JP2004335540A - 樹脂基板の研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＣＳＰ基板等の電極が形成された樹脂基板を研削して電極を露出させる場合において、樹脂にムシレを生じさせたり電極にバリを生じさせたりすることなく、効率良く電極を露出させる。
【解決手段】回転可能なチャックテーブル２７と、複数のパイプ状の砥石チップ３２がホイール基台３１に環状に固着された構成の研削ホイール３０とを少なくとも備えた研削装置を用いて樹脂基板１３を研削する方法であって、チャックテーブル２７に樹脂基板１３を保持し、チャックテーブル２７を回転させると共に、研削ホイール３０を回転させ、砥石チップ３２を樹脂基板１３に接触させて樹脂基板１３を研削する。砥石チップ３２はパイプ状に形成されるため、樹脂との接触面積が小さく、樹脂や金属等による目詰まりが生じにくい。
【選択図】 図７
【解決手段】回転可能なチャックテーブル２７と、複数のパイプ状の砥石チップ３２がホイール基台３１に環状に固着された構成の研削ホイール３０とを少なくとも備えた研削装置を用いて樹脂基板１３を研削する方法であって、チャックテーブル２７に樹脂基板１３を保持し、チャックテーブル２７を回転させると共に、研削ホイール３０を回転させ、砥石チップ３２を樹脂基板１３に接触させて樹脂基板１３を研削する。砥石チップ３２はパイプ状に形成されるため、樹脂との接触面積が小さく、樹脂や金属等による目詰まりが生じにくい。
【選択図】 図７
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極が形成された樹脂基板を研削する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩ等の集積回路が複数形成された半導体ウェーハは、ダイシング装置等によって個々の半導体チップに分割され、パッケージングされて各種電子機器に利用されるが、電子機器の小型化、軽量化を図るために、例えばＣＳＰと呼ばれるチップサイズのパッケージに半導体チップをパッケージングする技術も開発され、実用に供されている。
【０００３】
ＣＳＰは、半導体ウェーハを分割する前に、個々の集積回路に形成されたボンディングパッドに、５０μｍ〜１００μｍ程の高さの金、銀、銅、半田等からなる突起状の電極を形成し、エポキシ樹脂等の樹脂で回路面を被覆して保護した後に、ダイシング装置等によって回路毎の個々の半導体チップに分割することにより形成される。そして、プリント基板上の端子とＣＳＰに形成された電極とがハンダ等によって接続されることによりＣＳＰがプリント基板に実装される。
【０００４】
ＣＳＰにおいては、プリント基板状の端子と電極とを接続するために、プリント基板への実装前に、被覆された樹脂からバンプを露出させる必要がある。そこで、バンプを露出させる技術として、例えばバイトを用いて分割前に樹脂を削り取る方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。この方法は、通常のシリコンウェーハ等の研削用の砥石を用いて研削を行った場合に生じる、研削面にムシレが生じるという問題、バンプにバリが生じるという問題を解決するためのものである。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１７３９５４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、砥石による研削と比較すると、バイトを用いて樹脂を削り取るには相当の時間がかかるため、生産性を向上させることができないという問題がある。そこで、バイトではなく、砥石による研削によってバンプを露出させることが望まれている。これは、ＣＳＰのみでなく、樹脂によりパッケージングされた基板（樹脂基板）から電極を露出させる場合に共通の要望である。
【０００７】
従って、樹脂基板から電極を露出させる場合においては、樹脂にムシレを生じさせたり電極にバリを生じさせたりすることなく、砥石を用いて効率良く電極を露出させることに課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、回転可能なチャックテーブルと、複数のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着された構成の研削ホイールとを少なくとも備えた研削装置を用いて樹脂基板を研削する方法であって、チャックテーブルに樹脂基板を保持し、チャックテーブルを回転させると共に、研削ホイールを回転させ、砥石チップを樹脂基板に接触させて樹脂基板を研削する樹脂基板の研削方法を提供する。
