JP2004336839A - 超電導磁気勾配浮上システム - Google Patents
超電導磁気勾配浮上システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004336839A JP2004336839A JP2003125539A JP2003125539A JP2004336839A JP 2004336839 A JP2004336839 A JP 2004336839A JP 2003125539 A JP2003125539 A JP 2003125539A JP 2003125539 A JP2003125539 A JP 2003125539A JP 2004336839 A JP2004336839 A JP 2004336839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- superconducting
- field generating
- generating coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
【課題】左右方向案内力を浮上力に対して過大にさせず、適宜な大きさに低減調整ができる超電導磁気勾配浮上システムを実現させる。
【解決手段】超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは熱的に接続されておらず、それぞれ第一冷凍機3、第二冷凍機8によって個別に冷却できるように構成されている。そして、超電導磁界発生コイル4を定格の起磁力に至る途中段階で一旦止めるのであるが、この段階までは磁気遮蔽体5を常電導状態に保持させておくため、第二冷凍機8の能力を低く調整して磁気遮蔽体5が超電導状態にならないようにする。磁気遮蔽体5の内部には、励磁された磁束が貫通しており、この段階で第二冷凍機8の冷凍能力を向上させて磁気遮蔽体5を超電導状態に遷移させると磁気遮蔽体5内に入った貫通磁束はそのままの形で捕捉保持される。その後、超電導磁界発生コイル4を定格の起磁力まで励磁する。
【選択図】図1
【解決手段】超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは熱的に接続されておらず、それぞれ第一冷凍機3、第二冷凍機8によって個別に冷却できるように構成されている。そして、超電導磁界発生コイル4を定格の起磁力に至る途中段階で一旦止めるのであるが、この段階までは磁気遮蔽体5を常電導状態に保持させておくため、第二冷凍機8の能力を低く調整して磁気遮蔽体5が超電導状態にならないようにする。磁気遮蔽体5の内部には、励磁された磁束が貫通しており、この段階で第二冷凍機8の冷凍能力を向上させて磁気遮蔽体5を超電導状態に遷移させると磁気遮蔽体5内に入った貫通磁束はそのままの形で捕捉保持される。その後、超電導磁界発生コイル4を定格の起磁力まで励磁する。
【選択図】図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超電導磁気勾配浮上システムの性能向上に関するものであり、特に磁気遮蔽体の磁気遮蔽機能に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の超電導磁気勾配浮上方式においては、例えば図3に示すように、強磁性体17のある空間内に、超電導磁界発生コイル14からの強力な磁場を、超電導材料にて構成された磁気遮蔽体15によって特殊な磁場勾配として生み出すことにより、当該空間内の強磁性体17(またはその反力を受ける超電導磁界発生コイル14側)を非接触でかつ安定的に浮上させるものであった。超電導磁界発生コイル14からの磁場を整形する役割の磁気遮蔽体15には、強力な磁界を受けても超電導が破れない、つまり磁気をほぼ完全に遮蔽するという機能が要求される。
【0003】
図3に示す従来構成例では、中央付近に強磁性体17を配置するための空洞部11を備えた低温容器12内に超電導磁界発生コイル14と磁気遮蔽体15が収容されている。そして、この磁気遮蔽体15は超電導材で構成されており、超電導状態にするためには冷却する必要があるため、冷凍機13(図中ではコールドヘッド部分のみ示す)によって冷却されている超電導磁界発生コイル14と磁気遮蔽体15とは熱良導体16で直結されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成の磁気遮蔽体15によって強力な磁界を遮蔽できるのであるが、その場合、強磁性体17との相互力である上下方向の「浮上力」と左右方向の「案内力」の比に関しては、一旦作ると固定されてしまい、調整することができなかった。なぜなら磁気遮蔽体15と超電導磁界発生コイル14は熱的に一体となっており、冷却時にはほぼ同時に超電導状態に到達するからである。
【0005】
