JP2004281658A - Conductor film pattern and its forming method, wiring board, and electronic apparatus - Google Patents

Conductor film pattern and its forming method, wiring board, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a superior conductor film pattern by an ink jet method, whatever material a substrate is made of. <P>SOLUTION: The method of forming the conductor film pattern comprises a process of forming a first interconnection layer 20 on top of a substrate 10 for separation which is formed with a porous receptive layer 12, and a process of separating the first wiring layer 20 from the substrate 10 for separation by adhering the first wiring layer 20 to a substrate 100. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電膜パターンおよびその形成方法、配線基板、電子機器に関する。
【0002】
【背景技術】
電子回路または集積回路などに使われる配線の製造には、例えばリソグラフィー法が用いられている。このリソグラフィー法では、あらかじめ導電膜を塗布した基板上に所定のパターンを有するマスク層を形成し、マスク層に応じて導電膜をエッチングすることで配線を形成するものである。このリソグラフィー法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数%程度でそのほとんどを捨ててしまわざるを得ず、製造コストが高かった。
【0003】
近年では、インクジェット法にて、所定の材料を基板上に吐出して、各種の電気光学装置に含まれる配線や絶縁層等を所定のパターンに形成する方法が開発されている。例えば、特許文献1には、導電性微粒子を分散させた液状物をインクジェット法にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行なって導電膜パターンに変換する方法が提案されている。この方法によれば、配線形成のプロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【0004】
しかしながら、上記インクジェット法による配線パターンの形成方法には、以下のような問題点がある。たとえば、微細化されたデバイスでは、微細な配線の形成が望まれるが、線幅を所望する寸法内に納めるためには、例えば基板に親液パターンと撥液パターンとを形成し、インクジェット法で吐出する液滴が親液部のみに配置されるようにする方法や、線幅が広がらないように撥液性基板上に液滴を吐出するようにし、その場合にバルジと呼ばれるふくらみが生じないよう、隣り合った液滴どうしの重なりを制御する方法などが考えられる。
【0005】
【特許文献1】
米国特許第5132248号明細書
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、基板の材質によらずインクジェット法によって良好な導電膜パターンを形成することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明の導電膜パターンの形成方法は、多孔性の受容層が設けられた分離用基体の上に、第1導電膜パターンを形成する工程と、
前記第1導電膜パターンを基体に接着させることにより分離用基体から分離する工程と、を含む。
【0008】
本発明の導電膜パターンの形成方法によれば、基体の上に導電性液体を直接吐出して配線層を形成するのではなく、まず、受容層が形成された分離用基体の上に導電性液体を直接吐出して配線を形成している。ついで、基体と分離用基体とを接合した後に、分離用基体を剥離することにより、基体に導電膜パターンを容易に形成することができる。そのため、基体の材質に関わりなく、所望の導電膜パターンを基体に接着させることができる。また、第1導電膜パターンは、多孔性の受容層の上に形成されている。そのため、たとえば、液滴吐出法により導電性微粒子を含む液状体を形成した場合、液状成分が多孔性の受容層に吸収され、導電性微粒子を受容層上に残存させることができる。その結果、微細な導電膜パターンであっても良好な形状の導電膜パターンを形成でき、かつ、導電膜パターンの剥離性を向上させることができる。
【0009】
本発明は、さらに、下記の態様をとることができる。
【0010】
(A)本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記受容層は、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとを含む層であることができる。
【0011】
(B)本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記第1導電膜パターンは、液滴吐出法により形成されることができる。この態様によれば、基板の全面に導電性材料を形成する必要がなく原料の使用効率を上昇させ、製造コストの低減を図ることができる。
【0012】
(C)本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記接着は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれることができる。
【0013】
(D)本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記基体として、前記第1導電膜パターンを粘着する機能を有する樹脂層を用いることができる。この態様によれば、たとえば、熱硬化性樹脂であるポリイミドを用いることにより、より簡易な工程でポリイミド配線基板を形成することができる。
【0014】
(E)本発明の導電膜パターンの形成方法において、さらに、(a)前記第1導電膜パターンが接着された基体の所定の箇所にプラグを形成する工程と、
(b)前記基体と、第2導電膜パターンが接着された基体とを積層する工程と、を含むことができる。この態様によれば、簡易な工程で多層配線層を形成することができ、高集積化を図ることができる。
【0015】
(F)本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記(a)および(b)を繰り返し行なうことにより、複数の導電膜パターンを積層すること、を含むことができる。
【0016】
(G)本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記積層は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれることができる。
【0017】
(2)本発明の導電膜パターンは、上記発明の導電膜パターンの形成方法により形成される。本発明の導電膜パターンは、微細なパターンを有する場合においても簡易な形成方法により得ることができ、また、信頼性の高い導電膜パターンを提供することができる。
【0018】
(3)本発明の配線基板は、上記発明の導電膜パターンを配線として有する。
【0019】
(4)本発明の配線基板は、上記発明の配線基板が他の配線基板と接合されている。
【0020】
(5)本発明の電子機器は、請求項9に記載の導電膜パターンを配線として有する。
【0021】
【発明の実施の形態】
1.第1の実施の形態
以下に、本発明の導電膜パターンの形成方法の実施形態について図1〜4を参照しながら説明する。
【0022】
(1)図1に示すように、分離用基体10の上に、受容層12を形成する。分離用基体10としては、受容層12を形成できる基板であれば特に制限されず、ガラス基板、ポリイミドなどの樹脂基板などを用いることができる。受容層12の材質としては、空孔を有する多孔性の層を用いる。受容層12は、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つと、バインダーとの混合物を塗布することにより形成され、特にアルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つと、多孔性シリカ粒子と、バインダーとの混合物を塗布した後、混合物中の液分を蒸発させ、乾燥処理を行ないバインダーを固化することにより形成される。
【0023】
ここで、用いられる多孔性シリカ粒子としては、平均粒子直径が2〜50μm、平均細孔直径8〜50nm、細孔容積0.8〜2.5cc/g程度のものが好ましい。多孔性シリカ粒子は、20重量%以下のボリア、マグネシア、ジルコニア、チタニア等を含有するものであってもよい。