【０００９】
そしてこの樹脂基板の研削方法は、研削ホイールの回転数が２０００ＲＰＭ〜３０００ＲＰＭの範囲であり、チャックテーブルの回転数が１０ＲＰＭ〜１００ＲＰＭの範囲であること、樹脂基板とパイプ状の砥石チップとの接触部に２リットル／分〜４リットル／分の研削液が供給されること、パイプ状の砥石チップは、ビトリファイドボンドによってダイヤモンド砥粒を固めたビトリファイドタイプであり、外径が４ｍｍ〜５ｍｍであり、内径が１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであり、研削ホイールは、５０個〜１００個のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着されて構成されること、パイプ状の砥石チップは、電鋳によってダイヤモンド砥粒を固めた電鋳タイプであり、外径が２ｍｍ〜３ｍｍであり、内径が１．２ｍｍ〜２．２ｍｍであり、研削ホイールは、１５０個〜２００個のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着されて構成されること、樹脂基板には、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかによって形成された基板、及び、金、銀、銅、半田のいずれかによって形成された電極が含まれることを付加的な要件とする。
【００１０】
このように構成される樹脂基板の研削方法によれば、パイプ状の砥石チップを用いて研削を行うようにしたことにより、通常の砥石と比べると樹脂との接触面積が小さく、樹脂や金属等による目詰まりが生じにくい。
【００１１】
また、パイプ状の砥石チップは、樹脂との接触面積が小さくても接触する面は平面状に形成されているため、樹脂にムシレが生じないと共に、電極にバリが生じることもない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例について、図面を参照して説明する。図１に示す半導体ウェーハ１０の表面においては、ストリートＳによって区画された領域にそれぞれ回路Ｃが形成されており、各回路Ｃには、図１において拡大して示すように、複数のバンプ１１が形成されている。このバンプ１１は、半導体ウェーハ１０の表面に形成された電極であり、例えば、金、銀、銅、半田等により形成されている。
【００１３】
図２に示すように、半導体ウェーハ１０の表面にバンプ１１が埋没するように樹脂１２を被覆すると、樹脂基板１３となる。ここで被覆される樹脂１２としては、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等がある。樹脂基板１３としては、例えばＣＳＰ基板等がある。
【００１４】
このような樹脂基板１３のバンプ１１が形成されている側の面を研削してバンプ１１を露出させる。この研削には、例えば図３に示す研削装置２０を用いることができる。
【００１５】
研削装置２０においては、基台２１の端部から壁部２２が起立しており、この壁部２２の内側の面には一対のレール２３が垂直方向に配設され、レール２３にガイドされて支持板２４が昇降するのに伴い支持板２４に取り付けられた研削手段２５が昇降するよう構成されている。また、基台２１上には、ターンテーブル２６が回転可能に配設され、更にターンテーブル２６は、半導体ウェーハ１０を保持する複数のチャックテーブル２７を回転可能に支持している。
【００１６】
研削手段２５においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル２８の先端にマウンタ２９が装着され、更にその下部に研削ホイール３０が固定されている。そして、研削ホイール３０は、スピンドル２８の回転に伴って回転する構成となっている。
【００１７】
図４に示すように、研削ホイール３０は、リング状のホイール基台３１の下面３１ａに複数の砥石チップ３２が環状に固着された構成となっている。図５に示すように、この研削ホイール３０の上面３１ｂには複数のねじ穴３３が形成されている。一方、マウンタ２９には、ねじ穴３３に対応する位置に孔２９ａが形成されており、孔２９ａを貫通したねじ３４がねじ穴３３に螺合することにより研削ホイール３０がマウンタ２９に固定される。
【００１８】
個々の砥石チップ３２は、図６に示すように、外径がＲ１、内径がＲ２のパイプ状に形成されており、例えばダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めたビトリファイドタイプや、ダイヤモンド砥粒を電鋳によって固めた電鋳タイプのものを用いることができる。
【００１９】