そこで本発明は、左右方向案内力と上下方向浮上力の比について、案内力が過大な場合にそれを低減させ、浮上力を向上させて、両者の比を適宜な大きさに調整できる超電導磁気勾配浮上システムを実現させることを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するためになされた請求項1に係る超電導磁気勾配浮上システムは、磁場発生源と、低温容器内に収容され冷却手段によって冷却されて超電導状態に遷移する磁気遮蔽体と、を組み合わせて特殊な磁場分布空間を構成することにより鉄などの強磁性体との間に安定的な相互電磁力作用を作り出し、磁場発生源及び磁気遮蔽体を有するユニットあるいは強磁性体の何れか一方を浮上体として空間に浮上させるものである。ここで本発明の磁気遮蔽体は、磁場発生源から発生された磁束が常電導状態の磁気遮蔽体を所定量貫通した状態になった時点で、冷却手段によって磁気遮蔽体を常電導状態から超電導状態に遷移させるように構成されている。磁場発生源としては例えば請求項2に示すように磁界発生コイルを採用することができるが、その場合であれば、磁界発生コイルへの通電量を調整することによって、その磁界発生コイルから発生された磁束が磁気遮蔽体を貫通する量を調整することができる。
【0007】
つまり、磁気遮蔽体を常電導状態にして、磁界発生コイルへの通電量(電流値)を発生磁界が小さい段階で一度止めておく。この状態では磁気遮蔽体はまだ超電導状態ではないため、磁界発生コイルから発生された磁束が磁気遮蔽体の内部まで貫通する。この貫通する磁束が所定量の状態で磁気遮蔽体を冷却して超電導状態に遷移させると、いわゆる磁場中冷却の原理と同じで、ピン止め効果により内部の磁束は貫通したままの自然な姿で捕捉される。この後、磁界発生コイルへの通電電流値を増大させ励磁していき、定格の起磁力に到達させる。このとき磁気遮蔽体は超電導状態となり磁気遮蔽機能を発揮するようになっているため、大半の磁束は磁気遮蔽体によって遮蔽されるものの、その磁気遮蔽体の内部には前述した一部の磁束が入った形になっている。磁気遮蔽体の内部に捕捉される磁束量を調整することによって、超電導状態における磁気遮蔽体の磁気遮蔽効果を調整することができる。この結果、浮上力、案内力を適度な大きさに調整することができる。
【0008】
すなわち本発明では、従来構成と比較して、磁気遮蔽体の磁気遮蔽効果が少し弱まるものの、その効果は浮上力の向上と案内力の低減という調整機能にむしろ役立つ。そして、従来構成では初期励磁時から(不要な)大きな遮蔽電流が流れるため、結果的に過大剛性が必要となっていた磁気遮蔽体の構造に対しても、その必要がなくなり、薄くて軽量なものを使用できるという利点がある。
【0009】
また、請求項3に示すように、磁界発生コイルとして、低温容器内に磁気遮蔽体と共に収容された超電導磁界発生コイルを採用する場合には、磁気遮蔽体は超電導磁界発生コイルとは独立して温度調節が可能に構成すればよい。このように独立して温度調節が可能な構成であれば、超電導磁界発生コイルの方だけ超電導状態となるまで冷却して磁界発生をさせても、磁気遮蔽体の方は常電導状態に保持したままにすることができるため、上述した所定量の磁束を磁気遮蔽体に貫通させた状態にした後で、磁気遮蔽体を超電導状態に遷移させることが実現できる。
【0010】
なお、このような低温容器内に磁気遮蔽体と超電導磁界発生コイルが共に収容された状況で、両者を独立して温度調節が可能とするためには、例えば冷却手段としての冷凍機自体を個別に準備することが考えられる。また、冷凍機または冷媒により冷却されている超電導磁界発生コイルと磁気遮蔽体とを熱的に熱良導体で接続可能な構成を前提としながら、さらに、その熱良導体による熱的な接続の入り切りを切り替え可能な熱スイッチを付加し、さらに必要ならば磁気遮蔽体を加熱可能なヒーターを付加する。そして、超電導磁界発生コイルを冷却しているときには、熱スイッチによって前記熱良導体による熱的な接続を切断し、必要ならば前記ヒーターによって加熱することで、磁気遮蔽体が超電導状態になるのを阻止して常電導状態に保持するのである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された実施例について図面を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態は、下記の実施例に何ら限定されることなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の形態を採り得る。
【0012】
[第一実施例]
図1は、第一実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。図1に示すように、本実施例の超電導磁気勾配浮上システムにおいては、空洞部1を中央付近に有する低温容器2の内部に、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とが収納されている。空洞部1には例えば鉄などの強磁性体7が配置される。この強磁性体7は、特殊な磁場分布空間を構成する超電導磁界発生コイル4および磁気遮蔽体5との間で安定的な相互電磁力作用を作り出し、空洞部1の空間に浮上する。
【0013】
低温容器2の内部に収容される超電導磁界発生コイル4はレーストラック形状、一方、磁気遮蔽体5は断面が長方形状であり、超電導磁界発生コイル4の内側、つまり空洞部1内の強磁性体7側に磁気遮蔽体5が対向して配されている。つまり、図1に示すように、強磁性体7を挟んで、左右いずれの方向においても強磁性体7→磁気遮蔽体5→超電導磁界発生コイル4の順番で位置することとなる。
