JP2004320270A - 固体電子撮像装置およびその出力制御方法 - Google Patents
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Abstract
【目的】低感度信号電荷から得られる映像信号のSN比を向上させる。
【構成】受光面が大きい高感度用フォトダイオードと受光面が小さい低感度用フォトダイオードとが多数配列されているCCDにおいて,低感度用フォトダイオードに蓄積される低感度信号電荷用の第1のFDA13と高感度用フォトダイオードに蓄積される高感度信号電荷用の第2のFDA14とを設ける。第1のFDA13の感度k1は,第2のFDA14の感度k2に比べて高感度とする。映像信号のSN比は,信号電荷の量,FDAの感度等に依存する。低感度信号電荷の量が少なくとも感度の高いFDAを用いるので,低感度信号電荷にもとづいて得られる映像信号のSN比が向上する。
【選択図】 図2
【構成】受光面が大きい高感度用フォトダイオードと受光面が小さい低感度用フォトダイオードとが多数配列されているCCDにおいて,低感度用フォトダイオードに蓄積される低感度信号電荷用の第1のFDA13と高感度用フォトダイオードに蓄積される高感度信号電荷用の第2のFDA14とを設ける。第1のFDA13の感度k1は,第2のFDA14の感度k2に比べて高感度とする。映像信号のSN比は,信号電荷の量,FDAの感度等に依存する。低感度信号電荷の量が少なくとも感度の高いFDAを用いるので,低感度信号電荷にもとづいて得られる映像信号のSN比が向上する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【技術分野】
この発明は,固体電子撮像装置およびその出力制御方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
CCDのような固体電子撮像素子には,高感度用の光電変換素子と低感度用の光電変換素子とが多数配列されているものがある。高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷から得られる映像信号と低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷から得られる映像信号とが組み合わされることにより,固体電子撮像素子のダイナミック・レンジが実質的に広がる(例えば,特許文献1)。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−205589号公報
【0004】
光電変換素子に蓄積された信号電荷は,FDA(フローティング・ディフュージョン・アンプリファイア)によって映像信号に変換されて固体電子撮像素子から出力される。低感度用の光電変換素子に蓄積される信号電荷の量は,高感度用の光電変換素子に蓄積される信号電荷の量に比べて少ない。映像信号のS/Nは,信号電荷の量,熱雑音,FDAの感度などに依存する。信号電荷の量が少ないと熱雑音が支配的となり,映像信号のS/Nが低下することがある。
【0005】
【発明の開示】
この発明は,S/Nを向上させることを目的とする。
【0006】
この発明による固体電子撮像装置は,高感度用のものと低感度用のものとが多数配列されている光電変換素子,大きな感度をもち,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する第1の増幅回路,および上記第1の増幅回路の感度より小さな感度をもち,高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する第2の増幅回路を備えていることを特徴とする。
【0007】
この発明は,上記固体電子撮像装置に適した出力制御方法も提供している。すなわち,この方法は,高感度用の光電変換素子と低感度用の光電変換素子とが多数配列されている固体電子撮像装置において,大きな感度(第1の感度)をもつ第1の増幅回路を用いて,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力し,上記第1の増幅回路の感度より小さな感度(第2の感度)をもつ第2の増幅回路を用いて,高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力するものである。
【0008】
この発明によると,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷は,大きな感度をもつ第1の増幅回路によって映像信号に変換される。高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷は,小さな感度をもつ第2の増幅回路によって映像信号に変換される。S/Nは,信号電荷の電荷量,感度,熱雑音などに依存する。低感度用の光電変換素子に蓄積される信号電荷の量は比較的少ないが,感度の大きい第1の増幅回路によって映像信号に変換されるので,熱雑音が支配的になるのを未然に防止できる。映像信号のS/Nを向上することができる。
