JP2004253552A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エッジ露光処理において、露光すべきエッジ領域を高精度に露光することができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板に対してレジストを塗布すると、形成されたレジスト膜の膜厚を測定する（ステップＳ１０４）。基板処理装置のコントローラは、このレジスト膜の膜厚に応じて、基板周縁側のエッジ領域を露光する際の最適な露光量を決定する（ステップＳ１０６）。そして、決定された露光量によって、基板に対してエッジ露光処理が行われる（ステップＳ１０９）。これにより、露光すべきエッジ領域を高精度に露光することができ、剥がれたレジストによる基板の汚染等を防止することができる。
【選択図】 図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」という。）の上に形成されるレジスト膜を露光する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの基板製品の回路は、レジスト（フォトレジスト）の塗布、露光、現像、エッチング等の一連の基板処理工程であるフォトリソグラフィ工程により形成される。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程では、レジスト膜が形成された基板を搬送する際に、搬送ロボットが把持する外縁の把持部分や、収納器に収納して搬送する際の基板と収納器の内壁との接触部分等において、摩擦によりレジストが剥がれ、剥がれたレジストが基板汚染の原因となることがある。
【０００４】
このため、従来から、パターン形成のための露光処理とは別に、基板におけるパターンが形成される領域より周縁側のエッジ領域のみのレジスト膜を露光するエッジ露光処理を行い、基板周辺部の不要レジストを除去している（例えば、特許文献１，２参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−３３５２１６号公報
【特許文献２】
特開２００１−１９６２９８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなエッジ露光処理においては、レジスト膜への入射光と基板表面からの反射光とが干渉し合うことから、露光密度はレジスト膜の厚み方向に対し一定とはならない。このことから、固定された露光量でエッジ露光を行うと、レジスト膜の膜厚に応じて露光密度の強弱が生じ、露光精度が不安定となる。
【０００７】
しかしながら、従来のエッジ露光処理においては、レジスト膜の膜厚によらず固定された露光量で露光を行っていた。このため、エッジ露光をすべき領域が適切に露光されず、パターンが形成される領域に影響を与えたり、レジストの剥がれが生じる可能性があった。このようにして剥がれたレジストは、パーティクルとなって基板に付着し、正しいパターン形成を阻害して、歩留まりを低下させる原因となる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、露光すべき領域を適切に露光することができる技術を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布手段と、前記レジスト膜の膜厚を測定する測定手段と、前記基板のパターンを形成すべき領域より周縁側の前記レジスト膜を露光する露光手段と、前記測定手段により測定された前記レジスト膜の膜厚に応じて、前記露光手段が露光する際の露光量を規定するパラメータ値を決定する露光量決定手段と、を備えている。
【００１０】
また、請求項２の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布手段と、前記レジスト膜の膜厚を第１の膜厚として測定する測定手段と、前記レジスト膜の膜厚が前記第１の膜厚から、該第１の膜厚より小となる第２の膜厚へ変化する特定の処理を前記基板に施す特定処理手段と、前記第２の膜厚となった前記レジスト膜を露光する露光手段と、前記測定手段により測定された前記第１の膜厚に応じて、前記露光手段が露光する際の露光量を規定するパラメータ値を決定する露光量決定手段と、を備えている。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記露光手段は、露光光を発光し、前記基板に前記露光光を照射する照射手段と、前記露光光が照射される位置に対して相対的に前記基板を移動させる移動手段と、を備え、前記露光量決定手段は、前記露光量を規定するパラメータ値として、前記移動手段が前記基板を移動させる速度を決定することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記照射手段は、前記基板の露光を行う時間帯のみ前記露光光を発光することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記露光手段は、露光光を発光し、前記基板の周縁側に露光光を照射する照射手段、を備え、前記露光量決定手段は、前記露光量を規定するパラメータ値として、前記照射手段から照射される前記露光光の光量を決定することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記レジスト塗布手段がレジストを塗布した後、前記露光手段が露光するまでに特定の処理を前記基板に施す特定処理手段、をさらに備え、前記測定手段は、前記レジスト塗布手段、前記特定処理手段および前記露光手段のいずれかのハウジング内部に併設されることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記測定手段は、前記レジスト塗布手段および前記特定処理手段のいずれかのハウジング内部に併設されることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８の発明は、基板を処理する方法であって、レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の膜厚を測定する工程と、測定された前記レジスト膜の膜厚に応じて、前記基板のパターンを形成すべき領域より周縁側の前記レジスト膜を露光する際の露光量を決定する工程と、を備えている。
【００１７】
また、請求項９の発明は、基板を処理する方法であって、レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の膜厚を第１の膜厚として測定する工程と、前記レジスト膜の膜厚が前記第１の膜厚から、該第１の膜厚より小となる第２の膜厚へ変化する特定の処理を前記基板に施す工程と、測定された前記第１の膜厚に応じて、前記第２の膜厚となった前記レジスト膜を露光する際の露光量を決定する工程と、を備えている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００１９】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１−１．基板処理システムの構成＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。基板処理システム１００は、基板に対してレジスト塗布処理、レジスト膜の露光処理、現像処理等の処理を行うものであり、スピンナ１と、パターン露光装置２と、システム全体を統括するホストコンピュータ３とを備えている。スピンナ１はレジスト塗布処理および現像処理等を行う基板処理装置であり、一方、パターン露光装置２はスピンナ１から受け渡された基板に対してパターン形成のための露光処理を行う基板処理装置である。
