JP2004251764A

JP2004251764A - 電子ビーム像用ｔｄｉセンサ及びマスク検査装置

Info

Publication number: JP2004251764A
Application number: JP2003042603A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Maruyama; 聡丸山; Moti Itzkovitch; モチイツコビッチ; Eyal Neistein; イヤルナイシュタイン
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 2003-02-20
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2004-09-09

Abstract

【課題】電子ビーム用マスクのパターンの欠陥検査の一層の高速化及び高精度化を可能にする電子ビーム像用ＴＤＩセンサの実現。
【解決手段】ファイバー光プレート（ＦＯＰ）７６と、ＦＯＰの一方の端面に設けられ、電子ビームの像を光学像に変換するシンチレータ７５と、ＦＯＰ７６の他方の端面に近接して設けられた時間遅延積分型（ＴＤＩ）光イメージセンサ７７とを備え、ＦＯＰ７６の他方の端面とＴＤＩイメージセンサ７７の間は、光透過性の接着剤８０で接着されている。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム像用ＴＤＩセンサに関し、特にマスクに電子ビームやイオンビームなどの荷電粒子ビームを照射してマスクの開口を通過した荷電粒子ビームで露光を行う露光装置で使用するステンシルマスクの欠陥を検査するマスク検査装置での使用に適した電子ビーム像用ＴＤＩセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の集積度は微細加工技術により規定されており、微細加工技術には一層の高性能が要求されている。特に、露光技術においては、ステッパなどに用いられるフォトリソグラフィの技術的な限界が予想されており、一層の微細化を難しくしている。この限界を打ち破る技術として電子ビーム露光技術が注目されている。電子ビーム露光方式としては、単一の電子ビームで一筆書きのようにパターンを描画する方式があるがスループットが非常に低いという問題がある。そこで、可変矩形方式やブロック露光方式が提案されている。
【０００３】
可変矩形方式やブロック露光方式では、薄いメンブレン（膜）に開口を形成したステンシルマスクを使用し、ステンシルマスクに電子ビームを照射し、マスクの開口パターンに整形された電子ビームを試料上に照射して露光を行う。そのため、マスクは、製作後パターンに欠陥がないか、また使用中にパターンに欠陥が生じていないか検査することが必要であり、各種の検査装置が使用されている。
【０００４】
特開２００１−２２７９３２号公報は、透過型のマスクの検査を行うマスク検査装置を開示しており、検査速度を向上するため光学イメージセンサとして時間遅延積分方式イメージセンサ（ＴＤＩセンサ）を使用することを開示している。
この公知例に開示された構成例では、マスクに電子ビームを照射してマスクの開口を通過した電子ビームの像をシンチレータに投影する。シンチレータに投影された電子ビームの開口パターン像は光学像に変換され、更に光学レンズなどでＴＤＩセンサに投影されて開口パターンの映像が捕えらる。このような構成で開口パターンをＴＤＩセンサの積分方向に走査し、複数の受光セルの出力を加算することにより、積分方向の受光セルの列数倍の感度が得られる。また、別の構成例では、電子ビームに感度を有するＴＤＩセンサを使用し、マスクの開口を通過した電子ビームの像を直接ＴＤＩセンサに投影して、開口パターンの映像を捕らえる。
【０００５】
上記のように、荷電粒子ビーム露光用マスクは、製作後だけでなく、使用中に欠陥が生じたか検査する必要があるが、マスクの検査中はマスクが使用できないため、マスクの検査に要する時間も露光装置のスループットに関係する。そのため、荷電粒子ビーム露光用マスクはパターン領域の面積が大きい場合でも、その検査装置は、検査のスループットが高いことが要求される。そのため、特開２００１−２２７９３２号公報に開示されたＴＤＩセンサを使用する検査装置は、非常に有用である。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２２７９３２号公報（全体）