【0024】
アルミナまたはアルミナ水和物としては、半径3〜10nmを有する細孔容積の和が0.2〜1.5cc/gを有する多孔質のアルミニウム酸化物やその含水物が挙げられる。細孔物性の測定手段としては、アルミナまたはアルミナ水和物の乾燥固形分が有する細孔の分布を、窒素吸着法(定流量法)により、たとえばオミクロンテクノロジー社製オムニソープ100を使用して測定することができる。そして、半径3〜10nmを有する細孔容積の和が、0.2〜1.5cc/gである場合はさらに好ましい。また、アルミナまたはアルミナ水和物の使用量は、多孔性シリカ粒子に対して5〜50重量%程度とするのが好ましい。
【0025】
また、これらアルミナまたはアルミナ水和物は、結晶質または非晶質のいずれでもよく、その形態としては不定形粒子、球状粒子等適宜な形態を用いることができる。アルミナゾルを用い、これを乾燥することによって得られるゲル状物は特に好ましい。中でも、凝ベーマイトは、特に、ゾルを乾燥して得られる擬ベーマイトゾルが好ましい。
【0026】
バインダーとしては、主にポリビニルアルコールが好適に用いられるが、その他、カチオン変成、アニオン変成、シラノール変成等の各種変成ポリビニルアルコール、デンプン誘導体およびその変成体、セルロース誘導体、スチレン−マレイン酸共重合体等を、適宜単独あるいは混合して使用することができる。
【0027】
前記混合物の塗布方法としては、たとえばエアナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、ロッドコーター、ロールコーター、グラビアコーター、サイズプレス、スピンコート、液滴吐出法、スクリーン印刷等各種の方法を採用することができる。
【0028】
多孔性シリカ粒子及び/又はアルミナまたはアルミナ水和物とバインダーとの混合物中の液分を蒸発させ、さらにバインダーを固化する目的で乾燥処理としては次にような方法を行なうことができる。このような乾燥処理としては、シリカ粒子やアルミナ粒子が焼結されない温度、たとえば50〜130℃程度の温度で加熱処理を行う方法や、減圧処理による方法、さらにはこれら加熱処理と減圧処理とを併用する方法などが採用可能である。このようにして乾燥処理がなされることにより、受容層12を構成する多孔性シリカ粒子またはアルミナまたはアルミナ水和物は、その粒子間などに微小の空孔が形成された多孔性の層となる。
【0029】
また、前記のようにして形成される受容層12は、さらに材質や構造の異なる複数の層とすることもできる。たとえば、多孔性シリカ粒子およびアルミナ水和物とバインダーとの混合物を前記のように塗布、乾燥処理を行なって多孔質層を形成した後、多孔性シリカ粒子およびアルミナとバインダーとの混合物を塗布、乾燥処理を行なうことにより、材質の異なる複数の層からなる受容層12を形成することができる。
【0030】
また、通常のインクジェット印刷で用いられる受容層12の膜厚は10μm〜100μm程度であるが、導電性パターンを形成する場合にはより膜厚の小さいものが好ましい。この場合には、たとえば、アルミナ、アルミナ水和物のうち少なくとも一つと、バインダーとの混合物を塗布するにあたり、さらに溶剤で希釈してから塗布したり、スピンコートによって塗布を行なえば、膜厚1μm以下の受容層12を形成することができる。
【0031】
また、必要であれば、このような受容層12を形成するにあたり、基板の全面に塗布するのではなく、必要な部分にのみ選択的に塗布することもできる。これは、たとえばスクリーン印刷や、液滴吐出法による塗布を採用することで行なうことができる。また、場合によっては、全面に受容層12を塗布した後、さらにレジスト塗布、露光、現像、エッチングを行なうことで不要な部分を除去してもよい。
【0032】
なお、受容層12としては、上述の製造方法により形成することもできるが、市販の空孔型の受容層12を用いることもできる。
【0033】
(2)次に、図2に示すように、受容層12が形成された分離用基体10の上に、液滴吐出法により導電膜パターン20を形成する。なお、この液滴吐出法は、インクジェット法と呼ばれることもある。液滴吐出法では、膜形成成分を含有した液状物からなる液滴(導電性微粒子を含む液状体)を、受容層12の所定の膜形成領域に吐出することで導電膜パターン20が形成される。吐出工程は、所望の膜厚の導電膜パターン20が得られるよう複数回行なう。このとき、多孔性の受容層12の上に導電性微粒子を含む液状体が吐出されているため、液状成分は、受容層12に吸収され受容層12の上には導電性微粒子を残存させられることとなる。その結果、膜形成成分を含有した液状物から液状成分をほとんどなくすことができ、吐出工程の間に乾燥工程を設ける必要がなく、効率よく所望の膜厚の導電膜パターンを形成することができる。特に、膜厚の厚い導電膜パターンを形成する場合には、必要に応じて乾燥工程を設けてもよい。このようにして、受容層12の上に、導電性微粒子のパターンを形成したのち、熱処理を施し焼成を行ない、導電膜パターン20が形成される。
【0034】
導電性微粒子を含む液状体としては、導電性微粒子を液状物(分散媒)に分散させた液状物(分散液)を用いる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超伝導体の微粒子などが用いられる。
【0035】
(3)次に、図3に示すように、導電膜パターン20を接着させるための基体100を用意する。基体100としては、特に限定されず、たとえば、合成樹脂、薄板の金属、ガラス基板および半導体基板などを用いることができる。この基体100に、粘着層102を形成する。粘着層102としては、たとえば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、および紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤などの各種接着剤が挙げられる。
【0036】
ついで、図3に示すように、導電膜パターン20を含む分離用基体10の上に、粘着層102を介して基体100を接合させる。このように、分離用基体10と、基体100とを接合させることにより、導電膜パターン20が基体100側に粘着層102を介して接着される。このとき、必要に応じて加圧してもよい、加圧することにより、導電膜パターン20を確実に基体100に接着させることができる。
【0037】
(4)次に、図4に示すように、導電膜パターン20が接着された基体100を、分離用基体10から剥離することにより、本実施の形態にかかる導電膜パターン20が形成される。このとき、導電膜パターン20は、多孔性の受容層12の上に形成されているため、剥離性に優れており、その結果、導電膜パターン20を容易に分離用基体10から分離することができる。このようにして、基体100の上に、所望のパターンを有する導電膜パターン20を形成することができる。
【0038】
本実施の形態の導電膜パターン20の形成方法の利点について述べる。
【0039】
(A)本実施の形態の導電膜パターンの形成方法では、基体100の上に導電性材料を直接吐出して導電膜パターン20を形成するのではなく、まず、受容層12が形成された分離用基体10の上に導電性微粒子の液状物を直接吐出して配線20を形成している。その後に、導電膜パターン20を基体100に接着することで、導電膜パターン20を形成することができる。液滴吐出法により良好な形状の導電膜パターンを形成する場合には、基体の材質や性質に制限があるが、本実施の形態によれば、基体の材質や性質などに関わりなく、基体100に液滴吐出法により形成された導電膜パターン20を形成することができる。その結果、簡便なプロセスで微細な導電膜パターン20を形成することができる。
【0040】
(B)本実施の形態の導電膜パターン20の形成方法では、受容層12の上に導電膜パターン20を形成されており、受容層12は空孔型の材質で形成されている。そのため、液滴吐出法により導電膜パターン20を形成する場合に、導電性微粒子が分散されている液状成分を受容層12中に吸収することができる。その結果、受容層12上には、主に導電性微粒子を残存させられる。これにより、乾燥処理を行うことなく重ね塗りを行うことができる。また、受容層12上には、導電性微粒子成分が残存させられて導電膜パターン20が形成されているために、分離用基体10から導電膜パターン20の剥離を容易に行なうことができる。その結果、所望の膜厚が確保された導電膜パターン20の形成を効率よく行うことができ、かつ微細な導電膜パターン20であっても良好な形状の導電膜パターン20を形成することができる。
【0041】
(C)分離用基体10は、繰り返し何度も使用できることにより、資源を有効に利用することができるため、コストの低減を図ることができる。
【0042】
(変形例)
次に、本実施の形態の導電膜パターンの形成方法の変形例について図5,6を参照しながら述べる。上述の実施の形態では、基体100に粘着層102を設けて導電膜パターン20の接着を行なったが、変形例では、粘着層102を設けることなく基体100の性質を用いて導電膜パターン20を接着する場合について説明する。