【００２０】
スピンナ１およびパターン露光装置２は、通信回線４を介してホストコンピュータ３に接続されており、ホストコンピュータ３の制御下において、所定の基板処理を行う。なお、図１においては、スピンナ１、パターン露光装置２およびホストコンピュータ３のみが記載されているが、基板処理システム１００は、他の基板処理装置をさらに備えていてもよい。
【００２１】
図２は、基板処理システム１００の主たる機能構成を機能ブロックにて示す図である。図に示すように、スピンナ１、パターン露光装置２およびホストコンピュータ３はそれぞれ、制御装置となるコントローラ１１，２１，３１を備えている。これらのコントローラ１１，２１，３１はそれぞれ、演算処理を行うＣＰＵ、各種のデータを記憶するＲＯＭおよびＲＡＭ、ならびに、通信回線４を介して通信を行う通信部を備えるとともに、ハードディスクなどの不揮発性の記憶装置１２，２２，３２と接続されている。
【００２２】
コントローラ１１，２１，３１のそれぞれのＲＯＭには、自装置に応じた制御用プログラムが記憶されており、種々の制御機能は、この制御用プログラムに従ってＣＰＵが演算処理を行うことにより実現される。また、ホストコンピュータ３と、スピンナ１あるいはパターン露光装置２との間の通信は、コントローラ１１，２１，３１の通信部により実現される。
【００２３】
ホストコンピュータ３は、基板処理システム１００に含まれる基板処理装置の動作を統括的に制御するものであり、その記憶装置３２には基板の処理手順を記したレシピデータが記憶されている。スピンナ１およびパターン露光装置２は、このレシピデータをホストコンピュータ３から受け取ることで、定められた処理手順に従って基板処理を行うこととなる。以下、スピンナ１およびパターン露光装置２についてそれぞれ説明する。
【００２４】
＜１−２．スピンナ＞
まず、スピンナ１について説明する。図３は、スピンナ１の概略構成を示す斜視図である。図に示すように、スピンナ１は主として、インデクサＩＤ、ユニット配置部ＭＰおよびインターフェイスＩＦから構成される。なお、図３には、方向を明確にするために、Ｚ方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２５】
インデクサＩＤは、移載ロボットＴＦおよび載置ステージ１５を備えている。載置ステージ１５には、４つのキャリアＣをＹ軸方向に沿って配列して載置することができる。それぞれのキャリアＣには、多段の収納溝が刻設されており、それぞれの溝には１枚の基板を水平姿勢にて収容することができる。したがって、各キャリアＣには、複数の基板が水平姿勢かつ多段に所定の間隔を隔てて積層した状態にて収納される。
【００２６】
移載ロボットＴＦは、Ｙ軸方向に沿って移動可能である。これとともに、移載ロボットＴＦは、Ｚ軸方向の昇降動作、ＸＹ平面内の回転動作およびＸ軸方向の進退移動が可能な１本の移載アームを備えている。したがって、移載ロボットＴＦは、移載アームを３次元的に移動させることができる。インデクサＩＤは、このような移載ロボットＴＦの動作により、キャリアＣから未処理の基板を取り出してユニット配置部ＭＰに受け渡すとともに、ユニット配置部ＭＰから処理済の基板を受け取ってキャリアＣに収納することができる。
【００２７】
ユニット配置部ＭＰは、基板に所定の処理を施す各種の処理ユニットを備えている。ユニット配置部ＭＰの前面側（Ｙ軸−側）には２つの塗布処理ユニットＳＣが配置され、また、背面側（Ｙ軸＋側）には、２つの現像処理ユニットＳＤが配置されている。塗布処理ユニットＳＣは、いわゆるスピンコータであり、基板を回転させつつその基板主面に均一にレジストを塗布するレジスト塗布処理を行う（詳細は後述）。また、現像処理ユニットＳＤは、いわゆるスピンデベロッパであり、露光後の基板上に現像液を供給することによって現像処理を行う。塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとは搬送路１６を挟んで対向配置されている。
【００２８】
また、塗布処理ユニットＳＣの上部には２つの、現像処理ユニットＳＤの上部には３つの熱処理ユニット１３がそれぞれ配置されている。熱処理ユニット１３には、基板を加熱して所定の温度にまで昇温するホットプレート、および、基板を冷却して所定の温度にまで降温するクールプレートが組み込まれている。なお、ホットプレートには、レジスト塗布処理前の基板に密着強化処理を行う密着強化ユニットや、露光後の基板の加熱処理（ＰＥＢ処理）を行う露光後ベークユニットが含まれる。さらに、塗布処理ユニットＳＣの上部の２つの熱処理ユニット１３のＸ軸−側には、エッジ露光ユニットＥＥＷが配置されている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板のパターンを形成すべき領域より周縁側のエッジ領域におけるレジスト膜を露光するエッジ露光処理を行う（詳細は後述）。
【００２９】
塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとの間に挟まれた搬送路１６には搬送ロボットＴＲが配置されている。搬送ロボットＴＲは、Ｘ軸方向に沿って移動可能である。これとともに、搬送ロボットＴＲは、Ｚ軸方向の昇降動作、ＸＹ平面内の回転動作およびＸ軸，Ｙ軸方向の進退移動が可能な２本の搬送アームを備えている。この搬送ロボットＴＲの搬送アームにより、ユニット配置部ＭＰに配置された各処理ユニットの間で所定の処理手順にしたがって処理対象となる基板が循環搬送される。また、搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦおよびインターフェイスＩＦとの間でも基板の受け渡しを行うことができる。
【００３０】
インターフェイスＩＦは、レジスト塗布処理済の基板をユニット配置部ＭＰから受け取って、隣接配置されるパターン露光装置２に受け渡すとともに、パターン露光後の基板をパターン露光装置２から受け取ってユニット配置部ＭＰに戻す機能を有する。この機能を実現するためにインターフェイスＩＦには基板の受け渡しを行うための受渡ロボット（図示省略）が配置されている。また、インターフェイスＩＦにはユニット配置部ＭＰでの処理時間とパターン露光装置２での処理時間との差を解消するために基板を一時収納するバッファ部も設けられている。なお、本明細書では、上述した基板の搬送を担う移載ロボットＴＦ、搬送ロボットＴＲおよび受渡ロボット等を総称して、基板搬送部１４（図２参照）という。
【００３１】
＜１−２−１．塗布処理ユニット＞
次に、レジスト塗布処理を行う塗布処理ユニットＳＣについて説明する。図４は、塗布処理ユニットＳＣの要部概略構成を示す図である。図に示すように、塗布処理ユニットＳＣは主として、基板Ｗを保持して回転させる基板回転機構５１と、基板Ｗに対してレジストを吐出するレジスト吐出機構５２とを備えている。塗布処理ユニットＳＣの処理対象となる基板Ｗは、搬送ロボットＴＲにより、ハウジング５０に形成される搬出入口５０ａを介して搬出入される。