【0014】
図3に示した従来構成では、超電導磁界発生コイル14と磁気遮蔽体15が熱良導体16によって熱的に接続されていたが、本実施例の場合には、図1に示すように、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは熱的に接続されていない。そして、超電導磁界発生コイル4は第一冷凍機3(図中ではコールドヘッド部分のみ示す)によって冷却され、磁気遮蔽体5は第二冷凍機8(図中ではコールドヘッド部分のみ示す)によって冷却されるよう構成されている。つまり、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは個別に冷却することができるようになっている。
【0015】
そして、このように独立して冷却可能であるため、本実施例では、次のような操作を行うことで磁気遮蔽体5の磁気遮蔽能力の調整を行う。
まず、第一冷凍機3によって冷却された超電導磁界発生コイル4に通電して励磁する際、定格の起磁力に至る途中段階で一旦止める。この段階までは磁気遮蔽体5を常電導状態に保持させておくため、第二冷凍機8の能力を低く調整することにより、磁気遮蔽体5が超電導状態にならないようにする。この状態では磁気遮蔽体5の内部には、励磁された磁束が貫通している。そして、この段階で第二冷凍機8の冷凍能力を向上させる操作を行うことによって、磁気遮蔽体5は超電導状態に遷移するが、いわゆる磁場中冷却の操作と同じであるため、磁気遮蔽体5内に入った貫通磁束はそのままの形で捕捉保持される。その後、超電導磁界発生コイル4への通電量を上げて定格の起磁力まで励磁する。
【0016】
このような操作により、超電導磁界発生コイル4によって発生された磁界の大半は、超電導化された磁気遮蔽体5により遮蔽される。しかし、上述した操作によって磁気遮蔽体5にはすでに一部の磁束が貫通しているので、磁気遮蔽効果は弱くなる。そして、磁界遮蔽効果が薄れた分、かえって従来構成では過大であった案内力がそれに応じた値になるとともに、浮上力の方も少し増える。さらに、従来構成では、必要以上の磁気遮蔽効果のため過大な遮蔽電流が流れ遮蔽体として高い性能が要求される、と同時に強度的にも面的剛性を過大にする必要があった磁気遮蔽体5の構造に関しても、その必要がなくなり、薄くて軽量なものを使用できるという利点がある。
【0017】
なお、磁気遮蔽体5を超電導状態へ遷移させるタイミングは必ずしも固定されるものでなく、例えば超電導磁界発生コイル4を一度励磁し、第一冷凍機3によって冷却された超電導磁界発生コイル4に通電して励磁する際、定格の起磁力に至る途中段階で一旦止める場合の「途中段階」に関しては、どの程度の貫通磁束を磁気遮蔽体5に付与したいかによる。したがって、例えば実験等によって貫通磁束と超電導磁界発生コイル4への通電電流値の対応関係を得ておき、所望の貫通磁束に対応する通電電流値を用いて制御すればよい。
【0018】
なお、このような対応関係に基づく通電電流値を用いても結果的に貫通磁束が所望の状態から多すぎたり少なすぎたりする可能性があるため、その場合は、再度やり直せばよい。例えば貫通磁束が多すぎて案内力が不足していることが判明した場合は、再度の励磁操作により、もう少し通電電流値が小さな時点で磁気遮蔽体5を超電導状態に遷移させれば、それだけ案内力が大きくできる。このように磁気遮蔽体5のハード的構造を変えなくても、ソフト的な対処で磁気遮蔽体5の磁気遮蔽効果の調整ができることとなる。
【0019】
[第二実施例]
図2は、第二実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。なお、図1に示した第一実施例と同様の構成要素については、同じ番号を付して詳しい説明を省略する。
【0020】
上述した第一実施例の場合には、冷凍機を個別に準備した。つまり、超電導磁界発生コイル4の冷却用の第一冷凍機3と、磁気遮蔽体5の冷却用の第二冷凍機8である。これに対して第二実施例の場合には、図2に示すように、超電導磁界発生コイル4の冷却用の第一冷凍機3は存在するが、図1に示した磁気遮蔽体5の冷却用の第二冷凍機8は存在しない。その代わりに、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは熱良導体6で接続されている。このように超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とを熱良導体6で接続しただけであれば、従来技術の問題点をして指摘したように、第一冷凍機3によって超電導磁界発生コイル4を冷却すると、熱良導体6によって熱的に接続された磁気遮蔽体5まで冷却されてしまい、第一実施例の場合で説明したような「磁気遮蔽体5内に入った貫通磁束をそのままの形で捕捉保持させる」という状態を作れない。
【0021】
そこで、本第二実施例では次の2つの工夫を施している。つまり、まず、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とを接続している熱良導体6の部分に、熱スイッチ6aを設け、両者が熱的に接続される状態と、熱的には接続されない状態を切り替えられるようにした。この熱スイッチ6aは、例えば、熱良導体6が磁気遮蔽体5又は超電導磁界発生コイル4(あるいはその両方)に接触する状態と接触しない状態を切り替えることができるようにしたものである。また、2番目の工夫として、磁気遮蔽体5にヒーター9(図中では熱線部分のみ示す)を取りつけてある。