研削装置２０を用いて樹脂基板１３を研削する際は、図７に示すように、バンプ１１が形成された面を上に向けて樹脂基板１３をチャックテーブル２７に保持させて研削手段２５の直下に位置付け、チャックテーブル２７を回転させると共に、スピンドル２８を回転させながら研削手段２５を下降させていく。そして、スピンドル２８の回転に伴って研削ホイール３０が回転して環状に固着された複数のパイプ状の砥石チップ３２が回転すると共に、複数の砥石チップ３２が樹脂基板１３に接触して押圧力が加えられることにより、樹脂１２が複数の砥石チップ３２によって研削される。
【００２０】
このようにして研削を行うと、やがてバンプ１１が表出する。そして更に研削を行うと、図８に示すように、バンプ１１の頭部の高さが均一になった樹脂基板１３ａが形成される。
【００２１】
図６に示したように、砥石チップ３２はパイプ状に形成されており、通常の砥石よりも樹脂１２との接触面積が小さいため、樹脂１２やバンプ１１を構成する金属等による目詰まりが生じにくい。従って、研削品質が向上する。また、目詰まりが生じにくくなることにより研削効率も高くなるため、生産性を向上させることができる。
【００２２】
更に、パイプ状の砥石チップ３２は、樹脂１２との接触面積が小さくても接触する面は平面状に形成されているため、樹脂１２にムシレが生じないと共に、バンプ１１にバリが生じることもない。従って、樹脂基板１３ａの品質を向上させることができる。
【００２３】
なお、研削の際の研削ホイール３０の回転数は２０００ＲＰＭ〜３０００ＲＰＭの範囲、チャックテーブル２７の回転数は１０ＲＰＭ〜１００ＲＰＭの範囲とすることが好ましい。
【００２４】
砥石チップ３２がビトリファイドタイプの場合は、図６に示した外径Ｒ１は４ｍｍ〜５ｍｍ、内径Ｒ２は１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであることが好ましい。この場合、図４及び図５に示したホイール基台３１に固着される砥石チップ３２の数は、５０個〜１００個とすることが好ましい。
【００２５】
一方、砥石チップ３２が電鋳タイプの場合は、外径Ｒ１は２ｍｍ〜３ｍｍ、内径Ｒ２は１．２ｍｍ〜２．２ｍｍであることが好ましい。この場合、ホイール基台３１に固着される砥石チップ３２の数は、１５０個〜２００個とすることが好ましい。
【００２６】
また、樹脂基板１３と砥石チップ３２との接触部には、当該接触部を冷却して研削品質を向上させるために、通常は研削水を供給するが、研削水の供給量を２リットル／分〜４リットル／分とすると、樹脂基板１３の品質がより向上することが確認された。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る樹脂基板の研削方法においては、パイプ状の砥石チップを用いて研削を行うようにしたことにより、通常の砥石と比べると樹脂との接触面積が小さく、樹脂や金属等による目詰まりが生じにくい。従って、研削品質が向上すると共に、研削効率も高いため、生産性を向上させることができる。
【００２８】
また、パイプ状の砥石チップは、樹脂との接触面積が小さくても接触する面は平面状に形成されているため、樹脂にムシレが生じないと共に、電極にバリが生じることもない。従って、樹脂基板の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】バンプが形成された半導体ウェーハを示す平面図である。
【図２】バンプが形成された面を樹脂で被覆した樹脂基板を示す一部拡大断面図である。
【図３】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明に用いる研削ホイールの一例を示す底面図である。
【図５】同研削ホイール及びマウンタを示す斜視図である。
【図６】研削ホイールを構成するパイプ状の砥石チップを示す斜視図である。
【図７】同研削ホイールを用いて樹脂基板を研削する様子を示す説明図である。
【図８】研削後の樹脂基板を示す一部拡大断面図である。
【符号の説明】
１０…半導体ウェーハ １１…バンプ １２…樹脂
１３、１３ａ…樹脂基板
２０…研削装置 ２１…基台 ２２…壁部
２３…レール ２４…支持板 ２５…研削手段
２６…ターンテーブル ２７…チャックテーブル
２８…スピンドル ２９…マウンタ ２９ａ…孔
３０…研削ホイール ３１…ホイール基台
３２…砥石チップ ３３…ねじ穴 ３４…ねじ
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極が形成された樹脂基板を研削する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩ等の集積回路が複数形成された半導体ウェーハは、ダイシング装置等によって個々の半導体チップに分割され、パッケージングされて各種電子機器に利用されるが、電子機器の小型化、軽量化を図るために、例えばＣＳＰと呼ばれるチップサイズのパッケージに半導体チップをパッケージングする技術も開発され、実用に供されている。