【００３２】
基板回転機構５１は、基板Ｗの裏面を真空吸着することによって基板Ｗを略水平姿勢に保持するスピンチャック５１１を備えている。スピンチャック５１１の下面側中央部には、スピンモータ５１３のモータ軸５１２が垂設されている。このスピンモータ５１３が駆動してモータ軸５１２を回転させることにより、スピンチャック５１１およびそれに保持された基板Ｗも略水平面内にて回転する。
【００３３】
また、基板回転機構５１には、回転する基板Ｗから飛散するレジストを受け止めて回収するカップ５１４が設けられている。カップ５１４は図示を省略するカップ昇降機構と連結され、スピンチャック５１１に対して相対的に昇降自在とされている。
【００３４】
レジスト吐出機構５２は主として、基板Ｗに対してレジストを吐出するノズル５２１と、ノズル５２１を回動させる回動モータ５２３とを備えている。ノズル５２１は、その長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗの上方に配置される。ノズル５２１の先端部には吐出口５２１ａが形成されており、図外のレジスト供給装置から供給される液状のレジストを、基板Ｗに対して鉛直上方から吐出（滴下）することができるようになっている。また、ノズル５２１の基端部には回動モータ５２３の回動軸５２２が垂設されており、回動モータ５２３が駆動するとノズル５２１が略水平面内にて回動される。このノズル５２１の回動動作により、基板Ｗの中心位置の直上と、基板Ｗの上方より待避する待避位置との間で、ノズル５２１の吐出口５２１ａが移動される。
【００３５】
レジスト塗布処理にあたっては、まず、処理対象となる基板Ｗが、搬送ロボットＴＲにより搬入される。この基板Ｗの搬入時には、カップ５１４の上端よりもスピンチャック５１１が突き出た状態となるようにカップ５１４が配置されるとともに、ノズル５２１の吐出口５２１ａは、待避位置に待避されている。搬入された基板Ｗがスピンチャック５１１に保持されると、カップ５１４が所定位置まで上昇され、図４に示す如く、基板Ｗの周囲にカップ５１４が配置される。
【００３６】
次に、ノズル５２１を回動させて、吐出口５２１ａを基板Ｗの中心位置の直上まで移動させる。そして、基板Ｗの表面に対して吐出口５２１ａから所定量のレジストを吐出させ、基板Ｗの中心位置にレジストの液溜り（コア）を形成させる。続いて、スピンチャック５１１とともにそれに保持された基板Ｗを所定速度で回転させ、回転の遠心力を利用して液溜りとなっているレジストを基板Ｗ全体に対して行き渡らせる。これにより、基板Ｗの表面全体に対してレジストが均一に塗布され、基板Ｗ上にレジスト膜が形成されることとなる。なお、回転する基板Ｗから飛散したレジストはカップ５１４の内壁面によって受け止められ、下方の排出口（図示省略）へ導かれる。
【００３７】
塗布処理ユニットＳＣは、このようにして基板Ｗ上にレジスト膜を形成することとなるが、塗布処理ユニットＳＣのハウジング５０内部には、形成されたレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定装置７が併設されている。
【００３８】
膜厚測定装置７は、測定用光源７１と、測定ヘッド部７２と、測定処理部（図示省略）とを備えている。測定用光源としては、例えばハロゲンランプが用いられる。測定ヘッド部７２は、投光および受光が可能に構成され、測定用光源７１から与えられる膜厚測定用の光を基板Ｗに照射するとともに、その膜厚測定用の光の基板Ｗからの反射光と、レジスト膜の表面からの反射光とが重畳された重畳反射光を受光する。測定処理部は、測定ヘッド部７２が受光した重畳反射光に基づいて基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の膜厚を導出する。
【００３９】
測定用光源７１および測定ヘッド部７２は一体的に構成され、水平駆動機構７３に接続されている。この水平駆動機構７３は、レジスト膜の膜厚測定が可能な基板Ｗ上の測定位置と、カップ５１４が配置される位置よりも外側となる待避位置との間で、測定ヘッド部７２（および測定用光源７１）を水平方向に移動させることができる。
【００４０】
レジスト塗布処理中においては、測定ヘッド部７２は、飛散するレジストとの接触による汚染を防止するため、待避位置に移動される。そして、基板Ｗ上にレジスト膜が形成されカップ５１４が下降されると、測定ヘッド部７２が測定位置まで移動され、形成されたレジスト膜の膜厚を測定する。本実施の形態では、測定対象となる基板Ｗの測定位置は、パターンを形成すべき領域より周縁側のエッジ領域としている。これにより、基板Ｗのパターンを形成すべき領域のレジスト膜に膜厚測定用の光の照射による影響を与えないようにしている。このようにして膜厚測定装置７によって測定されたレジスト膜の膜厚は、コントローラ１１に送信されることとなる。
【００４１】
＜１−２−２．エッジ露光ユニット＞
次に、エッジ露光処理を行うエッジ露光ユニットＥＥＷについて説明する。図５は、エッジ露光ユニットＥＥＷの要部概略構成を示す図である。図に示すように、エッジ露光ユニットＥＥＷは主として、基板Ｗを保持して回転させる基板回転機構６１と、基板Ｗの周縁部を検出するラインセンサ６２と、基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光装置６３とを備えている。エッジ露光ユニットＥＥＷの処理対象となる基板Ｗは、搬送ロボットＴＲにより、ハウジング６０に形成される搬出入口６０ａを介して搬出入される。
【００４２】
基板回転機構６１は、塗布処理ユニットＳＣの基板回転機構５１とほぼ同様のものであり、基板Ｗを保持するスピンチャック６１１、スピンチャック６１１の下面側中央部に垂設されるモータ軸６１２、および、スピンチャック６１１を回転させるスピンモータ６１３を備えている。したがって、この基板回転機構６１により、基板Ｗは略水平姿勢にて保持されつつ、略水平面内にて回転することとなる。
【００４３】
ラインセンサ６２は、スピンチャック６１１に保持された基板Ｗの周縁部を部分的に上下から挟み込むようにして設けられており、挟み込んだ基板Ｗの周縁部の位置を検出する。
【００４４】
エッジ露光装置６３は、エッジ露光用光源６３１と、露光ヘッド部６３２とを備えている。エッジ露光用光源６３１は、露光光を発光して露光ヘッド部６３２に与えるものであり、例えば、水銀ランプが用いられる。露光ヘッド部６３２は、エッジ露光用光源６３１から与えられる露光光を、内蔵したレンズを介して基板Ｗの表面に照射し、基板Ｗのエッジ領域に形成されたレジスト膜を露光する。また、エッジ露光用光源６３１は、実際に基板のエッジ領域の露光を実行する時間帯のみ露光光を発光し、それ以外の時間帯（基板の搬出入などの時間帯など）では消灯する。
【００４５】
エッジ露光用光源６３１および露光ヘッド部６３２は一体的に構成され、水平駆動機構６３３に接続されている。この水平駆動機構６３３により、露光ヘッド部６３２（およびエッジ露光用光源６３１）は水平方向に移動することができる。
【００４６】
エッジ露光処理にあたっては、まず、処理対象となる基板Ｗが、搬送ロボットＴＲにより搬入され、スピンチャック６１１に保持される。続いて、ラインセンサ６２により、基板Ｗの周縁部の位置が検出される。そして、この検出結果に基づいて、基板Ｗのうちエッジ露光をすべきエッジ領域が特定され、特定されたエッジ領域を露光できるように、露光ヘッド部６３２が基板Ｗのエッジ領域の上方に移動される。
