
【0020】
【発明の効果】
本発明によれば、撮像素子の電極とパッケージの電極とのワイヤボンディングは、薄い撮像素子の電極2に形成されたバンプに対して行われる。ここで、バンプは撮像素子に比べて厚いので、ワイヤの先端のがバンプに押し付けられたときには、バンプがこの押圧力を吸収する。このため、撮像素子の損傷を防止することができる。よって、撮像素子の割れあるいは電極下の絶縁膜の破損などといった不具合を生じさせることなく、撮像素子の電極とパッケージの電極との間のワイヤボンディングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は、本発明の実施の形態にかかる撮像装置ないしはその製造プロセスを示す図である。
【図2】撮像装置の製造プロセスにおいて、撮像素子の電極上のバンプにワイヤボンディングを行う際のボンディング手法を示す図である。
【符号の説明】
1 撮像素子、 2 撮像素子の電極、 3 バンプ、 4 パッケージ、 5 凹部、 6 接着剤、 7 パッケージの電極、 8 ワイヤ、 9 キャピラリ、 10 ワイヤの先端の球、 11 超音波振動。
【発明の属する技術分野】
本発明は、結像レンズと、パッケージに固定された撮像素子とを有する撮像装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子を用いた撮像装置は、例えば、カメラ付き携帯電話等の種々の携帯情報端末に幅広く用いられている。かかる撮像装置においては、被写体から出た光は、結像レンズ(撮像レンズ)および絞りを経由して、撮像素子の受光エリアに映像として投影され、この映像は撮像素子によって電気信号に変換され、出力される。
【0003】
この種の撮像装置においては、撮像素子の受光面(受光エリア)の中央部と周辺部とでは結像レンズまでの距離が異なるので、一般に像面湾曲と呼ばれるレンズの収差により、映像にひずみが生じる。そこで、従来は、撮像素子上に形成されたマイクロレンズをずらせて像面湾曲ないしはレンズの収差をなくすなどといった対応がなされている。しかし、このような手法では、結像レンズの位置に応じて、その都度マイクロレンズの位置をずらさなければならない。
【0004】
そこで、撮像素子を湾曲可能な厚さまで薄膜化し、接着剤等により、凹状の撮像素子保持部に湾曲した形状で固定することにより、像面湾曲ないしはレンズの収差の発生を防止するようにした撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1〜4参照)。
【0005】
このように、撮像素子を湾曲させて凹面状に固定すれば、受光エリアでの像面湾曲ないしはレンズの収差がなくなるので、画像の中心部と周辺部とで焦点ずれが生じなくなり、撮像素子を平面状に保持した場合に比べて、画質が良くなる。具体的には、例えば、特許文献1にかかる撮像装置ないしはその製造方法では、撮像素子を約30μmの厚さに薄く研磨し、底面を凹面状に湾曲させたパッケージの凹部に撮像素子を押し付けて接着剤で固定し、撮像素子上の電極とパッケージの電極とをワイヤボンダを用いて金ワイヤで接合する。次に、パッケージの上部にカバーガラスを取り付け、撮像素子を密封する。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−156278号公報(段落[0012]、図2)
【特許文献2】
特開2001−284564号公報(段落[0033]、図7)
【特許文献3】
特開平01−202989号公報(第2頁、第1図)
【特許文献4】
特開平10−108078号公報(段落[0017]、図1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、接着剤を用いて、パッケージの凹部に撮像素子を湾曲させて固定した従来のこの種の撮像装置では、撮像素子が非常に薄いので、ワイヤボンディング時に先端が球状になったワイヤを、撮像素子上の電極に押し付けると、撮像素子が大きく変形して割れることがあるといった問題がある。
【0008】
すなわち、従来のこの種の撮像装置では、撮像素子上の電極とパッケージの電極とを電気的に接続するワイヤボンディングは、ワイヤ(通常は金線)の先端の球(ボール)を撮像素子の電極に押し当てた状態で超音波振動を印加し、界面に発生する摩擦熱により金属(金)の固相拡散を誘引してワイヤと電極との接合を行うといった手順で行うようにしている。このようなワイヤボンディングを行う場合、一般的には、撮像素子を200℃程度まで加熱することにより、固相拡散を起こし易くしている。しかし、この種の撮像装置では、薄い撮像素子上に形成されたマイクロレンズの耐熱性が低いので、このような加熱を行うことは困難である。
