JP2004284942A - GaN基板作製方法 - Google Patents
GaN基板作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004284942A JP2004284942A JP2003421181A JP2003421181A JP2004284942A JP 2004284942 A JP2004284942 A JP 2004284942A JP 2003421181 A JP2003421181 A JP 2003421181A JP 2003421181 A JP2003421181 A JP 2003421181A JP 2004284942 A JP2004284942 A JP 2004284942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- zno
- layer
- substrate
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】 高品質基板110上に、MgOのバッファ層120を形成し、アニール処理をした後、ZnO単結晶膜130を形成する。その後、ZnO膜130の表面の初期窒化を防ぐ処理する(e)ことで、その上に単結晶膜を成長させるGaN140の結晶極性をGa極性とする(f)。GaNの単結晶膜140を成長させた後、ZnOを溶かしてGaN単結晶基板を剥離する(g)。
【選択図】 図2
Description
第2に溶液成長法である。これは、適当な溶媒(例えばナトリウム)中にGaNを溶かして溶液を作製し、そこからバルク結晶を成長させる方法であり、これも未だ技術的に確立されていない。
第4は、GaAs基板上にCVDあるいはMOCVD法によってGaN厚膜を成長させ、その後にGaAs基板を酸等で溶かしてGaN基板を作製する方法である。これも大型基板形成が可能であるが、コストが高いことがネックになっている。
このときに、サファイヤ上にMgOのバッファ層を用いることで、バッファ層上に成長したZnO層の表面形状の改良に効果があることが分かっている(非特許文献1,2参照)。
前記GaN層は、低温GaNバッファ層を作製してから、高温GaNを成長させてもよい。
これにより、Ga極性の高品質なGaN単結晶を得ることができる。
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
(1) サファイヤ基板(C面またはA面)110を清浄化する。清浄化の手法は、よく知られている手法でよい(図1(a)参照)。
(2) 膜厚が2nm以下のMgO単結晶薄膜(バッファ層)120を堆積する。この成長条件は、基板温度:300〜800℃、成長速度:毎分10nm以下であり、後で説明する実施例ではMBE法で行なったが、成長法はHVPE法、MOCVD法、プラズマCVD法のいずれでも良い(図1(b)参照)。
(3) 酸素雰囲気または酸素プラズマ雰囲気または超高真空下でMgOバッファ層を800℃以上1200℃以下の温度範囲で25分以上アニールする。(図1(c)参照)。
(4) ZnO130を膜厚0.1μm以上成長する。後で説明する実施例ではMBE法で行なったが、成長法はHVPE法、MOCVD法、プラズマCVD法のいずれでも良い(図2(d)参照)。
(5) ZnO表面に、初期窒化を防いでGaNを成長させる。つまり、ZnO表面をアンモニアや窒素プラズマなどに30秒以上暴露させないで、GaNの成長を開始する(図2(e)参照)。このために、例えば不活性ガスの雰囲気としてもよい。
(6) GaNを所定の厚さだけ成長する(図2(f)参照)。実施例ではMBE法で行なったが、成長法はHVPE法、MOCVD法、プラズマCVD法のいずれでも良い。
(7) 塩酸等の酸溶液中に浸漬することでGaN膜が剥離されて自立基板が形成される(図2(g)参照)。実施例では塩酸を80度に熱して行なった。しかし、硫酸やバッファー弗酸などのようなどんな酸でも可能である。また、フッ化アンモニウムのようなどんなアルカリでもよい。
ZnO膜の表面を、O−プラズマや酸素・オゾンに曝したり、NH3や窒素プラズマに暴露すると、その上に成長するGaNはGa極性やN極性となる。これにより結晶極性を制御することが可能になる。この結晶極性の制御については、後で詳しく説明する。
また、上記工程(6)で、低温GaN(LT−GaN)の薄いバッファ層(例えば100nm程度)をまず成長させてから、高温GaNを成長させることで、結晶性を改善させることもできる。これも後で詳しく説明する。
MgOバッファ層に対するアニール処理による効果は、ZnO層中の欠陥密度の減少と高品質化にもある。欠陥密度が低いZnO層の上に成長したGaN層の欠陥密度は、当然に減少する。
<アニール処理>
ZnO層は、c−サファイヤ上にP−MBEにより、LT−MgO(低温酸化マグネシューム)バッファ層又はアニールしたLT−MgOバッファ層上に成長させた。基板は、アセトンとメタノールにより超音波洗浄器で洗浄した後、H2SO4(96%):H3PO4(85%)=3:1溶液中で化学的に、160℃で15分間エッチングした。
成長前に、基板は準備室内で1時間750℃で熱的に洗浄した。その後、基板は、酸素終端c−サファイヤ表面を作成するために、酸素プラズマにより成長室で650℃で30分間処理された。
作成された試料の構成は、次の通りである。まず、MgOバッファ層が、洗浄されたc−サファイヤ上に700℃と490℃で連続的に作成される。つぎに、LT−ZnOバッファ層が490℃で成長後、750℃で3分間アニーリングされる。この後、HT−ZnO層を700℃で成長させる。アニールされたMgOバッファ上に成長させたZnO層の場合は、LT−MgOバッファ層は800℃で25分間アニールされる。HT−ZnO層の厚さは約800nmである。
上述のように、この様にして作製したZnO層の転位密度は、MgOのバッファ層を用いない場合と比較すると減少させることができる。このZnO層上に成長したGaN層は、同程度の転位密度が得られ、転位密度を減少させることができる。
次に、ZnO層上のGaN成長開始による結晶極性制御について説明する。これについて、図6〜図9を用いて詳しく説明する。
まず、実際に使用したGaN層の生成方法を以下に説明する。
GaNのエピ層(epilayer)の成長は、P−MBEで成長させたZnO(〜1.3μm)/MgO(〜3nm)/c−サファイヤ・テンプレート上に、アンモニア補助のMBEにより行なわれた。ただし、MgOは高温アニールを行なっていない。固体GaとNH3ガスがGaとNの供給源としてそれぞれ使用された。なお、Nの供給源として、窒素プラズマを用いた場合も同様の結果を得た。GaN成長のための基板温度は800℃である。GaN成長速度は1μm/hで、そのときのGaビーム圧力は2.8×10−7Torr(3.7×10−5Pa)であり、NH3の流れ速度は10sccmである。