【００４７】
露光ヘッド部６３２が移動されると、スピンチャック６１１とともにそれに保持された基板Ｗが回転される。これとともに、エッジ露光装置６３のエッジ露光用光源６３１が露光光の発光を開始し、基板Ｗのエッジ領域の露光が行われる。基板Ｗは回転されているため、エッジ露光装置６３からの露光光が照射される位置に対して相対的に基板Ｗ上の露光される位置が移動される。したがって、図６に示す如く、基板Ｗのパターンを形成すべき領域ＰＡの周縁側となるエッジ領域ＥＡのレジスト膜の全体が露光されることとなる。このようにしてエッジ領域ＥＡの全体の露光が完了すると、エッジ露光用光源６３１の露光光の発光および基板Ｗの回転が停止され、エッジ露光処理が完了する。
【００４８】
このエッジ露光処理における露光量（以下、「エッジ露光量」という。）は、スピンモータ６１３による露光中の基板Ｗの回転速度、あるいは、エッジ露光装置６３が照射する露光光の光量により調整される。すなわち、基板Ｗの回転速度または露光光の光量をパラメータ値とし、このパラメータ値によりエッジ露光量が規定されることとなる。具体的には、基板Ｗの回転速度を遅くするほど、露光すべきエッジ領域の一部分に照射される露光光の総量は増えるためエッジ露光量は増加し、逆に、基板Ｗの回転速度を速くするほどエッジ露光量は低下する。また、エッジ露光装置６３が照射する露光光の光量を増加するほどエッジ露光量は増加し、露光光の光量を低下するほどエッジ光量は低下することとなる。このようなエッジ露光量を規定するパラメータ値（以下、「エッジ露光パラメータ値」という。）すなわち基板Ｗの回転速度または露光光の光量は、膜厚測定装置７により測定されたレジスト膜の膜厚に応じて決定される。
【００４９】
ところで図２に示すように、上述した塗布処理ユニットＳＣ、現像処理ユニットＳＤ、熱処理ユニット１３、エッジ露光ユニットＥＥＷ、膜厚測定装置７および基板搬送部１４はそれぞれコントローラ１１に接続され、コントローラ１１の制御下にて所定の基板処理を行う。したがって、基板処理に係る各種の処理条件はコントローラ１１により決定される。コントローラ１１が決定する処理条件には、エッジ露光パラメータ値も含まれ、コントローラ１１がレジスト膜の膜厚に応じてエッジ露光パラメータ値を決定することとなる。
【００５０】
＜１−３．パターン露光装置＞
次に、パターン露光装置２について説明する。図２に示すように、パターン露光装置２は主として、基板Ｗ上のレジスト膜を露光してレジスト膜にパターンを形成するパターン露光処理を行うパターン露光ユニット２３と、基板の搬送を担う基板搬送部２４とを備えている。基板搬送部２４は、レジスト膜が形成された基板をスピンナ１のインターフェイスＩＦから受け取ってパターン露光ユニット２３に受け渡すとともに、露光後の基板をパターン露光ユニット２３から受け取ってスピンナ１のインターフェイスＩＦに戻す機能を有している。
【００５１】
図７は、パターン露光ユニット２３の要部概略構成を示す図である。パターン露光ユニット２３は、露光方式としてステップ・アンド・スキャン方式が採用されており、図に示すように主として、基板Ｗに露光光を照射する照射部８１と、基板Ｗを載置する基板保持部８２とを備えている。
【００５２】
照射部８１は、Ｋｒｆエキシマレーザ光源などのパターン露光用光源８１１を備えている。パターン露光用光源８１１から発光された露光光は、ビーム成形光学系８１２ａ、ＮＤフィルタ８１２ｂ、偏向ミラー８１２ｃ、照明光学系８１２ｄ、照明絞り８１２ｅ、視野絞り８１２ｆ、偏向ミラー８１２ｇおよび集光レンズ８１２ｈなどの光学系を通過することによりスリット状の照明光束に成形され、回路のパターンが形成された露光用のマスクであるレチクルＲに照射される。
【００５３】
レチクルＲは、レチクルステージ８１３により吸着保持される。このレチクルステージ８１３は、固設されるレチクルベース８１４上を水平方向に移動可能に構成されている。したがって、レチクルステージ８１４が移動することにより、これに保持されたレチクルＲも水平方向に移動することとなる。
【００５４】
レチクルＲを通過したスリット状の露光光は、投影レンズ８１５を通過して、レジスト膜が形成された基板Ｗにスリット状に照射される。この投影レンズ８１５により、レチクルＲに形成されたパターンは、縮小されて基板Ｗ上に結像投影される。
【００５５】
基板Ｗは、基板保持部８２のウェハステージ８２１により吸着保持される。このウェハステージ８２１も、固設されるウェハベース８２２上を水平方向に移動可能に構成されており、ウェハステージ８２１に保持される基板Ｗも水平方向に移動可能となっている。これにより、照射部８１からの露光光が照射される位置に対して相対的に基板Ｗが移動することとなる。
【００５６】
パターン露光処理にあたっては、まず、レジスト膜が形成された基板Ｗがウェハステージ８２１に吸着保持され、照射部８１からの露光光が照射される位置に基板Ｗ上の露光すべき領域が位置するように基板Ｗが移動される。続いて、パターン露光用光源８１１が露光光の発光を開始するとともに、レチクルステージ８１３とウェハステージ８２１とが、パターンの縮小倍率に応じた速度でそれぞれ同期走査（移動）される。これにより、基板Ｗのレジスト膜が順次露光され、レジスト膜にレチクルＲのパターンが形成される。この動作を繰り返すことにより、基板Ｗのパターンを形成すべき領域ＰＡ（図６参照）の全領域にパターンが形成されることとなる。なお、パターン露光用光源８１１は、実際に基板の領域ＰＡの露光を実行する時間帯のみ露光光を発光し、それ以外の時間帯（基板の搬出入などの時間帯など）では消灯する。
【００５７】
このパターン露光処理における露光量（以下、「パターン露光量」という。）は、ウェハステージ８２１による基板Ｗの移動速度（走査速度）、あるいは、照射部８１が照射する露光光の光量をパラメータ値として、このパラメータ値により調整される。すなわち、基板Ｗの移動速度または露光光の光量をパラメータ値とし、このパラメータ値によりパターン露光量が規定されることとなる。具体的には、基板Ｗの移動速度遅を遅くするほど、露光すべき領域の一部分に照射される露光光の総量は増えるためパターン露光量は増加し、逆に、基板Ｗの移動速度を速くするほどパターン露光量は低下する。また、照射部８１が照射する露光光の光量を増加するほどパターン露光量は増加し、露光光の光量を低下するほどパターン光量は低下することとなる。
【００５８】
このようなパターン露光量を規定するパラメータ値（以下、「パターン露光パラメータ値」という。）すなわち基板Ｗの移動速度または露光光の光量は、上記エッジ露光パラメータ値と同様に、スピンナ１の膜厚測定装置７により測定されたレジスト膜の膜厚に応じて決定されることとなるが、詳細は後述する。なお、図２に示すように、パターン露光ユニット２３および基板搬送部２４は、それぞれコントローラ２１に接続され、コントローラ２１の制御下にて所定の処理を行う。したがって、パターン露光パラメータ値を含む各種の処理条件はコントローラ２１により決定される。
【００５９】
＜１−４．基板処理システムの処理＞