【0022】
このような構成の第二実施例の場合にも、第一冷凍機3によって冷却された超電導磁界発生コイル4に通電して励磁する際、定格の起磁力に至る途中段階で一旦止めるのであるが、この冷却を始める前に、熱スイッチ6aによって磁気遮蔽体5と超電導磁界発生コイル4とが熱的に接続されない状態に切り替えておく。そして第一冷凍機3による冷却時には、ヒーター9によって磁気遮蔽体5を加熱することで、より確実に常電導状態を確保することができる。
【0023】
このようにすることで、第一実施例と同じように磁気遮蔽体5の内部には、励磁された磁束が貫通している状態が得られるため、その後、ヒーター9による加熱を止め、熱スイッチ6aにより磁気遮蔽体5と超電導磁界発生コイル4とが熱的に接続する状態に切り替える。すると、第一冷凍機3による冷却作用が磁気遮蔽体5まで及び、磁気遮蔽体5は超電導状態へ遷移する。
【0024】
[その他]
(1)上記実施例では超電導磁界発生コイル4を低温容器2の内部に配置した場合の例を示したが、例えば、超電導磁界発生コイル4の代わりに低温容器2の外側に配置させた常電導磁界発生コイルを用いてもよい。また、超電導磁界発生コイル4や磁気遮蔽体5の冷却法として冷凍機3,8を用いたが、冷媒を使用して冷却してもよい。
【0025】
(2)上記第二実施例では、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とを熱良導体6で接続し、磁気遮蔽体5に対する冷却は、超電導磁界発生コイル4及び熱良導体6を介して間接的に行うようにした。しかし、磁気遮蔽体5と第一冷凍機3のコールドヘッドを熱スイッチを介して熱良導体6で接続し、超電導磁界発生コイル4及び磁気遮蔽体5をそれぞれ直接冷却するようにしてもよい。そして、磁気遮蔽体5と第一冷凍機3のコールドヘッドの間の熱スイッチを切り入りすることによって、超電導磁界発生コイル4のみ冷却する状態と、超電導磁界発生コイル4及び磁気遮蔽体5の両方を冷却する状態を切り替えるようにすればよい。
【0026】
(3)また、超電導磁界発生コイル4の形状としては、例えば円形や鞍型であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。
【図2】第二実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。
【図3】従来の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。
【符号の説明】
1,11…空洞部、2,12…低温容器、3…第一冷凍機、4,14…超電導磁界発生コイル、5,15…磁気遮蔽体、6,16…熱良導体、6a…熱スイッチ、7,17…強磁性体、8…第二冷凍機、9…ヒーター、13…冷凍機。
【発明の属する技術分野】
本発明は、超電導磁気勾配浮上システムの性能向上に関するものであり、特に磁気遮蔽体の磁気遮蔽機能に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の超電導磁気勾配浮上方式においては、例えば図3に示すように、強磁性体17のある空間内に、超電導磁界発生コイル14からの強力な磁場を、超電導材料にて構成された磁気遮蔽体15によって特殊な磁場勾配として生み出すことにより、当該空間内の強磁性体17(またはその反力を受ける超電導磁界発生コイル14側)を非接触でかつ安定的に浮上させるものであった。超電導磁界発生コイル14からの磁場を整形する役割の磁気遮蔽体15には、強力な磁界を受けても超電導が破れない、つまり磁気をほぼ完全に遮蔽するという機能が要求される。
【0003】
図3に示す従来構成例では、中央付近に強磁性体17を配置するための空洞部11を備えた低温容器12内に超電導磁界発生コイル14と磁気遮蔽体15が収容されている。そして、この磁気遮蔽体15は超電導材で構成されており、超電導状態にするためには冷却する必要があるため、冷凍機13(図中ではコールドヘッド部分のみ示す)によって冷却されている超電導磁界発生コイル14と磁気遮蔽体15とは熱良導体16で直結されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成の磁気遮蔽体15によって強力な磁界を遮蔽できるのであるが、その場合、強磁性体17との相互力である上下方向の「浮上力」と左右方向の「案内力」の比に関しては、一旦作ると固定されてしまい、調整することができなかった。なぜなら磁気遮蔽体15と超電導磁界発生コイル14は熱的に一体となっており、冷却時にはほぼ同時に超電導状態に到達するからである。
【0005】