【０００３】
ＣＳＰは、半導体ウェーハを分割する前に、個々の集積回路に形成されたボンディングパッドに、５０μｍ〜１００μｍ程の高さの金、銀、銅、半田等からなる突起状の電極を形成し、エポキシ樹脂等の樹脂で回路面を被覆して保護した後に、ダイシング装置等によって回路毎の個々の半導体チップに分割することにより形成される。そして、プリント基板上の端子とＣＳＰに形成された電極とがハンダ等によって接続されることによりＣＳＰがプリント基板に実装される。
【０００４】
ＣＳＰにおいては、プリント基板状の端子と電極とを接続するために、プリント基板への実装前に、被覆された樹脂からバンプを露出させる必要がある。そこで、バンプを露出させる技術として、例えばバイトを用いて分割前に樹脂を削り取る方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。この方法は、通常のシリコンウェーハ等の研削用の砥石を用いて研削を行った場合に生じる、研削面にムシレが生じるという問題、バンプにバリが生じるという問題を解決するためのものである。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１７３９５４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、砥石による研削と比較すると、バイトを用いて樹脂を削り取るには相当の時間がかかるため、生産性を向上させることができないという問題がある。そこで、バイトではなく、砥石による研削によってバンプを露出させることが望まれている。これは、ＣＳＰのみでなく、樹脂によりパッケージングされた基板（樹脂基板）から電極を露出させる場合に共通の要望である。
【０００７】
従って、樹脂基板から電極を露出させる場合においては、樹脂にムシレを生じさせたり電極にバリを生じさせたりすることなく、砥石を用いて効率良く電極を露出させることに課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、回転可能なチャックテーブルと、複数のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着された構成の研削ホイールとを少なくとも備えた研削装置を用いて樹脂基板を研削する方法であって、チャックテーブルに樹脂基板を保持し、チャックテーブルを回転させると共に、研削ホイールを回転させ、砥石チップを樹脂基板に接触させて樹脂基板を研削する樹脂基板の研削方法を提供する。
【０００９】
そしてこの樹脂基板の研削方法は、研削ホイールの回転数が２０００ＲＰＭ〜３０００ＲＰＭの範囲であり、チャックテーブルの回転数が１０ＲＰＭ〜１００ＲＰＭの範囲であること、樹脂基板とパイプ状の砥石チップとの接触部に２リットル／分〜４リットル／分の研削液が供給されること、パイプ状の砥石チップは、ビトリファイドボンドによってダイヤモンド砥粒を固めたビトリファイドタイプであり、外径が４ｍｍ〜５ｍｍであり、内径が１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであり、研削ホイールは、５０個〜１００個のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着されて構成されること、パイプ状の砥石チップは、電鋳によってダイヤモンド砥粒を固めた電鋳タイプであり、外径が２ｍｍ〜３ｍｍであり、内径が１．２ｍｍ〜２．２ｍｍであり、研削ホイールは、１５０個〜２００個のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着されて構成されること、樹脂基板には、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかによって形成された基板、及び、金、銀、銅、半田のいずれかによって形成された電極が含まれることを付加的な要件とする。
【００１０】
このように構成される樹脂基板の研削方法によれば、パイプ状の砥石チップを用いて研削を行うようにしたことにより、通常の砥石と比べると樹脂との接触面積が小さく、樹脂や金属等による目詰まりが生じにくい。
【００１１】