次に、上記のように構成される基板処理システム１００が行う処理について説明する。図８は、基板処理システム１００が行う処理の流れを示す図である。図８において、符号Ｓ１で示す処理はスピンナ１で行われる処理を、符号Ｓ２で示す処理はパターン露光処理２で行われる処理を、符号Ｓ３で示す処理はホストコンピュータ３で行われる処理をそれぞれ示している。また、図中破線で示す矢印は、処理対象となる基板Ｗが搬送される流れを示している。
【００６０】
まず、スピンナ１において、未処理の基板Ｗが移載ロボットＴＦによりキャリアＣから取り出された後、搬送ロボットＴＲにより密着強化ユニットに搬送され、基板Ｗに対して密着強化処理がなされる（ステップＳ１０１）。密着強化処理がなされると、基板Ｗはクールプレートに搬送されて常温程度にまで冷却されてから（ステップＳ１０２）、塗布処理ユニットＳＣに搬送される。
【００６１】
塗布処理ユニットＳＣに搬送された基板Ｗは、上述した手法によりレジストが均一に塗布され、レジスト膜が基板Ｗ上に形成される（ステップＳ１０３）。レジスト膜が形成されると、該レジスト膜の膜厚が膜厚測定装置７により測定され、測定された膜厚はスピンナ１のコントローラ１１に送信される（ステップＳ１０４）。
【００６２】
コントローラ１１は、測定されたレジスト膜の膜厚を受信すると、受信したレジスト膜の膜厚をホストコンピュータ３に送信する（ステップＳ１０５）。これとともに、受信したレジスト膜の膜厚に基づいて、当該膜厚に最適なエッジ露光量を決定する。すなわち、エッジ露光パラメータ値である基板Ｗの回転速度、または、露光光の光量が決定されることとなる。このエッジ露光パラメータ値の決定においては、レジスト膜の膜厚と、その膜厚に最適なエッジ露光パラメータ値とを関連付けたデータテーブルが参照される。このデータテーブルは、計測などにより求められたデータに基づいて予め作成されて記憶装置１２に記憶されている（ステップＳ１０６）。
【００６３】
一方、ホストコンピュータ３に送信されたレジスト膜の膜厚は、ホストコンピュータ３のコントローラ３１に受信され（ステップＳ３０１）、さらに、コントローラ３１によりパターン露光装置２に送信（転送）される（ステップＳ３０２）。
【００６４】
パターン露光装置２に送信されたレジスト膜の膜厚は、パターン露光装置２のコントローラ２１に受信される（ステップＳ２０１）。そして、コントローラ２１は、受信したレジスト膜の膜厚に基づいて、当該膜厚に最適なパターン露光量を決定する。すなわち、パターン露光パラメータ値である基板Ｗの移動速度、または、露光光の光量が決定されることとなる。このパターン露光パラメータ値の決定においても、レジスト膜の膜厚と、その膜厚に最適なパターン露光パラメータ値とを関連付けたデータテーブルが参照される。このデータテーブルは、計測などにより求められたデータに基づいて予め作成されて記憶装置２２に記憶されている（ステップＳ２０２）。
【００６５】
このようにしてエッジ露光パラメータ値およびパターン露光パラメータ値が決定されている間、レジスト膜が形成された基板Ｗは、ホットプレートに搬送される。ホットプレートに搬送された基板Ｗには、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を強固にするために、プリベークと呼ばれる加熱処理（露光前の焼きしめ処理）がなされる（ステップＳ１０７）。このプリベークにより、レジスト膜中の余分な溶媒成分が蒸発されるため、レジスト膜の膜厚は変化することとなる。
【００６６】
図９は、レジスト膜のプリベーク前の膜厚と、プリベーク後の膜厚とを比較する図である。図中左側がプリベーク前の、図中右側がプリベーク後の基板Ｗ上のレジスト膜Ｒｅの状態をそれぞれ示している。図に示すように、プリベーク前のレジスト膜Ｒｅの膜厚を第１の膜厚Ｔ１とすると、プリベーク後のレジスト膜Ｒｅの膜厚は、溶媒成分の蒸発に相当する厚みＴ３分、第１の膜厚Ｔ１より小となる第２の膜厚Ｔ２に変化することとなる。
【００６７】
このプリベークが施された基板Ｗは、クールプレートに搬送されて常温程度にまで冷却された後（ステップＳ１０８）、エッジ露光ユニットＥＥＷに搬送される。エッジ露光ユニットＥＥＷに搬送された基板Ｗは、コントローラ１１に決定されたエッジ露光パラメータ値（基板Ｗの回転速度、または、露光光の光量）に従って、エッジ露光処理が行われる。すなわち、レジスト膜の膜厚に最適なエッジ露光量にて、基板のパターンを形成すべき領域ＰＡより周縁側のエッジ領域ＥＡのレジスト膜が露光される（ステップＳ１０９）。
【００６８】
したがって、露光すべきエッジ領域ＥＡを高精度に露光することができることとなる。このようにエッジ領域ＥＡを高精度に露光することにより、パターンを形成すべき領域ＰＡのレジスト膜に影響を与えることを防止することができるとともに、その後の基板Ｗの搬送中において摩擦により剥がれたレジストがパーティクルとなって基板Ｗを汚染することを防止することができる。
【００６９】
また、エッジ露光パラメータ値を決定する際に用いられるレジスト膜の膜厚は、プリベーク前に測定された第１の膜厚Ｔ１である。一方、実際のエッジ露光が行われるときのレジスト膜の膜厚は、プリベーク後の第２の膜厚Ｔ２となっている。すなわち、第１の膜厚Ｔ１に応じたエッジ露光量にて、第１の膜厚Ｔ１より小となる第２の膜厚Ｔ２に対してのエッジ露光処理が行われることとなる。このように、実際にエッジ露光を行う際の第２の膜厚Ｔ２より大となる第１の膜厚Ｔ１に応じてエッジ露光パラメータ値を決定することで、エッジ露光量は図９中に示した厚みＴ３分に相当する許容範囲が確保される。
【００７０】
ここで例えば、正確に第２の膜厚Ｔ２に応じてエッジ露光パラメータ値を決定した場合は、エッジ露光ユニットＥＥＷの露光精度が何らかの要因で不安定になると、実際のエッジ露光において露光アンダーになるなどの不適切な露光になる可能性がある。しかしながら、本実施の形態のように、第１の膜厚Ｔ１に応じてエッジ露光パラメータ値を決定し、エッジ露光量の許容範囲を確保することで、不適切な露光となることを防止することができる。その結果、露光すべきエッジ領域ＥＡを適切に露光することができることとなる。
【００７１】
また、エッジ露光パラメータ値として、スピンモータ６１３による基板Ｗの回転速度を決定した場合は、膜厚によってはこの回転速度を上げることができるため、エッジ露光処理における露光時間（すなわち、処理時間）を短縮することができる。その結果、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。さらに、本実施の形態においては、エッジ露光用光源６３１は、実際に基板の露光を行う時間帯のみ露光光を発光するものであるため、露光時間が短縮されると、エッジ露光用光源６３１の露光光の総発光時間も短縮される。その結果、エッジ露光用光源６３１にかかる負荷を低減させることができ、エッジ露光用光源６３１の耐用期間を延長することができる。
【００７２】
一方、エッジ露光パラメータ値として、エッジ露光装置６３が照射する露光光の光量を決定した場合は、膜厚によってはエッジ露光用光源６３１の露光光の総発光光量を減少させることができる。その結果、この場合においても、エッジ露光用光源６３１にかかる負荷を低減させることができ、エッジ露光用光源６３１の耐用期間を延長することができることとなる。
【００７３】