そこで本発明は、左右方向案内力と上下方向浮上力の比について、案内力が過大な場合にそれを低減させ、浮上力を向上させて、両者の比を適宜な大きさに調整できる超電導磁気勾配浮上システムを実現させることを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するためになされた請求項1に係る超電導磁気勾配浮上システムは、磁場発生源と、低温容器内に収容され冷却手段によって冷却されて超電導状態に遷移する磁気遮蔽体と、を組み合わせて特殊な磁場分布空間を構成することにより鉄などの強磁性体との間に安定的な相互電磁力作用を作り出し、磁場発生源及び磁気遮蔽体を有するユニットあるいは強磁性体の何れか一方を浮上体として空間に浮上させるものである。ここで本発明の磁気遮蔽体は、磁場発生源から発生された磁束が常電導状態の磁気遮蔽体を所定量貫通した状態になった時点で、冷却手段によって磁気遮蔽体を常電導状態から超電導状態に遷移させるように構成されている。磁場発生源としては例えば請求項2に示すように磁界発生コイルを採用することができるが、その場合であれば、磁界発生コイルへの通電量を調整することによって、その磁界発生コイルから発生された磁束が磁気遮蔽体を貫通する量を調整することができる。
【0007】
つまり、磁気遮蔽体を常電導状態にして、磁界発生コイルへの通電量(電流値)を発生磁界が小さい段階で一度止めておく。この状態では磁気遮蔽体はまだ超電導状態ではないため、磁界発生コイルから発生された磁束が磁気遮蔽体の内部まで貫通する。この貫通する磁束が所定量の状態で磁気遮蔽体を冷却して超電導状態に遷移させると、いわゆる磁場中冷却の原理と同じで、ピン止め効果により内部の磁束は貫通したままの自然な姿で捕捉される。この後、磁界発生コイルへの通電電流値を増大させ励磁していき、定格の起磁力に到達させる。このとき磁気遮蔽体は超電導状態となり磁気遮蔽機能を発揮するようになっているため、大半の磁束は磁気遮蔽体によって遮蔽されるものの、その磁気遮蔽体の内部には前述した一部の磁束が入った形になっている。磁気遮蔽体の内部に捕捉される磁束量を調整することによって、超電導状態における磁気遮蔽体の磁気遮蔽効果を調整することができる。この結果、浮上力、案内力を適度な大きさに調整することができる。
【0008】
すなわち本発明では、従来構成と比較して、磁気遮蔽体の磁気遮蔽効果が少し弱まるものの、その効果は浮上力の向上と案内力の低減という調整機能にむしろ役立つ。そして、従来構成では初期励磁時から(不要な)大きな遮蔽電流が流れるため、結果的に過大剛性が必要となっていた磁気遮蔽体の構造に対しても、その必要がなくなり、薄くて軽量なものを使用できるという利点がある。
【0009】
また、請求項3に示すように、磁界発生コイルとして、低温容器内に磁気遮蔽体と共に収容された超電導磁界発生コイルを採用する場合には、磁気遮蔽体は超電導磁界発生コイルとは独立して温度調節が可能に構成すればよい。このように独立して温度調節が可能な構成であれば、超電導磁界発生コイルの方だけ超電導状態となるまで冷却して磁界発生をさせても、磁気遮蔽体の方は常電導状態に保持したままにすることができるため、上述した所定量の磁束を磁気遮蔽体に貫通させた状態にした後で、磁気遮蔽体を超電導状態に遷移させることが実現できる。
【0010】
なお、このような低温容器内に磁気遮蔽体と超電導磁界発生コイルが共に収容された状況で、両者を独立して温度調節が可能とするためには、例えば冷却手段としての冷凍機自体を個別に準備することが考えられる。また、冷凍機または冷媒により冷却されている超電導磁界発生コイルと磁気遮蔽体とを熱的に熱良導体で接続可能な構成を前提としながら、さらに、その熱良導体による熱的な接続の入り切りを切り替え可能な熱スイッチを付加し、さらに必要ならば磁気遮蔽体を加熱可能なヒーターを付加する。そして、超電導磁界発生コイルを冷却しているときには、熱スイッチによって前記熱良導体による熱的な接続を切断し、必要ならば前記ヒーターによって加熱することで、磁気遮蔽体が超電導状態になるのを阻止して常電導状態に保持するのである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された実施例について図面を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態は、下記の実施例に何ら限定されることなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の形態を採り得る。
【0012】
[第一実施例]
図1は、第一実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。図1に示すように、本実施例の超電導磁気勾配浮上システムにおいては、空洞部1を中央付近に有する低温容器2の内部に、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とが収納されている。空洞部1には例えば鉄などの強磁性体7が配置される。この強磁性体7は、特殊な磁場分布空間を構成する超電導磁界発生コイル4および磁気遮蔽体5との間で安定的な相互電磁力作用を作り出し、空洞部1の空間に浮上する。
【0013】
低温容器2の内部に収容される超電導磁界発生コイル4はレーストラック形状、一方、磁気遮蔽体5は断面が長方形状であり、超電導磁界発生コイル4の内側、つまり空洞部1内の強磁性体7側に磁気遮蔽体5が対向して配されている。つまり、図1に示すように、強磁性体7を挟んで、左右いずれの方向においても強磁性体7→磁気遮蔽体5→超電導磁界発生コイル4の順番で位置することとなる。