【0043】
(1)まず、第1の実施の形態の図1に示すように、分離用基体10の上に受容層12を介して導電膜パターン20を形成する。次に、図5に示すように、導電膜パターン20を含む分離用基体10の上に樹脂成分を含む原料液を用いて、スピンコート法などの塗布法により基体110を構成する塗布層を形成する。基体110としては、たとえば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを挙げることができる。ついで、原料液の性質に応じてたとえば、熱処理、光照射などの硬化処理を行ない、基体110となる樹脂層を形成する。これにより、樹脂層である基体110に導電膜パターン20が接着されることとなる。
【0044】
(2)次に、図6に示すように、導電膜パターン20を基体110と共に、分離用基体10から剥離することにより、樹脂層からなる基体110に導電膜パターン20を接着させることができる。
【0045】
この態様によれば、上述の実施の形態と同様の効果を有し、基体110の材質に関わりなく、液滴吐出法により形成された導電膜パターン20を基体110の上に形成することができる。また、基体110として樹脂層を使用することにより、より簡易な工程で、フレキシブル配線基板を形成することができる。
【0046】
2.第2の実施の形態
次に第2の実施の形態について、図7〜11を参照しながら説明する。第2の実施の形態では、導電膜パターンを多層化する場合の形成方法について説明する。
【0047】
(1)図7に示すように、第1の実施の形態の製造方法に従い、基体100の上に粘着層102を介して導電膜パターン20を形成する。ついで、基体100の所定の領域に第1導電膜パターン20と後の工程で形成する他の配線層とを電気的に接続するためのコンタクトホール30を形成し、コンタクトホール30にはプラグ40を充填する。コンタクトホール30の形成は、一般的なリソグラフィおよびエッチング技術により行うことができる。また、コンタクトホール30の形成は、レーザーを照射することにより行なうことができ、この態様によれば、所望の位置に確実にコンタクトホール30を形成することができる。プラグ40の形成としては、導電材料を含む液体状の金属材料をコンタクトホール30に埋め込むことにより形成することができる。プラグ40は、後の工程で基体100に形成される接着層に覆われてしまうことを防ぐために、その上面が、後に形成される接着層の上面よりも高い位置になるように形成する。
【0048】
(2)次に、図8に示すように、後述する工程で形成される他の導電膜パターンを積層させるために、基体100に接着層50を形成する。接着層50としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、および紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤などの各種接着剤などを用いることができる。
【0049】
(3)次に、図9(A)に示すように、第1の実施の形態の製造方法に従い、導電膜パターン22が粘着層112を介して接着された基体110を形成する。その後、導電膜パターン20が接着された基体100と、導電膜パターン22が接着された基体110とを接着層50を介して接合することにより、導電膜パターン20と導電膜パターン22とを積層することができる。このとき、導電膜パターン20と導電膜パターン22とは、プラグ40により電気的な接続が図られる。ついで、基体110には、基体100と同様に所定の箇所にコンタクトホール32を形成しコンタクトホール32にプラグ42を充填する。ついで、導電膜パターン24が粘着層122を介して接着された基体120を積層する。このようにして、導電膜パターン20、22,24を積層することができる。なお、下層にある導電膜パターン20の相互間には、必要に応じて絶縁層62を形成することができる。この絶縁層62の形成は、たとえば、絶縁材料を溶液塗布法などにより塗布することにより行うことができる。また、本実施の形態では、3層の導電膜パターンを形成する場合について説明したが、これに限定されず、さらに複数層形成してもよい。また、図9(B)に示すように、導電膜パターン22が形成された基体110を基体100に積層する場合、導電膜パターン22の相互間に上述したような接着剤を形成した後に、基体110を基体100に積層させてもよい。
【0050】
(4)次に、図10に示すように、最上層にある基体120において基体120の上方のプラグ44の上部が露出するように絶縁層60を形成する。絶縁層60は、たとえば、溶液塗布法により形成することができる。ついで、第1の実施の形態の製造方法を適用して、分離用基体10に端子70を形成する。端子70が形成された分離用基体10と、基体120を接合する。そして、分離用基体10を剥離することにより基体120のプラグ44の上に、端子70を接合することができる。
【0051】
本実施の形態の導電膜パターンの形成方法によれば、導電膜パターン20,22,24が形成された基体100,110,120を順次積層することで容易に導電膜パターンの多層化を実現することができる。そのため、配線層の高集積化が図ることができる。
【0052】
3.第3の実施の形態
第3の実施の形態では、本実施の形態にかかる導電膜パターンを配線層として有する基体100A(以下、「第1配線基板」という)を、他の配線基板200(以下「第2配線基板」という)等に設ける場合について、図12を参照しながら説明する。図12(A)は、本実施の形態にかかる配線基板を模式的に示す平面図であり、図12(B)は、図12(A)のA−A線に沿った断面図である。
【0053】
本実施の形態にかかる配線基板は、図12(A)および(B)に示すように、第1配線基板100Aと第2配線基板200とを含む。第2配線基板200としては、たとえば、既存の配線基板を用いることができる。第2配線基板200の上には、電源用ICなどの電子部品202が設けられており、電子部品202と端子206とは、配線204および電極210aを介して電気的に接続されている。第1配線基板100Aは、第2配線基板200の電子部品202と端子208とを電気的に接続するように設けられている。具体的には、第1配線基板100Aにバンプ212を形成し、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)214を介して第2配線基板200に接合される。つまり、電子部品202の電極210bはバンプ212を介して第1配線基板100Aと電気的な接続がなされ、同様に第2配線基板200の端子208は、バンプ212を介して第1配線基板100Aと電気的な接続がなされることとなる。
【0054】
本実施の形態の配線基板によれば、第1配線基板100Aを必要に応じて、種々の配線基板の上に設けることができ、容易に高集積化を図ることができる。特に、第1配線基板100Aを既存の配線基板に設ける場合には、新たに配線基板を製造することなく、高集積化を図ることができ、コストの削減を図ることができる。
【0055】
4.第4の実施の形態
第4の実施の形態では、上述の導電膜パターンからなる配線層を有した電子機器について、図13を参照しながら説明する。
【0056】
図13(A)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 図13(A)において、600は携帯電話本体を示し、601は前記導電膜パターン20を有した表示部を示している。
【0057】
図13(B)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図13(B)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は前記導電膜パターン20を有した表示部を示している。
【0058】
図13(C)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図13(C)において、800は時計本体を示し、801は前記導電膜パターン20を有した表示部を示している。
【0059】
図13(A)〜(C)に示す電子機器は、前記の導電性パターン4(導電膜パターン)を有した表示部を備えているので、生産性の高い良好なものとなる。
【0060】
【実施例】
[実施例1]
(1)第1の実施の形態の製造方法に基づき、以下のようにして導電膜パターンを形成した。まず、ガラス基板上に、空孔型インク受容層の(たとえば、旭ガラス製 ピクトリコ)を形成した分離用基板を用意した。
【0061】
次に、受容層の上に液滴吐出装置により所望の導電膜のパターンに沿うように液滴を滴下した。吐出する液状体を、以下のようにして用意した。直径10nm程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液(真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」)に、トルエンを添加してこれを希釈し、その粘度を3mPa・sとなるように調整し、前記液状体とした。また、この液状体を吐出する液滴吐出ヘッドとしては、市販のプリンター(商品名「PM950C」)のヘッドを使用した。ただし、インク吸入部がプラスチック製であるため、有機溶剤に対して溶解しないよう吸入部を金属製の治具に変更したものを用いた。吐出させた液滴は、1回の滴下量が10ngであり、20μmの間隔となるように吐出した。受容層に滴下された液滴は、受容層によってその分散媒が速やかに吸収され、微粒子堆積膜となった。その後、この基板を300℃で30分加熱した。これにより、配線幅が30μm、厚さが5μm、配線ピッチが60μmの導電膜パターンを形成することができた。
【0062】
(2)次に、基体としてポリイミドフィルムを用意した。このポリイミドフィルムに粘着層として、NCP(Non Conductive Paste)を形成した。ついで、導電膜パターンが形成された分離用基体とポリイミドフィルムとを接合した。その後、ポリイミドフィルムと分離用基体とを分離することにより、ポリイミドフィルムに配線層が接着した配線基板を形成することができた。このようにして得られた配線の体積抵抗率は、3.5μΩ/cmであった。よって、本実施例の導電膜パターンの形成方法によれば、良好な配線層を形成できることがわかった。
【0063】
[実施例2]
まず、実施例1の(1)を同様に行ない、受容層が形成されたガラス基板(分離用基体)の上に導電膜パターンを形成した。次に、導電膜パターンが形成されたガラス基板の上に、熱硬化型樹脂の原料液(旭化成製 パイメル)をスピンコート法により塗布した、ついで、350℃の熱処理を2時間行なうことにより、熱硬化させポリイミド膜(基体)を得た。次に、このポリイミド膜に粘着フィルムを貼りつけた。この粘着フィルムとしては、熱処理を行なうと粘着性が低下する性質のフィルムを用いた。ついで、粘着フィルムを貼りつけたポリイミド膜をガラス基板から剥離することにより、ポリイミド膜に導電膜パターンが接着させることができた。その後、熱処理を行なうことにより、ポリイミド膜に貼りつけた粘着フィルムを剥離し、ポリイミド膜に導電膜パターンが形成された配線基板を形成した。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図2】第1の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図3】第1の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図4】第1の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図5】第1の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図6】第1の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図7】第2の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図8】第2の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図9】第2の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図10】第2の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図11】第2の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図12】(A)は、第3の実施の形態にかかる配線基板の平面図であり、(B)は、(A)のA−A線に沿った断面図。
【図13】第4の実施の形態にかかる電子機器を示す図。
【符号の説明】
10…分離用基体、 12…受容層、 20,22,24…配線層、 30,32,34…絶縁層、 40,42,44…プラグ、 100,110,120…基体、 102,112,122…粘着層 100A…第1配線基板、 200…第2配線基板、 202…電子部品、 204…配線、 206、208…端子、 210a,b…電極、 212…バンプ、 214…異方性導電性フィルム、
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a conductive film pattern and a method for forming the same, a wiring board, and an electronic device.
[0002]
[Background Art]
For example, a lithography method is used for manufacturing wiring used for an electronic circuit or an integrated circuit. In this lithography method, a wiring is formed by forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate on which a conductive film is applied in advance, and etching the conductive film according to the mask layer. This lithography method requires large-scale equipment such as a vacuum apparatus and complicated processes, and has a material use efficiency of only about several percent, and almost all of the material must be discarded, resulting in high manufacturing costs.
[0003]
In recent years, a method has been developed in which a predetermined material is discharged onto a substrate by an inkjet method to form wirings, insulating layers, and the like included in various electro-optical devices in a predetermined pattern. For example, Patent Literature 1 proposes a method in which a liquid material in which conductive fine particles are dispersed is pattern-coated directly on a substrate by an inkjet method, and then heat treatment or laser irradiation is performed to convert the liquid into a conductive film pattern. According to this method, there is an advantage that the process of forming the wiring is greatly simplified, and the amount of raw materials used can be reduced.
[0004]
However, the above-described method of forming a wiring pattern by the inkjet method has the following problems. For example, in a miniaturized device, formation of fine wiring is desired, but in order to keep the line width within a desired dimension, for example, a lyophilic pattern and a lyophobic pattern are formed on a substrate, and an inkjet method is used. A method in which the droplet to be discharged is arranged only in the lyophilic portion, or a method in which the droplet is discharged onto the lyophobic substrate so that the line width is not widened, in which case the bulge called bulge does not occur As described above, a method of controlling the overlap between adjacent droplets is considered.
[0005]
[Patent Document 1]
U.S. Pat. No. 5,132,248
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to form a good conductive film pattern by an inkjet method regardless of the material of a substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
(1) A method for forming a conductive film pattern according to the present invention includes the steps of: forming a first conductive film pattern on a separation substrate provided with a porous receiving layer;
Separating the first conductive film pattern from the separation substrate by adhering the first conductive film pattern to the substrate.
[0008]
According to the method for forming a conductive film pattern of the present invention, instead of forming a wiring layer by directly discharging a conductive liquid on a substrate, first, a conductive liquid is formed on a separation substrate on which a receiving layer is formed. The wiring is formed by directly discharging the liquid. Next, after joining the base and the separation base, the separation base is peeled off, whereby a conductive film pattern can be easily formed on the base. Therefore, a desired conductive film pattern can be adhered to the substrate regardless of the material of the substrate. The first conductive film pattern is formed on the porous receiving layer. Therefore, for example, when a liquid material containing conductive fine particles is formed by a droplet discharge method, the liquid component is absorbed by the porous receiving layer, and the conductive fine particles can remain on the receiving layer. As a result, a conductive film pattern having a good shape can be formed even with a fine conductive film pattern, and the releasability of the conductive film pattern can be improved.
[0009]
The present invention can further take the following aspects.
[0010]
(A) In the method for forming a conductive film pattern according to the present invention, the receiving layer may be a layer containing at least one of porous silica particles, alumina, and alumina hydrate and a binder.
[0011]
(B) In the method for forming a conductive film pattern according to the present invention, the first conductive film pattern may be formed by a droplet discharging method. According to this aspect, it is not necessary to form a conductive material on the entire surface of the substrate, so that the use efficiency of the raw material can be increased and the manufacturing cost can be reduced.
[0012]
(C) In the method for forming a conductive film pattern according to the present invention, the bonding may be performed via an adhesive layer provided on the base.
[0013]
(D) In the method for forming a conductive film pattern according to the present invention, a resin layer having a function of adhering the first conductive film pattern may be used as the base. According to this aspect, for example, by using polyimide which is a thermosetting resin, a polyimide wiring substrate can be formed in a simpler process.
[0014]
(E) In the method for forming a conductive film pattern according to the present invention, further comprising: (a) forming a plug at a predetermined position on the substrate to which the first conductive film pattern is adhered;
(B) laminating the substrate and the substrate to which the second conductive film pattern is adhered. According to this aspect, a multilayer wiring layer can be formed by a simple process, and high integration can be achieved.
[0015]
(F) The method for forming a conductive film pattern of the present invention may include stacking a plurality of conductive film patterns by repeating the above (a) and (b).
[0016]
(G) In the method for forming a conductive film pattern according to the present invention, the lamination may be performed via an adhesive layer provided on the base.
[0017]
(2) The conductive film pattern of the present invention is formed by the conductive film pattern forming method of the present invention. The conductive film pattern of the present invention can be obtained by a simple forming method even when having a fine pattern, and a highly reliable conductive film pattern can be provided.
[0018]
(3) The wiring board of the present invention has the conductive film pattern of the present invention as a wiring.
[0019]
(4) In the wiring board of the present invention, the wiring board of the above invention is joined to another wiring board.
[0020]
(5) An electronic device of the present invention has the conductive film pattern according to claim 9 as a wiring.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
1. First embodiment
Hereinafter, an embodiment of a method for forming a conductive film pattern according to the present invention will be described with reference to FIGS.
[0022]
(1) As shown in FIG. 1, a receiving layer 12 is formed on a separation substrate 10. The substrate for separation 10 is not particularly limited as long as it is a substrate on which the receiving layer 12 can be formed, and a glass substrate, a resin substrate such as polyimide, or the like can be used. As a material of the receiving layer 12, a porous layer having pores is used. The receiving layer 12 is formed by applying a mixture of at least one of porous silica particles, alumina, and alumina hydrate and a binder. It is formed by applying a mixture of the silica particles and the binder, evaporating a liquid component in the mixture, performing a drying treatment, and solidifying the binder.
[0023]
Here, as the porous silica particles used, those having an average particle diameter of about 2 to 50 μm, an average pore diameter of about 8 to 50 nm, and a pore volume of about 0.8 to 2.5 cc / g are preferable. The porous silica particles may contain 20% by weight or less of boria, magnesia, zirconia, titania and the like.
[0024]
Examples of the alumina or alumina hydrate include a porous aluminum oxide having a radius of 3 to 10 nm and a sum of pore volumes of 0.2 to 1.5 cc / g, and a hydrate thereof. As a means for measuring pore properties, the distribution of pores in the dry solid content of alumina or alumina hydrate is measured by a nitrogen adsorption method (constant flow rate method) using, for example, Omnisorp 100 manufactured by Omicron Technology Co., Ltd. can do. And it is more preferable that the sum of the pore volumes having a radius of 3 to 10 nm is 0.2 to 1.5 cc / g. The amount of alumina or alumina hydrate used is preferably about 5 to 50% by weight based on the porous silica particles.
[0025]
The alumina or alumina hydrate may be either crystalline or amorphous, and may be in any form such as irregular particles or spherical particles. A gel obtained by using an alumina sol and drying it is particularly preferable. Among them, the pseudo-boehmite is preferably a pseudo-boehmite sol obtained by drying the sol.
[0026]
As the binder, mainly polyvinyl alcohol is suitably used, but in addition, various modified polyvinyl alcohols such as cation-modified, anion-modified and silanol-modified, starch derivatives and modified products thereof, cellulose derivatives, styrene-maleic acid copolymer and the like Can be used alone or in combination as appropriate.
[0027]
As a method of applying the mixture, various methods such as an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a rod coater, a roll coater, a gravure coater, a size press, a spin coat, a droplet discharge method, and a screen printing can be adopted. .
[0028]
For the purpose of evaporating the liquid component in the mixture of the porous silica particles and / or alumina or alumina hydrate and the binder and further solidifying the binder, the following method can be used as a drying treatment. As such a drying treatment, a method of performing a heating treatment at a temperature at which the silica particles and the alumina particles are not sintered, for example, a temperature of about 50 to 130 ° C., a method of reducing the pressure, and a combination of these heating and reducing treatment It is possible to adopt a method of using them together. By performing the drying treatment in this manner, the porous silica particles or alumina or alumina hydrate constituting the receiving layer 12 becomes a porous layer in which minute pores are formed between the particles or the like. .
[0029]
Further, the receiving layer 12 formed as described above may be a plurality of layers having different materials and structures. For example, a mixture of porous silica particles and alumina hydrate and a binder is applied as described above, a drying process is performed to form a porous layer, and then a mixture of porous silica particles and alumina and a binder is applied. By performing the drying treatment, the receiving layer 12 including a plurality of layers made of different materials can be formed.
