JP2004314155A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004314155A JP2004314155A JP2003114814A JP2003114814A JP2004314155A JP 2004314155 A JP2004314155 A JP 2004314155A JP 2003114814 A JP2003114814 A JP 2003114814A JP 2003114814 A JP2003114814 A JP 2003114814A JP 2004314155 A JP2004314155 A JP 2004314155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- workpiece
- laser
- mask
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
【課題】エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換することなく、ガウス分布のレーザビームにより、ワークを加工して加工部端面を垂直にすることが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム2を、所定のパターンの開口部6aが形成されたマスク6を介して、ワーク3の表面に略垂直に照射することにより、ワーク3にレーザ加工を行うレーザ加工方法において、マスク開口部6aの端縁に対応するワーク3の加工領域端部と、ワーク3に照射されるレーザビーム2のエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、ワーク3の加工部端面3aがワーク3の表面に対して垂直に加工されるようにする。
【選択図】 図3
【解決手段】レーザビーム2を、所定のパターンの開口部6aが形成されたマスク6を介して、ワーク3の表面に略垂直に照射することにより、ワーク3にレーザ加工を行うレーザ加工方法において、マスク開口部6aの端縁に対応するワーク3の加工領域端部と、ワーク3に照射されるレーザビーム2のエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、ワーク3の加工部端面3aがワーク3の表面に対して垂直に加工されるようにする。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ加工方法に関し、特に、マスクを用いてレーザ加工を行う場合において、加工部端面が略垂直になるような加工を行うことが可能なレーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
一般に、レーザを用いてワークに垂直加工を施す方法として、カライドスコープ等のホモジナイザを用いてエネルギ密度分布がガウス分布のレーザを垂直(矩形)分布レーザに変換して加工する方法が知られている。
【0003】
しかし、エネルギ密度分布の垂直(矩形)化に用いられるカライドスコープなどのホモジナイザを用いて、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換しようとすると、構成が複雑で、高価な光学部品を用いることが必要になるため、設備コストの増大を招くという問題点がある。
【0004】
一方、ガウス分布レーザを用いてワークを加工する方法としては、図5に示すような装置を用い、マスクを利用して加工を行う方法がある。
【0005】
この従来のレーザ加工に用いられる装置は、レーザビーム51を発生させるレーザ発振器52と、ビームエキスパンダ53と、マスク54と、レーザアッテネータ55と、これらを通過させたレーザビーム51をワーク60上の所定の位置に集光させるスキャン光学系56とを備えている。
ビームエキスパンダ53はレーザ発振器52から射出されたレーザビーム51を所定のビーム径に整形する機能を果たす。また、マスク54は所定のビーム径に整形されたレーザビーム51のビーム周辺を遮蔽する。さらに、レーザアッテネータ55は、レーザビーム51の全体エネルギーを指定値に調整し、スキャン光学系56は、レーザビーム51を基板上をスキャニングするとともに集光する機能を果たす。
【0006】
そして、このレーザ加工装置においては、レーザ発振器52から射出され、ビームエキスパンダ53にて所望のビーム径に整形されたレーザビーム51は、マスク54によりビーム周辺を遮蔽される。そして、マスク54を通過したレーザビーム51は、レーザアッテネータ55を通過し、スキャン光学系56によりワーク60の表面の所定位置に集光、照射される。
すなわち、レーザ発振器52から出た、図6(a)に示すようなエネルギ密度分布を有するレーザビーム51が、図6(b)に示すように、マスク54を通過して周辺部が遮蔽された状態でワーク60に照射されることになる(例えば特許文献1参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−138076号公報
【0008】
しかしながら、この特許文献1の方法のように、レーザビームのエネルギ密度分布の小さい周辺部のみを遮蔽する位置にマスクを配置するようにした場合において、図7(a)に示すように、周辺部が遮蔽された状態のレーザビーム51がワーク60(図7(b))に照射されると、図7(b)に示すように、ワーク60の加工領域端部Pにおいて、レーザビーム51の周辺部のエネルギ密度分布が傾斜した部分の影響により、ワーク60の加工部端面63aが斜めになり、テーパ形状の加工部が形成されてしまうという問題点がある。
