JP2004295137A - 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 対向して配置した第1基板10及び第2基板20を有し、第1基板10と第2基板20との間に液晶35が挟まれて成る電気光学装置である。この電気光学装置は、液晶35を囲むシール材30と、第1基板10の1辺に沿って、且つ、その1辺と交差する他辺に向かって引き回された配線16とを有する。配線16は、シール材30の内側領域及びシール材30の外側領域の両方にわたって形成されるか、又はシール材30に重なる領域及びシール材30の外側領域の両方にわたって形成された第1配線層181と、シール材30の内側領域又は前記シール材に重なる領域に形成された第2配線層182とを有する。第2配線層182は外気に触れないので腐食しない。
【選択図】 図8
Description
(a)対向して配置した第1基板及び第2基板を有し、該第1基板と該第2基板との間に液晶が挟まれて成る電気光学装置において、
(b)前記液晶を囲むシール材と、
(c)前記第1基板の1辺に沿って、且つ、当該1辺と交差する他辺に向かって引き回された配線とを有し、
(d)該配線は、
(i)前記シール材の内側領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形成されるか、又は前記シール材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形成された第1配線層と、
(ii)前記シール材の内側領域又は前記シール材に重なる領域に形成された第2配線層とを有する
ことを特徴とする。
以下、スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。
一方、第2TFD素子132は、データ線11の側から見ると第1金属膜13a、絶縁膜13b及び第2金属膜13cがこの順に積層された構成となり、第1TFD素子131とは反対のダイオードスイッチング特性を有する。
図6は液晶装置1を観察側、すなわち素子基板10側から見た場合の平面構造であって、素子基板10を構成する基板素材を取り除き、その基板素材上に形成されるデータ線11等はそのまま図示した状態を示している。図6における紙面手前側から奥側に向かう方向が図2(a)及び図2(b)におけるZ軸の正方向に相当する。従って、図6においては、素子基板10が紙面に対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は素子基板10に対して紙面奥側に位置する。
そして、各データ線11のうち張出し領域10a内に張り出したそれらの端部は、ACF29内に含まれる導電粒子によってXドライバIC41の出力端子に接続される。この構成により、XドライバIC41によって生成されたデータ信号は、各データ線11に出力される。
なお、素子基板10の液晶側表面であってシール材30の内周縁近傍には、表示領域Vの縁辺に沿った枠状の形状を有する周辺遮光層57が形成される。この周辺遮光層57は、表示領域Vの縁辺近傍を遮光するための層である。
次に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、図3の素子基板10上に設けられる、データ線11、TFD素子13等といった各要素の製造方法について説明する。図9及び図10は、素子基板10上における1つの表示ドット50の製造方法を工程順に示している。また、図11は、素子基板10上の引回し配線16の製造方法を工程順に示している。
この一方で、対向基板20上に設けられる各要素は、例えば、図12及び図13に示す工程を経て形成される。なお、これらの図は、図6の対向基板20のうちシール材30によって覆われるべき領域の断面の近傍を示している。シール材30が形成されるべき領域は、図12(a)において「シール領域」として示されている。
例えば、対向基板20を覆うようにエポキシ系やアクリル系の樹脂層を形成し、当該樹脂層表面の多数の微細な部分をエッチングによって選択的に除去する。この後、当該樹脂層に熱を加えて軟化させ、エッチングによって生じた角の部分を丸めることにより、滑らかな凹凸を有する粗面を形成しても良い。
図6に示した先の実施形態では、引回し配線16の一部が、当該一部と略同一方向に延びるシール材30の辺によって覆われた構成となっていたが、これに代えて、図14に示すような構成を採用できる。なお、図14は、液晶装置81を観察側から見たときの配線の態様を示している。また、図14において図6に示した構成要素と同じ構成要素については同一の符号を付すことにする。また、図14においては、図6と同様に、素子基板10が紙面に対して最も手前側に位置し、これ以外の要素は当該素子基板10に対して紙面奥側に位置する。
図8(b)及び図15に示した実施形態においては、引回し配線16が第1配線層181と第3配線層183とを有する構成としたが、これらのうちのいずれかのみを有する構成としても良い。すなわち、引回し配線16のうちシール材30によって覆われた領域内に位置する部分を第1配線層181と第2配線層182とが積層された構成とし、張出し領域10a内に位置する部分を第1配線層181のみによって構成するようにしても良い。もっとも、図8(b)等に示した実施形態のように、第1配線層181と第2配線層182とに第3配線層183を積層した構成を採れば、配線抵抗を低く抑えることができるという利点がある。
図6及び図14に示した実施形態においては、走査線25と導通する引回し配線16について、その一部の配線層がシール材30によって覆われた構成としたが、これ以外の配線、例えばデータ線11についても同様の構成を採用することができる。すなわち、データ線11のうちクロムから成る主配線11aをシール材30及び液晶35によって覆われた領域内に形成する一方、耐食性の高いITOから成る補助配線11bを、シール材30及び液晶35によって覆われた領域内に加えて張出し領域10aにも入るように、当該データ線11の全長にわたって形成しても良い。なお、この場合の配線、すなわちデータ線11は、対向基板20上のいずれの配線とも導通しない。つまり、本発明における「配線」は、必ずしも他の基板に形成された配線と導通するものである必要はない。
図8(b)や図15に示した実施形態においては、引回し配線16を構成する各配線層181,182,183を表示領域V内の要素、すなわちTFD素子13、画素電極12等と共通の層によって形成した。しかしながら、本発明に係る電気光学装置は、常に必ず、このように構成しなければならないというものではなく、表示領域V内の要素とは別個の工程によって引回し配線16を形成するようにしても良い。
図6や図14に示した実施形態においては、TFD素子13の形成された素子基板10が観察側に位置し、走査線25の形成された対向基板20が背面側に位置していた。しかしながら、これとは逆に、素子基板10が背面側に位置し、対向基板20が観察側に位置する構成としても良い。この場合には、図3の反射層21を、対向基板20上ではなくて素子基板10上に形成すれば良い。
次に、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器について説明する。図16(a)は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピュータ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、いわゆるノート型パソコンに適用した場合、特にその表示部として適用した場合を示している。