【特許文献２】
特許第２９５１９４７号（全体）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ＴＤＩ光イメージセンサは、１次元光イメージセンサを第１の方向に複数列配置し、光学像をＴＤＩ光イメージセンサに対して第１の方向に相対的に移動させた時の各列の受光セルの出力を列間の移動時間を考慮して加算するものである。
例えば、ＴＤＩ光イメージセンサの列間のピッチ長をＰ、ＴＤＩ光イメージセンサ上での像の移動速度をＶとすると、各列の受光セルはＰ／Ｖ時間ごとに像の同じ部分に位置するので、受光セルの出力をＰ／Ｖ時間ずつ遅延させて加算すれば像の同一部分について列数倍の強度の信号が得られることになる。すなわち、１次元の場合に比べて、光イメージセンサの感度を列数倍だけ高くなる。
【０００８】
そこで例えば、１次元のイメージセンサを１０００列配列したＴＤＩ光イメージセンサを使用して大幅な感度向上を図ることを考える。この場合、受光セルの配列ピッチがＰであると、ＴＤＩ光イメージセンサは第１の方向に少なくとも１０００Ｐの幅を有することになる。
【０００９】
現状ではシンチレータをＴＤＩ光イメージセンサの受光面上に直接形成することはできないので、特開２００１−２２７９３２号公報に記載されているように、電子ビーム画像をシンチレータに投影して光学像を形成し、その光学像を光学レンズなどでＴＤＩ光イメージセンサの受光面上に投影する。しかしこの構成はＴＤＩ光イメージセンサの受光面上に明るい像を投影するのが難しいという問題がある。そこで、ＴＤＩ光イメージセンサの受光セルの配列ピッチより小さい直径の光ファイバを並列に配列したファイバ光プレート（ＦＯＰ）の一方の端面にシンチレータを形成し、シンチレータを電子ビームの開口パターン像が形成される位置に配置し、ＴＤＩ光イメージセンサの受光面をＦＯＰの他方の端面に近接して配置することが考えられる。
【００１０】
ＦＯＰの各光ファイバの端面から出射された光は、光ファイバの直径が小さいため回折の影響で大きな角度で広がる。そのため、ＴＤＩ光イメージセンサの受光面とＦＯＰの端面の間隔はできるだけ小さいことが望ましく、例えば、ＴＤＩ光イメージセンサの受光セルの配列ピッチと同程度かそれ以下、例えば５μｍにすることが望ましく、それより大きいとＴＤＩ光イメージセンサにより検出される開口パターンの像に無視できないボケが生じる。
【００１１】
上記のように、高感度のセンサにするために１０００列の１次元イメージセンサを配列したＴＤＩ光イメージセンサは、その幅が非常に大きくなり、例えば８ｍｍの幅になる。このように広い全幅に渡ってＦＯＰの端面との間隔を５μｍの幅にするのは非常に難しい。特に、部分的に間隔が異なると、受光セルの位置によりボケ状態の異なる光像を捕らえることになり、正確なパターン像を検出できず、正確な欠陥検出が行えないという問題を生じる。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決するためのものであり、電子ビーム用マスクのパターンの欠陥検査の一層の高速化及び高精度化を可能にする電子ビーム像用ＴＤＩセンサ及びマスク検査装置の実現を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を実現するため、本発明の電子ビーム像用ＴＤＩセンサは、ファイバ光プレート（ＦＯＰ）の端面とＴＤＩ光イメージセンサの間を光透過性の接着剤で接着する。
【００１４】
すなわち、本発明の電子ビーム像用ＴＤＩセンサは、ファイバー光プレートと、ファイバー光プレートの一方の端面に設けられ、電子ビームの像を光学像に変換するシンチレータと、ファイバー光プレートの他方の端面に近接して設けられた時間遅延積分型（ＴＤＩ）光イメージセンサとを備え、ファイバー光プレートの他方の端面と時間遅延積分型光イメージセンサの間は、光透過性の接着剤で接着されていることを特徴とする。
【００１５】
ＦＯＰの端面とＴＤＩ光イメージセンサの受光面間を光透過性の接着剤で接着することにより、間隔を所望の一定値に高精度に制御できる。また、ＦＯＰの光ファイバの端面から出射された光の広がる角度は、屈折の関係で間に空気がある場合より、間が光ファイバの屈折率に近い透明材料で満たされている方が小さくなる。例えば、ＦＯＰの屈折率は１．７程度であり、光透過性の接着剤は通常屈折率が１．５程度であるので、空気層の屈折率１よりＦＯＰの屈折率に近く、この点からもボケが低減される。従って、接着剤は、屈折率などの光学特性がファイバー光プレートの光学特性と類似であるものを使用することが望ましい。
【００１６】
シンチレータは誘電体であり、電子ビームを照射すると表面に電子が蓄積され、望ましくない放電などの問題が生じる。そこで、シンチレータのファイバー光プレートに面しない表面（電子ビームの入射する側の表面）には、接地された薄い（１０ｎｍ程度の）アルミニュームの薄膜などの導電体で形成された放電層を設けることが望ましい。
【００１７】
シンチレータは、シンチレーション媒体蛍光材料で形成され、使用するシステムで要求される応答時間、シンチレーション効率及び材料の均一性や安定性などから材料が決定され、例えば、イットリウム・アルミニューム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とし、それにセリウム（Ｃｅ）などを微量添加した材料で形成する。また、シンチレータの厚さは、材料及び入射する電子ビームのエネルギ（加速電圧）から決定される侵入深さ（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎｄｅｐｔｈ）に応じて決定される。
【００１８】
シンチレータは、これまではアモルファス材料で形成するのが一般的であり、本発明にも適用できる。シンチレータをアモルファス材料で形成するのは、シンチレータは厚さが１０μｍ程度であり、ファイバー光プレートの表面にこのような厚さの単結晶層を作ることができなかったためである。しかし、シンチレータには電子ビームが照射されるため、アモルファス材料で形成すると微小な結晶の間が劣化し易いという問題があり、単結晶の材料で作ることが望ましい。
【００１９】
そこで、本発明では、大きなＹＡＧ結晶から薄いプレートを切り出して研磨したＦＯＰ表面に接着剤で貼り付けた後、ＹＡＧ結晶のプレートを所望の厚さまで研磨することにより、ＦＯＰの単面に１０μｍ程度の厚さのＹＡＧ単結晶のシンチレータを実現する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施例のステンシルマスク検査装置の全体構成を示す図である。本実施例の検査装置は、図示のように、真空チャンバ６０内に、マスク３０を保持するマスク保持部６４と、部材６１，６２，６３で構成されたマスク保持部６４を３軸方向に移動させるステージと、電子銃７１と、電子銃７１から出力された電子ビームを開口パターンが形成されるマスク３０の薄い膜３２の部分に照射する電子ビーム照射部７２とが設けられている。真空チャンバ６０には、マスク３０を通過した電子ビームを捕らえて開口パターンの像を電子ビーム像用ＴＤＩセンサ７４に投影する電子ビーム投影部７３が付属している。検査時には、真空チャンバ６０内と電子ビーム投影部７３の内部及び電子ビーム像用ＴＤＩセンサ７４が設けられる部分は真空である。
【００２１】
マスク保持部６４は、ステージ駆動部６５により３軸方向に移動可能である。具体的には、マスク保持部６４が部材６１に対してＺ軸方向（図面中の垂直方向）に移動し、部材６１が部材６３に対してＹ軸方向（図面に垂直な方向）に移動し、部材６３が部材６２に対してＸ軸方向（図面に水平な方向）に移動する。なお、ステージには回転を調整する機構も設けられるが、ここでは省略している。また、検査するマスク３０を真空チャンバ６０に搬入及び搬出する機構も設けられるが、ここでは省略している。
【００２２】
信号処理ユニット８１は、電子ビーム像用ＴＤＩセンサ７４の出力を処理して開口パターンを表すイメージデータを生成する。制御ユニット／イメージ処理ユニット８２は、信号処理ユニット８１の出力するイメージデータから開口パターンの欠陥を検出すると共に、ステージ駆動部６５などを制御する。これらの部分については、信号処理ユニット８１がＴＤＩ信号を処理する以外は従来例と同じであるので、ここではこれ以上の説明は省略する。
【００２３】
図２は、本実施例の電子ビーム像用ＴＤＩセンサ７４の構成を示す図である。