【0009】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、マスクを用いて、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームによりワークを加工する場合において、ガウス分布のレーザビームを、垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する必要なく、加工部端面を垂直にすることが可能なレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のレーザ加工方法は、
レーザビームを、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介してワーク表面に略垂直に照射することによりワークに加工を行うレーザ加工方法において、
マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、ワークの加工部端面が略垂直になるようにしたこと
を特徴としている。
【0011】
マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、マスク開口部の端縁に対応する加工領域端部におけるエネルギ分布が垂直となるため、ワークの加工部端面にテーパを生じることがなく、加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようなレーザ加工を行うことが可能になる。
【0012】
また、本発明によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようレーザ加工を行うことが可能になるため、ガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、効率よくレーザ加工を行うことが可能になる。
なお、本発明は、センサやフィルタなどの電子部品の製造時において、電子部品に用いられている基板に、ダイヤフラムなどの矩形凹部を形成するのに用いた場合に特に有意義である。
【0013】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【0014】
[実施例1]
この実施例1では、THG−YAGレーザビーム(ガウス分布のレーザビーム)を、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介して、ワークであるセラミック基板に照射して、1mm×1mmの穴加工を行う場合を例にとって説明する。
【0015】
図1は、この実施例1において用いたレーザ加工装置の要部を模式的に示す図である。
このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、レーザ発振器から出射したレーザビーム2をワーク3の表面に対して略垂直方向に反射させるベンドミラー4と、集光レンズ5と、ワーク3の表面に載置される、1mm×1mmの開口部(マスク開口部)6aを有するマスク(遮光装置)6と、ワーク3をX−Y方向に移動させる加工テーブル7を備えている。
すなわち、この実施例1のレーザ加工装置は、レーザビーム2及び集光レンズ5は移動せず、マスク6及びワーク3を加工テーブル7により所定の方向に移動させることによりレーザスキャニングが行われるように構成されている。
【0016】
そして、このレーザ加工装置においては、レーザ発振器1から出射したレーザビーム2が、ベンドミラー4により、ワーク3の表面に対して垂直な方向に反射される。
ベンドミラー4により反射されたレーザビーム2は、ベンドミラー4とワーク3の間に配設された集光レンズ5及びマスク開口部6aを経て、加工テーブル7に設置されたワーク3に照射される。
【0017】
そして、ここでは、加工テーブル7が移動することにより、図2に示すように、レーザビーム2が、X方向に走査された後、X方向と直交するY方向に所定のピッチで移動し、さらに、X方向に走査された後、再びY方向に所定のピッチだけ移動することにより、マスク開口部6aに対応する所定の領域全体についてレーザスキャニングが行われる。
これにより、ワーク3は所定の領域に亘ってレーザビーム2の照射を受けて除去され、このレーザスキャニング操作が繰り返されることにより、領域の穴深さが所定の深さになるまで(ワーク3に貫通穴を形成する場合にはワーク3を貫通するまで)レーザ加工が行われる。
【0018】
そして、この実施例1では、ワーク3及びマスク6が、加工テーブル7により、マスク開口部6aの端縁(加工領域端部)、すなわち図3の点Pで示される位置において、エネルギ密度分布が最大となるように位置制御されながらワーク3にレーザビーム2が照射されるように構成されている。
【0019】
したがって、加工領域端部Pでのエネルギ密度分布がワーク3の表面に対して垂直かつエネルギ密度が最大となり、ワーク3の加工部端面3aがワーク3の表面に対して垂直になるようにレーザ加工を行うことが可能になる。
【0020】
また、この実施例1の方法によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面が垂直なレーザ加工を行うことができるため、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを、垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、複雑で高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、経済的に高精度のレーザ加工を行うことが可能になる。
【0021】