このようにしてエッジ露光処理が完了すると、次に、基板Ｗはスピンナ１のインターフェイスＩＦから、パターン露光装置２の基板搬送部２４に受け渡され、パターン露光ユニット２３に搬送される。パターン露光ユニット２３に搬送された基板Ｗは、コントローラ２１に決定されたパターン露光パラメータ値（基板Ｗの移動速度、または、露光光の光量）に従って、パターン露光処理が行われる。すなわち、レジスト膜の膜厚に最適なパターン露光量にて、基板のパターンを形成すべき領域ＰＡが露光される（ステップＳ２０３）。したがって、レジスト膜にパターンを高精度に形成することができることとなる。
【００７４】
このパターン露光処理においても、実際の露光対象となるレジスト膜の膜厚はプリベーク後の第２の膜厚Ｔ２であり、パターン露光パラメータ値を決定する際に用いられるレジスト膜の膜厚は第１の膜厚Ｔ１である。つまり、第１の膜厚Ｔ１に応じたパターン露光量にて、第１の膜厚Ｔ１より小となる第２の膜厚Ｔ２に対してのパターン露光処理が行われることとなる。したがって、実際にパターン露光を行う際の第２の膜厚Ｔ２より大となる第１の膜厚Ｔ１に応じてパターン露光パラメータ値が決定されるため、上述したエッジ露光量と同様に、パターン露光量においても許容範囲が確保される。これにより、不適切な露光となることを防止することができ、レジスト膜にパターンを高精度に形成することができることとなる。
【００７５】
また、パターン露光パラメータ値として、ウェハステージ８２１による基板Ｗの移動速度を決定した場合は、レジスト膜の膜厚によってはこの移動速度を速くすることができるため、パターン露光処理における露光時間（すなわち、処理時間）を短縮することができる。その結果、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。さらに、本実施の形態においては、パターン露光用光源８１１は、実際に基板の露光を行う時間帯のみ露光光を発光するものであるため、露光時間が短縮されると、パターン露光用光源８１１の露光光の総発光時間も短縮される。その結果、パターン露光用光源８１１にかかる負荷を低減させることができ、パターン露光用光源８１１の耐用期間を延長することができる。
【００７６】
一方、パターン露光パラメータ値として、照射部８１が照射する露光光の光量を決定した場合は、レジスト膜の膜厚によってはパターン露光用光源８１１の露光光の総発光光量を減少させることができる。その結果、この場合においても、パターン露光用光源８１１にかかる負荷を低減させることができ、パターン露光用光源８１１の耐用期間を延長することができることとなる。
【００７７】
このようにしてパターン露光処理が完了すると、基板Ｗはパターン露光装置２の基板搬送部２４から、スピンナ１のインターフェイスＩＦに受け渡され、露光後ベークユニットに搬送される。そして、露光によって生じたレジスト膜中の酸触媒の化学反応を活性化するために、基板の加熱処理（ＰＥＢ処理）が行われる（ステップＳ１１０）。さらに、基板Ｗは、クールプレートに搬送されて常温程度にまで冷却された後（ステップＳ１１１）、現像処理（現像工程）が行われ、現像処理が完了すると、処理済みの基板Ｗが移載ロボットＴＦに受け渡されてキャリアＣに収納されることとなる。
【００７８】
以上説明したような一連の処理が、基板処理システム１００が行う１枚の基板Ｗについての基板処理工程であるが、この基板処理システム１００においては、処理時間に比較的余裕のあるスピンナ１にてレジスト膜の膜厚を測定し、その測定結果に応じてパターン露光装置２がパターン露光処理を行うようにしている。このため、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。また、パターン露光装置２としては、一般的なパターン露光装置の簡単な仕様変更（制御プログラムの変更）のみで実現が可能であるため、高価であるパターン露光装置２に関して新たな生産コストが生じることもない。
【００７９】
また、スピンナ１の膜厚測定装置７により測定されたレジスト膜の膜厚は、エッジ露光量（エッジ露光パラメータ値）およびパターン露光量（パターン露光パラメータ値）の双方の決定に利用されるため、レジスト膜の膜厚の測定を複数回行う必要がない。したがって、基板処理工程全体におけるスループットをさらに向上することができることとなる。
【００８０】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態においては、第１の膜厚Ｔ１に応じてエッジ露光量（エッジ露光パラメータ値）およびパターン露光量（パターン露光パラメータ値）を決定するようにしていたが、本実施の形態では、実際に露光を行う際のレジスト膜の膜厚である第２の膜厚Ｔ２に応じてこれらを決定するようにしている。
【００８１】
本実施の形態の基板処理システム１００の構成は、第１の実施の形態とほぼ同様であるが、膜厚測定装置７が塗布処理ユニットＳＣではなく、エッジ露光ユニットＥＥＷのハウジング６０の内部に併設されている点で相違している。
【００８２】
図１０は、本実施の形態のエッジ露光ユニットＥＥＷの要部概略構成を示す図であり、図５に示す第１の実施の形態のものと同様の機能を有する部材に関しては同一の符号を付している。図に示すように、本実施の形態のエッジ露光ユニットＥＥＷは、図５に示すものにさらに膜厚測定装置７を備えたものとなっている。
【００８３】
この膜厚測定装置７は、第１の実施の形態の塗布処理ユニットＳＣに併設されていたものと同様のものであり、測定用光源７１と、測定ヘッド部７２と、測定処理部（図示省略）とを備えている。この膜厚測定装置７の測定用光源７１および測定ヘッド部７２も一体的に構成されており、これらはエッジ露光装置６３の水平駆動機構６３３に接続されている。
【００８４】
すなわち、本実施の形態の水平駆動機構６３３は、エッジ露光装置６３および膜厚測定装置７の双方を水平方向に移動させることができるようにされている。このようにエッジ露光装置６３および膜厚測定装置７が水平移動機構を兼用することで、エッジ露光ユニットＥＥＷを小型化することができるが、もちろん、独立した水平移動機構をそれぞれ備えていてもよい。
【００８５】
図１１は、本実施の形態の基板処理システム１００が行う処理の流れを示す図である。図１１においても、図８と同様に、符号Ｓ１で示す処理はスピンナ１で行われる処理を、符号Ｓ２で示す処理はパターン露光処理２で行われる処理を、符号Ｓ３で示す処理はホストコンピュータ３で行われる処理をそれぞれ示し、図中破線で示す矢印は、処理対象となる基板Ｗが搬送される流れを示している。
【００８６】
まず、第１の実施の形態と同様にして、スピンナ１において、基板Ｗに対して密着強化処理（ステップＳ１２１）、冷却処理（ステップＳ１２２）およびレジスト塗布処理がなされる（ステップＳ１２３）。これにより、基板Ｗ上には、第１の膜厚Ｔ１のレジスト膜が形成される。続いて、レジスト膜の膜厚の測定が行われることなく、基板Ｗに対してプリベークがなされる。このプリベークにより、レジスト膜中の余分な溶媒成分が蒸発され、基板Ｗのレジスト膜の膜厚が第１の膜厚Ｔ１から第２の膜厚Ｔ２に変化する（ステップＳ１２４）。
【００８７】
プリベークが施された基板Ｗは、クールプレートに搬送されて常温程度にまで冷却された後（ステップＳ１２５）、エッジ露光ユニットＥＥＷに搬送される。基板Ｗがエッジ露光ユニットＥＥＷに搬送されると、まず、膜厚測定装置７が基板Ｗ上のレジスト膜の膜厚を測定する測定位置まで移動され、第２の膜厚Ｔ２が膜厚測定装置７により測定される。測定された第２の膜厚Ｔ２は、スピンナ１のコントローラ１１に送信される（ステップＳ１２６）。