GaNの成長の直前に異なる処理を行なった2組の試料を用意した。
・試料1:O−プラズマに予め暴露したZnOテンプレート上に成長させたGaNエピ層
・試料2:NH3に予め暴露したZnOテンプレート上に成長させたGaN
これらのZnO薄膜は、c−サファイヤ(Al2O3(0001))基板上にP−MBEにより成長させた。ZnOテンプレートの成長後、ZnO層の反射型高エネルギー電子回折(RHEED)によるパターンは、鏡面反射点により縞状になっており、これは滑らかな表面を示唆している。原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)により行なわれた表面の粗さの2乗平均(rms)の測定値は、5μm×5μmの面積に対して1nmより少ない。
図6は、O−プラズマに予め暴露したZnO上に成長させたGaN(試料1)表面のAFM像(a)と、NH3に予め暴露したZnO上に成長させたGaN(試料2)表面のAFM像(b)を示している。試料1と試料2の2乗平均の粗さの値は、それぞれ97.6nmと23.8nmである。この値は、NH3に予め暴露したZnO上に成長させたGaNがより滑らかな表面を有していることを示している。AFMによる表面形態の観察により、滑らかな表面がGa極性のGaN層上に得られるが、六角形の隆起による粗い表面がN極性のGaN表面に観察されていることが報告されている。2つのGaN試料に対するエッチングが、0.5M KOH(10%)溶液中で行なわれた。試料1及び試料2のエッチング速度は、それぞれ3.9nm/minと0.1nm/min以下である。Ga極性のGaN層へのエッチング速度は、N極性GaN層へのエッチング速度と比較すると、大変低いことが分かっている。これらの結果は、試料1即ちO−プラズマに予め暴露したZnO上に成長させたGaN層はN極性を有し、試料2即ちNH3に予め暴露したZnO上に成長させたGaNはGa極性を有していることを示唆している。
なお、上述では、O−プラズマとNH3で、極性制御することを説明したが、O−プラズマの代わりに酸素やオゾンに暴露したり、NH3の代わりにN−プラズマに暴露することでも、極性制御ができる。
ZnO膜の上にGaNを成長させるときに、低温GaNバッファを成長させてから高温でGaNを成長させることにより、低欠陥のGaNを得ることができる。以下に図10を用いて説明する。
まず、ZnO上にGaNを低温で成長させる。図10は、基板温度500度Cで成長したGaN上に800度でGaNを高温成長させたGaNと、低温GaN層が無しで成長したGaN層のXRD(0002)オメガ・ロッキング・カーブの比較である。LT−GaNが無い時のFWHMは23.1arcmin,LT−GaNがある場合は11.9arcminとほぼ半減する。
このように、低温のGaNをZnO上の成長させてから、高温でGaNを成長させることで、高品質なGaNを得ることができる。
上述のGaN作成法(1)〜(7)の拡張として、以下のことも可能である。
(5)の段階で、GaN膜厚を10μm程度作製する。その上に100nm程度SiO2を堆積する。このSiO2層に対して、リソグラフィー技術を使って、SiO2膜をライン・アンド・ストライプにパターニングする。ストライプのところのSiO2はエッチングで除去する。このとき、ラインの方向はGaN結晶の<11−20>方向または<1−100>方向に整列させる。次にHVPE、MOCVDでGaNを成長させる。ここで成長条件をうまく選ぶことで、欠陥密度の小さい高品質GaN膜が成長する。
GaNを成長させる基板として、シリコン基板を用いた実施形態を以下に説明する。この場合、バッファ層は、CaF2を用いる。
(1) シリコン基板を清浄化し、その上にCaF2薄膜を成長する。
このことは、既に確立した技術で行なうことができる。
(2) CaF2上に電子線を照射して、表面のF原子を除去する。
(3) 次にZnOを成長させる。ここが上述のサファイヤ基板を用いたGaN基板作成法手順における(4)に相当する。この後は上述の(5)以下の手順により、GaN基板を作製することができる。
なお、上記(2)の代わりに、温度500℃以上で、CaF2表面に水素処理を行なうことも可能である。水素中、水素プラズマ照射、原子状水素照射のいずれでもよい。電子ビーム処理との併用も可能である。
また、上記(2)の代わりに、温度500℃以上でCaF2表面に酸素プラズマ処理を行なってもよい。電子ビーム処理との併用することもできる。
なお、本発明のGaN基板作製方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、高品質基板として、上述の実施形態では、サファイヤ基板やシリコン基板を用いているが、例えば、SiC,CaF2,GaAs,MgO,MgAl2O4等を用いてもよい。
Claims (2)
- 高品質基板上にMgOのバッファ層を形成し、
該MgOのバッファ層をアニールして、Zn極性のZnO層を成長させ、
該ZnO層の表面の窒化を防いで、Ga極性のGaN層を成長させ、
前記ZnO膜を溶解させる
ことで、GaN基板を作製することを特徴とするGaN基板作製方法。 - 請求項1に記載のGaN基板作製方法において、
前記GaN層は、低温GaNバッファ層を作製してから、高温GaNを成長させることを特徴とするGaN基板作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421181A JP3700786B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | GaN基板作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421181A JP3700786B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | GaN基板作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003075480A Division JP3595829B2 (ja) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | GaN基板作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004284942A true JP2004284942A (ja) | 2004-10-14 |
