【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧａＡｓ単結晶を成長するのに適したＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
化合物半導体はその単結晶の高品質化により、高速集積回路、光−電子集積回路やその他の電子素子に広く用いられるようになってきた。なかでも、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の砒化ガリウム（ＧａＡｓ）は電子移動度がシリコンに比べて早く、１０７Ω・ｃｍ以上の比抵抗のウェハが製造容易という特長がある。現在では上記ＧａＡｓの単結晶は、主に液体封止チョクラルスキ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法、以下「ＬＥＣ法」と記す）により製造されている。
【０００３】
ＬＥＣ法による砒化ガリウム（ＧａＡｓ）の製造例を、図２を用いて説明する。
【０００４】
図２において、１は結晶成長用高温炉の耐圧容器であり、耐圧容器１内には下側から下軸２が挿入され、この下軸２の先端にペデスタル３を介してサセプタ４が支持されている。サセプタ４内にはパイロリティック窒化硼素（ＰＢＮ）製るつぼ５が配置されている。サセプタ４の周囲にはヒータ８が設けられており、サセプタ４を介してＰＢＮ製るつぼ５を周囲から加熱できるようになっている。下軸２は図示しない回転・昇降機構に接続されており、回転・昇降自在となっている。また、耐圧容器１の上側からは下軸２と同軸的に引上軸９が挿入され、その下端に設けられた種結晶ホルダ１０に所望の方位を持った種結晶１１（通常、方位として（１００）が用いられる）が取り付けられる。この引上軸９は、図示しない回転・昇降機構によってＰＢＮ製るつぼ５とは同軸に回転・昇降自在となっている。引上軸９の途中には重量センサ１２が設けられており、これによって成長過程の結晶重量を検知できるようになっている。
【０００５】
結晶成長の際には、先ず、直径が２８０ｍｍであるＰＢＮ製るつぼ５の中に、ＧａＡｓ多結晶原料６を２４，０００ｇと、Ａｓの揮発を防止する液体封止剤７の三酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）を１，５００ｇ入れ、成長炉の耐圧容器１に投入する。すなわち、ＰＢＮ製るつぼ５内に、先にＧａＡｓ多結晶原料、次いで三酸化硼素の順に載置し、このるつぼ５を耐圧容器１に収納する。
【０００６】
耐圧容器１内を真空排気し、その後、耐圧容器内が８気圧程度になるように窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを封入し、調整、保持する。主ヒータ８に通電してＰＢＮ製るつぼ５の内部を昇温させる。５００℃前後で液体封止剤（Ｂ２Ｏ３）７が軟化、融解してＧａＡｓ多結晶原料６を覆う。引き続き昇温させ、ＰＢＮ製るつぼ５内部の温度を１，２３８℃以上とし、多結晶原料６を融解させ、ＧａＡｓ融液を作成する。
【０００７】
次に、種結晶１１を降下させ、その先端を原料融液に浸して種付けを行う。その後、主ヒータ８の温度を下げながら、引上軸９と下軸２を相対的に回転させながら引上軸９を９〜１２ｍｍ／ｈｒの速度で引き上げて行き、重量センサ１２で結晶重量を検知しながら、主ヒータ８の出力を制御して、例えば直径φ１０５ｍｍのＧａＡｓ単結晶を成長させる。
【０００８】
上記単結晶をウェハ状に切断、研磨を行い、鏡面ウェハ面に最大で１０μｍ程度の四角状を呈する空洞の欠陥（以下「角ピット」と記す）が観察される場合が多々ある。角ピットの発生割合は、φ１０５ｍｍのＧａＡｓ単結晶ウェハ生産枚数の約１０％にも達していた。
【０００９】
従来、ウェハの収率を上げるため、単結晶である直銅長がより長いインゴットを得る成長結晶の長尺化の方法が検討されている。例えば、るつぼの側面の発熱体の長さＬｈと、るつぼ内の原料融液の深さＤｍとの比Ｌｈ／Ｄｍを規定することが知られている（特許文献１参照）。
【００１０】
【特許文献１】
特開平１０−２７９３８２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１或いは他の従来技術は、角ピットの発生割合を低減するという点に着目したものではなく、ＰＢＮ製るつぼ内に、ＧａＡｓ多結晶原料、三酸化硼素をこの順序で載置するという一般的手法によっている。
