JP2004331438A5 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents

半導体基板の製造方法 Download PDF

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 ガリウム砒素層を有する半導体基板の製造方法であって、ゲルマニウムからなる分離層を有し、前記分離層の上にガリウム砒素層を有する第１基板を作製する工程と、前記第１基板と第２基板とを結合させて結合基板を作製する工程と、前記結合基板を前記分離層の部分で分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】 前記第１基板の作製工程は、ゲルマニウムからなる基板に陽極化成により前記分離層としての多孔質ゲルマニウム層を形成し、次いで、前記多孔質ゲルマニウム層の上に前記ガリウム砒素層を形成する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】 前記第１基板の作製工程は、エピタキシャル成長により前記ガリウム砒素層を形成する工程を含む請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】 前記第１基板の作製工程は、前記ガリウム砒素層の上に化合物半導体層を形成する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】 前記分割工程は、流体の噴流または静圧により前記分離層の部分を分割する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】 前記分割工程は、前記結合基板に熱処理を施すことにより前記分離層の部分を分割する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】 前記分割工程は、部材を前記分離層に挿入することにより前記分離層の部分を分割する工程を含む請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
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