なお、この実施例1では、ワーク3の加工領域の平面形状が方形である場合を例にとって説明したが、加工領域の平面形状が三角形あるいは五角形以上の多角形、円形、さらにはその他の形状である場合にも本発明を適用することが可能である。
【0022】
[実施例2]
この実施例2でも、上記実施例1の場合と同様に、THG−YAGレーザビーム(ガウス分布のレーザビーム)を、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介して、ワークであるセラミック基板に照射して、1mm×1mmの穴加工を行う場合を例にとって説明する。
【0023】
図4は、この実施例2において用いたレーザ加工装置の要部を模式的に示す図である。
このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、レーザビーム2を反射させて方向を変えるガルバノミラー12a及び12bと、ガルバノミラー12a,12bを回転駆動するガルバノミラー駆動手段13a,13bと、ガルバノミラー12bとワーク3の間に配設され、ガルバノミラー12bで反射されたレーザビーム2を集光してワーク3に照射する集光レンズ5と、ワーク3の表面に載置される、1mm×1mmの開口部(マスク開口部)6aが形成されたマスク(遮光装置)6とを備えている。
【0024】
このレーザ加工装置を用いてレーザ加工を行う場合、レーザ発振器1から出射したレーザビーム2が、ガルバノミラー12a,12bの回転により、図2に示すように、X方向に走査された後、X方向と直交するY方向に所定のピッチで移動し、さらに、X方向に走査された後、再びY方向に所定のピッチだけ移動することにより、マスク開口部6aに対応する所定の領域全体についてレーザスキャニングが行われる。
【0025】
これにより、ワーク3は所定の領域に亘ってレーザビーム2の照射を受けて除去され、このレーザスキャニング操作が繰り返されることにより、領域の穴深さが所定の深さになるまで(ワーク3に貫通穴を形成する場合にはワーク3を貫通するまで)加工が行われる。
【0026】
そして、この実施例2では、2枚のガルバノミラー12a,12bの回転位置制御により、マスク開口部6aの端縁(=加工領域端部)、すなわち図3の点Pで示される位置において、レーザビーム2のエネルギ密度分布が最大となるようにレーザビーム2がワーク3に照射されるように構成されている。
【0027】
したがって、加工領域端部Pでのエネルギ密度分布がワーク3の表面に対して垂直かつエネルギ密度が最大となり、ワーク3の加工部端面3aがワーク3の表面に対して垂直になるようにレーザ加工を行うことが可能になる。
【0028】
また、この実施例2の方法によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面が垂直なレーザ加工を行うことができるため、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを、垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、複雑で高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、経済的に高精度のレーザ加工を行うことができるようになる。
【0029】
なお、実施例2でも、ワーク3の加工領域の平面形状が方形である場合を例にとって説明したが、加工領域の平面形状が三角形あるいは五角形以上の多角形、円形、さらにはその他の形状である場合にも本発明を適用することが可能である。
【0030】
また、上記実施例1,2では、1つの開口部6aを備えたマスク6を用いて加工を行う場合を例にとって説明したが、多数個の開口部を備えたマスクを用いて、1つのワークの多数の領域に同時に加工する場合にも本発明を適用することが可能であり、いわゆる多数個取りの製造工程にも適用することが可能である。
【0031】
なお、本発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、ワークの構成材料、レーザビームの種類、マスクのパターンなどに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【0032】
【発明の効果】
上述のように、本発明のレーザ加工方法は、マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させるようにしているので、マスク開口部の端縁に対応する加工領域端部におけるエネルギ分布が垂直となるため、ワークの加工部端面にテーパを生じることがなく、加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようなレーザ加工を行うことができるようになる。
【0033】
また、本発明によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようレーザ加工を行うことが可能になるため、ガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、効率よくレーザ加工を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例(実施例1)において用いたレーザ加工装置の要部を示す図である。
【図2】本発明の実施例(実施例1及び2)におけるレーザビームのスキャン経路を示す図である。
【図3】本発明の実施例(実施例1)の一工程におけるワークの加工状態を示す、図2のA−A線による断面図である。
【図4】本発明の他の実施例(実施例2)において用いたレーザ加工装置の要部を示す図である。
【図5】従来のレーザ加工装置を示す図である。