【００１２】
このため、上記従来技術の製造例で述べたように、ＧａＡｓ単結晶ウェハには最大で１０μｍ程度の四角状を呈する空洞の欠陥である角ピットが発生する場合が多々ある。角ピットが発生したウェハは、その表面の凹凸がデバイスの微細加工時の歩留が低下する大きな原因であった。また角ピットの数が多い場合は微細加工が不可能になるなどの問題も生じていた。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、ＧａＡｓ単結晶ウェハでの上記従来技術の問題点を解消し、角ピットの少ないＧａＡｓ単結晶ウェハを得ることが可能なＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、角ピットの少ないＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶を得ることにあり、方法は以下の通りである。
【００１５】
請求項１の発明に係る砒化ガリウム単結晶の製造方法は、不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され、加熱されたるつぼに、原料融液である砒化ガリウム融液と液体封止剤としての三酸化硼素融液を収納し、種結晶を原料融液に接触させつつ種結晶とるつぼとを相対的に移動させて、化合物半導体単結晶を成長させるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料として砒化ガリウム多結晶を用い、るつぼへの載置を三酸化硼素、砒化ガリウム多結晶の順にて行い、三酸化硼素上に砒化ガリウム多結晶を載置して、三酸化硼素融液及び砒化ガリウム融液を作成することを特徴とする。
【００１６】
＜発明の要点＞
本発明は、次のような発明者等の知見に基づきなされたものである。
【００１７】
ＧａＡｓウェハの角ピットは、結晶成長を行う際の雰囲気ガスで満たされていることが確認された。また、角ピットは、成長の或る時点の固液界面に沿って分布していることも調査の結果明らかとなった。
【００１８】
角ピットの発生頻度については、全ての結晶、または、全てのウェハに発生するものではない。よって、角ピットはある一定の条件下での成長時に発生するものと推定される。
【００１９】
以上より、角ピットの発生機構として以下のモデルが考えられる。
【００２０】
不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容されたＰＢＮ製るつぼ中の三酸化硼素及びＧａＡｓ多結晶を融解する昇温過程において、三酸化硼素の融解時に、不活性ガスが三酸化硼素融液下部（ＧａＡｓ多結晶側）に残留し又は取り込まれてしまう。ＧａＡｓ多結晶が融液となった時点でも不活性ガスはＧａＡｓ融液側に残留し、ＧａＡｓ融液、三酸化硼素融液の界面間に浮遊しているものと考えられる。
【００２１】
ＧａＡｓ単結晶成長過程で不活性ガスは、成長したＧａＡｓ単結晶とＧａＡｓ融液の界面である固液界面上にあるものと考えられるが、通常の成長過程では不活性ガスがＧａＡｓ単結晶に取り込まれることはない。何らかの事態によってＧａＡｓ融液が過冷却状態となり、当過冷却部が通常の成長速度よりもより早い速度で単結晶化した場合にのみ、不活性ガスがＧａＡｓ単結晶に取り込まれるものと考えられる。
【００２２】
上記モデルは、角ピット内のガス分析の結果や、角ピットの発生頻度などが、明確に説明できる。
【００２３】
よって、本発明の如く、るつぼへの載置を、三酸化硼素、ＧａＡｓ多結晶の順にて行うことで、従来のＧａＡｓ多結晶、三酸化硼素の順で行う場合に比較して、三酸化硼素の融解時に、不活性ガスが三酸化硼素融液の下部（ＧａＡｓ多結晶側）に残留し又は取り込まれてしまう割合が極端に小さくなる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図示の実施例に基づいて説明する。
【００２５】
［実施例］
図１に本発明の実施例の概要を示す。ここで用いた成長炉自体の構成は図２と同じである。
【００２６】
結晶成長の際しては、先ず、成長容器としての直径が２８０ｍｍであるＰＢＮ製るつぼ５の中に、Ａｓの揮発を防止する液体封止剤７としての三酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）を１，５００ｇを入れ、その上にＧａＡｓ多結晶原料６を２４，０００ｇ載置し、成長炉の耐圧容器１に収納する。すなわち、耐圧容器１内に載置する順序は、先に三酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）、次いでＧａＡｓ多結晶原料６の順であり、この点で、図１の従来技術の場合と異なる。