【0009】
上記第1の増幅回路から出力された映像信号と上記第2の増幅回路から出力された映像信号とを切り替えて出力するスイッチ回路をさらに備えるようにしてもよい。
【0010】
1つの光電変換素子の受光領域が,高感度用のものと低感度用のものとに分けられているものでもよい。
【0011】
上記光電変換素子に蓄積された信号電荷を転送する転送路をさらに備えている場合には,上記第1の増幅回路が上記転送路の一端部に接続され,上記第2の増幅回路が上記転送路の他端部に接続されているものでもよい。もちろん,上記第1の増幅回路および上記第2の増幅回路の両方ともが上記転送路の出力端に接続されていてもよい。
【0012】
【実施例の説明】
図1は,CCDの模式図を示している。
【0013】
CCD1には,水平方向および垂直方向に多数のフォトダイオード3および4が配置されている。一方のフォトダイオード3は奇数行,奇数列に配置されており,他方のフォトダイオード4は偶数行,偶数列に配置されている。一方のフォトダイオード3の受光領域の大きさは,他方のフォトダイオード4の受光領域の大きさよりも大きい。このために,一方のフォトダイオード3に蓄積される信号電荷の量の方が他方のフォトダイオード4に蓄積される信号電荷の量よりも多くなる。したがって,一方のフォトダイオード3の方が他方のフォトダイオード4よりも高感度といえる。以下,一方のフォトダイオード3を高感度用フォトダイオード(高感度画素)3,他方のフォトダイオード4を低感度用フォトダイオード(低感度画素)4ということにする。また,高感度用フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を高感度信号電荷,低感度用フォトダイオード4に蓄積された信号電荷を低感度信号電荷ということにする。
【0014】
高感度用フォトダイオード3の右側には,高感度用フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送路5が形成されている。低感度用フォトダイオード4の右側には,低感度用フォトダイオード4に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送路6が形成されている。高感度用フォトダイオード3に蓄積された高感度信号電荷が垂直転送路5を介して水平転送路7に転送される。また,低感度用フォトダイオード4に蓄積された低感度信号電荷が垂直転送路6を介して水平転送路7に転送される。
【0015】
水平転送路7に,水平転送パルスφH11およびφH12が与えられることにより,垂直転送路5および6から転送されてきた高感度信号電荷および低感度信号電荷がそれぞれ水平方向に転送されていく。
【0016】
水平転送路7の出力端部(右側の端部)には,第1のアウトプット・ゲート11および第2のアウトプット・ゲート12が形成されている。第1のアウトプット・ゲート11は,低感度用フォトダイオード4に蓄積された低感度信号電荷を出力するものである。第2のアウトプット・ゲート12は,高感度用フォトダイオード3に蓄積された高感度信号電荷を出力するものである。
【0017】
第1のアウトプット・ゲート11から出力された低感度信号電荷は,第1の感度k1をもつ第1のFDA(フローティング・ディフュージョン・アンプリファイア13に入力し,信号電荷量に応じた電圧に変換される。第1のFDA13の出力電圧がソース・フォロワ15において増幅され,低感度信号電荷にもとづいて得られる第1の映像信号Sig1としてCCD1から出力される。同様に,第2のアウトプット・ゲート12から出力された高感度信号電荷は,第2の感度k2をもつ第2のFDA14に入力し,電圧に変換される。第2のFDA14の出力電圧がソース・フォロワ16において増幅され,低感度信号電荷にもとづいて得られる第2の映像信号Sig2としてCCD1から出力される。
【0018】
図2は,CCD1の一部の電気的構成とCCDに接続される回路のブロック図を示している。図3(A)から(H)は,図2の各回路に流れる信号等を示すタイム・チャートである。
【0019】
水平転送路7には,水平転送電極H11とH12とが交互に多数形成されている。一方の水平転送電極H11には,第1の水平転送パルスφH11が与えられ,他方の水平転送電極H12には,第1の水平転送パルスφH11と逆相の第2の水平転送パルスφH12が与えられる。すると,水平転送路7内に電位井戸が生成され,高感度信号電荷および低感度信号電荷が水平転送路7内を転送させられる。第1のアウトプット・ゲート11にアウトプット・ゲート・パルスφOG1が与えられることにより,上述したように第1のアウトプット・ゲート・ゲート11から低感度信号電荷が出力される。第2のアウトプット・ゲート12にアウトプット・ゲート・パルスφOG2が与えられることにより,上述したように第2のアウトプット・ゲート12から高感度信号電荷が出力される。低感度信号電荷と高感度信号電荷とは1画素分ずつ交互に出力されることとなる。
【0020】