[0030]
The thickness of the receiving layer 12 used in normal inkjet printing is about 10 μm to 100 μm, but when a conductive pattern is formed, a smaller thickness is preferable. In this case, for example, when applying a mixture of at least one of alumina and alumina hydrate and a binder, the mixture is further diluted with a solvent and then applied, or spin-coated to obtain a film having a thickness of 1 μm. The following receiving layer 12 can be formed.
[0031]
Further, if necessary, in forming such a receiving layer 12, instead of coating on the entire surface of the substrate, it is also possible to selectively apply only on necessary portions. This can be performed, for example, by employing screen printing or application by a droplet discharge method. In some cases, after the receiving layer 12 is applied to the entire surface, unnecessary portions may be removed by further performing resist application, exposure, development, and etching.
[0032]
The receiving layer 12 can be formed by the above-described manufacturing method, but a commercially available hole-type receiving layer 12 can also be used.
[0033]
(2) Next, as shown in FIG. 2, a conductive film pattern 20 is formed on the separation substrate 10 on which the receiving layer 12 is formed by a droplet discharging method. Note that this droplet discharge method is sometimes called an inkjet method. In the droplet discharging method, a conductive film pattern 20 is formed by discharging a droplet (a liquid containing conductive fine particles) made of a liquid containing a film forming component to a predetermined film forming region of the receiving layer 12. You. The discharging step is performed a plurality of times so that the conductive film pattern 20 having a desired film thickness is obtained. At this time, since the liquid material containing the conductive fine particles is discharged onto the porous receiving layer 12, the liquid component is absorbed by the receiving layer 12 and the conductive fine particles remain on the receiving layer 12. It will be. As a result, the liquid component can be almost eliminated from the liquid material containing the film-forming component, and there is no need to provide a drying step between the discharging steps, so that a conductive film pattern having a desired thickness can be efficiently formed. . In particular, when forming a thick conductive film pattern, a drying step may be provided as necessary. After the conductive fine particle pattern is formed on the receiving layer 12 in this manner, heat treatment is performed and firing is performed, so that the conductive film pattern 20 is formed.
[0034]
As a liquid containing conductive fine particles, a liquid (dispersion liquid) in which conductive fine particles are dispersed in a liquid (dispersion medium) is used. The conductive fine particles used here include metal fine particles containing any of gold, silver, copper, palladium, and nickel, as well as conductive polymer and superconductor fine particles.
[0035]
(3) Next, as shown in FIG. 3, a base 100 for bonding the conductive film pattern 20 is prepared. The base 100 is not particularly limited, and for example, a synthetic resin, a thin metal, a glass substrate, a semiconductor substrate, or the like can be used. An adhesive layer 102 is formed on the substrate 100. Examples of the adhesive layer 102 include various adhesives such as a photocurable adhesive such as a reactive curable adhesive, a thermosetting adhesive, and an ultraviolet curable adhesive.
[0036]
Next, as shown in FIG. 3, the base 100 is bonded to the separation base 10 including the conductive film pattern 20 via the adhesive layer 102. By joining the separation substrate 10 and the substrate 100 in this manner, the conductive film pattern 20 is bonded to the substrate 100 via the adhesive layer 102. At this time, pressure may be applied as needed. By applying pressure, the conductive film pattern 20 can be securely adhered to the base 100.
[0037]
(4) Next, as shown in FIG. 4, the substrate 100 to which the conductive film pattern 20 is adhered is peeled off from the separation substrate 10, whereby the conductive film pattern 20 according to the present embodiment is formed. At this time, since the conductive film pattern 20 is formed on the porous receiving layer 12, the conductive film pattern 20 has excellent releasability. As a result, the conductive film pattern 20 can be easily separated from the separation substrate 10. it can. Thus, the conductive film pattern 20 having a desired pattern can be formed on the base 100.
[0038]
The advantages of the method for forming the conductive film pattern 20 of the present embodiment will be described.
[0039]
(A) In the method for forming a conductive film pattern according to the present embodiment, instead of forming a conductive film pattern 20 by directly discharging a conductive material onto the substrate 100, first, the separation method in which the receiving layer 12 is formed is performed. The wiring 20 is formed by directly discharging a liquid material of the conductive fine particles on the substrate 10 for use. After that, the conductive film pattern 20 can be formed by bonding the conductive film pattern 20 to the base 100. When a conductive film pattern having a good shape is formed by a droplet discharge method, there are restrictions on the material and properties of the substrate. However, according to this embodiment, regardless of the material and properties of the substrate, The conductive film pattern 20 formed by the droplet discharge method can be formed on the substrate. As a result, the fine conductive film pattern 20 can be formed by a simple process.
[0040]
(B) In the method for forming the conductive film pattern 20 of the present embodiment, the conductive film pattern 20 is formed on the receiving layer 12, and the receiving layer 12 is formed of a hole-type material. Therefore, when the conductive film pattern 20 is formed by the droplet discharging method, the liquid component in which the conductive fine particles are dispersed can be absorbed in the receiving layer 12. As a result, mainly the conductive fine particles can be left on the receiving layer 12. Thereby, overcoating can be performed without performing a drying process. In addition, since the conductive fine particle component is left on the receiving layer 12 to form the conductive film pattern 20, the conductive film pattern 20 can be easily separated from the separation substrate 10. As a result, the conductive film pattern 20 having a desired film thickness can be efficiently formed, and the conductive film pattern 20 having a good shape can be formed even with the fine conductive film pattern 20. .
[0041]
(C) Since the separation substrate 10 can be used repeatedly and repeatedly, resources can be effectively used, and cost can be reduced.
[0042]
(Modification)
Next, a modification of the method for forming a conductive film pattern according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the above-described embodiment, the adhesive layer 102 is provided on the base 100 to bond the conductive film pattern 20. However, in a modified example, the conductive film pattern 20 is formed by using the properties of the base 100 without providing the adhesive layer 102. The case of bonding will be described.
[0043]
(1) First, as shown in FIG. 1 of the first embodiment, a conductive film pattern 20 is formed on a separation substrate 10 via a receiving layer 12. Next, as shown in FIG. 5, a coating layer constituting the base 110 is formed on the separation base 10 including the conductive film pattern 20 by using a raw material liquid containing a resin component by a coating method such as a spin coating method. I do. Examples of the substrate 110 include a thermosetting resin, a photocurable resin, and a thermoplastic resin. Next, a curing process such as heat treatment or light irradiation is performed in accordance with the properties of the raw material liquid to form a resin layer to be the base 110. As a result, the conductive film pattern 20 is bonded to the base 110 which is a resin layer.