【００２７】
このように、直径が２８０ｍｍであるＰＢＮ性のるつぼ５に、三酸化硼素１，５００ｇ、ＧａＡｓ多結晶原料２４，０００ｇ、の順で載置し、るつぼ５と共にＧａＡｓ多結晶原料２４，０００ｇ、三酸化硼素１，５００ｇを耐圧容器１に収納した後、耐圧容器１内を真空排気し、その後、耐圧容器１が８気圧になるように不活性ガスを封入、調整、保持した。
【００２８】
その後、従来技術の製造例と同様に、ヒータ８に通電してＰＢＮ製るつぼ５の内部を昇温させる。５００℃前後で液体封止剤７の三酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）が軟化、融解してＧａＡｓ多結晶原料６を覆う。更に、ヒータ８によって加熱し、ＰＢＮ製るつぼ５内部の温度を１，２３８℃以上とし、多結晶原料６を融解させる。要するに、液体封止剤７の三酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）上にＧａＡｓ多結晶原料６を載置した状態から、ヒータによって加熱することで、三酸化硼素融液を作成し、更に加熱してＧａＡｓ融液を作成する。
【００２９】
砒化ガリウム融液作成後、引上軸９の先端に取りつけた種結晶１１を降下させ、その先端を原料融液に浸して種付けを行う。種結晶により種付けを行った後、引上軸９を回転させながらゆっくりと上昇させることで、結晶を成長させ、直径φ１０５ｍｍのＧａＡｓ単結晶を成長させた。
【００３０】
上記単結晶をウェハ状に切断、研磨を行い、鏡面ウェハとしたところ、角ピットは観察されなかった。同様の方法で、単結晶成長を５０回行い、全ての結晶をウェハ状に切断、研磨を行い鏡面ウェハとしたところ、角ピットの発生割合は２％であった。
【００３１】
このように当実施例で、角ピットの発生割合を、従来技術よりも低下させることができた理由は、るつぼ内に三酸化硼素、ＧａＡｓ多結晶の順で載置することで、三酸化硼素融解時に不活性ガスが三酸化硼素融液下部（ＧａＡｓ多結晶側）に残留、取り込まてしまう割合が減ったことに起因していると考えられる。
【００３２】
上記の実施例では、ＧａＡｓ単結晶の製造方法について記載したが、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等の他の化合物半導体単結晶の製造方法についても直接応用が可能であり、同様の効果が期待される。
【００３３】
本発明による製造方法で得られるＧａＡｓ単結晶ウェハは、従来法による場合よりも、角ピットが大幅に少ない。従って、本発明の製造方法で得られたＧａＡｓ単結晶ウェハを用いてＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＨＢＴ等のデバイス素子を作成した場合、角ピットに基づく素子歩留の低下を防止することができる。よって、工業生産における経済的効果は多大なものがある。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ＬＥＣ法におけるＧａＡｓ単結晶の製造方法において、原料として砒化ガリウム多結晶を用い、るつぼへの載置を三酸化硼素、砒化ガリウム多結晶の順にて行い、三酸化硼素上に砒化ガリウム多結晶を載置するので、角ピットの少ないＧａＡｓ単結晶ウェハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の砒化ガリウム単結晶の製造方法による成長炉内の構成を示した図である。
【図２】従来の砒化ガリウム単結晶の製造方法による成長炉内の構成を示した図である。
【符号の説明】
１ 耐圧容器
２ 下軸
３ ペデスタル
４ サセプタ
５ ＰＢＮ製るつぼ
６ 多結晶原料
７ 液体封止剤（Ｂ２Ｏ３）
８ ヒータ
９ 引上軸
１０ 種結晶ホルダ
１２ 重量センサ
１１ 種結晶[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing a compound semiconductor single crystal by an LEC method suitable for growing a GaAs single crystal.