第1のアウトプット・ゲート11から出力された低感度信号電荷は,第1のFDA13に入力し,電圧に変換される。変換された電圧は,第1の増幅回路15に与えられて,第1の映像信号Sig1としてCCD1から出力される。第2のアウトプット・ゲート12から出力された高感度信号電荷は,第2のFDA14に入力し,電圧に変換される。変換された電圧は,第2の増幅回路16に与えられて,第2の映像信号Sig2としてCCD1から出力される。
【0021】
低感度信号電荷にもとづいて得られる第1の映像信号Sig1は,スイッチ回路21のa端子に与えられる。高感度信号電荷にもとづいて得られる第2の映像信号Sig2は,スイッチ回路21のb端子に与えられる。スイッチ回路21には,切替制御信号SWが与えられており,第1の映像信号Sig1のうち,低感度信号電荷に相当する部分の映像信号が入力するときには,a端子が接続され,第2の映像信号Sig2のうち,高感度信号電荷に相当する部分の映像信号が入力するときには,b端子が接続される。スイッチ回路21からは,低感度信号電荷に相当する部分の映像信号と高感度信号電荷に相当する部分の映像信号とが合成された合成映像信号Sig3が出力されることとなる。
【0022】
スイッチ回路21から出力された合成映像信号は,CDS(相関二重サンプリング)回路22において相関二重サンプリングが行われる。CDS回路22から出力された映像信号は,GCA(ゲイン・コントロールド・アンプリファイア)23においてレベルが調整される。GCA23から出力された映像信号が表示装置に与えられることにより,表示画面上に被写体像が表示される。
【0023】
第1の映像信号Sig1のSN比(S/N)1は,式1から得られる。
【0024】
(S/N)1=k1・ne/√(k12・ne+nt12) ・・・・式1
【0025】
但し,k1は,上述したように第1のFDA13の感度,neは,信号電荷量,nt1 は第1のソース・フォロワ15の熱雑音である。
【0026】
低感度用フォトダイオード4に蓄積される低感度信号電荷の量は比較的少ない。式1から分かるように,第1の映像信号Sig1のSN比(S/N)1は,ソース・フォロワ15の熱雑音の影響が大きくなる。この実施例においては,低感度信号電荷は,大きな感度k1をもつ第1のFDA15によって電圧に変換されるので,ソース・フォロワ15の熱雑音の影響を少なくできる。第1の映像信号Sig1のSN比を実質的に向上させることができる。
【0027】
第2の映像信号Sig2のSN比(S/N)2は,第1の映像信号Sig1のSN比(S/N)1と同様に,式2から得られる。
【0028】
(S/N)2=k2・ne/√(k22・ne+nt22) ・・・・式2
【0029】
但し,k2は,上述したように第2のFDA14の感度,nt2 は第2のソース・フォロワ16の熱雑音である。
【0030】
高感度用フォトダイオード3に蓄積される高感度信号電荷の量は比較的多い。このために,第2の映像信号Sig2のSN比は,高感度信号電荷の量が支配的となる。第2のFDA14の感度k2が小さくとも第2の映像信号Sig2のSN比が悪くなることを未然に防止できる。
【0031】
図4は,他のCCDの模式図を示している。この図において図1に示すものと同一物には同一符号を付して説明を省略する。
【0032】
フォトダイオード31が水平方向および垂直方向に多数配置されている。フォトダイオード31の右側には,垂直転送路34が形成されている。
【0033】
フォトダイオード31は,その受光面のほぼすべてを受光面にもつ高感度信号電荷蓄積領域32と小さな受光面をもつ低感度信号電荷蓄積領域33とを有している。高感度信号電荷蓄積領域32に蓄積された高感度信号電荷および低感度信号電荷蓄積領域33に蓄積された低感度信号電荷は,それぞれ垂直転送路34にシフトされる。高感度信号電荷と低感度信号電荷とが1ラインずつ交互に垂直転送路34内を垂直方向に転送されていく。
【0034】
高感度信号電荷と低感度信号電荷とは,水平転送路35に与えられる。水平転送路35に水平転送パルスφHが与えられることより,高感度信号電荷と低感度信号電荷とが交互に水平転送路35内を転送させられる。水平転送路35から出力される高感度信号電荷または低感度信号電荷は,第1のFDA13または第2のFDA14において電圧に変換されるのは上述の通りである。
【0035】
図5は,CCDの電気的構成の一部を示すブロック図である。
【0036】
水平転送路40には,水平転送電極H21,H22,H23およびH24を一組として周期的に形成されている。これらの水平転送電極H21,H22,H23およびH24には,水平転送パルスφH21,φH22,φH23およびφH24またはφH31,φH32,φH33およびφH34が与えられる。
【0037】
水平転送路40は,左端部と右端部の両方から信号電荷を出力することができるものである。低感度信号電荷を出力するときには,水平転送路40の右端部から出力される。高感度信号電荷を出力するときには,水平転送路40の左端部から出力される。
【0038】