【0009】
このため、この種の撮像装置では、ワイヤの押し付け荷重と超音波振動とを強くし、固相拡散を生じさせる熱エネルギーを発生させる必要がある。しかし、押し付け荷重を大きくすると、ワイヤの先端が球状になっていることから、撮像素子上の電極の応力が大きくなり、薄い撮像素子が割れてしまうといった問題が生じる。一方、超音波振動を強くすると、電極下の絶縁膜が破損し、リーク電流が大きくなるといった問題が生じる。
【0010】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、撮像素子の割れあるいは電極下の絶縁膜の破損などといった不具合を生じさせることなく、撮像素子の電極とパッケージの電極との間のワイヤボンディングを行うことができる、パッケージの凹部に撮像素子が湾曲状態で固定された撮像装置の製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた本発明にかかる撮像素子の製造方法は、(i)被写体から出た光を結像させる結像レンズと、該結像レンズによって結像された映像が受光面に投影される撮像素子と、該撮像素子を固定するパッケージとを備えた撮像装置の製造方法において、(ii)撮像素子の電極の上にバンプ(突起電極)を形成する工程と、(iii)撮像素子を、前記電極が形成された面とは反対側の面側から薄くする(薄膜化する)工程と、(iv)薄くなった(薄膜化された)撮像素子を、パッケージの凹部に湾曲した状態で固定する工程と、(v)バンプとパッケージの電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の実施の形態を具体的に説明する。図1(a)〜図1(d)は、本発明の実施の形態にかかる撮像装置ないしはその製造プロセス(製造方法)を示す図(立面断面図)である。また、図2は、この撮像装置の製造プロセスにおいて、撮像素子の電極上のバンプにワイヤボンディングを行う際のボンディング手法を示す図(斜視図)である。
【0013】
図1(d)に示すように、この撮像装置は、被写体から出た光を結像させる結像レンズ(図示せず)と、該結像レンズによって結像された映像がその受光面に投影される撮像素子1と、該撮像素子1を固定するパッケージ4とを備えている。そして、撮像素子1は湾曲可能な厚さまで薄膜化され、その受光面が結像レンズと対向するようにして、接着剤6によりパッケージ4の凹部5に、凹状に湾曲した状態で固定されている。撮像素子1の受光面側の広がり面には、複数の電極2が設けられ、各電極2上にはバンプ3が形成されている。一方、パッケージ4には、複数の電極7が設けられている。そして、撮像素子1の各電極2は、それぞれワイヤ8を介して、対応するパッケージ4の電極7に電気的に接続されている。
【0014】
この撮像装置では、撮像素子1が結像レンズに向かって凹面状となるように湾曲した状態でパッケージ4の凹部5に固定されているので、像面湾曲ないしはレンズの収差の発生が有効に防止される。このため、撮像素子1の受光面上の映像の中心部と周辺部とで焦点ずれが生じなくなり、良好な画質が得られる。
【0015】
以下、図1(a)〜図1(d)を参照しつつ、この撮像装置の製造プロセスを説明する。
この撮像装置1の製造プロセスにおいては、まず、図1(a)に示すように、撮像素子1の電極2の上に、バンプ3(突起電極)を形成する。ここで、バンプ3は、メッキまたはバンプボンダにより形成する。バンプ3の金属材料としては、金または銅を用いる。
【0016】
続いて、図1(b)に示すように、撮像素子1を、電極2ないしは受光面が形成された方の広がり面とは反対側の広がり面側から薄膜化する。すなわち、撮像素子1を、凹面状に湾曲しやすくするため、厚さが10〜50μmになるまで薄くする。撮像素子1を薄膜化するための加工手法としては、化学エッチング、研磨またはドライエッチングなどを用いることができる。
【0017】
次に、図1(c)に示すように、接着剤6により、薄膜化された撮像素子1を電極2ないしは受光面が形成された広がり面とは反対側の広がり面が凹部5と対向するようにして、パッケージ4の凹部5に固定する。なお、パッケージ4には電極7が形成されている。接着剤6としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂系の接着剤を用いる。これらの樹脂は、比較的低温で硬化可能であるので、接着時に、撮像素子1上に設けたマイクロレンズ(図示せず)にダメージを与えるおそれはない。
【0018】