[0002]
[Prior art]
Compound semiconductors have been widely used in high-speed integrated circuits, opto-electronic integrated circuits, and other electronic devices due to the high quality of single crystals. Among them, gallium arsenide (GaAs), which is a III-V compound semiconductor, has a feature that electron mobility is faster than that of silicon and that a wafer having a specific resistance of 10 7 Ω · cm or more can be easily manufactured. At present, the GaAs single crystal is mainly manufactured by a liquid-encapsulated Czochralski method (hereinafter, referred to as an “LEC method”).
[0003]
An example of manufacturing gallium arsenide (GaAs) by the LEC method will be described with reference to FIG.
[0004]
In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a pressure vessel of a high-temperature furnace for crystal growth. A lower shaft 2 is inserted into the pressure vessel 1 from below, and a susceptor 4 is supported at the tip of the lower shaft 2 via a pedestal 3. ing. A crucible 5 made of pyrolytic boron nitride (PBN) is arranged in the susceptor 4. A heater 8 is provided around the susceptor 4 so that the PBN crucible 5 can be heated from the periphery through the susceptor 4. The lower shaft 2 is connected to a rotating / elevating mechanism (not shown) and is rotatable / elevable. A pull-up shaft 9 is inserted coaxially with the lower shaft 2 from the upper side of the pressure vessel 1, and a seed crystal 11 having a desired orientation is placed in a seed crystal holder 10 provided at the lower end thereof (usually, 100) is used). The pulling shaft 9 is rotatable and vertically movable coaxially with the PBN crucible 5 by a rotating / elevating mechanism (not shown). A weight sensor 12 is provided in the middle of the pulling shaft 9 so that the weight of the crystal during the growth process can be detected.
[0005]
At the time of crystal growth, first, 24,000 g of the GaAs polycrystalline raw material 6 and boron trioxide (B) as a liquid sealant 7 for preventing volatilization of As were placed in a PBN crucible 5 having a diameter of 280 mm. 2, O 3 ) is put into the pressure vessel 1 of the growth furnace. That is, the GaAs polycrystalline raw material and then the boron trioxide are placed in the PBN crucible 5 in this order, and the crucible 5 is stored in the pressure-resistant container 1.
[0006]
The inside of the pressure vessel 1 is evacuated to vacuum, and then an inert gas such as nitrogen or argon is sealed, adjusted, and held so that the pressure inside the pressure vessel becomes about 8 atm. The main heater 8 is energized to raise the temperature inside the PBN crucible 5. At about 500 ° C., the liquid sealant (B 2 O 3 ) 7 softens and melts to cover the GaAs polycrystalline raw material 6. Subsequently, the temperature is increased to make the temperature inside the PBN crucible 5 1,238 ° C. or higher, and the polycrystalline raw material 6 is melted to form a GaAs melt.
[0007]
Next, the seed crystal 11 is lowered, and its tip is immersed in the raw material melt to perform seeding. Thereafter, while lowering the temperature of the main heater 8, the pulling shaft 9 is pulled up at a speed of 9 to 12 mm / hr while rotating the pulling shaft 9 and the lower shaft 2 relatively, and the weight of the crystal is detected by the weight sensor 12. While detecting, the output of the main heater 8 is controlled to grow a GaAs single crystal having a diameter of, for example, 105 mm.
[0008]
The single crystal is cut and polished into a wafer, and a cavity defect (hereinafter, referred to as “square pit”) having a square shape of up to about 10 μm is often observed on a mirror-finished wafer surface. The generation ratio of the square pits reached about 10% of the number of GaAs single crystal wafers with a diameter of 105 mm.
[0009]
Conventionally, in order to increase the yield of a wafer, a method of increasing the length of a grown crystal for obtaining an ingot having a longer straight copper as a single crystal has been studied. For example, it is known to define a ratio Lh / Dm of a length Lh of a heating element on a side surface of a crucible and a depth Dm of a raw material melt in the crucible (see Patent Document 1).