水平転送路40の右端部には,低感度信号電荷を出力するための第1のアウトプット・ゲート41が形成されている。第1のアウトプット・ゲート41には,上述したように低感度k1をもつ第1のFDA13が接続されている。したがって低感度信号電荷の電荷量が少なくともSN比が向上する。
【0039】
水平転送路40の左端部には,高感度信号電荷を出力するための第2のアウトプット・ゲート42が形成されている。第2のアウトプット・ゲート42には,高感度k2をもつ第2のFDA14が接続されている。
【0040】
図6は,低感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスφH21〜φH24を示すタイム・チャート,図7は,高感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスφH31〜φH34を示すタイム・チャートである。
【0041】
1ライン分の低感度信号電荷と1ライン分の高感度信号電荷は,1ラインごとに交互に水平転送路40に入力するから,図6に示す低感度信号電荷を出力する水平転送パルスφH21〜φH24と図7に示す高感度信号電荷を出力する水平転送パルスφH31〜φH34とは1ラインごと交互に水平転送路40に与えられることとなる。
【0042】
図6を参照して,時刻t11において水平転送パルスφH24がHレベルとなると,水平転送電極H24下にポテンシャル井戸が形成され,垂直転送路から転送されてきた低感度信号電荷がポテンシャル井戸に蓄積される。時刻t12において水平転送パルスφH23がHレベルとなると,水平転送電極H23下にポテンシャル井戸が形成される。すると,低感度信号電荷が水平転送電極H24下から水平転送電気よくH23下に転送させられる。以下,同様に,時刻t13において水平転送パルスφH22がHレベルとなると,低感度信号電荷が水平転送電極H22下に転送させられる。時刻t14となると,水平転送パルスφH4は,Lレベルとなる。時刻t15において水平転送パルスφH21がHレベルとなると,低感度信号電荷が水平転送電極H21下に転送させられ,時刻t16において水平転送パルスφH24が再びHレベルとなると,低感度信号電荷が水平転送電極H24下に転送させられる。
【0043】
このようにして,低感度信号電荷が水平転送路40内を右方向に転送させられていく。低感度信号電荷は,第1のアウトプット・ゲート41から出力され,感度k1をもつ第1のFDA13によって電圧に変換されるのは上述の通りである。
【0044】
図7を参照して,時刻t21において水平転送パルスφH31がHレベルとなると,水平転送電極H21下にポテンシャル井戸が形成され,垂直転送路から転送されてきた高感度信号電荷がポテンシャル井戸に蓄積される。時刻t22において水平転送パルスφH32がHレベルとなると,水平転送電極H22下にポテンシャル井戸が形成される。すると,高感度信号電荷が水平転送電極H21下から水平転送電極H22下に転送させられる。以下,同様に,時刻t23において水平転送パルスφH33がHレベルとなると,高感度信号電荷が水平転送電極H23下に転送させられる。時刻t24となると,水平転送パルスφH31は,Lレベルとなる。時刻t25において水平転送パルスφH34がHレベルとなると,高感度信号電荷が水平転送電極H24下に転送させられ,時刻t26において水平転送パルスφH31が再びHレベルとなると,高感度信号電荷が水平転送電極H21下に転送させられる。
【0045】
このようにして,高感度信号電荷が水平転送路40内を左方向に転送させられていく。高感度信号電荷は,第2のアウトプット・ゲート42から出力され,感度k2をもつ第2のFDA14によって電圧に変換されるのは上述の通りである。
【図面の簡単な説明】
【図1】CCDの模式図である。
【図2】CCDの電気的構成の一部とCCDに接続される回路を示している。
【図3】(A)から(H)は,図2に示す回路に流れるパルス等のタイム・チャートである。
【図4】CCDの模式図である。
【図5】CCDの電気的構成の一部とCCDに接続される回路を示している。
【図6】低感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスを示している。
【図7】高感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスを示している。
【符号の説明】
1,30 CCD
3 高感度用フォトダイオード
4 低感度用フォトダイオード
7,35,40 水平転送路
13 第1のFDA(第1の増幅回路)
14 第2のFDA(第2の増幅回路)
21 スイッチ回路
32 高感度信号電荷蓄積領域
33 低感度信号電荷蓄積領域
【技術分野】
この発明は,固体電子撮像装置およびその出力制御方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
CCDのような固体電子撮像素子には,高感度用の光電変換素子と低感度用の光電変換素子とが多数配列されているものがある。高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷から得られる映像信号と低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷から得られる映像信号とが組み合わされることにより,固体電子撮像素子のダイナミック・レンジが実質的に広がる(例えば,特許文献1)。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−205589号公報
【0004】
光電変換素子に蓄積された信号電荷は,FDA(フローティング・ディフュージョン・アンプリファイア)によって映像信号に変換されて固体電子撮像素子から出力される。低感度用の光電変換素子に蓄積される信号電荷の量は,高感度用の光電変換素子に蓄積される信号電荷の量に比べて少ない。映像信号のS/Nは,信号電荷の量,熱雑音,FDAの感度などに依存する。信号電荷の量が少ないと熱雑音が支配的となり,映像信号のS/Nが低下することがある。
【0005】
【発明の開示】
この発明は,S/Nを向上させることを目的とする。
【0006】
この発明による固体電子撮像装置は,高感度用のものと低感度用のものとが多数配列されている光電変換素子,大きな感度をもち,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する第1の増幅回路,および上記第1の増幅回路の感度より小さな感度をもち,高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する第2の増幅回路を備えていることを特徴とする。
【0007】
この発明は,上記固体電子撮像装置に適した出力制御方法も提供している。すなわち,この方法は,高感度用の光電変換素子と低感度用の光電変換素子とが多数配列されている固体電子撮像装置において,大きな感度(第1の感度)をもつ第1の増幅回路を用いて,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力し,上記第1の増幅回路の感度より小さな感度(第2の感度)をもつ第2の増幅回路を用いて,高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力するものである。
【0008】
この発明によると,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷は,大きな感度をもつ第1の増幅回路によって映像信号に変換される。高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷は,小さな感度をもつ第2の増幅回路によって映像信号に変換される。S/Nは,信号電荷の電荷量,感度,熱雑音などに依存する。低感度用の光電変換素子に蓄積される信号電荷の量は比較的少ないが,感度の大きい第1の増幅回路によって映像信号に変換されるので,熱雑音が支配的になるのを未然に防止できる。映像信号のS/Nを向上することができる。
【0009】
上記第1の増幅回路から出力された映像信号と上記第2の増幅回路から出力された映像信号とを切り替えて出力するスイッチ回路をさらに備えるようにしてもよい。
【0010】
1つの光電変換素子の受光領域が,高感度用のものと低感度用のものとに分けられているものでもよい。
【0011】
上記光電変換素子に蓄積された信号電荷を転送する転送路をさらに備えている場合には,上記第1の増幅回路が上記転送路の一端部に接続され,上記第2の増幅回路が上記転送路の他端部に接続されているものでもよい。もちろん,上記第1の増幅回路および上記第2の増幅回路の両方ともが上記転送路の出力端に接続されていてもよい。
【0012】
【実施例の説明】
図1は,CCDの模式図を示している。
【0013】
CCD1には,水平方向および垂直方向に多数のフォトダイオード3および4が配置されている。一方のフォトダイオード3は奇数行,奇数列に配置されており,他方のフォトダイオード4は偶数行,偶数列に配置されている。一方のフォトダイオード3の受光領域の大きさは,他方のフォトダイオード4の受光領域の大きさよりも大きい。このために,一方のフォトダイオード3に蓄積される信号電荷の量の方が他方のフォトダイオード4に蓄積される信号電荷の量よりも多くなる。したがって,一方のフォトダイオード3の方が他方のフォトダイオード4よりも高感度といえる。以下,一方のフォトダイオード3を高感度用フォトダイオード(高感度画素)3,他方のフォトダイオード4を低感度用フォトダイオード(低感度画素)4ということにする。また,高感度用フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を高感度信号電荷,低感度用フォトダイオード4に蓄積された信号電荷を低感度信号電荷ということにする。
【0014】
高感度用フォトダイオード3の右側には,高感度用フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送路5が形成されている。低感度用フォトダイオード4の右側には,低感度用フォトダイオード4に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送路6が形成されている。高感度用フォトダイオード3に蓄積された高感度信号電荷が垂直転送路5を介して水平転送路7に転送される。また,低感度用フォトダイオード4に蓄積された低感度信号電荷が垂直転送路6を介して水平転送路7に転送される。