また、パイプ状の砥石チップは、樹脂との接触面積が小さくても接触する面は平面状に形成されているため、樹脂にムシレが生じないと共に、電極にバリが生じることもない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例について、図面を参照して説明する。図１に示す半導体ウェーハ１０の表面においては、ストリートＳによって区画された領域にそれぞれ回路Ｃが形成されており、各回路Ｃには、図１において拡大して示すように、複数のバンプ１１が形成されている。このバンプ１１は、半導体ウェーハ１０の表面に形成された電極であり、例えば、金、銀、銅、半田等により形成されている。
【００１３】
図２に示すように、半導体ウェーハ１０の表面にバンプ１１が埋没するように樹脂１２を被覆すると、樹脂基板１３となる。ここで被覆される樹脂１２としては、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等がある。樹脂基板１３としては、例えばＣＳＰ基板等がある。
【００１４】
このような樹脂基板１３のバンプ１１が形成されている側の面を研削してバンプ１１を露出させる。この研削には、例えば図３に示す研削装置２０を用いることができる。
【００１５】
研削装置２０においては、基台２１の端部から壁部２２が起立しており、この壁部２２の内側の面には一対のレール２３が垂直方向に配設され、レール２３にガイドされて支持板２４が昇降するのに伴い支持板２４に取り付けられた研削手段２５が昇降するよう構成されている。また、基台２１上には、ターンテーブル２６が回転可能に配設され、更にターンテーブル２６は、半導体ウェーハ１０を保持する複数のチャックテーブル２７を回転可能に支持している。
【００１６】
研削手段２５においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル２８の先端にマウンタ２９が装着され、更にその下部に研削ホイール３０が固定されている。そして、研削ホイール３０は、スピンドル２８の回転に伴って回転する構成となっている。
【００１７】
図４に示すように、研削ホイール３０は、リング状のホイール基台３１の下面３１ａに複数の砥石チップ３２が環状に固着された構成となっている。図５に示すように、この研削ホイール３０の上面３１ｂには複数のねじ穴３３が形成されている。一方、マウンタ２９には、ねじ穴３３に対応する位置に孔２９ａが形成されており、孔２９ａを貫通したねじ３４がねじ穴３３に螺合することにより研削ホイール３０がマウンタ２９に固定される。
【００１８】
個々の砥石チップ３２は、図６に示すように、外径がＲ１、内径がＲ２のパイプ状に形成されており、例えばダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めたビトリファイドタイプや、ダイヤモンド砥粒を電鋳によって固めた電鋳タイプのものを用いることができる。
【００１９】
研削装置２０を用いて樹脂基板１３を研削する際は、図７に示すように、バンプ１１が形成された面を上に向けて樹脂基板１３をチャックテーブル２７に保持させて研削手段２５の直下に位置付け、チャックテーブル２７を回転させると共に、スピンドル２８を回転させながら研削手段２５を下降させていく。そして、スピンドル２８の回転に伴って研削ホイール３０が回転して環状に固着された複数のパイプ状の砥石チップ３２が回転すると共に、複数の砥石チップ３２が樹脂基板１３に接触して押圧力が加えられることにより、樹脂１２が複数の砥石チップ３２によって研削される。
【００２０】
このようにして研削を行うと、やがてバンプ１１が表出する。そして更に研削を行うと、図８に示すように、バンプ１１の頭部の高さが均一になった樹脂基板１３ａが形成される。
【００２１】
図６に示したように、砥石チップ３２はパイプ状に形成されており、通常の砥石よりも樹脂１２との接触面積が小さいため、樹脂１２やバンプ１１を構成する金属等による目詰まりが生じにくい。従って、研削品質が向上する。また、目詰まりが生じにくくなることにより研削効率も高くなるため、生産性を向上させることができる。
【００２２】
更に、パイプ状の砥石チップ３２は、樹脂１２との接触面積が小さくても接触する面は平面状に形成されているため、樹脂１２にムシレが生じないと共に、バンプ１１にバリが生じることもない。従って、樹脂基板１３ａの品質を向上させることができる。
【００２３】
なお、研削の際の研削ホイール３０の回転数は２０００ＲＰＭ〜３０００ＲＰＭの範囲、チャックテーブル２７の回転数は１０ＲＰＭ〜１００ＲＰＭの範囲とすることが好ましい。
【００２４】
砥石チップ３２がビトリファイドタイプの場合は、図６に示した外径Ｒ１は４ｍｍ〜５ｍｍ、内径Ｒ２は１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであることが好ましい。この場合、図４及び図５に示したホイール基台３１に固着される砥石チップ３２の数は、５０個〜１００個とすることが好ましい。