JP3700786B2 JP3700786B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=33296949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003421181A Expired - Fee Related JP3700786B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | GaN基板作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3700786B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100631905B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
JP2007142336A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子 |
WO2009011100A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Iii族窒化物半導体基板およびその洗浄方法 |
JP2010027670A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体構造の加工方法 |
-
2003
- 2003-12-18 JP JP2003421181A patent/JP3700786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100631905B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
JP2007142336A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子 |
WO2009011100A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Iii族窒化物半導体基板およびその洗浄方法 |
US7928446B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Group III nitride semiconductor substrate and method for cleaning the same |
US8022413B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-09-20 | Misubishi Chemical Corporation | Group III nitride semiconductor substrate and method for cleaning the same |
JP2010027670A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体構造の加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3700786B2 (ja) | 2005-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8728938B2 (en) | Method for substrate pretreatment to achieve high-quality III-nitride epitaxy | |
JP3595829B2 (ja) | GaN基板作製方法 | |
JP5842057B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI445054B (zh) | 藉由氫化物汽相磊晶術生長減少差排密度之非極性氮化鎵 | |
JP3886341B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 | |
JP2004035275A (ja) | 多孔質基板とその製造方法、GaN系半導体積層基板とその製造方法 | |
JP2005320237A (ja) | 非極性a面窒化物半導体単結晶基板およびその製造方法 | |
JP2009524251A (ja) | 有機金属化学気相成長を介して半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長を促進させるための方法 | |
TWI829709B (zh) | 氮化鎵層積基板之製造方法 | |
WO2005112079A1 (ja) | 酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化ガリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製造方法 | |
JP2010521810A (ja) | 半導体ヘテロ構造及びその製造 | |
WO2003073484A1 (fr) | Procede de fabrication de cristal | |
JP2017028318A (ja) | エピタキシャル固体半導体ヘテロ構造及びその製造方法 | |
JP2004111848A (ja) | サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板およびその製造方法 | |
JP4396010B2 (ja) | 半導体の結晶成長方法 | |
JP2008074671A (ja) | 自立窒化物基板の製造方法 | |
Lundin et al. | Study of initial stages of the GaN growth on sapphire substrates | |
WO2009119159A1 (ja) | 光デバイス用基板及びその製造方法 | |
JP3700786B2 (ja) | GaN基板作製方法 | |
JP2001185487A (ja) | Iii族窒化物薄膜の形成方法 | |
JP2010064911A (ja) | 突出部を有する構造体およびその製造方法 | |
JP7157953B2 (ja) | 窒化物系薄膜複合構造体及びその製造方法 | |
TW202118884A (zh) | 積層膜結構體、半導體元件、電子設備、及積層膜結構體的製造方法 | |
JP3962101B2 (ja) | 窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法 | |
JP2003142406A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041021 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20041021 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20041119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050705 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |