JP2004281670A - Iii族窒化物結晶の研磨方法およびiii族窒化物結晶およびiii族窒化物半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、III族窒化物結晶の研磨方法およびIII族窒化物結晶およびIII族窒化物半導体デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、GaNやInGaN,あるいはAlGaN等のIII族窒化物半導体は、発光ダイオードや半導体レーザあるいは電子デバイスへの応用がなされている。しかし、良質で実用的な大きさとなるIII族窒化物のバルク結晶が無いため、サファイア基板やSiC基板等の異種基板上にヘテロエピタキシャルでデバイスが作製されている。このため、結晶欠陥や絶縁性,劈開の困難さ等の問題があり、高品質なデバイスを実現するのに至っていない。
【0003】
最近、気相成長や融液成長によりバルクのGaN結晶の研究開発が進み、実用的な大きさ,品質のGaN結晶が実現しつつある。しかし、GaN結晶は、従来から存在するGaAs,InPやSi等の半導体材料と異なり、酸やアルカリ溶液によるウェットエッチングが容易にはできない。そのため、GaN結晶表面の欠陥や不規則性を有する領域(以下で表面ダメージ層と呼ぶ)の除去をすることは困難である。
【0004】
例えば特許文献1には、アンモニアを含む混合ガス雰囲気中で900℃以上の加熱処理をすることで、表面ダメージ層の除去,回復を行なうことが提案されている。しかし、このような加熱処理をしても、それ以前にIII族窒化物結晶表面に導入されている傷や大きな欠陥を除去,回復することは困難である。通常、バルクのGaN結晶はその表面を機械的研磨により平坦化し、鏡面化するが、その機械的研磨の際に、スクラッチと呼ばれる引っ掻き傷や欠陥が生じる。機械的研磨を行う際の研磨剤の砥粒径を小さくすることで、このスクラッチや欠陥を軽減することは可能であるが、完全に除去することは困難である。
【0005】
GaAs,InPあるいはSi等の他の半導体材料は、酸やアルカリ溶液により、容易にエッチング可能であることから、このスクラッチや欠陥を除去することが可能となるが、III族窒化物結晶の場合は、それが困難である。
【0006】
特許文献1の方法を用いても、III族窒化物結晶のスクラッチや欠陥を完全に除去することはできない。そのため、特許文献2では、0.01N以上の塩基性水溶液とソフトパッドを用いて10秒間研磨すること、そして、エッチング剤を純水で置換し、少なくとも一分間研磨すること、そして、乾燥窒素ガス流中で乾燥することが提案されている。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−252217号公報
【0008】
【特許文献2】
特表2001−518870号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本願の発明者らは、この特許文献2の方法に基いてGaN結晶を研磨したが、スクラッチや欠陥を十分に除去することができなかった。すなわち、高品質なバルクGaN結晶を用いた場合、その結晶の完全性のため、特許文献2のような研磨方法では、十分な研磨速度,研磨品質を得ることができないことがわかった。
【0010】
また、特許文献2では、ソフトパッド上に純水を滴下し、エッチング剤を徐々に純水で置換する方法が提案されているが、ソフトパッド中にエッチング剤が浸透しているため完全に純水に置換することは不可能であり、GaN表面に、エッチング剤中に含まれる材料や、エッチングにより新たに発生した材料が付着することは避けられない。
【0011】
本発明は、十分な研磨速度,研磨品質を得ることができるとともに、良好な研磨表面を得ることの可能なIII族窒化物結晶の研磨方法およびIII族窒化物結晶およびIII族窒化物半導体デバイスを提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0013】
また、請求項2記載の発明は、請求項1記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記酸性溶液として、加熱した酸性溶液を用いることを特徴としている。
【0014】
また、請求項3記載の発明は、請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0015】
また、請求項4記載の発明は、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0016】
また、請求項5記載の発明は、請求項4記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記アルカリ性溶液として、加熱したアルカリ性溶液を用いることを特徴としている。
【0017】
また、請求項6記載の発明は、請求項4または請求項5記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0018】
また、請求項7記載の発明は、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を酸性溶液もしくはアルカリ性溶液に接触させることにより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0019】
また、請求項8記載の発明は、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を洗浄するときに研磨表面に超音波を照射することを特徴としている。
【0020】
また、請求項9記載の発明は、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、研磨対象となるIII族窒化物結晶は、反応容器内でアルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから成長させた、III族金属と窒素とから構成されるものであることを特徴としている。
【0021】
また、請求項10記載の発明は、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法で研磨したことを特徴とするIII族窒化物結晶である。
【0022】
また、請求項11記載の発明は、請求項10記載のIII族窒化物結晶を基板として用いたIII族窒化物半導体デバイスである。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【0024】
III族窒化物結晶は、化学的に安定であり、毒性が無いため、III族ヒ化物,III族リン化物結晶に代わる半導体材料として期待されている。半導体材料としての利用に際しては、III族窒化物結晶の表面に種々の材料を成長もしくはデポするため、III族窒化物結晶の表面は十分に平滑化されていなければならない。
【0025】
表面を平滑化する場合、アルミナ微粒子,ダイヤモンド微粒子などを用いて機械的に研磨し平滑化するの一般的であるが、前述の微粒子や微粒子の二次粒子により、該結晶表面に無数の掻き傷が発生し、それらを機械研磨により除去するのは原理的に不可能である。
【0026】
(第1の実施形態)
このような問題を解決するため、本発明の第1の実施形態は、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0027】
ここで、酸性溶液としては、リン酸,硫酸,硝酸及びそれらの混酸などを用いることができ、III族窒化物は化学的に安定であるため、これらの酸性溶液を用いる際には、水等の液体で一切希釈せずに用いるのが望ましい。また、洗浄液としては、水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,グリセリン,エチレングリコール等のIII族窒化物結晶表面を侵食しない性質を有しているものを用いるのが望ましい。
【0028】
本発明の第1の実施形態では、III族窒化物結晶の化学研磨溶液として、リン酸,硫酸,硝酸及びそれらの混酸等の酸性溶液を用い、これによってIII族窒化物結晶の表面を迅速に化学研磨することが可能となる。
【0029】
また、研磨終了後においては、化学研磨時に生成した新たな化合物が研磨表面に付着する恐れがある。そこで、本発明では、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄することによって、清浄な研磨表面を得ることが可能となる。
【0030】
上述した研磨方法においては、研磨レートが比較的遅いため、研磨量を制御しやすい反面、作業効率においては必ずしも良好とは言いがたい。そこで、酸性溶液として、加熱した酸性溶液を用いて化学研磨するのが好ましく、これによって、研磨レートを向上させ、作業効率を大幅に改善することができる。
【0031】
なお、この場合、酸性溶液としては、上述したような酸性溶液をすべて用いることができるが、望ましくは、化学研磨時の温度において変質・分解・沸騰・蒸発しないものが好ましい。
【0032】
ところで、本発明のように、化学反応を用いて研磨を行なうときには、研磨により新たな化合物が生成し、この新たな化合物が結晶表面に付着する恐れがある。このような化合物が付着した結晶表面に種々の材料を成長もしくはデポすることは困難であり、できたとしても、多くの不連続性や凹凸を含んでおり、良質の膜質を得ることは不可能である。
【0033】
そこで、上述した第1の実施形態のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することが好ましい。このように、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することにより、清浄な研磨表面を得ることができ、良質な材料の成長もしくはデポが可能となる。
【0034】
なお、この場合、洗浄液としては、上述したような洗浄液(水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,グリセリン,エチレングリコール等)をすべて用いることができるが、望ましくは、洗浄時の温度において、変質・分解・沸騰・蒸発しないものが好ましい。
【0035】
(第2の実施形態)
また、本発明の第2の実施形態は、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0036】
ここで、アルカリ性溶液としては、水酸化カリウム,水酸化ナトリウム等の強アルカリ性溶液を用いることができる。使用する溶媒は、水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,エチレングリコール,グリセリン等を用いることができるが、望ましくは、研磨終了後の結晶表面洗浄において、容易に除去できる液体が好ましい。また、洗浄液としては、水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,グリセリン,エチレングリコール等のIII族窒化物結晶の表面を侵食しない性質を有しているものを用いるのが望ましい。
【0037】
本発明の第2の実施形態では、III族窒化物結晶の化学研磨溶液として、アルカリ性溶液を用い、これによってIII族窒化物結晶の表面を迅速に化学研磨することが可能となる。
【0038】
また、研磨終了後においては、化学研磨時に生成した新たな化合物が研磨表面に付着する恐れがある。そこで、本発明では、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄することによって、清浄な研磨表面を得ることが可能となる。
【0039】
上述した研磨方法においては、研磨レートが比較的遅いため、研磨量を制御しやすい反面、作業効率においては必ずしも良好とは言いがたい。そこで、アルカリ性溶液として、加熱したアルカリ性溶液を用いて化学研磨するのが好ましく、これによって、研磨レートを向上させ、作業効率を大幅に改善することができる。
【0040】
なお、この場合、使用する溶媒は、前述のように、水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,エチレングリコール,グリセリン等を用いることができるが、好ましくは、化学研磨時の温度において変質・分解・沸騰・蒸発しないもので、かつ研磨終了後の結晶表面洗浄において、容易に除去できる液体を溶媒として用いるのが望ましい。
【0041】
ところで、本発明のように、化学反応を用いて研磨を行なうときには、研磨により新たな化合物が生成し、これが該結晶表面もしくはエピタキシャル層表面に付着する恐れがある。このような化合物が付着した結晶表面もしくはエピタキシャル層表面に種々の材料を成長もしくはデポすることは困難であり、できたとしても、多くの不連続性や凹凸を含んでおり、良質の膜質を得ることは不可能である。
【0042】
そこで、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することが好ましい。
【0043】
このように、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することにより、清浄な研磨表面を得ることができ、良質な材料の成長もしくはデポが可能となる。
【0044】
なお、この場合、洗浄液としては、上述したような洗浄液(水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,グリセリン,エチレングリコール等)をすべて用いることができるが、望ましくは、洗浄時の温度において、変質・分解・沸騰・蒸発しないものが好ましい。
【0045】
(第3の実施形態)
また、本発明の第3の実施形態は、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を酸性溶液もしくはアルカリ性溶液に接触させることにより研磨表面を洗浄することを特徴としている。
【0046】
なお、この場合、使用する溶媒は、前述のように、水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,エチレングリコール,グリセリン等を用いることができるが、好ましくは、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液による洗浄を妨げないものが望ましい。また、洗浄時の酸性溶液としては、塩酸,リン酸,硫酸,硝酸及びそれらの混酸などを用いることができるが、研磨表面を変質,侵食しない材料が望ましい。同様に、洗浄時のアルカリ性溶液としては、アンモニア水,水酸化ナトリウム溶液,水酸化カリウム溶液等の研磨表面を変質,侵食しない材料が望ましい。
【0047】
この第3の実施形態は、化学反応を用いて研磨を行っているため、研磨により新たな化合物が生成し、該結晶表面もしくはエピタキシャル層表面に付着する恐れがある。一方、研磨時の化学反応においては、主にIII族金属水酸化物が生成される。一般に、III族金属水酸化物は中性溶液に対し不溶で、酸性溶液,アルカリ性溶液に対しては可溶である。また、酸性溶液に接したときに生成されるIII族金属塩は中性溶液に対し可溶性であるため、酸性溶液に接した後、該表面を洗浄することにより、清浄な研磨面を得ることができる。
【0048】
このように、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を酸性溶液もしくはアルカリ性溶液に接触させることにより研磨表面を洗浄することにより、III族窒化物結晶の表面に付着した不純物等を化学反応により確実に除去して、清浄な研磨表面を得ることができ、良質な材料の成長もしくはデポが可能となる。
【0049】
なお、III族窒化物結晶の表面を研磨した際に生成される化合物は、該研磨表面に付着し該研磨表面上への新たな結晶成長を阻害する可能性がある。従って、研磨表面への良好な結晶成長を行うためには、研磨表面に付着した不純物を除去する必要がある。本発明の上述したような方法によっても、研磨表面に付着した不純物を除去することができるが、一切の物理的な力を加えないため、結晶を破壊する恐れが無い反面、表面に不純物が残留する恐れがある。このような不純物を完全に除去するには、ウエス等による拭き取り法が考えられるが、結晶表面に新たな掻き傷が生じる可能性があり、好ましくない。
【0050】
そこで、上述した第1,第2,第3の実施形態のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を洗浄するときに研磨表面に超音波を照射するのが好ましい。
【0051】
このように、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を洗浄するときに研磨表面に超音波を照射することによって、結晶表面に新たな掻き傷などを生じさせることなく清浄な表面を得ることができる。
【0052】
ここで、化学研磨液としては、酸性溶液の場合には、第1の実施形態で示した材料(リン酸,硫酸,硝酸及びそれらの混酸等の酸性溶液)をすべて用いることができ、また、アルカリ性溶液の場合には、第2,第3の実施形態で示した材料(水酸化カリウム,水酸化ナトリウム等の強アルカリ性溶液)をすべて用いることができる。また、洗浄液としては、水,アセトン,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,グリセリン,エチレングリコール等をすべて用いることができる。
【0053】
また、上述した第1,第2,第3の実施形態のIII族窒化物結晶の研磨方法において、研磨対象となるIII族窒化物結晶は、反応容器内でアルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから成長させた、III族金属と窒素とから構成されるものであるのが良い。
【0054】
ここで、III族金属とは、Ga,Al,In等であり、また、アルカリ金属には、K,Na等を使用することができる。また、窒素を含む物質とは、窒素ガスや、アジ化ナトリウム,アンモニアなどの窒素を構成元素に含む化合物である。
【0055】
このように、研磨対象となるIII族窒化物結晶が、反応容器内でアルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから成長させた、III族金属と窒素とから構成されるものである場合には、これまで実現できていなかった高品質かつ大径のIII族窒化物結晶、特に、その結晶表面が高品質な状態で大径のものを実現することができる。
【0056】
III族窒化物結晶の半導体材料としての利用に際しては、結晶表面に種々の材料を成長もしくはデポするため、結晶表面は十分に平滑化されていなければならない。上述した本発明のIII族窒化物結晶の研磨方法で研磨したIII族窒化物結晶は、結晶表面が十分に平滑化されており、結晶表面への種々の材料の積層が可能で、かつ良好な膜質を得ることができる。
【0057】
また、上述した本発明のIII族窒化物結晶の研磨方法で研磨したIII族窒化物結晶を基板として用いて、III族窒化物半導体デバイスを構成することができる。
【0058】
ここで、III族窒化物半導体デバイスとは、発光ダイオードや半導体レーザ等の発光デバイス、あるいは、フォトダイオード等の受光デバイス、あるいは、トランジスタ,ダイオード等の電子デバイスのことである。
【0059】
このように、高品質な結晶表面を有する本発明のIII族窒化物結晶を基板として用いることで、高性能な半導体デバイスを実現できる。
【0060】
なお、ここでいう高性能とは、例えば半導体レーザや発光ダイオードの場合には、従来実現できていない高出力かつ長寿命なものであり、電子デバイスの場合には、低消費電力,低雑音,高速動作,高温動作可能なものであり、受光デバイスとしては、低雑音,長寿命等のものである。
【0061】
【実施例】
次に、本発明の実施例を説明する。
【0062】
(実施例1)
図1は本発明の実施例1のIII族窒化物結晶の研磨方法を説明するための図である。
【0063】
図1において、III族窒化物結晶を化学研磨するエッチャントは、容器(ビーカー)内に保持されている。また、図1では、加熱手段としてホットプレートが設けられており、これにより、必要に応じてエッチャントを加熱することができる。また、III族窒化物結晶を化学研磨するエッチャントを保持する容器として図1の例ではビーカーが示されているが、エッチャントに応じて、ビーカーの材質を選択する必要がある。例えばNaOH溶液や硫酸等の場合には、ガラス製ビーカーを用いるが、KOH溶液やリン酸等を用いる場合には、これらはガラスを腐食する性質を有しているため、ガラス製ビーカーを用いるのは好ましくなく、その場合は、テフロン製の容器等を用いるとよい。
【0064】
図1に示した加熱手段(ホットプレート)を用いてエッチャントを加熱する場合、エッチャント内に温度分布が発生する。一般的に結晶の化学研磨において、エッチャント温度に対して研磨レートが変化することが知られており。エッチャント内に温度分布が存在する場合、不均一な化学研磨が行われる可能性があり、このような結晶は表面粗さが大きく、デバイス加工用基板には適していない。そこで、容器内に攪拌手段(図示せず)を設けることにより、容器内に温度分布が発生するのを低減し、表面粗さの低い結晶を得ることができる。また、加熱手段としては、ホットプレートに限定されるものではなく、赤外線ヒータ,高温槽等を用いることもできる。
【0065】
(実施例2)
図2は本発明の実施例2の化学研磨後の結晶の洗浄方法を説明するための図である。
【0066】
化学研磨においては、結晶表面に化学反応により新たに生成された化合物が形成され、それが結晶表面に残留した状態では、良好なデバイス作製は困難である。従って、良好なデバイス加工を可能にするためには、表面に残留,吸着したこれらの化合物を除去しなければならない。洗浄液は化学研磨に用いたエッチャントに応じて選択する必要があり、特に残留物・吸着物を容易に除去できない場合、化学研磨により生成される新たな化合物を溶解する性質を有しているのが望ましい。例えば、III族窒化物結晶である窒化ガリウム(GaN)をKOH溶液で化学研磨する場合、新たに水酸化ガリウムが生成される。水酸化ガリウムは、水,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコールに対して不溶であるから、これらを洗浄液として洗浄することは困難である。一方、水酸化ガリウムは酸性溶液には可溶であり、その際に生成される塩化ガリウム,硫酸ガリウム等のガリウム塩は、上記液体(水,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール)に可溶である。従って、KOH溶液等のアルカリ性を示す液体で化学研磨した後は、塩酸,硫酸等の酸性溶液で洗浄した後、上記液体(水,メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール)で洗浄することにより、平坦かつ清浄な結晶表面を得ることができる。
【0067】
また、化学研磨を施した結晶表面を洗浄する際、洗浄液を加熱することも清浄な結晶表面を得るためには有効な手段である。但し、加熱する際には、洗浄液中に温度分布が発生する可能性があり、残留物,吸着物を完全に取り除くことができない可能性がある。そこで、攪拌手段(図示せず)を設けて洗浄液を攪拌することにより、均一な温度分布を持つ洗浄液を得ることができ、洗浄な表面を持つ結晶を得ることができる。なお、図2では、加熱手段として恒温槽が示されているが、加熱手段としては、これに限定されるものではなく、赤外線ヒータ,ホットプレート等を用いることもできる。
【0068】
また、洗浄液中で残留物,吸着物の除去を促進する手段として、超音波を照射することが考えられる。図2において、洗浄液中で化学研磨後の結晶に対し、超音波源より超音波を照射することで、結晶表面に物理的損傷を生じさせることなく、残留物,吸着物を除去することができる。
【0069】
(実施例3)
図3は本発明の実施例3のIII族窒化物半導体デバイスを示す図である。なお、実施例3のIII族窒化物半導体デバイスは、半導体レーザとして構成されている。
【0070】
この半導体レーザは、本発明のIII族窒化物結晶の研磨方法を用いて得られたGaN結晶を元に作製したn型GaN基板上に、n型AlGaNクラッド層,n型GaNガイド層,InGaN MQW(多重量子井戸)活性層,p型GaNガイド層,p型AlGaNクラッド層,p型GaNコンタクト層が順次に結晶成長されて構成されている。この積層構造の結晶成長方法としては、MO−VPE(有機金属気相成長)法やMBE(分子線エピタキシー)法等の薄膜結晶成長方法を用いることができる。そして、このようなGaN,AlGaN,InGaNの積層構造にリッジ構造を形成し、SiO2絶縁膜をコンタクト領域のみ穴開けした状態で形成し、上部,下部に、各々、p側オーミック電極Au/Ni,n側オーミック電極Al/Tiを形成している。
【0071】
この半導体レーザのp側オーミック電極Au/Ni,n側オーミック電極Al/Tiから電流を注入することで、レーザ発振し、図の矢印方向にレーザ光を出射させることができる。
【0072】
この半導体レーザは、本発明のGaN結晶を基板として用いているため、半導体レーザデバイス中の結晶欠陥が少なく、大出力動作かつ長寿命のものとなっている。また、GaN基板はn型であることから、基板に直接電極を形成することができ、p側とn側の2つの電極を表面からのみ取り出すことが必要なく、低コスト化を図ることが可能となる。更に、光出射端面を劈開で形成することが可能となり、チップの分離と併せて、低コストで高品質なデバイスを実現することができる。
【0073】
なお、この実施例3では、InGaN MQWを活性層としたが、AlGaNMQWを活性層として、発光波長を短波長化することも可能である。本発明では、GaN基板の欠陥及び不純物が少ないことで、深い順位からの発光が少なくなり、短波長化しても高効率な発光デバイスが可能となる。
【0074】
また、この実施例3では、光デバイスへの応用について述べたが、本発明を電子デバイスに応用することもできる。即ち、本発明では欠陥の少ないGaN基板を用いることで、その上にエピタキシャル成長したGaN系薄膜も結晶欠陥が少なく、その結果、リーク電流を抑制できたり、量子構造にした場合のキャリア閉じ込め効果を高めたり、高性能なデバイスが実現可能となる。
【0075】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項1乃至請求項3,請求項8,請求項9記載の発明によれば、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄するので、III族窒化物結晶の表面を迅速にかつ高品質に研磨できるとともに、研磨後に、III族窒化物結晶の表面に研磨時の化学反応により生成された不純物を除去(洗浄)して良好な研磨表面を得ることができる。
【0076】
特に、請求項2記載の発明によれば、請求項1記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記酸性溶液として、加熱した酸性溶液を用いるので、III族窒化物結晶の表面をより一層迅速に研磨することができる。
【0077】
また、請求項3記載の発明によれば、請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄するので、清浄な研磨表面を得ることができ、良質な材料の成長もしくはデポが可能となる。
【0078】
また、請求項4乃至請求項6,請求項8,請求項9記載の発明によれば、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることより研磨表面を洗浄するので、III族窒化物結晶の表面を迅速にかつ高品質に研磨できるとともに、研磨後に、III族窒化物結晶の表面に研磨時の化学反応により生成された不純物を除去(洗浄)して良好な研磨表面を得ることができる。