【0015】
水平転送路7に,水平転送パルスφH11およびφH12が与えられることにより,垂直転送路5および6から転送されてきた高感度信号電荷および低感度信号電荷がそれぞれ水平方向に転送されていく。
【0016】
水平転送路7の出力端部(右側の端部)には,第1のアウトプット・ゲート11および第2のアウトプット・ゲート12が形成されている。第1のアウトプット・ゲート11は,低感度用フォトダイオード4に蓄積された低感度信号電荷を出力するものである。第2のアウトプット・ゲート12は,高感度用フォトダイオード3に蓄積された高感度信号電荷を出力するものである。
【0017】
第1のアウトプット・ゲート11から出力された低感度信号電荷は,第1の感度k1をもつ第1のFDA(フローティング・ディフュージョン・アンプリファイア13に入力し,信号電荷量に応じた電圧に変換される。第1のFDA13の出力電圧がソース・フォロワ15において増幅され,低感度信号電荷にもとづいて得られる第1の映像信号Sig1としてCCD1から出力される。同様に,第2のアウトプット・ゲート12から出力された高感度信号電荷は,第2の感度k2をもつ第2のFDA14に入力し,電圧に変換される。第2のFDA14の出力電圧がソース・フォロワ16において増幅され,低感度信号電荷にもとづいて得られる第2の映像信号Sig2としてCCD1から出力される。
【0018】
図2は,CCD1の一部の電気的構成とCCDに接続される回路のブロック図を示している。図3(A)から(H)は,図2の各回路に流れる信号等を示すタイム・チャートである。
【0019】
水平転送路7には,水平転送電極H11とH12とが交互に多数形成されている。一方の水平転送電極H11には,第1の水平転送パルスφH11が与えられ,他方の水平転送電極H12には,第1の水平転送パルスφH11と逆相の第2の水平転送パルスφH12が与えられる。すると,水平転送路7内に電位井戸が生成され,高感度信号電荷および低感度信号電荷が水平転送路7内を転送させられる。第1のアウトプット・ゲート11にアウトプット・ゲート・パルスφOG1が与えられることにより,上述したように第1のアウトプット・ゲート・ゲート11から低感度信号電荷が出力される。第2のアウトプット・ゲート12にアウトプット・ゲート・パルスφOG2が与えられることにより,上述したように第2のアウトプット・ゲート12から高感度信号電荷が出力される。低感度信号電荷と高感度信号電荷とは1画素分ずつ交互に出力されることとなる。
【0020】
第1のアウトプット・ゲート11から出力された低感度信号電荷は,第1のFDA13に入力し,電圧に変換される。変換された電圧は,第1の増幅回路15に与えられて,第1の映像信号Sig1としてCCD1から出力される。第2のアウトプット・ゲート12から出力された高感度信号電荷は,第2のFDA14に入力し,電圧に変換される。変換された電圧は,第2の増幅回路16に与えられて,第2の映像信号Sig2としてCCD1から出力される。
【0021】
低感度信号電荷にもとづいて得られる第1の映像信号Sig1は,スイッチ回路21のa端子に与えられる。高感度信号電荷にもとづいて得られる第2の映像信号Sig2は,スイッチ回路21のb端子に与えられる。スイッチ回路21には,切替制御信号SWが与えられており,第1の映像信号Sig1のうち,低感度信号電荷に相当する部分の映像信号が入力するときには,a端子が接続され,第2の映像信号Sig2のうち,高感度信号電荷に相当する部分の映像信号が入力するときには,b端子が接続される。スイッチ回路21からは,低感度信号電荷に相当する部分の映像信号と高感度信号電荷に相当する部分の映像信号とが合成された合成映像信号Sig3が出力されることとなる。
【0022】
スイッチ回路21から出力された合成映像信号は,CDS(相関二重サンプリング)回路22において相関二重サンプリングが行われる。CDS回路22から出力された映像信号は,GCA(ゲイン・コントロールド・アンプリファイア)23においてレベルが調整される。GCA23から出力された映像信号が表示装置に与えられることにより,表示画面上に被写体像が表示される。
【0023】
第1の映像信号Sig1のSN比(S/N)1は,式1から得られる。
【0024】
(S/N)1=k1・ne/√(k12・ne+nt12) ・・・・式1
【0025】
但し,k1は,上述したように第1のFDA13の感度,neは,信号電荷量,nt1 は第1のソース・フォロワ15の熱雑音である。
【0026】
低感度用フォトダイオード4に蓄積される低感度信号電荷の量は比較的少ない。式1から分かるように,第1の映像信号Sig1のSN比(S/N)1は,ソース・フォロワ15の熱雑音の影響が大きくなる。この実施例においては,低感度信号電荷は,大きな感度k1をもつ第1のFDA15によって電圧に変換されるので,ソース・フォロワ15の熱雑音の影響を少なくできる。第1の映像信号Sig1のSN比を実質的に向上させることができる。
【0027】
第2の映像信号Sig2のSN比(S/N)2は,第1の映像信号Sig1のSN比(S/N)1と同様に,式2から得られる。
【0028】
(S/N)2=k2・ne/√(k22・ne+nt22) ・・・・式2
【0029】
但し,k2は,上述したように第2のFDA14の感度,nt2 は第2のソース・フォロワ16の熱雑音である。
【0030】
高感度用フォトダイオード3に蓄積される高感度信号電荷の量は比較的多い。このために,第2の映像信号Sig2のSN比は,高感度信号電荷の量が支配的となる。第2のFDA14の感度k2が小さくとも第2の映像信号Sig2のSN比が悪くなることを未然に防止できる。
【0031】
図4は,他のCCDの模式図を示している。この図において図1に示すものと同一物には同一符号を付して説明を省略する。
【0032】
フォトダイオード31が水平方向および垂直方向に多数配置されている。フォトダイオード31の右側には,垂直転送路34が形成されている。
【0033】
フォトダイオード31は,その受光面のほぼすべてを受光面にもつ高感度信号電荷蓄積領域32と小さな受光面をもつ低感度信号電荷蓄積領域33とを有している。高感度信号電荷蓄積領域32に蓄積された高感度信号電荷および低感度信号電荷蓄積領域33に蓄積された低感度信号電荷は,それぞれ垂直転送路34にシフトされる。高感度信号電荷と低感度信号電荷とが1ラインずつ交互に垂直転送路34内を垂直方向に転送されていく。
【0034】
高感度信号電荷と低感度信号電荷とは,水平転送路35に与えられる。水平転送路35に水平転送パルスφHが与えられることより,高感度信号電荷と低感度信号電荷とが交互に水平転送路35内を転送させられる。水平転送路35から出力される高感度信号電荷または低感度信号電荷は,第1のFDA13または第2のFDA14において電圧に変換されるのは上述の通りである。
【0035】
図5は,CCDの電気的構成の一部を示すブロック図である。
【0036】
水平転送路40には,水平転送電極H21,H22,H23およびH24を一組として周期的に形成されている。これらの水平転送電極H21,H22,H23およびH24には,水平転送パルスφH21,φH22,φH23およびφH24またはφH31,φH32,φH33およびφH34が与えられる。
【0037】
水平転送路40は,左端部と右端部の両方から信号電荷を出力することができるものである。低感度信号電荷を出力するときには,水平転送路40の右端部から出力される。高感度信号電荷を出力するときには,水平転送路40の左端部から出力される。
【0038】
水平転送路40の右端部には,低感度信号電荷を出力するための第1のアウトプット・ゲート41が形成されている。第1のアウトプット・ゲート41には,上述したように低感度k1をもつ第1のFDA13が接続されている。したがって低感度信号電荷の電荷量が少なくともSN比が向上する。
【0039】
水平転送路40の左端部には,高感度信号電荷を出力するための第2のアウトプット・ゲート42が形成されている。第2のアウトプット・ゲート42には,高感度k2をもつ第2のFDA14が接続されている。
【0040】
図6は,低感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスφH21〜φH24を示すタイム・チャート,図7は,高感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスφH31〜φH34を示すタイム・チャートである。
【0041】
1ライン分の低感度信号電荷と1ライン分の高感度信号電荷は,1ラインごとに交互に水平転送路40に入力するから,図6に示す低感度信号電荷を出力する水平転送パルスφH21〜φH24と図7に示す高感度信号電荷を出力する水平転送パルスφH31〜φH34とは1ラインごと交互に水平転送路40に与えられることとなる。
【0042】
図6を参照して,時刻t11において水平転送パルスφH24がHレベルとなると,水平転送電極H24下にポテンシャル井戸が形成され,垂直転送路から転送されてきた低感度信号電荷がポテンシャル井戸に蓄積される。時刻t12において水平転送パルスφH23がHレベルとなると,水平転送電極H23下にポテンシャル井戸が形成される。すると,低感度信号電荷が水平転送電極H24下から水平転送電気よくH23下に転送させられる。以下,同様に,時刻t13において水平転送パルスφH22がHレベルとなると,低感度信号電荷が水平転送電極H22下に転送させられる。時刻t14となると,水平転送パルスφH4は,Lレベルとなる。時刻t15において水平転送パルスφH21がHレベルとなると,低感度信号電荷が水平転送電極H21下に転送させられ,時刻t16において水平転送パルスφH24が再びHレベルとなると,低感度信号電荷が水平転送電極H24下に転送させられる。
【0043】