【図6】(a)はマスクを通過する前のレーザビームのエネルギ密度分布を示す図、(b)はマスクを通過した後のレーザビームのエネルギ密度分布を示す図である。
【図7】(a)はマスクを通過する前と通過した後のレーザビームのエネルギ密度分布を示す図、(b)はワークの加工状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 レーザ発振器
2 レーザビーム
3 ワーク
3a ワークの加工部端面
4 ベンドミラー
5 集光レンズ
6 マスク
6a マスクの開口部
7 加工テーブル
12a,12b ガルバノミラー
13a,13b ガルバノミラー駆動手段
P マスク開口部の端縁(加工領域端部)
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ加工方法に関し、特に、マスクを用いてレーザ加工を行う場合において、加工部端面が略垂直になるような加工を行うことが可能なレーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
一般に、レーザを用いてワークに垂直加工を施す方法として、カライドスコープ等のホモジナイザを用いてエネルギ密度分布がガウス分布のレーザを垂直(矩形)分布レーザに変換して加工する方法が知られている。
【0003】
しかし、エネルギ密度分布の垂直(矩形)化に用いられるカライドスコープなどのホモジナイザを用いて、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換しようとすると、構成が複雑で、高価な光学部品を用いることが必要になるため、設備コストの増大を招くという問題点がある。
【0004】
一方、ガウス分布レーザを用いてワークを加工する方法としては、図5に示すような装置を用い、マスクを利用して加工を行う方法がある。
【0005】
この従来のレーザ加工に用いられる装置は、レーザビーム51を発生させるレーザ発振器52と、ビームエキスパンダ53と、マスク54と、レーザアッテネータ55と、これらを通過させたレーザビーム51をワーク60上の所定の位置に集光させるスキャン光学系56とを備えている。
ビームエキスパンダ53はレーザ発振器52から射出されたレーザビーム51を所定のビーム径に整形する機能を果たす。また、マスク54は所定のビーム径に整形されたレーザビーム51のビーム周辺を遮蔽する。さらに、レーザアッテネータ55は、レーザビーム51の全体エネルギーを指定値に調整し、スキャン光学系56は、レーザビーム51を基板上をスキャニングするとともに集光する機能を果たす。
【0006】
そして、このレーザ加工装置においては、レーザ発振器52から射出され、ビームエキスパンダ53にて所望のビーム径に整形されたレーザビーム51は、マスク54によりビーム周辺を遮蔽される。そして、マスク54を通過したレーザビーム51は、レーザアッテネータ55を通過し、スキャン光学系56によりワーク60の表面の所定位置に集光、照射される。
すなわち、レーザ発振器52から出た、図6(a)に示すようなエネルギ密度分布を有するレーザビーム51が、図6(b)に示すように、マスク54を通過して周辺部が遮蔽された状態でワーク60に照射されることになる(例えば特許文献1参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−138076号公報
【0008】
しかしながら、この特許文献1の方法のように、レーザビームのエネルギ密度分布の小さい周辺部のみを遮蔽する位置にマスクを配置するようにした場合において、図7(a)に示すように、周辺部が遮蔽された状態のレーザビーム51がワーク60(図7(b))に照射されると、図7(b)に示すように、ワーク60の加工領域端部Pにおいて、レーザビーム51の周辺部のエネルギ密度分布が傾斜した部分の影響により、ワーク60の加工部端面63aが斜めになり、テーパ形状の加工部が形成されてしまうという問題点がある。
【0009】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、マスクを用いて、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームによりワークを加工する場合において、ガウス分布のレーザビームを、垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する必要なく、加工部端面を垂直にすることが可能なレーザ加工方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のレーザ加工方法は、
レーザビームを、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介してワーク表面に略垂直に照射することによりワークに加工を行うレーザ加工方法において、
マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、ワークの加工部端面が略垂直になるようにしたこと
を特徴としている。
【0011】
マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、マスク開口部の端縁に対応する加工領域端部におけるエネルギ分布が垂直となるため、ワークの加工部端面にテーパを生じることがなく、加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようなレーザ加工を行うことが可能になる。
【0012】
また、本発明によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようレーザ加工を行うことが可能になるため、ガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、効率よくレーザ加工を行うことが可能になる。