【0014】
図3に示した従来構成では、超電導磁界発生コイル14と磁気遮蔽体15が熱良導体16によって熱的に接続されていたが、本実施例の場合には、図1に示すように、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは熱的に接続されていない。そして、超電導磁界発生コイル4は第一冷凍機3(図中ではコールドヘッド部分のみ示す)によって冷却され、磁気遮蔽体5は第二冷凍機8(図中ではコールドヘッド部分のみ示す)によって冷却されるよう構成されている。つまり、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは個別に冷却することができるようになっている。
【0015】
そして、このように独立して冷却可能であるため、本実施例では、次のような操作を行うことで磁気遮蔽体5の磁気遮蔽能力の調整を行う。
まず、第一冷凍機3によって冷却された超電導磁界発生コイル4に通電して励磁する際、定格の起磁力に至る途中段階で一旦止める。この段階までは磁気遮蔽体5を常電導状態に保持させておくため、第二冷凍機8の能力を低く調整することにより、磁気遮蔽体5が超電導状態にならないようにする。この状態では磁気遮蔽体5の内部には、励磁された磁束が貫通している。そして、この段階で第二冷凍機8の冷凍能力を向上させる操作を行うことによって、磁気遮蔽体5は超電導状態に遷移するが、いわゆる磁場中冷却の操作と同じであるため、磁気遮蔽体5内に入った貫通磁束はそのままの形で捕捉保持される。その後、超電導磁界発生コイル4への通電量を上げて定格の起磁力まで励磁する。
【0016】
このような操作により、超電導磁界発生コイル4によって発生された磁界の大半は、超電導化された磁気遮蔽体5により遮蔽される。しかし、上述した操作によって磁気遮蔽体5にはすでに一部の磁束が貫通しているので、磁気遮蔽効果は弱くなる。そして、磁界遮蔽効果が薄れた分、かえって従来構成では過大であった案内力がそれに応じた値になるとともに、浮上力の方も少し増える。さらに、従来構成では、必要以上の磁気遮蔽効果のため過大な遮蔽電流が流れ遮蔽体として高い性能が要求される、と同時に強度的にも面的剛性を過大にする必要があった磁気遮蔽体5の構造に関しても、その必要がなくなり、薄くて軽量なものを使用できるという利点がある。
【0017】
なお、磁気遮蔽体5を超電導状態へ遷移させるタイミングは必ずしも固定されるものでなく、例えば超電導磁界発生コイル4を一度励磁し、第一冷凍機3によって冷却された超電導磁界発生コイル4に通電して励磁する際、定格の起磁力に至る途中段階で一旦止める場合の「途中段階」に関しては、どの程度の貫通磁束を磁気遮蔽体5に付与したいかによる。したがって、例えば実験等によって貫通磁束と超電導磁界発生コイル4への通電電流値の対応関係を得ておき、所望の貫通磁束に対応する通電電流値を用いて制御すればよい。
【0018】
なお、このような対応関係に基づく通電電流値を用いても結果的に貫通磁束が所望の状態から多すぎたり少なすぎたりする可能性があるため、その場合は、再度やり直せばよい。例えば貫通磁束が多すぎて案内力が不足していることが判明した場合は、再度の励磁操作により、もう少し通電電流値が小さな時点で磁気遮蔽体5を超電導状態に遷移させれば、それだけ案内力が大きくできる。このように磁気遮蔽体5のハード的構造を変えなくても、ソフト的な対処で磁気遮蔽体5の磁気遮蔽効果の調整ができることとなる。
【0019】
[第二実施例]
図2は、第二実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。なお、図1に示した第一実施例と同様の構成要素については、同じ番号を付して詳しい説明を省略する。
【0020】
上述した第一実施例の場合には、冷凍機を個別に準備した。つまり、超電導磁界発生コイル4の冷却用の第一冷凍機3と、磁気遮蔽体5の冷却用の第二冷凍機8である。これに対して第二実施例の場合には、図2に示すように、超電導磁界発生コイル4の冷却用の第一冷凍機3は存在するが、図1に示した磁気遮蔽体5の冷却用の第二冷凍機8は存在しない。その代わりに、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とは熱良導体6で接続されている。このように超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とを熱良導体6で接続しただけであれば、従来技術の問題点をして指摘したように、第一冷凍機3によって超電導磁界発生コイル4を冷却すると、熱良導体6によって熱的に接続された磁気遮蔽体5まで冷却されてしまい、第一実施例の場合で説明したような「磁気遮蔽体5内に入った貫通磁束をそのままの形で捕捉保持させる」という状態を作れない。
【0021】
そこで、本第二実施例では次の2つの工夫を施している。つまり、まず、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とを接続している熱良導体6の部分に、熱スイッチ6aを設け、両者が熱的に接続される状態と、熱的には接続されない状態を切り替えられるようにした。この熱スイッチ6aは、例えば、熱良導体6が磁気遮蔽体5又は超電導磁界発生コイル4(あるいはその両方)に接触する状態と接触しない状態を切り替えることができるようにしたものである。また、2番目の工夫として、磁気遮蔽体5にヒーター9(図中では熱線部分のみ示す)を取りつけてある。