[0010]
[Patent Document 1]
JP-A-10-279382
[Problems to be solved by the invention]
However, Patent Literature 1 or another conventional technique does not focus on reducing the occurrence rate of square pits, and places a GaAs polycrystalline raw material and boron trioxide in this order in a PBN crucible. It is based on the general method.
[0012]
For this reason, as described in the above-mentioned prior art manufacturing example, the GaAs single crystal wafer often has square pits, which are defects of a rectangular cavity having a maximum shape of about 10 μm. The unevenness of the surface of the wafer in which the angular pits occurred was a major cause of a decrease in the yield at the time of fine processing of the device. In addition, when the number of square pits is large, there has been a problem that fine processing becomes impossible.
[0013]
Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a GaAs single crystal by the LEC method, which can solve the above-mentioned problems of the conventional technique in a GaAs single crystal wafer and can obtain a GaAs single crystal wafer having few square pits. It is in.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The gist of the present invention is to obtain a GaAs single crystal by the LEC method with few corner pits, and the method is as follows.
[0015]
The method for producing a gallium arsenide single crystal according to the first aspect of the present invention is characterized in that a gallium arsenide melt as a raw material melt and a liquid sealing agent are housed in a pressure-resistant container filled with an inert gas and heated in a crucible. A method for producing a compound semiconductor single crystal by the LEC method of growing a compound semiconductor single crystal by containing a boron trioxide melt and relatively moving the seed crystal and the crucible while contacting the seed crystal with the raw material melt In the above, using gallium arsenide polycrystal as a raw material, placing on a crucible in the order of boron trioxide and gallium arsenide polycrystal, placing the gallium arsenide polycrystal on the boron trioxide, a boron trioxide melt And preparing a gallium arsenide melt.
[0016]
<The gist of the invention>
The present invention has been made based on the following findings of the inventors.
[0017]
It was confirmed that the square pits of the GaAs wafer were filled with an atmosphere gas for crystal growth. The investigation also revealed that the square pits were distributed along the solid-liquid interface at some point during growth.
[0018]
Regarding the frequency of occurrence of angular pits, it does not occur in all crystals or in all wafers. Therefore, it is presumed that the square pits are generated during growth under certain conditions.
[0019]
From the above, the following models can be considered as a mechanism for generating the square pit.
[0020]
In the process of melting the boron trioxide and the GaAs polycrystal in the PBN crucible contained in the pressure vessel filled with the inert gas, the inert gas is melted at the bottom of the boron trioxide melt when the boron trioxide is melted. (The GaAs polycrystal side). It is considered that the inert gas remains on the GaAs melt side even when the GaAs polycrystal becomes a melt and floats between the interfaces of the GaAs melt and the boron trioxide melt.
[0021]
In the GaAs single crystal growth process, the inert gas is considered to be on the solid-liquid interface which is the interface between the grown GaAs single crystal and the GaAs melt, but in the normal growth process, the inert gas is incorporated into the GaAs single crystal. Will not be. It is considered that the inert gas is taken into the GaAs single crystal only when the GaAs melt enters a supercooled state due to some situation and the subcooled portion becomes single crystallized at a higher speed than the normal growth rate.
[0022]
The above model can clearly explain the results of gas analysis in the square pits, the frequency of occurrence of the square pits, and the like.
[0023]
Therefore, as in the present invention, the mounting on the crucible is performed in the order of boron trioxide and GaAs polycrystal, so that the boron trioxide is compared with the conventional case in which the GaAs polycrystal and boron trioxide are mounted in this order. During the melting, the rate at which the inert gas remains or is taken into the lower part (on the GaAs polycrystal side) of the boron trioxide melt becomes extremely small.
[0024]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the illustrated examples.
[0025]
[Example]
FIG. 1 shows an outline of an embodiment of the present invention. The configuration of the growth furnace itself used here is the same as in FIG.