[0044]
(2) Next, as shown in FIG. 6, the conductive film pattern 20 can be bonded to the base 110 made of a resin layer by peeling the conductive film pattern 20 together with the base 110 from the separation base 10.
[0045]
According to this aspect, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained, and the conductive film pattern 20 formed by the droplet discharging method can be formed on the base 110 regardless of the material of the base 110. . Further, by using a resin layer as the base 110, a flexible wiring board can be formed in a simpler process.
[0046]
2. Second embodiment
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, a method for forming a multilayer conductive film pattern will be described.
[0047]
(1) As shown in FIG. 7, a conductive film pattern 20 is formed on a base 100 via an adhesive layer 102 in accordance with the manufacturing method of the first embodiment. Next, a contact hole 30 for electrically connecting the first conductive film pattern 20 to another wiring layer formed in a later step is formed in a predetermined region of the base 100, and a plug 40 is formed in the contact hole 30. Fill. The formation of the contact hole 30 can be performed by a general lithography and etching technique. Further, the formation of the contact hole 30 can be performed by irradiating a laser. According to this embodiment, the contact hole 30 can be reliably formed at a desired position. The plug 40 can be formed by embedding a liquid metal material containing a conductive material in the contact hole 30. The plug 40 is formed so that its upper surface is higher than the upper surface of the adhesive layer formed later, in order to prevent the plug 40 from being covered by the adhesive layer formed on the base 100 in a later step.
[0048]
(2) Next, as shown in FIG. 8, an adhesive layer 50 is formed on the base 100 in order to laminate another conductive film pattern formed in a step described later. As the adhesive layer 50, various adhesives such as a reactive curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a photocurable adhesive such as an ultraviolet curable adhesive can be used.
[0049]
(3) Next, as shown in FIG. 9A, a substrate 110 to which the conductive film pattern 22 is adhered via the adhesive layer 112 is formed according to the manufacturing method of the first embodiment. Then, the conductive film pattern 20 and the conductive film pattern 22 are stacked by bonding the base 100 to which the conductive film pattern 20 is bonded and the base 110 to which the conductive film pattern 22 is bonded via an adhesive layer 50. be able to. At this time, the conductive film pattern 20 and the conductive film pattern 22 are electrically connected by the plug 40. Next, the contact hole 32 is formed at a predetermined position on the base 110 similarly to the base 100, and the contact hole 32 is filled with the plug 42. Next, the base 120 to which the conductive film pattern 24 is adhered via the adhesive layer 122 is laminated. Thus, the conductive film patterns 20, 22, and 24 can be laminated. Note that an insulating layer 62 can be formed between the lower conductive film patterns 20 as needed. The formation of the insulating layer 62 can be performed, for example, by applying an insulating material by a solution coating method or the like. Further, in this embodiment, the case where a three-layer conductive film pattern is formed has been described. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of layers may be formed. Further, as shown in FIG. 9B, when the substrate 110 on which the conductive film pattern 22 is formed is laminated on the substrate 100, the above-described adhesive is formed between the conductive film patterns 22 and then the substrate 110 is formed. 110 may be laminated on the base 100.
[0050]
(4) Next, as shown in FIG. 10, the insulating layer 60 is formed so that the upper part of the plug 44 above the base 120 in the base 120 in the uppermost layer is exposed. The insulating layer 60 can be formed by, for example, a solution coating method. Next, the terminals 70 are formed on the separation substrate 10 by applying the manufacturing method of the first embodiment. The separation substrate 10 on which the terminals 70 are formed and the substrate 120 are joined. Then, the terminal 70 can be bonded onto the plug 44 of the base 120 by peeling the separation base 10.
[0051]
According to the method for forming a conductive film pattern according to the present embodiment, the substrates 100, 110, and 120 on which the conductive film patterns 20, 22, and 24 are formed are sequentially stacked to easily realize a multilayered conductive film pattern. be able to. Therefore, high integration of the wiring layer can be achieved.
[0052]
3. Third embodiment
In the third embodiment, a substrate 100A (hereinafter, referred to as “first wiring substrate”) having the conductive film pattern according to the present embodiment as a wiring layer is replaced with another wiring substrate 200 (hereinafter, “second wiring substrate”). Will be described with reference to FIG. FIG. 12A is a plan view schematically showing the wiring board according to the present embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view along the line AA in FIG.
[0053]
The wiring board according to the present embodiment includes a first wiring board 100A and a second wiring board 200, as shown in FIGS. As the second wiring board 200, for example, an existing wiring board can be used. An electronic component 202 such as a power supply IC is provided on the second wiring board 200, and the electronic component 202 and the terminal 206 are electrically connected to each other through a wiring 204 and an electrode 210a. The first wiring board 100A is provided so as to electrically connect the electronic component 202 of the second wiring board 200 and the terminal 208. Specifically, a bump 212 is formed on the first wiring substrate 100A, and is joined to the second wiring substrate 200 via an anisotropic conductive film (ACF: Anisotropic Conductive Film) 214. That is, the electrodes 210b of the electronic component 202 are electrically connected to the first wiring board 100A via the bumps 212, and similarly, the terminals 208 of the second wiring board 200 are connected to the first wiring board 100A via the bumps 212. An electrical connection will be made.
[0054]
According to the wiring board of the present embodiment, first wiring board 100A can be provided on various wiring boards as needed, and high integration can be easily achieved. In particular, when the first wiring board 100A is provided on an existing wiring board, high integration can be achieved without newly manufacturing a wiring board, and cost can be reduced.
[0055]
4. Fourth embodiment
In the fourth embodiment, an electronic device having a wiring layer including the above-described conductive film pattern will be described with reference to FIG.
[0056]
FIG. 13A is a perspective view illustrating an example of a mobile phone. In FIG. 13A, reference numeral 600 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 601 denotes a display unit having the conductive film pattern 20.
[0057]
FIG. 13B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. 13B, reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing main body, and 702 denotes a display unit having the conductive film pattern 20.
[0058]
FIG. 13C is a perspective view illustrating an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 13C, reference numeral 800 denotes a watch main body, and reference numeral 801 denotes a display unit having the conductive film pattern 20.
[0059]
Since the electronic device shown in FIGS. 13A to 13C includes the display portion having the conductive pattern 4 (conductive film pattern), the electronic device has high productivity and good quality.
[0060]
【Example】
[Example 1]
(1) Based on the manufacturing method of the first embodiment, a conductive film pattern was formed as follows. First, a separation substrate having a pore type ink receiving layer (for example, Pictoric made by Asahi Glass) formed on a glass substrate was prepared.