この後、図1(d)に示すように、各バンプ3と、これに対応するパッケージ4の電極7とを、ワイヤボンダを用いて、ワイヤ8で電気的に接続する。
図2は、このワイヤボンディング工程において、バンプ3にワイヤボンディングを行う状態を示している。図2に示すように、この工程では、撮像素子1の電極2上の、めっきにより形成されたバンプ3に、キャピラリ9に保持された、金線からなるワイヤ8の先端の球10(ボール)を押し付け、キャピラリ9ないし球10に超音波振動11を印加する。この超音波振動11により、球10とバンプ3との界面に摩擦熱が発生し、この熱により金の固相拡散が誘引され、ワイヤ8ないしは球10とバンプ3電極とが接合される。なお、バンプ3は、ワイヤ8よりも硬い材料で形成されている。
【0019】
このワイヤボンディング工程では、バンプ3の表面が平坦であるので、バンプ3と、ワイヤ8ないしその先端の球10との接触面積が大きくなり、十分な接合力が得られる。また、ワイヤボンディングは、薄い撮像素子1の電極2上に形成されたバンプ2に対して行われるが、バンプ3は厚いので、ワイヤ8の先端の球10がバンプに押し付けられたときには、バンプ3が変形してこの押圧力を吸収する。したがって、撮像素子1が損傷することはない。
なお、撮像素子1の受光面に投影された映像が撮像素子1によって光電変換されて生成された電気信号は、ワイヤ8を介して出力される。
【0020】
【発明の効果】
本発明によれば、撮像素子の電極とパッケージの電極とのワイヤボンディングは、薄い撮像素子の電極2に形成されたバンプに対して行われる。ここで、バンプは撮像素子に比べて厚いので、ワイヤの先端のがバンプに押し付けられたときには、バンプがこの押圧力を吸収する。このため、撮像素子の損傷を防止することができる。よって、撮像素子の割れあるいは電極下の絶縁膜の破損などといった不具合を生じさせることなく、撮像素子の電極とパッケージの電極との間のワイヤボンディングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は、本発明の実施の形態にかかる撮像装置ないしはその製造プロセスを示す図である。
【図2】撮像装置の製造プロセスにおいて、撮像素子の電極上のバンプにワイヤボンディングを行う際のボンディング手法を示す図である。
【符号の説明】
1 撮像素子、 2 撮像素子の電極、 3 バンプ、 4 パッケージ、 5 凹部、 6 接着剤、 7 パッケージの電極、 8 ワイヤ、 9 キャピラリ、 10 ワイヤの先端の球、 11 超音波振動。
Claims (2)
- 被写体から出た光を結像させる結像レンズと、該結像レンズによって結像された映像が受光面に投影される撮像素子と、該撮像素子を固定するパッケージとを備えた撮像装置の製造方法において、
撮像素子の電極の上にバンプを形成する工程と、
撮像素子を、前記電極が形成された面とは反対側の面側から薄くする工程と、
薄くなった撮像素子を、パッケージの凹部に湾曲した状態で固定する工程と、
前記バンプとパッケージの電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 前記バンプをめっきで形成することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003144694A JP2004349466A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003144694A JP2004349466A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349466A true JP2004349466A (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=33532085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003144694A Pending JP2004349466A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2004349466A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2003
- 2003-05-22 JP JP2003144694A patent/JP2004349466A/ja active Pending
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