【００８８】
続いて、コントローラ１１は、受信した第２の膜厚Ｔ２をホストコンピュータ３に送信するとともに（ステップＳ１２７）、第２の膜厚Ｔ２に基づいて、当該膜厚に最適なエッジ露光量（エッジ露光パラメータ値）を決定する（ステップＳ１２８）。
【００８９】
また、ホストコンピュータ３に送信された第２の膜厚Ｔ２は、ホストコンピュータ３から、さらに、パターン露光装置２に転送され（ステップＳ３２１，Ｓ３２２）、パターン露光装置２のコントローラ２１に受信される（ステップＳ２２１）。そして、コントローラ２１が、受信した第２の膜厚Ｔ２に基づいて、当該膜厚に最適なパターン露光量（パターン露光パラメータ値）を決定する（ステップＳ２２２）。すなわち、エッジ露光量（エッジ露光パラメータ値）およびパターン露光量（パターン露光パラメータ値）の双方は、第２の膜厚Ｔ２に応じて決定されることとなる。
【００９０】
スピンナ１のコントローラ１１においてエッジ露光パラメータ値が決定されると、決定されたエッジ露光パラメータ値に従って、エッジ露光処理が行われる（ステップＳ１２９）。そして、エッジ露光処理が完了すると、次に、基板Ｗはパターン露光装置２に受け渡され、コントローラ２１に決定されたパターン露光パラメータ値に従って、パターン露光処理が行われる（ステップＳ２２３）。すなわち、第２の膜厚Ｔ２に応じた露光量にて、エッジ露光処理およびパターン露光処理がなされることとなる。
【００９１】
パターン露光処理が終了すると、以降は、第１の実施の形態と同様にして、スピンナ１において、基板Ｗに対してＰＥＢ処理（ステップＳ１３０）、冷却処理（ステップＳ１３１）および現像処理がなされ、一連の基板処理工程が終了することとなる。
【００９２】
以上のように第２の膜厚Ｔ２に応じてエッジ露光量（エッジ露光パラメータ値）およびパターン露光量（パターン露光パラメータ値）の双方を決定するようにしても、エッジ領域を高精度に露光することができ、パターンを高精度に形成することができる。
【００９３】
また、本実施の形態の基板処理システム１００においても、処理時間に比較的余裕のあるスピンナ１にてレジスト膜の膜厚を測定し、その測定結果に応じてパターン露光装置２がパターン露光処理を行うようにしているため、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。また、スピンナ１の膜厚測定装置７により測定された第２の膜厚Ｔ２は、エッジ露光量（エッジ露光パラメータ値）およびパターン露光量（パターン露光パラメータ値）の双方の決定に利用されるため、レジスト膜の膜厚の測定を複数回行う必要がなく、基板処理工程全体におけるスループットをさらに向上することができることとなる。
【００９４】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００９５】
例えば、上記実施の形態においては、エッジ露光パラメータ値として、基板Ｗの回転速度および露光光の光量のうちのいずれかを決定するようにしていたが、これらの双方を決定するようにしてもよい。同様に、パターン露光パラメータ値として、基板Ｗの移動速度および露光光の光量の双方を決定するようにしてもよい。また、エッジ露光量あるいはパターン露光量を調整するために、露光光が通過する光学系の一部に所定のフィルタを介挿するようにしてもよい。
【００９６】
また、上記実施の形態においては、エッジ露光処理はパターン露光処理の直前に行われていたが、パターン露光処理の直後に行われるようになっていてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態のパターン露光装置２は、露光方式としてステップ・アンド・スキャン方式が採用されているものとして説明を行ったが、ステップ・アンド・リピート方式が採用されていてもよい。
【００９８】
また、膜厚測定装置７によるレジスト膜の膜厚の測定は、全ての基板に対して行う必要はなく、同一条件にて処理される複数の基板のうち最初に処理される基板のみに対して行うようにしてもよい。例えば、キャリアＣに収納される複数の基板のうちの最初に処理されるものや、一のレシピデータに従って処理される複数の基板のうちの最初に処理されるもののみに対してレジスト膜の膜厚の測定を行うようにする。そして、他の基板に関しては、最初の基板において測定された膜厚に基づいて決定されるエッジ露光パラメータ値およびパターン露光パラメータ値を用いるようにする。このようにすれば、全ての基板に関してレジスト膜の膜厚の測定が行われないため、基板処理工程のスループットをさらに向上することができる。
【００９９】
また、膜厚測定装置７は、スピンナ１のいずれの箇所に設けられてもよい。ただし、第１の実施の形態のようにレジスト膜の膜厚として第１の膜厚Ｔ１を測定するには、基板Ｗに対してレジスト塗布処理がなされた直後からプリベークを行う直前まで（図８のステップＳ１０３の直後からステップＳ１０７の直前まで）の間に膜厚の測定を行う必要がある。したがって、この間に基板Ｗが配置される塗布処理ユニットＳＣおよびホットプレートのいずれかのハウジングの内部に、膜厚測定装置７が併設されることが好ましい。また、第２の実施の形態のようにレジスト膜の膜厚として第２の膜厚Ｔ２を測定するには、基板Ｗに対してプリベークがなされた直後からエッジ露光処理を行う直前まで（図１１のステップＳ１２４の直後からステップＳ１２９の直前まで）の間に膜厚の測定を行う必要がある。したがって、この間に基板Ｗが配置されるホットプレート、クールプレートおよびエッジ露光ユニットＥＥＷのいずれかのハウジングの内部に、膜厚測定装置７が併設されることが好ましい。このようにすることで、膜厚測定装置７を設置するためのスペースを設ける必要が無いため、基板処理装置を小型化することができる。これとともに、レジスト膜の膜厚の測定のみのために基板Ｗを搬送する必要が無いため、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができることとなる。
【０１００】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、基板の周縁側のレジスト膜を露光する際の露光量を規定するパラメータ値をレジスト膜の膜厚に応じて決定するため、露光すべき領域を高精度に露光することができる。その結果、パターンを形成すべき領域のレジスト膜に影響を与えることや、剥がれたレジストがパーティクルとなって基板を汚染することを防止することができる。
【０１０１】
また、請求項２の発明によれば、露光対象となるレジスト膜の膜厚である第２の膜厚は、測定対象となる第１の膜厚より小となるため、第１の膜厚に応じて露光量を規定するパラメータ値を決定することにより露光量の許容範囲が確保される。これにより、露光において露光アンダーなどの不適切な露光になることを防止することができ、露光すべき領域を適切に露光することができる。
【０１０２】
また、請求項３の発明によれば、レジスト膜の膜厚に応じて基板を移動させる速度を決定することから、膜厚によっては基板を移動させる速度を速くすることができるため、露光時間を短縮することができる。その結果、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。
【０１０３】