【００２５】
一方、砥石チップ３２が電鋳タイプの場合は、外径Ｒ１は２ｍｍ〜３ｍｍ、内径Ｒ２は１．２ｍｍ〜２．２ｍｍであることが好ましい。この場合、ホイール基台３１に固着される砥石チップ３２の数は、１５０個〜２００個とすることが好ましい。
【００２６】
また、樹脂基板１３と砥石チップ３２との接触部には、当該接触部を冷却して研削品質を向上させるために、通常は研削水を供給するが、研削水の供給量を２リットル／分〜４リットル／分とすると、樹脂基板１３の品質がより向上することが確認された。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る樹脂基板の研削方法においては、パイプ状の砥石チップを用いて研削を行うようにしたことにより、通常の砥石と比べると樹脂との接触面積が小さく、樹脂や金属等による目詰まりが生じにくい。従って、研削品質が向上すると共に、研削効率も高いため、生産性を向上させることができる。
【００２８】
また、パイプ状の砥石チップは、樹脂との接触面積が小さくても接触する面は平面状に形成されているため、樹脂にムシレが生じないと共に、電極にバリが生じることもない。従って、樹脂基板の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】バンプが形成された半導体ウェーハを示す平面図である。
【図２】バンプが形成された面を樹脂で被覆した樹脂基板を示す一部拡大断面図である。
【図３】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明に用いる研削ホイールの一例を示す底面図である。
【図５】同研削ホイール及びマウンタを示す斜視図である。
【図６】研削ホイールを構成するパイプ状の砥石チップを示す斜視図である。
【図７】同研削ホイールを用いて樹脂基板を研削する様子を示す説明図である。
【図８】研削後の樹脂基板を示す一部拡大断面図である。
【符号の説明】
１０…半導体ウェーハ １１…バンプ １２…樹脂
１３、１３ａ…樹脂基板
２０…研削装置 ２１…基台 ２２…壁部
２３…レール ２４…支持板 ２５…研削手段
２６…ターンテーブル ２７…チャックテーブル
２８…スピンドル ２９…マウンタ ２９ａ…孔
３０…研削ホイール ３１…ホイール基台
３２…砥石チップ ３３…ねじ穴 ３４…ねじ
Claims (6)
- 回転可能なチャックテーブルと、複数のパイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着された構成の研削ホイールとを少なくとも備えた研削装置を用いて樹脂基板を研削する方法であって、
該チャックテーブルに樹脂基板を保持し、該チャックテーブルを回転させると共に、該研削ホイールを回転させ、該砥石チップを該樹脂基板に接触させて該樹脂基板を研削する樹脂基板の研削方法。 - 研削ホイールの回転数は２０００ＲＰＭ〜３０００ＲＰＭの範囲であり、チャックテーブルの回転数は１０ＲＰＭ〜１００ＲＰＭの範囲である請求項１に記載の樹脂基板の研削方法。
- 樹脂基板とパイプ状の砥石チップとの接触部に２リットル／分〜４リットル／分の研削液が供給される請求項１または２に記載の樹脂基板の研削方法。
- パイプ状の砥石チップは、ビトリファイドボンドによってダイヤモンド砥粒を固めたビトリファイドタイプであり、外径が４ｍｍ〜５ｍｍであり、内径が１．５ｍｍ〜２．５ｍｍであり、
研削ホイールは、５０個〜１００個の該パイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着されて構成される請求項１、２または３に記載の樹脂基板の研削方法。 - パイプ状の砥石チップは、電鋳によってダイヤモンド砥粒を固めた電鋳タイプであり、外径が２ｍｍ〜３ｍｍであり、内径が１．２ｍｍ〜２．２ｍｍであり、
研削ホイールは、１５０個〜２００個の該パイプ状の砥石チップがホイール基台に環状に固着されて構成される請求項１、２または３に記載の樹脂基板の研削方法。 - 樹脂基板には、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかによって形成された基板、及び、金、銀、銅、半田のいずれかによって形成された電極が含まれる請求項１、２、３、４または５に記載の樹脂基板の研削方法。
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2003
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