JP2004266624A - 帯域阻止フィルタ - Google Patents
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Abstract
【解決すべき課題】急峻な減衰特性を持ち、かつ構成が簡単でコストがかからない帯域阻止フィルタを提供すること。
【課題を解決するための手段】
帯域阻止フィルタは、入力端子1と出力端子2とを有し、入力端子1と出力端子2との間に三つのノッチフィルタF1、ノッチフィルタF2及びノッチフィルタF3を有している。各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3は、金属板でシールドされたキャビンで構成され、その内部には、線路より導出されたアンテナ3と、一端が金属板に接地されたコイル4とが設けられており、アンテナ3とコイル4とが空間結合され、共振回路を構成している。
【選択図】 図1
【課題を解決するための手段】
帯域阻止フィルタは、入力端子1と出力端子2とを有し、入力端子1と出力端子2との間に三つのノッチフィルタF1、ノッチフィルタF2及びノッチフィルタF3を有している。各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3は、金属板でシールドされたキャビンで構成され、その内部には、線路より導出されたアンテナ3と、一端が金属板に接地されたコイル4とが設けられており、アンテナ3とコイル4とが空間結合され、共振回路を構成している。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、高周波の帯域阻止フィルタに関し、特に特定周波数の信号を大きく減衰させる帯域阻止フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、特定周波数を大きく減衰させるトラップを期待するために、ハイパスフィルタやローパスフィルタに減衰極を設けたものがある。
【0003】
図5は、このようなフィルタの一例を示したものであり、ハイパスフィルタに減衰極を設けたものである。図5中、100は入力端子、101は出力端子で、これらの間に直列に4つのコンデンサ102が設けられ、これらコンデンサ102同士の接続点と基準電位点との間にコンデンサ103とコイル104との直列回路がそれぞれ接続されている。
【0004】
このフィルタは、コンデンサ102とコイル104とでハイパスフィルタが構成され、かつ、コイル104とコンデンサ103とがトラップを構成し、その共振周波数の信号を減衰させている。
【0005】
一方、従来、地上テレビ放送のチャンネルは隣接波の混信がないように使用されていたが、地上デジタル放送が開始されることにより、アナログ波停止まではデジタル波と同時送信されるため、チャンネルの混雑度は2倍となる。したがって、隣接チャンネルによる混信が発生する可能性があり、その排除のために急峻な阻止特性を持つ隣接阻止フィルタが必要となった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のフィルタでは、共振回路のQが低く、隣接チャンネルを安定に阻止するための急峻な帯域阻止フィルタは困難であった。
【0007】
また、用いるコンデンサや、コイルの数も多く製造面で面倒になる上に、コストが高くなるという問題点があった。
【0008】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みて発明されたものであって、その目的は、急峻な減衰特性を持ち、かつ構成が簡単でコストがかからない帯域阻止フィルタを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成する第1の発明は、帯域阻止フィルタであって、
金属で構成されたキャビンと、高周波信号の入出力線路と、一端が前記入出力線路と接続され、他端が前記キャビンの内部に貫通した金属針と、前記キャビン内に設けられ、一端が前記キャビンに接地されたコイルとを有するノッチフィルタが複数個直列に接続されてなることを特徴とする。
【0010】
上記本発明の目的を達成する第2の発明は、上記第1の発明において、各ノッチフィルタは、カップリングの為のコンデンサが前記入出力線路に設けられていることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を説明する。
【0012】
図1は本実施の形態における帯域阻止フィルタの一例を示した回路図である。
【0013】
この帯域阻止フィルタは、高周波信号が入力される入力端子1と、高周波信号が出力される出力端子2とを有し、入力端子1と出力端子2との間に三つのノッチフィルタF1、ノッチフィルタF2及びノッチフィルタF3を有している。
【0014】
各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3は、金属板でシールドされたキャビンで構成され、その内部には、線路より導出されたアンテナ3(金属針)と、一端が金属板に接地されたコイル4とが設けられており、アンテナ3とコイル4とで共振回路を構成している。すなわち、アンテナ3とコイル4とが空間結合されており、コンデンサの役割を行っているのである。そして、アンテナ3とコイル4との間隔をアンテナ3で調整し、共振回路のQを調整する。
【0015】
また、コイル4の上部には、キャビンを貫通して設けられた同調ネジ5が設けられ、このネジ5のキャビン内の長さを調整することにより、阻止する帯域の中心周波数をチューニングする。
【0016】
更に、カップリングの為にセラミックコンデンサ6が接続されている。
【0017】
ここで、図2に、上述した図1の回路図の具体的な構成図を示す。
【0018】
図2に示される如く、各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3は、金属版で囲まれたキャビンの一部に高周波信号の入出力線路がセラミックコンデンサ6を介して設けられ、同調ネジ5が金属板を貫通するように設けられている。また、高周波信号の出力側の線路から金属板を貫通するようにアンテナ3が設けられている。また、キャビンの内部には、一端が金属板に接地されたコイル4が設けられている。
【0019】
次に、上述の実施の形態における帯域阻止フィルタの減衰特性を、図3、図4の減衰特性図を用いて説明する。
【0020】
各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3の減衰特性は、図3に示される如く、トラップ周波数において、約7dBの減衰特性を示している。
【0021】
更に、本実施の形態における帯域阻止フィルタの減衰特性は、各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3を合成したものとなり、図4に示される如く、トラップ周波数に569MHzおいて、約20dBの減衰特性を示している。