また、請求項４の発明によれば、照射手段は基板の露光を行う時間帯のみ露光光を発光することから、露光時間が短縮されると、照射手段の露光光の総発光時間も短縮される。その結果、照射手段にかかる負荷を低下させることができ、照射手段の耐用期間を延長することができる。
【０１０４】
また、請求項５の発明によれば、レジスト膜の膜厚に応じて照射手段が照射する露光光の光量を決定するため、膜厚によっては照射手段の露光光の総発光光量を減少させることができる。その結果、照射手段にかかる負荷を低下させることができ、照射手段の耐用期間を延長することができる。
【０１０５】
また、請求項６の発明によれば、測定手段を設置するためのスペースを設ける必要が無いため、基板処理装置を小型化することができる。これとともに、レジスト膜の膜厚の測定のみのために基板を搬送する必要が無いため、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。
【０１０６】
また、請求項７の発明によれば、測定手段を設置するためのスペースを設ける必要が無いため、基板処理装置を小型化することができる。これとともに、レジスト膜の膜厚の測定のみのために基板を搬送する必要が無いため、基板処理工程全体におけるスループットを向上することができる。
【０１０７】
また、請求項８の発明によれば、基板の周縁側のレジスト膜を露光する際の露光量をレジスト膜の膜厚に応じて決定するため、露光すべき領域を高精度に露光することができる。その結果、パターンを形成すべき領域のレジスト膜に影響を与えることや、剥がれたレジストがパーティクルとなって基板を汚染することを防止することができる。
【０１０８】
また、請求項９の発明によれば、露光対象となるレジスト膜の膜厚である第２の膜厚は、測定対象となる第１の膜厚より小となるため、第１の膜厚に応じて露光量を決定することにより露光量の許容範囲が確保される。これにより、露光において露光アンダーなどの不適切な露光になることを防止することができ、露光すべき領域を適切に露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】基板処理システムの機能構成を機能ブロックにて示す図である。
【図３】スピンナの概略構成を示す斜視図である。
【図４】塗布処理ユニットの概略構成を示す図である。
【図５】第１の実施の形態のエッジ露光ユニットの概略構成を示す図である。
【図６】基板のパターンを形成すべき領域と、エッジ領域とを示す図である。
【図７】パターン露光ユニットの概略構成を示す図である。
【図８】第１の実施の形態の基板処理システムの処理の流れを示す図である。
【図９】レジスト膜の膜厚のプリベーク前後での変化を示す図である。
【図１０】第２の形態のエッジ露光ユニットの概略構成を示す図である。
【図１１】第２の実施の形態の基板処理システムの処理の流れを示す図である。
【符号の説明】
１ スピンナ
２ パターン露光装置
３ ホストコンピュータ
７ 膜厚測定装置
２３ パターン露光ユニット
６３ エッジ露光装置
８１ 照射部
８２ 基板保持部
１００ 基板処理システム
ＥＥＷ エッジ露光ユニット
ＳＣ 塗布処理ユニット
ＳＤ 現像処理ユニット

Claims (9)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布手段と、
   前記レジスト膜の膜厚を測定する測定手段と、
   前記基板のパターンを形成すべき領域より周縁側の前記レジスト膜を露光する露光手段と、
   前記測定手段により測定された前記レジスト膜の膜厚に応じて、前記露光手段が露光する際の露光量を規定するパラメータ値を決定する露光量決定手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 基板を処理する基板処理装置であって、
   レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布手段と、
   前記レジスト膜の膜厚を第１の膜厚として測定する測定手段と、
   前記レジスト膜の膜厚が前記第１の膜厚から、該第１の膜厚より小となる第２の膜厚へ変化する特定の処理を前記基板に施す特定処理手段と、
   前記第２の膜厚となった前記レジスト膜を露光する露光手段と、
   前記測定手段により測定された前記第１の膜厚に応じて、前記露光手段が露光する際の露光量を規定するパラメータ値を決定する露光量決定手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記露光手段は、
   露光光を発光し、前記基板に前記露光光を照射する照射手段と、
   前記露光光が照射される位置に対して相対的に前記基板を移動させる移動手段と、
   を備え、
   前記露光量決定手段は、前記露光量を規定するパラメータ値として、前記移動手段が前記基板を移動させる速度を決定することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記照射手段は、前記基板の露光を行う時間帯のみ前記露光光を発光することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記露光手段は、
   露光光を発光し、前記基板の周縁側に露光光を照射する照射手段、
   を備え、
   前記露光量決定手段は、前記露光量を規定するパラメータ値として、前記照射手段から照射される前記露光光の光量を決定することを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記レジスト塗布手段がレジストを塗布した後、前記露光手段が露光するまでに特定の処理を前記基板に施す特定処理手段、
   をさらに備え、
   前記測定手段は、前記レジスト塗布手段、前記特定処理手段および前記露光手段のいずれかのハウジング内部に併設されることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記測定手段は、前記レジスト塗布手段および前記特定処理手段のいずれかのハウジング内部に併設されることを特徴とする基板処理装置。
8. 基板を処理する方法であって、
   レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜の膜厚を測定する工程と、
   測定された前記レジスト膜の膜厚に応じて、前記基板のパターンを形成すべき領域より周縁側の前記レジスト膜を露光する際の露光量を決定する工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。
9. 基板を処理する方法であって、
   レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜の膜厚を第１の膜厚として測定する工程と、
   前記レジスト膜の膜厚が前記第１の膜厚から、該第１の膜厚より小となる第２の膜厚へ変化する特定の処理を前記基板に施す工程と、
   測定された前記第１の膜厚に応じて、前記第２の膜厚となった前記レジスト膜を露光する際の露光量を決定する工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。

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