[0061]
Next, droplets were dropped on the receiving layer by a droplet discharge device so as to follow a desired pattern of the conductive film. A liquid to be discharged was prepared as follows. Toluene is added to a gold fine particle dispersion (trade name "Perfect Gold") in which gold fine particles having a diameter of about 10 nm are dispersed in toluene, and the mixture is diluted to have a viscosity of 3 mPa · s. The liquid was adjusted as described above. The head of a commercially available printer (trade name “PM950C”) was used as a droplet discharge head for discharging the liquid material. However, since the ink suction portion was made of plastic, the suction portion was changed to a metal jig so as not to dissolve in an organic solvent. The ejected droplets were ejected such that the amount of each droplet was 10 ng and the interval was 20 μm. The dispersion medium of the droplet dropped on the receiving layer was quickly absorbed by the receiving layer to form a fine particle deposited film. Thereafter, the substrate was heated at 300 ° C. for 30 minutes. As a result, a conductive film pattern having a wiring width of 30 μm, a thickness of 5 μm, and a wiring pitch of 60 μm could be formed.
[0062]
(2) Next, a polyimide film was prepared as a substrate. An NCP (Non Conductive Paste) was formed on the polyimide film as an adhesive layer. Then, the separation substrate on which the conductive film pattern was formed and the polyimide film were joined. Thereafter, by separating the polyimide film and the separating substrate, a wiring substrate having a wiring layer adhered to the polyimide film could be formed. The wiring thus obtained has a volume resistivity of 3.5 μΩ / cm. 2 Met. Therefore, according to the method for forming a conductive film pattern of this example, it was found that a favorable wiring layer could be formed.
[0063]
[Example 2]
First, (1) of Example 1 was similarly performed, and a conductive film pattern was formed on a glass substrate (substrate for separation) on which a receiving layer was formed. Next, a thermosetting resin material solution (Pimel manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) was applied on the glass substrate on which the conductive film pattern was formed by a spin coating method, and then a heat treatment at 350 ° C. was performed for 2 hours. It was cured to obtain a polyimide film (substrate). Next, an adhesive film was attached to the polyimide film. As the pressure-sensitive adhesive film, a film having a property of deteriorating the tackiness when subjected to heat treatment was used. Next, the polyimide film to which the adhesive film was attached was peeled off from the glass substrate, so that the conductive film pattern could be adhered to the polyimide film. Thereafter, by performing a heat treatment, the adhesive film attached to the polyimide film was peeled off, and a wiring substrate having a conductive film pattern formed on the polyimide film was formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to a first embodiment.
FIG. 2 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the first embodiment;
FIG. 3 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the first embodiment;
FIG. 4 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the first embodiment.
FIG. 5 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the first embodiment.
FIG. 6 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the first embodiment.
FIG. 7 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to a second embodiment.
FIG. 8 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the second embodiment.
FIG. 9 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the second embodiment.
FIG. 10 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the second embodiment.
FIG. 11 is a view showing a process of forming a conductive film pattern according to the second embodiment.
FIG. 12A is a plan view of a wiring board according to a third embodiment, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
FIG. 13 is an exemplary view showing an electronic apparatus according to a fourth embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Separation base | substrate, 12 ... Reception layer, 20, 22, 24 ... Wiring layer, 30, 32, 34 ... Insulation layer, 40, 42, 44 ... Plug, 100, 110, 120 ... Substrate, 102, 112, 122 ... adhesive layer 100A ... first wiring board, 200 ... second wiring board, 202 ... electronic components, 204 ... wiring, 206, 208 ... terminals, 210a, b ... electrodes, 212 ... bumps, 214 ... anisotropic conductive film ,

Claims (12)

多孔性の受容層が設けられた分離用基体の上に、第1導電膜パターンを形成する工程と、
前記第1導電膜パターンを基体に接着させることにより分離用基体から分離する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。
Forming a first conductive film pattern on a separation substrate provided with a porous receiving layer;
Separating the first conductive film pattern from the separating substrate by bonding the first conductive film pattern to the substrate.
請求項1において、
前記受容層は、多孔性シリカ、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとを含む層である、導電膜パターンの形成方法。
In claim 1,
The method for forming a conductive film pattern, wherein the receiving layer is a layer containing at least one of porous silica, alumina, and alumina hydrate and a binder.
請求項1または2において、
前記第1導電膜パターンは、液滴吐出法により形成される、導電膜パターンの形成方法。
In claim 1 or 2,
The method for forming a conductive film pattern, wherein the first conductive film pattern is formed by a droplet discharging method.
請求項1〜3のいずれかにおいて、
前記接着は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれる、導電膜パターンの形成方法。
In any one of claims 1 to 3,
The method for forming a conductive film pattern, wherein the bonding is performed via an adhesive layer provided on the base.
請求項1〜3のいずれかにおいて、
前記基体として、樹脂層を用いる、導電膜パターンの形成方法。
In any one of claims 1 to 3,
A method for forming a conductive film pattern using a resin layer as the base.
請求項1〜5のいずれかにおいて、
さらに、(a)前記第1導電膜パターンが接着された基体の所定の箇所にプラグを形成する工程と、
(b)前記基体と、第2導電膜パターンが接着された他の基体とを積層する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。
In any one of claims 1 to 5,
(A) forming a plug at a predetermined position on the substrate to which the first conductive film pattern is adhered;
(B) a method of forming a conductive film pattern, comprising: laminating the base and another substrate to which a second conductive film pattern is bonded.
請求項6において、
前記(a)および(b)を繰り返し行なうことにより、複数の導電膜パターンを積層すること、を含む、導電膜パターンの形成方法。
In claim 6,
A method for forming a conductive film pattern, comprising laminating a plurality of conductive film patterns by repeatedly performing the steps (a) and (b).
請求項6または7において、
前記積層は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれる、導電膜パターンの形成方法。
In claim 6 or 7,
The method for forming a conductive film pattern, wherein the lamination is performed via an adhesive layer provided on the base.
請求項1〜8に記載の導電膜パターンの形成方法により形成された導電膜パターン。A conductive film pattern formed by the method for forming a conductive film pattern according to claim 1. 請求項9に記載の導電膜パターンを配線として有する、配線基板。A wiring substrate having the conductive film pattern according to claim 9 as a wiring. 請求項10に記載の配線基板が他の配線基板と接合されている、配線基板。A wiring board, wherein the wiring board according to claim 10 is joined to another wiring board. 請求項9に記載の導電膜パターンを配線として有する、電子機器。An electronic device having the conductive film pattern according to claim 9 as a wiring.
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