図２に示すように、ベース部材７８の上にＴＤＩ光イメージセンサ７７を固定する。ベース部材７８には部材７９が固定されており、部材７９には接着剤９０によりファイバー光プレート（ＦＯＰ）７６が固定されている。ＦＯＰ７６の一方の表面には電子ビーム像を光学像に変換するシンチレータ７５が設けられ、ＦＯＰ７６の他方の面はＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面に接着剤８０により一定の間隔、例えば５μｍの厚さになるように接着される。イメージセンサ７４は、シンチレータ７５が電子ビームの開口パターン像が形成される位置に配置される。参照番号９１は、ベース部材７８に設けられたリード線であり、一部はボンディングワイヤ９２を介してＴＤＩ光イメージセンサ７７の端子に接続される。
また、部材７９の表面には電子ビームが照射されるので、部材７９を接地して電子が蓄積されないようにする必要がある。そのため、部材７９は接続線を介してリード線９１の一部の接地端子に接続される。
【００２４】
シンチレータ７５のＦＯＰに面しない側（電子ビームの入射する側）の表面には、１０ｎｍ程度の厚さのアルミニューム層９４が形成されており、接続線９３により接地されている。シンチレータ７５は誘電体であり、電子ビームがシンチレータ７５に入射すると一部は光に変換されるが、一部は表面に蓄積されシンチレータ７５の表面が帯電する。帯電量が大きくなると放電が発生してシンチレータ７５を破壊する場合があるので、この導電体であるアルミニューム層９４によりシンチレータ７５の表面の帯電を防止している。
【００２５】
シンチレータはシンチレーション媒体蛍光材料で形成され、使用するシステムで要求される応答時間、シンチレーション効率及び材料の均一性や安定性などから材料が決定され、例えば、イットリウム・アルミニューム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とし、それにセリウム（Ｃｅ）などを微量添加した材料で形成する。また、シンチレータの厚さは、材料及び入射する電子ビームのエネルギ（加速電圧）から決定される侵入深さ（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎｄｅｐｔｈ）に応じて決定される。
【００２６】
シンチレータは、これまではアモルファス材料で形成するのが一般的であり、本発明にも適用できる。シンチレータをアモルファス材料で形成するのは、シンチレータは厚さが１０μｍ程度であり、ファイバー光プレートの表面にこのような厚さの単結晶層を作ることができなかったためである。しかし、シンチレータには電子ビームが照射されるため、アモルファス材料で形成すると微小な結晶の間が劣化し易いという問題があり、単結晶の材料で作ることが望ましく、本実施例では、シンチレータは単結晶板（プレート）で作られている。具体的には、大きな結晶から薄いプレートを切り出して研磨したＦＯＰ７６の表面に光透過性の接着剤で貼り付けた後、結晶のプレートを所望の厚さまで研磨することにより、ＦＯＰ７６の単面に１０μｍ程度の厚さの単結晶のシンチレータ７５を実現する。シンチレータを単結晶層とすることにより、電子ビームを照射した場合に、アモルファス材料のシンチレータに比べて劣化が小さい。
【００２７】
なお、劣化の問題はあるが、ＦＯＰ７６の表面にアモルファス材料を塗布してシンチレータ７５を形成することも可能である。
【００２８】
図３は、ＦＯＰ７６の端面とＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面の間が従来の空気の場合（図３の（Ａ））と本実施例のように透明な接着剤で満たされている場合（図３の（Ｂ））を示す。
【００２９】
シンチレータ７５に投影された電子ビーム像は光像に変換されて各光ファイバ７６１に入射し、他方の端面に伝達されて、ＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面に入射する。
【００３０】
前述のように、ＦＯＰ７６とＴＤＩ光イメージセンサ７７は例えば８ｍｍ程度の幅を有するが、ＦＯＰ７６の端面とＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面間を５μｍ程度の一定の厚さに保持するのは、ＦＯＰ７６やＴＤＩ光イメージセンサ７７の反りなどのために非常に難しい。そこで、本実施例では、ＦＯＰ７６の端面とＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面間を光透過性の接着剤で接着する。例えば、ＦＯＰ７６の端面又はＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面に所定の厚さの透明な接着剤を所定の厚さで塗布する。この場合の厚さの制御は、スピナーなどを使用すれば比較的高精度に行える。その上でもう一方の面を接触させた上で紫外線などを照射して接着剤を硬化させる。これにより、間隔を全面に渡って小さな一定値に高精度に制御できる。
【００３１】
また、図３の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ＦＯＰの光ファイバ７６１の端面から出射された光は、光ファイバ７６１の直径が小さいため、光回折の関係で大きく広がる。ＦＯＰの光ファイバ７６１の屈折率は例えば１．７程度であり、その広がる角度は、屈折率が１である空気層８０１がある図３の（Ａ）の場合より、間が屈折率が約１．５である透明材料８０で満たされている方が小さくなる。
【００３２】
以上のように、本実施例では、ＦＯＰ７６の端面とＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面間の間隔が全面に渡って小さな一定値に高精度に制御できるため、光ファイバ７６１の端面から出射された光がＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光面に入射するまでの距離が短く、端面から出射された光が広がっても受光面上における像のボケは小さい。また、空気層８０１に比べて透明材料８０の方が光ファイバ７６１の屈折率に近いので、光ファイバ７６１の端面から出射された光の広がり角も小さくなるので、この点からも受光面上における像のボケが低減される。
【００３３】
更に、図４に示すように、ＦＯＰ７６は、光ファイバ７６１を規則的に配列した板である。本実施例では、光ファイバ７６１は、図５に示すように配列される。ＴＤＩ光イメージセンサ７７の受光セルの配列ピッチＰは、２方向（Ｘ方向とＹ方向）で同じであり、配列ピッチＰは光ファイバ７６１の直径Ｄより大きく、このような寸法条件は、装置の仕様に応じて適宜設定される。
【００３４】
図５は、ＴＤＩ光イメージセンサ７７の動作原理を説明する図である。このＴＤＩ光イメージセンサ７７は、ＣＣＤなどによる幅Ｗの１次元光イメージセンサを等ピッチ間隔ＰでＮ列配列したものであり、各列のセルの出力が並列に読み出せる。従って、Ｎ列配列すると、ＴＤＩ光イメージセンサ７７の走査方向の幅ＴはＮＰとなる。ＴＤＩ光イメージセンサ７７に対して投影する光画像を走査方向に一定の速度Ｖで移動させると、例えば、１番目の受光セルＣ１に投影された光画像の部分はＰ／Ｖの時間後には１番目の受光セルＣ１に投影される。すなわち、ｍＰ／Ｖの時間間隔で読み出した受光セルの出力は、ｍ−１列前の対応する受光セルの出力と同じである。従って、上記のような走査を行う場合に、各受光セル列の出力をＰ／Ｖの時間間隔で読み出し、１列目の受光セルの出力とＰ／Ｖの時間後の２列目の受光セルの出力の和を加算し、更に２Ｐ／Ｖの時間後の３列目の受光セルの出力の和を加算するという具合に、（ｍ−１）Ｐ／Ｖの時間後のｍ列目の受光セルの出力の和を加算することをＮ列目まで繰り返すと、光画像の同一部分の強度をＮ回検出して加算したことになる。ＴＤＩ光イメージセンサ７７は、Ｎ個の受光セルの出力を加算した信号を出力する。すなわち、ＴＤＩ光イメージセンサ７７は、１次元の光イメージセンサに比べてＮ倍の感度を有する。
【００３５】
従って、画像処理速度が十分であれば、１次元の光イメージセンサを使用した場合に比べて走査速度をＮ倍にすることが可能であり、検査装置のスループットを大幅に向上できる。例えば、実施例で使用したＴＤＩ光イメージセンサは、受光セルの配列ピッチは２方向との８μｍであり、Ｗは２８ｍｍで幅方向に３５００個のセルが配列され、Ｔは８ｍｍで走査方向に１０００個のセルが配列されており、１次元の場合に比べて１０００倍の感度を有する。なお、電子ビーム照射部７２は、ＴＤＩ光イメージセンサ７７の８ｍｍ×２８ｍｍのセルアレイに対応するマスク３０上の範囲を照明する必要がある。
【００３６】
ＴＤＩ光イメージセンサは、各種の受光セルの配置を有するものがあり、それらはすべて使用可能である。
【００３７】