[0026]
During crystal growth, first, boron trioxide (B 2 O 3 ) as a liquid sealant 7 for preventing volatilization of As is placed in a PBN crucible 5 having a diameter of 280 mm as a growth vessel. 1,500 g is charged, and 24,000 g of the GaAs polycrystalline raw material 6 is placed thereon and stored in the pressure vessel 1 of the growth furnace. That is, the order of placing in the pressure vessel 1 is boron trioxide (B 2 O 3 ) first, then the GaAs polycrystalline raw material 6, and this point is different from the case of the prior art of FIG.
[0027]
Thus, 1,500 g of boron trioxide and 24,000 g of GaAs polycrystalline raw material are placed in this order on the PBN crucible 5 having a diameter of 280 mm, and 24,000 g of GaAs polycrystalline raw material are placed together with the crucible 5. After 1,500 g of boron oxide was placed in the pressure vessel 1, the inside of the pressure vessel 1 was evacuated, and then an inert gas was charged, adjusted, and held so that the pressure vessel 1 was at 8 atm.
[0028]
Thereafter, similarly to the manufacturing example of the related art, the heater 8 is energized to heat the inside of the PBN crucible 5. At about 500 ° C., boron trioxide (B 2 O 3 ) of the liquid sealant 7 softens and melts, and covers the GaAs polycrystalline raw material 6. Further, the temperature inside the PBN crucible 5 is increased to 1,238 ° C. or higher by heating by the heater 8 to melt the polycrystalline raw material 6. In short, from a state in which the GaAs polycrystalline raw material 6 is placed on boron trioxide (B 2 O 3 ) of the liquid sealing agent 7, a heater is heated by a heater to form a boron trioxide melt and further heated. To produce a GaAs melt.
[0029]
After preparing the gallium arsenide melt, the seed crystal 11 attached to the tip of the pulling shaft 9 is lowered, and the tip is immersed in the raw material melt for seeding. After seeding with a seed crystal, the crystal was grown by slowly raising the pulling shaft 9 while rotating the pulling shaft 9, thereby growing a GaAs single crystal having a diameter of 105 mm.
[0030]
When the single crystal was cut into a wafer and polished to obtain a mirror-finished wafer, no square pits were observed. A single crystal was grown 50 times by the same method, and all the crystals were cut into a wafer and polished to obtain a mirror-finished wafer. The occurrence rate of square pits was 2%.
[0031]
As described above, the reason why the rate of occurrence of square pits in this embodiment was lower than that in the prior art is that boron trioxide was placed in a crucible in the order of GaAs polycrystal, so that boron trioxide was formed. This is considered to be due to the fact that the rate at which the inert gas remains and is taken into the lower portion of the boron trioxide melt (on the GaAs polycrystal side) during melting is reduced.
[0032]
In the above embodiment, the method of manufacturing a GaAs single crystal has been described. However, the method of manufacturing other compound semiconductor single crystals such as InP, GaP, and InAs can be directly applied, and similar effects can be expected.
[0033]
The GaAs single crystal wafer obtained by the manufacturing method according to the present invention has significantly less square pits than the conventional method. Therefore, when device elements such as FETs, HEMTs, and HBTs are manufactured using a GaAs single crystal wafer obtained by the manufacturing method of the present invention, it is possible to prevent a decrease in element yield due to square pits. Therefore, there is a great economic effect in industrial production.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in a method for manufacturing a GaAs single crystal in the LEC method, gallium arsenide polycrystal is used as a raw material, and the crucible is placed in the order of boron trioxide and gallium arsenide polycrystal, Since the gallium arsenide polycrystal is mounted on boron trioxide, a GaAs single crystal wafer having few square pits can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration inside a growth furnace according to a method for producing a gallium arsenide single crystal of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a configuration inside a growth furnace according to a conventional method for producing a gallium arsenide single crystal.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 1 pressure vessel 2 lower shaft 3 pedestal 4 susceptor 5 crucible made of PBN 6 polycrystalline raw material 7 liquid sealant (B 2 O 3 )
Reference Signs List 8 heater 9 pulling shaft 10 seed crystal holder 12 weight sensor 11 seed crystal