このようにして,低感度信号電荷が水平転送路40内を右方向に転送させられていく。低感度信号電荷は,第1のアウトプット・ゲート41から出力され,感度k1をもつ第1のFDA13によって電圧に変換されるのは上述の通りである。
【0044】
図7を参照して,時刻t21において水平転送パルスφH31がHレベルとなると,水平転送電極H21下にポテンシャル井戸が形成され,垂直転送路から転送されてきた高感度信号電荷がポテンシャル井戸に蓄積される。時刻t22において水平転送パルスφH32がHレベルとなると,水平転送電極H22下にポテンシャル井戸が形成される。すると,高感度信号電荷が水平転送電極H21下から水平転送電極H22下に転送させられる。以下,同様に,時刻t23において水平転送パルスφH33がHレベルとなると,高感度信号電荷が水平転送電極H23下に転送させられる。時刻t24となると,水平転送パルスφH31は,Lレベルとなる。時刻t25において水平転送パルスφH34がHレベルとなると,高感度信号電荷が水平転送電極H24下に転送させられ,時刻t26において水平転送パルスφH31が再びHレベルとなると,高感度信号電荷が水平転送電極H21下に転送させられる。
【0045】
このようにして,高感度信号電荷が水平転送路40内を左方向に転送させられていく。高感度信号電荷は,第2のアウトプット・ゲート42から出力され,感度k2をもつ第2のFDA14によって電圧に変換されるのは上述の通りである。
【図面の簡単な説明】
【図1】CCDの模式図である。
【図2】CCDの電気的構成の一部とCCDに接続される回路を示している。
【図3】(A)から(H)は,図2に示す回路に流れるパルス等のタイム・チャートである。
【図4】CCDの模式図である。
【図5】CCDの電気的構成の一部とCCDに接続される回路を示している。
【図6】低感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスを示している。
【図7】高感度信号電荷を出力するときの水平転送パルスを示している。
【符号の説明】
1,30 CCD
3 高感度用フォトダイオード
4 低感度用フォトダイオード
7,35,40 水平転送路
13 第1のFDA(第1の増幅回路)
14 第2のFDA(第2の増幅回路)
21 スイッチ回路
32 高感度信号電荷蓄積領域
33 低感度信号電荷蓄積領域
Claims (5)
- 高感度用のものと低感度用のものとが多数配列されている光電変換素子,
大きな感度をもち,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する第1の増幅回路,および
上記第1の増幅回路の感度より小さな感度をもち,高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する第2の増幅回路,
を備えた固体電子撮像装置。 - 上記第1の増幅回路から出力された映像信号と上記第2の増幅回路から出力された映像信号とを切り替えて出力するスイッチ回路をさらに備えた請求項1に記載の固体電子撮像装置。
- 1つの光電変換素子の受光領域が高感度用のものと低感度用のものとに分けられている請求項1に記載の固体電子撮像装置。
- 上記光電変換素子に蓄積された信号電荷を転送する転送路をさらに備え,
上記第1の増幅回路が上記転送路の一端部に接続され,
上記第2の増幅回路が上記転送路の他端部に接続されている,
請求項1に記載の固体電子撮像装置。 - 高感度用の光電変換素子と低感度用の光電変換素子とが多数配列されている固体電子撮像装置において,
大きな感度をもつ第1の増幅回路を用いて,低感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力し,
上記第1の増幅回路の感度より小さな感度をもつ第2の増幅回路を用いて,高感度用の光電変換素子に蓄積された信号電荷を映像信号に変換して出力する,
固体電子撮像装置の出力制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003109689A JP2004320270A (ja) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | 固体電子撮像装置およびその出力制御方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8872950B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image-capturing apparatus with imaging pixel and focusing pixel having light shield layers including openings |
-
2003
- 2003-04-15 JP JP2003109689A patent/JP2004320270A/ja active Pending
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