【0022】
このような構成の第二実施例の場合にも、第一冷凍機3によって冷却された超電導磁界発生コイル4に通電して励磁する際、定格の起磁力に至る途中段階で一旦止めるのであるが、この冷却を始める前に、熱スイッチ6aによって磁気遮蔽体5と超電導磁界発生コイル4とが熱的に接続されない状態に切り替えておく。そして第一冷凍機3による冷却時には、ヒーター9によって磁気遮蔽体5を加熱することで、より確実に常電導状態を確保することができる。
【0023】
このようにすることで、第一実施例と同じように磁気遮蔽体5の内部には、励磁された磁束が貫通している状態が得られるため、その後、ヒーター9による加熱を止め、熱スイッチ6aにより磁気遮蔽体5と超電導磁界発生コイル4とが熱的に接続する状態に切り替える。すると、第一冷凍機3による冷却作用が磁気遮蔽体5まで及び、磁気遮蔽体5は超電導状態へ遷移する。
【0024】
[その他]
(1)上記実施例では超電導磁界発生コイル4を低温容器2の内部に配置した場合の例を示したが、例えば、超電導磁界発生コイル4の代わりに低温容器2の外側に配置させた常電導磁界発生コイルを用いてもよい。また、超電導磁界発生コイル4や磁気遮蔽体5の冷却法として冷凍機3,8を用いたが、冷媒を使用して冷却してもよい。
【0025】
(2)上記第二実施例では、超電導磁界発生コイル4と磁気遮蔽体5とを熱良導体6で接続し、磁気遮蔽体5に対する冷却は、超電導磁界発生コイル4及び熱良導体6を介して間接的に行うようにした。しかし、磁気遮蔽体5と第一冷凍機3のコールドヘッドを熱スイッチを介して熱良導体6で接続し、超電導磁界発生コイル4及び磁気遮蔽体5をそれぞれ直接冷却するようにしてもよい。そして、磁気遮蔽体5と第一冷凍機3のコールドヘッドの間の熱スイッチを切り入りすることによって、超電導磁界発生コイル4のみ冷却する状態と、超電導磁界発生コイル4及び磁気遮蔽体5の両方を冷却する状態を切り替えるようにすればよい。
【0026】
(3)また、超電導磁界発生コイル4の形状としては、例えば円形や鞍型であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。
【図2】第二実施例の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。
【図3】従来の超電導磁気勾配浮上システムの概略構成を示す説明図である。
【符号の説明】
1,11…空洞部、2,12…低温容器、3…第一冷凍機、4,14…超電導磁界発生コイル、5,15…磁気遮蔽体、6,16…熱良導体、6a…熱スイッチ、7,17…強磁性体、8…第二冷凍機、9…ヒーター、13…冷凍機。
Claims (3)
- 磁場発生源と、低温容器内に収容され冷却手段によって冷却されて超電導状態に遷移する磁気遮蔽体と、を組み合わせて特殊な磁場分布空間を構成することにより鉄などの強磁性体との間に安定的な相互電磁力作用を作り出し、前記磁場発生源及び磁気遮蔽体を有するユニットあるいは前記強磁性体の何れか一方を浮上体として空間に浮上させる超電導磁気勾配浮上システムであって、
前記磁場発生源から発生された磁束が常電導状態の前記磁気遮蔽体を所定量貫通した状態になった時点で、前記冷却手段によって前記磁気遮蔽体を常電導状態から超電導状態に遷移させたこと
を特徴とする超電導磁気勾配浮上システム。 - 前記磁場発生源は磁界発生コイルであり、その磁界発生コイルへの通電量を調整することによって、その磁界発生コイルから発生された磁束が前記磁気遮蔽体を貫通する量を調整すること
を特徴とする請求項1に記載の超電導磁気勾配浮上システム。 - 前記磁界発生コイルは前記低温容器内に前記磁気遮蔽体と共に収容された超電導磁界発生コイルであり、前記磁気遮蔽体は前記超電導磁界発生コイルとは独立して温度調節が可能に構成されていること
を特徴とする請求項2に記載の超電導磁気勾配浮上システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003125539A JP2004336839A (ja) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | 超電導磁気勾配浮上システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003125539A JP2004336839A (ja) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | 超電導磁気勾配浮上システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004336839A true JP2004336839A (ja) | 2004-11-25 |
Family