【0079】
特に、請求項5記載の発明によれば、請求項4記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記アルカリ性溶液として、加熱したアルカリ性溶液を用いるので、III族窒化物結晶の表面を迅速に研磨することができる。
【0080】
また、請求項6記載の発明によれば、請求項4または請求項5記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄するので、清浄な研磨表面を得ることができ、良質な材料の成長もしくはデポが可能となる。
【0081】
また、請求項7乃至請求項9記載の発明によれば、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を酸性溶液もしくはアルカリ性溶液に接触させることにより研磨表面を洗浄するので、III族窒化物結晶の表面に研磨時の化学反応により生成された不純物を確実に除去することができる。
【0082】
また、請求項8記載の発明によれば、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を洗浄するときに研磨表面に超音波を照射するので、III族窒化物結晶の表面に研磨時の化学反応により生成された不純物を確実に除去することができる。
【0083】
また、請求項9記載の発明によれば、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、研磨対象となるIII族窒化物結晶は、反応容器内でアルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから成長させた、III族金属と窒素とから構成されるものであるので、掻き傷などの存在しない平滑な表面を持つより高品質かつ大径のIII族窒化物結晶を提供することができる。
【0084】
また、請求項10記載の発明によれば、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法で研磨したことを特徴とするIII族窒化物結晶であるので、掻き傷などの存在しない平滑な表面を持つIII族窒化物結晶を提供することができる。
【0085】
また、請求項11記載の発明によれば、請求項10記載のIII族窒化物結晶を基板として用いたIII族窒化物半導体デバイスであるので、高性能なIII族窒化物半導体デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のIII族窒化物結晶の研磨方法を説明するための図である。
【図2】実施例2の化学研磨後の結晶の洗浄方法を説明するための図である。
【図3】実施例3のIII族窒化物半導体デバイスを示す図である。
Claims (11)
- III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることにより研磨表面を洗浄することを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項1記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記酸性溶液として、加熱した酸性溶液を用いることを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を侵食しない液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項4記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記アルカリ性溶液として、加熱したアルカリ性溶液を用いることを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項4または請求項5記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を侵食しない加熱した液体に接触させることより研磨表面を洗浄することを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- III族窒化物結晶の表面をアルカリ性溶液に接触させて化学研磨し、次いで、研磨表面を酸性溶液もしくはアルカリ性溶液に接触させることにより研磨表面を洗浄することを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、III族窒化物結晶の表面を酸性溶液またはアルカリ性溶液に接触させて化学研磨した後、研磨表面を洗浄するときに研磨表面に超音波を照射することを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法において、研磨対象となるIII族窒化物結晶は、反応容器内でアルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから成長させた、III族金属と窒素とから構成されるものであることを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の研磨方法で研磨したことを特徴とするIII族窒化物結晶。
- 請求項10記載のIII族窒化物結晶を基板として用いたIII族窒化物半導体デバイス。
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