このパーソナルコンピュータ71に用いる電気光学装置としては、暗所においても視認性を確保するため、反射型表示のみならず透過型表示も可能な半透過反射型の電気光学装置であることが望ましい。
図17は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方式のEL(Electro Luminescence)装置110に本発明を適用した場合の実施形態を示している。また、図18は、図17におけるK−K’線に従ってEL装置110の断面構造を示している。
図19及び図20に示すように、個々の表示ドット50は、スイッチング用素子として機能するスイッチング用TFT201と、EL素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用TFT202とを有する。スイッチング用TFT201のソースはソース配線221に接続され、そのゲートはゲート配線211に接続され、そして、そのドレインは電流制御用TFT202のゲートに接続される。
EL層は非常に薄いため、それを形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合がある。従って、第2層間絶縁膜244によってTFTによる段差を平坦化することは、後にその上に形成されるEL層を正常に機能させることに関して重要である。
この第2パシベーション膜245は、EL素子から拡散するアルカリ金属の透過を防ぐという機能を奏する。この第2パシベーション膜245は第1パシベーション膜241と同じ材料によって形成できる。また、第2パシベーション膜245は、EL素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能することが望ましく、この放熱機能により、EL素子に熱が蓄積することを防止できる。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
10 素子基板(第1基板)
10a 張出し領域
10b 配線境界
11 データ線
11a 主配線
11b 補助配線
11c 第2金属膜、
12 画素電極
13 TFD素子(薄膜ダイオード)
13a 第1金属膜
13b 絶縁膜
13c 第2金属膜
16,161,162 引回し配線
16a 導通部
16b 延在部
17 外部接続端子
20 対向基板(第2基板)
21 反射層
22 カラーフィルタ
23 遮光層
24 オーバーコート層
25 走査線
25a 導通部
26 配向膜
30 シール材
32 導電粒子
35 液晶
40a 第1YドライバIC
40b 第2YドライバIC
41 XドライバIC
50 表示ドット
51 液晶表示要素
56 配向膜
57 周辺遮光層
131 第1TFD素子
132 第2TFD素子
181 第1配線層
182 第2配線層
183 第3配線層
Claims (9)
- 対向して配置した第1基板及び第2基板を有し、当該第1基板と当該第2基板との間に液晶が挟まれて成る電気光学装置において、
前記液晶を囲むシール材と、
前記第1基板の1辺に沿って、且つ、当該1辺と交差する他辺に向かって引き回された引回し配線と、
前記第1基板の上に第1金属膜と絶縁膜と第2金属膜とを積層することによって形成された複数の薄膜ダイオードと、
を有し、
前記引回し配線は、
前記シール材の内側領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形成されるか、又は前記シール材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって形成された第1配線層と、
前記シール材の内側領域又は前記シール材に重なる領域に形成された第2配線層と、
を有し、
前記第1配線層は前記第1金属膜と同一の層によって形成されることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1において、前記シール材の外側領域にある前記引回し配線の一端は外部接続回路に接続されることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1又は請求項2において、前記第2基板に形成された電極をさらに有し、該電極は前記第1基板上の前記引回し配線と導通することを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1から請求項3のいずれかにおいて、前記第2配線層を被覆する被覆層を有することを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1から請求項4のいずれかにおいて、前記第2配線層は前記第2金属膜と同一の層によって形成されることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1から請求項5のいずれかにおいて、
前記第1基板の上に第1金属膜と絶縁膜と第2金属膜とを積層することによって形成された複数の薄膜ダイオードと、
該薄膜ダイオードの第2金属膜に接続された画素電極とを有し、
前記引回し配線は、前記シール材の内側領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第1配線層の上に形成されるか、又は前記シール材に重なる領域及び前記シール材の外側領域の両方にわたって前記第1配線層の上に形成された第3配線層を有し、
該第3配線層は前記画素電極と同一の層によって形成されることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載した電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
- シール材を介して貼り合わされた第1基板と第2基板との間に液晶を有し、前記第1基板のうち前記シール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域との両方にわたって引回し配線が形成され、前記第1基板の上に第1金属膜と絶縁膜と第2金属膜とを積層することによって形成された複数の薄膜ダイオードを具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記引回し配線を構成する第1配線層を、前記第1基板のうち前記シール材に重なる領域と該シール材の外側の領域とにわたって形成する第1配線層形成工程と、
前記引回し配線を構成する第2配線層を、前記第1基板のうち前記シール材に重なる領域に形成する第2配線層形成工程と、
前記第1基板及び第2基板を前記シール材を介して貼り合わせる接合工程とを有し、
前記第1配線層形成工程では、前記薄膜ダイオードの第1金属膜の形成と共に該第1金属膜と同一の層によって前記第1配線層を形成し、
前記第2配線層形成工程では、前記薄膜ダイオードの第2金属膜の形成と共に該第2金属膜と同一の層によって前記第2配線層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項8において、前記電気光学装置は、前記第1基板の面上に形成されて前記薄膜ダイオードの第2金属膜に接続される画素電極を具備し、
前記接合工程に先立ち、前記引回し配線を構成する第3配線層を、前記第1基板のうちシール材に重なる領域と当該シール材の外側の領域とにわたって形成する工程であって、前記画素電極の形成と共に該画素電極と同一の層によって前記第3配線層を形成する第3配線層形成工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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