ID=33502773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003125539A Pending JP2004336839A (ja) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | 超電導磁気勾配浮上システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004336839A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008529465A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-07-31 | ライプニッツ−インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトフフォルシュング ドレスデン エー ファオ | 磁気浮上装置 |
US10354785B2 (en) | 2017-05-10 | 2019-07-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Passive thermal switch devices having thermal switch material that passively switches between a thermal insulating state and a thermal conducting state and vehicles having the same |
-
2003
- 2003-04-30 JP JP2003125539A patent/JP2004336839A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008529465A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-07-31 | ライプニッツ−インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトフフォルシュング ドレスデン エー ファオ | 磁気浮上装置 |
US10354785B2 (en) | 2017-05-10 | 2019-07-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Passive thermal switch devices having thermal switch material that passively switches between a thermal insulating state and a thermal conducting state and vehicles having the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3983186B2 (ja) | 超電導磁石装置 | |
JP2010109187A (ja) | 超電導体冷却システム及び超電導体冷却方法 | |
JP2004179413A (ja) | 冷却型超電導磁石装置 | |
JP2004336839A (ja) | 超電導磁気勾配浮上システム | |
CN109660235B (zh) | 一种用于高温超导电磁铁的热控式持续电流开关电路 | |
AU2012289033B2 (en) | Electrical machine and method for operating it | |
US8035933B2 (en) | Structure of persistent current switch and that of control method | |
JP2007221082A (ja) | 永久電流スイッチシステム | |
JP4383762B2 (ja) | 永久電流スイッチ | |
JPH10144545A (ja) | 電流制限デバイス | |
JP3020140B2 (ja) | 冷凍機冷却型超電導磁石用永久電流スイッチ装置 | |
JP2004111581A (ja) | 超電導マグネット装置 | |
JP3660007B2 (ja) | 高温超電導体の着磁方法及びその装置 | |
JP2011155096A (ja) | 超電導電磁石装置 | |
JP3117173B2 (ja) | 冷凍機付超電導マグネット装置 | |
JPH10247753A (ja) | 超電導装置および超電導装置の制御方法 | |
JP3536230B2 (ja) | 超電導装置 | |
JPH08195309A (ja) | 超電導電流リード | |
JP3635828B2 (ja) | 超電導体の着磁方法 | |
JPS62244110A (ja) | 超電導コイル装置 | |
JP3382794B2 (ja) | 永久電流スイッチ | |
JPH07274562A (ja) | 超電導体のマイスナー効果を利用した発電方法 | |
KR20170070521A (ko) | 고온초전도 영구전류스위치를 이용한 전도냉각형 열 스위치 | |
JPS59113605A (ja) | 超電導磁石装置 | |
JPH10326915A (ja) | 超電導線の接続構造 |