以上本発明の実施例を説明したが、本発明はこれに限定されず、各種の変形例が可能である。例えば、ＴＤＩ光イメージセンサ７７のセルアレイの大きさは仕様に応じて適宜決定され、電子ビーム投影部７３の投影倍率は複数の倍率が選択できるようになっていることが望ましい。これにより、各種のマスクを各種の条件で測定できる。また、電子ビーム照射部７２により照射される電子ビームの強度むらを補償するため、各種の補償処理が行われることが望ましい。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればＴＤＩ光イメージセンサを使用するので、センサの感度が向上し、ステンシルマスク検査装置のスループットが向上する。しかも、ＦＯＰの各光ファイバの端面から出射された光がＴＤＩ光イメージセンサの受光面に入射するまでの像のボケが小さく、高精度のイメージを得ることができるので、高品質の検査が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例のステンシルマスク検査装置の全体構成を示す図である。
【図２】本発明の電子ビーム像用ＴＤＩセンサの構成を示す図である。
【図３】ファイバ光プレートの端面とＴＤＩ光イメージセンサの受光面の間の出射光の広がりを、従来例と本発明で比較する図である。
【図４】ファイバ光プレートの光ファイバの配列とＴＤＩ光イメージセンサの受光セルの配列関係を示す図である。
【図５】ＴＤＩ光イメージセンサの動作原理を説明する図である。
【符号の説明】
３０…ステンシルマスク
６０…真空チャンバ
６１−６３…ステージ部材
６４…マスク保持部材
６５…ステージ駆動部
７１…電子銃
７２…電子ビーム照射部
７３…電子ビーム投影部
７４…電子ビール像用ＴＤＩセンサ
７５…シンチレータ
７６…ファイバ光プレート（ＦＯＰ）
７７…ＴＤＩ光イメージセンサ
８０…ＦＯＰとＴＤＩ光イメージセンサ間の接着剤
９４…アルミニューム薄層

Claims

ファイバー光プレートと、
前記ファイバー光プレートの一方の端面に設けられ、電子ビームの像を光学像に変換するシンチレータと、
前記ファイバー光プレートの他方の端面に近接して設けられた時間遅延積分型（ＴＤＩ）光イメージセンサとを備え、
前記ファイバー光プレートの他方の端面と前記時間遅延積分型光イメージセンサの間は、光透過性の接着剤で接着されていることを特徴とする電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項１に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記シンチレータの前記ファイバー光プレートに面しない表面に設けられた放電層を備える電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項２に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記放電層は、接地された導電体で構成される層である電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記シンチレータは、単結晶層である電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項４に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記ファイバー光プレートの一方の端面と前記シンチレータの間は、光透過性の接着剤で接着されている電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項５に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記単結晶層は、前記接着剤で前記ファイバー光プレートに接着された単結晶板を所望の厚さに研磨したものである電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項５又は６に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記シンチレータの前記単結晶層は、イットリウム・アルミニューム・ガーネットを主成分とする電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサであって、
前記シンチレータは、前記ファイバー光プレートの一方の端面に直接付けられたシンチレーション媒体蛍光材料である電子ビーム像用ＴＤＩセンサ。
請求項１から８のいずれか１項に記載の電子ビーム像用ＴＤＩセンサを備えたマスク検査装置。