なお、本発明は、センサやフィルタなどの電子部品の製造時において、電子部品に用いられている基板に、ダイヤフラムなどの矩形凹部を形成するのに用いた場合に特に有意義である。
【0013】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【0014】
[実施例1]
この実施例1では、THG−YAGレーザビーム(ガウス分布のレーザビーム)を、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介して、ワークであるセラミック基板に照射して、1mm×1mmの穴加工を行う場合を例にとって説明する。
【0015】
図1は、この実施例1において用いたレーザ加工装置の要部を模式的に示す図である。
このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、レーザ発振器から出射したレーザビーム2をワーク3の表面に対して略垂直方向に反射させるベンドミラー4と、集光レンズ5と、ワーク3の表面に載置される、1mm×1mmの開口部(マスク開口部)6aを有するマスク(遮光装置)6と、ワーク3をX−Y方向に移動させる加工テーブル7を備えている。
すなわち、この実施例1のレーザ加工装置は、レーザビーム2及び集光レンズ5は移動せず、マスク6及びワーク3を加工テーブル7により所定の方向に移動させることによりレーザスキャニングが行われるように構成されている。
【0016】
そして、このレーザ加工装置においては、レーザ発振器1から出射したレーザビーム2が、ベンドミラー4により、ワーク3の表面に対して垂直な方向に反射される。
ベンドミラー4により反射されたレーザビーム2は、ベンドミラー4とワーク3の間に配設された集光レンズ5及びマスク開口部6aを経て、加工テーブル7に設置されたワーク3に照射される。
【0017】
そして、ここでは、加工テーブル7が移動することにより、図2に示すように、レーザビーム2が、X方向に走査された後、X方向と直交するY方向に所定のピッチで移動し、さらに、X方向に走査された後、再びY方向に所定のピッチだけ移動することにより、マスク開口部6aに対応する所定の領域全体についてレーザスキャニングが行われる。
これにより、ワーク3は所定の領域に亘ってレーザビーム2の照射を受けて除去され、このレーザスキャニング操作が繰り返されることにより、領域の穴深さが所定の深さになるまで(ワーク3に貫通穴を形成する場合にはワーク3を貫通するまで)レーザ加工が行われる。
【0018】
そして、この実施例1では、ワーク3及びマスク6が、加工テーブル7により、マスク開口部6aの端縁(加工領域端部)、すなわち図3の点Pで示される位置において、エネルギ密度分布が最大となるように位置制御されながらワーク3にレーザビーム2が照射されるように構成されている。
【0019】
したがって、加工領域端部Pでのエネルギ密度分布がワーク3の表面に対して垂直かつエネルギ密度が最大となり、ワーク3の加工部端面3aがワーク3の表面に対して垂直になるようにレーザ加工を行うことが可能になる。
【0020】
また、この実施例1の方法によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面が垂直なレーザ加工を行うことができるため、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを、垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、複雑で高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、経済的に高精度のレーザ加工を行うことが可能になる。
【0021】
なお、この実施例1では、ワーク3の加工領域の平面形状が方形である場合を例にとって説明したが、加工領域の平面形状が三角形あるいは五角形以上の多角形、円形、さらにはその他の形状である場合にも本発明を適用することが可能である。
【0022】
[実施例2]
この実施例2でも、上記実施例1の場合と同様に、THG−YAGレーザビーム(ガウス分布のレーザビーム)を、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介して、ワークであるセラミック基板に照射して、1mm×1mmの穴加工を行う場合を例にとって説明する。
【0023】
図4は、この実施例2において用いたレーザ加工装置の要部を模式的に示す図である。
このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、レーザビーム2を反射させて方向を変えるガルバノミラー12a及び12bと、ガルバノミラー12a,12bを回転駆動するガルバノミラー駆動手段13a,13bと、ガルバノミラー12bとワーク3の間に配設され、ガルバノミラー12bで反射されたレーザビーム2を集光してワーク3に照射する集光レンズ5と、ワーク3の表面に載置される、1mm×1mmの開口部(マスク開口部)6aが形成されたマスク(遮光装置)6とを備えている。
【0024】
このレーザ加工装置を用いてレーザ加工を行う場合、レーザ発振器1から出射したレーザビーム2が、ガルバノミラー12a,12bの回転により、図2に示すように、X方向に走査された後、X方向と直交するY方向に所定のピッチで移動し、さらに、X方向に走査された後、再びY方向に所定のピッチだけ移動することにより、マスク開口部6aに対応する所定の領域全体についてレーザスキャニングが行われる。
【0025】