【0022】
このような特性を持つフィルタは、上述したアナログ放送からデジタル放送の移行にともなう隣接チャンネルによる混信防ぐのに必要な、800MHz周波数帯において、1.5MHz帯域幅で減衰が10dB以上という条件を、十分満足するものである。
【0023】
尚、本実施の形態では、より急峻な減衰特性を得る為に、セラミックコンデンサ6を設けたが、使用する状況によってはかならずしも用いる必要がない。
【0024】
また、本実施の形態では、ノッチフィルタの数を3個としたが、これに限るものでなく、適時、ノッチフィルタの数を増減させても良い。
【0025】
【発明の効果】
本発明の帯域阻止フィルタは、急峻な減衰特性を持ち、かつ構成が簡単でコストがかからないという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本実施の形態における帯域阻止フィルタの一例を示した回路図である。
【図2】図2は本実施の形態における帯域阻止フィルタの具体的な構成図である。
【図3】図3はノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3の減衰特性図である。
【図4】図4は本実施の形態における帯域阻止フィルタの減衰特性図である。
【図5】図5は従来技術を説明する為の図である。
【符号の説明】
1 入力端子
2 出力端子
3 アンテナ
4 コイル
5 同調ネジ
6 セラミックコンデンサ
F1,F2,F3 ノッチフィルタ
【発明が属する技術分野】
本発明は、高周波の帯域阻止フィルタに関し、特に特定周波数の信号を大きく減衰させる帯域阻止フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、特定周波数を大きく減衰させるトラップを期待するために、ハイパスフィルタやローパスフィルタに減衰極を設けたものがある。
【0003】
図5は、このようなフィルタの一例を示したものであり、ハイパスフィルタに減衰極を設けたものである。図5中、100は入力端子、101は出力端子で、これらの間に直列に4つのコンデンサ102が設けられ、これらコンデンサ102同士の接続点と基準電位点との間にコンデンサ103とコイル104との直列回路がそれぞれ接続されている。
【0004】
このフィルタは、コンデンサ102とコイル104とでハイパスフィルタが構成され、かつ、コイル104とコンデンサ103とがトラップを構成し、その共振周波数の信号を減衰させている。
【0005】
一方、従来、地上テレビ放送のチャンネルは隣接波の混信がないように使用されていたが、地上デジタル放送が開始されることにより、アナログ波停止まではデジタル波と同時送信されるため、チャンネルの混雑度は2倍となる。したがって、隣接チャンネルによる混信が発生する可能性があり、その排除のために急峻な阻止特性を持つ隣接阻止フィルタが必要となった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のフィルタでは、共振回路のQが低く、隣接チャンネルを安定に阻止するための急峻な帯域阻止フィルタは困難であった。
【0007】
また、用いるコンデンサや、コイルの数も多く製造面で面倒になる上に、コストが高くなるという問題点があった。
【0008】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みて発明されたものであって、その目的は、急峻な減衰特性を持ち、かつ構成が簡単でコストがかからない帯域阻止フィルタを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成する第1の発明は、帯域阻止フィルタであって、
金属で構成されたキャビンと、高周波信号の入出力線路と、一端が前記入出力線路と接続され、他端が前記キャビンの内部に貫通した金属針と、前記キャビン内に設けられ、一端が前記キャビンに接地されたコイルとを有するノッチフィルタが複数個直列に接続されてなることを特徴とする。
【0010】
上記本発明の目的を達成する第2の発明は、上記第1の発明において、各ノッチフィルタは、カップリングの為のコンデンサが前記入出力線路に設けられていることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を説明する。
【0012】
図1は本実施の形態における帯域阻止フィルタの一例を示した回路図である。
【0013】
この帯域阻止フィルタは、高周波信号が入力される入力端子1と、高周波信号が出力される出力端子2とを有し、入力端子1と出力端子2との間に三つのノッチフィルタF1、ノッチフィルタF2及びノッチフィルタF3を有している。
【0014】
各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3は、金属板でシールドされたキャビンで構成され、その内部には、線路より導出されたアンテナ3(金属針)と、一端が金属板に接地されたコイル4とが設けられており、アンテナ3とコイル4とで共振回路を構成している。すなわち、アンテナ3とコイル4とが空間結合されており、コンデンサの役割を行っているのである。そして、アンテナ3とコイル4との間隔をアンテナ3で調整し、共振回路のQを調整する。
【0015】
また、コイル4の上部には、キャビンを貫通して設けられた同調ネジ5が設けられ、このネジ5のキャビン内の長さを調整することにより、阻止する帯域の中心周波数をチューニングする。
【0016】
更に、カップリングの為にセラミックコンデンサ6が接続されている。
【0017】
ここで、図2に、上述した図1の回路図の具体的な構成図を示す。
【0018】
図2に示される如く、各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3は、金属版で囲まれたキャビンの一部に高周波信号の入出力線路がセラミックコンデンサ6を介して設けられ、同調ネジ5が金属板を貫通するように設けられている。また、高周波信号の出力側の線路から金属板を貫通するようにアンテナ3が設けられている。また、キャビンの内部には、一端が金属板に接地されたコイル4が設けられている。
【0019】
次に、上述の実施の形態における帯域阻止フィルタの減衰特性を、図3、図4の減衰特性図を用いて説明する。
【0020】
各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3の減衰特性は、図3に示される如く、トラップ周波数において、約7dBの減衰特性を示している。
【0021】
更に、本実施の形態における帯域阻止フィルタの減衰特性は、各ノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3を合成したものとなり、図4に示される如く、トラップ周波数に569MHzおいて、約20dBの減衰特性を示している。
【0022】
このような特性を持つフィルタは、上述したアナログ放送からデジタル放送の移行にともなう隣接チャンネルによる混信防ぐのに必要な、800MHz周波数帯において、1.5MHz帯域幅で減衰が10dB以上という条件を、十分満足するものである。
【0023】
尚、本実施の形態では、より急峻な減衰特性を得る為に、セラミックコンデンサ6を設けたが、使用する状況によってはかならずしも用いる必要がない。
【0024】
また、本実施の形態では、ノッチフィルタの数を3個としたが、これに限るものでなく、適時、ノッチフィルタの数を増減させても良い。
【0025】
【発明の効果】
本発明の帯域阻止フィルタは、急峻な減衰特性を持ち、かつ構成が簡単でコストがかからないという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本実施の形態における帯域阻止フィルタの一例を示した回路図である。
【図2】図2は本実施の形態における帯域阻止フィルタの具体的な構成図である。
【図3】図3はノッチフィルタF1〜ノッチフィルタF3の減衰特性図である。
【図4】図4は本実施の形態における帯域阻止フィルタの減衰特性図である。
【図5】図5は従来技術を説明する為の図である。
【符号の説明】
1 入力端子
2 出力端子
3 アンテナ
4 コイル
5 同調ネジ
6 セラミックコンデンサ
F1,F2,F3 ノッチフィルタ
Claims (2)
- 帯域阻止フィルタであって、
金属で構成されたキャビンと、高周波信号の入出力線路と、一端が前記入出力線路と接続され、他端が前記キャビンの内部に貫通した金属針と、前記キャビン内に設けられ、一端が前記キャビンに接地されたコイルとを有するノッチフィルタが複数個直列に接続されてなることを特徴とする帯域阻止フィルタ。 - 各ノッチフィルタは、カップリングの為のコンデンサが前記入出力線路に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の帯域阻止フィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055788A JP2004266624A (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 帯域阻止フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055788A JP2004266624A (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 帯域阻止フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004266624A true JP2004266624A (ja) | 2004-09-24 |
Family
ID=33119696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003055788A Pending JP2004266624A (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 帯域阻止フィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004266624A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9006084B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-04-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Method of preparing semiconductor layer including cavities |
US9425347B2 (en) | 2009-06-10 | 2016-08-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
JP2021093562A (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-17 | 学校法人 龍谷大学 | インピーダンス整合回路、それを用いたマイクロ波増幅回路及びマイクロ波加熱装置 |
-
2003
- 2003-03-03 JP JP2003055788A patent/JP2004266624A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9006084B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-04-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Method of preparing semiconductor layer including cavities |
US9202685B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-12-01 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Method of manufacturing a compound semiconductor substrate in a flattened growth substrate |
US9425347B2 (en) | 2009-06-10 | 2016-08-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
US9773940B2 (en) | 2009-06-10 | 2017-09-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
US10128403B2 (en) | 2009-06-10 | 2018-11-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
JP2021093562A (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-17 | 学校法人 龍谷大学 | インピーダンス整合回路、それを用いたマイクロ波増幅回路及びマイクロ波加熱装置 |
JP7485329B2 (ja) | 2019-12-06 | 2024-05-16 | 学校法人 龍谷大学 | マイクロ波増幅回路とインピーダンス整合回路を有する回路、及びそれを用いたマイクロ波加熱装置 |
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