これにより、ワーク3は所定の領域に亘ってレーザビーム2の照射を受けて除去され、このレーザスキャニング操作が繰り返されることにより、領域の穴深さが所定の深さになるまで(ワーク3に貫通穴を形成する場合にはワーク3を貫通するまで)加工が行われる。
【0026】
そして、この実施例2では、2枚のガルバノミラー12a,12bの回転位置制御により、マスク開口部6aの端縁(=加工領域端部)、すなわち図3の点Pで示される位置において、レーザビーム2のエネルギ密度分布が最大となるようにレーザビーム2がワーク3に照射されるように構成されている。
【0027】
したがって、加工領域端部Pでのエネルギ密度分布がワーク3の表面に対して垂直かつエネルギ密度が最大となり、ワーク3の加工部端面3aがワーク3の表面に対して垂直になるようにレーザ加工を行うことが可能になる。
【0028】
また、この実施例2の方法によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面が垂直なレーザ加工を行うことができるため、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを、垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、複雑で高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、経済的に高精度のレーザ加工を行うことができるようになる。
【0029】
なお、実施例2でも、ワーク3の加工領域の平面形状が方形である場合を例にとって説明したが、加工領域の平面形状が三角形あるいは五角形以上の多角形、円形、さらにはその他の形状である場合にも本発明を適用することが可能である。
【0030】
また、上記実施例1,2では、1つの開口部6aを備えたマスク6を用いて加工を行う場合を例にとって説明したが、多数個の開口部を備えたマスクを用いて、1つのワークの多数の領域に同時に加工する場合にも本発明を適用することが可能であり、いわゆる多数個取りの製造工程にも適用することが可能である。
【0031】
なお、本発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、ワークの構成材料、レーザビームの種類、マスクのパターンなどに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【0032】
【発明の効果】
上述のように、本発明のレーザ加工方法は、マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させるようにしているので、マスク開口部の端縁に対応する加工領域端部におけるエネルギ分布が垂直となるため、ワークの加工部端面にテーパを生じることがなく、加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようなレーザ加工を行うことができるようになる。
【0033】
また、本発明によれば、エネルギ密度分布がガウス分布のレーザビームを用いて加工部端面がワーク表面に対して垂直になるようレーザ加工を行うことが可能になるため、ガウス分布のレーザビームを垂直(矩形)分布のレーザビームに変換する場合に必要となるような、高価な光学部品を必要としないため、設備コストの増大を防止して、効率よくレーザ加工を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例(実施例1)において用いたレーザ加工装置の要部を示す図である。
【図2】本発明の実施例(実施例1及び2)におけるレーザビームのスキャン経路を示す図である。
【図3】本発明の実施例(実施例1)の一工程におけるワークの加工状態を示す、図2のA−A線による断面図である。
【図4】本発明の他の実施例(実施例2)において用いたレーザ加工装置の要部を示す図である。
【図5】従来のレーザ加工装置を示す図である。
【図6】(a)はマスクを通過する前のレーザビームのエネルギ密度分布を示す図、(b)はマスクを通過した後のレーザビームのエネルギ密度分布を示す図である。
【図7】(a)はマスクを通過する前と通過した後のレーザビームのエネルギ密度分布を示す図、(b)はワークの加工状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 レーザ発振器
2 レーザビーム
3 ワーク
3a ワークの加工部端面
4 ベンドミラー
5 集光レンズ
6 マスク
6a マスクの開口部
7 加工テーブル
12a,12b ガルバノミラー
13a,13b ガルバノミラー駆動手段
P マスク開口部の端縁(加工領域端部)
Claims (1)
- レーザビームを、所定のパターンの開口部が形成されたマスクを介してワーク表面に略垂直に照射することによりワークに加工を行うレーザ加工方法において、
マスク開口部の端縁に対応するワークの加工領域端部と、ワークに照射されるレーザビームのエネルギ密度分布が最大となる部分とを略一致させることにより、ワークの加工部端面が略垂直になるようにしたこと
を特徴とするレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003114814A JP2004314155A (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003114814A JP2004314155A (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | レーザ加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004314155A true JP2004314155A (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=33474272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003114814A Withdrawn JP2004314155A (ja) | 2003-04-18 | 2003-04-18 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004314155A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514606A (ja) * | 2011-03-29 | 2014-06-19 | サビック・イノベーティブ・プラスチックス・アイピー・ベスローテン・フェンノートシャップ | ホログラムの製造方法 |
CN104175002A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-12-03 | 三星钻石工业股份有限公司 | 粘贴于玻璃基板的树脂板的切断方法 |
-
2003
- 2003-04-18 JP JP2003114814A patent/JP2004314155A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014514606A (ja) * | 2011-03-29 | 2014-06-19 | サビック・イノベーティブ・プラスチックス・アイピー・ベスローテン・フェンノートシャップ | ホログラムの製造方法 |
CN104175002A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-12-03 | 三星钻石工业股份有限公司 | 粘贴于玻璃基板的树脂板的切断方法 |
TWI581885B (zh) * | 2013-05-20 | 2017-05-11 | 三星鑽石工業股份有限公司 | A method of cutting a resin plate attached to a glass substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5661744A (en) | Excimer laser beam irradiation apparatus for optically processing workpiece | |
KR100268681B1 (ko) | 세라믹 그린시트에 관통홀을 형성하는 방법 및 장치 | |
JPH02104487A (ja) | レーザ加工装置 | |
TW525240B (en) | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors | |
JP2008016577A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
CN109425612B (zh) | 检查用晶片和能量分布的检查方法 | |
EP0404340A2 (en) | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like | |
JP5420890B2 (ja) | チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置 | |
JP2005279659A (ja) | レーザマーキング方法、レーザマーキング装置、マーク読取方法 | |
JP4711774B2 (ja) | 平板状ワークの加工方法 | |
JP2008186870A (ja) | ビアホールの加工方法 | |
JP2008244361A (ja) | プリント基板のレーザ加工方法 | |
JP2000334594A (ja) | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 | |
JPS63144889A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
JP4698200B2 (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
CN109411412B (zh) | 晶片的加工方法 | |
KR102537095B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
JP2004314155A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2004098120A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2003290959A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2005014050A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2006320938A (ja) | レーザ加工方法及び装置 | |
JP4588269B2 (ja) | 光導波路部品の製造方法 | |
JP2005046891A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP7420508B2 (ja) | レーザー加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060704 |