JP2004247189A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】リフローソルダリング方式による回路基板１９への実装が可能なヒューズ１１を提供する。
【解決手段】外囲器１３に、ヒューズ本体１６と、常温で固体でかつ沸点が２３０℃以下の吸熱物質２１とを一緒に収納する。リフローソルダリング方式によりヒューズ１１を回路基板１９へ実装する。実装時の熱で吸熱物質２１が昇華し、昇華による吸熱作用で外囲器１３内の温度上昇を抑制し、外囲器１３内のヒューズ本体１６の温度上昇を抑制する。耐熱特性に余裕のないヒューズや耐熱特性の点で実装が困難なヒューズでも、リフローソルダリング方式による回路基板１９への実装を可能にする。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱特性を向上させた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、各種の電気機器の小型軽量に対する要求に伴い、回路基板への高密度の実装を可能とするために電子部品のチップ化が図られている。このようなチップタイプの電子部品は、例えばリフローソルダリング方式により回路基板へ実装している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
リフローソルダリング方式では、電子部品を半田ペースト（ソルダペースト）が印刷された回路基板に搭載した状態で、リフロー炉内を通過させて半田ペーストを溶融させ、冷却工程を経て溶融した半田ペーストを凝固させ、電子部品を回路基板に電気的および機械的に接続させている。
【０００４】
スルーホールタイプの電子部品では、実装時の熱ストレスは端子部に集中し、電子部品の内部に加わる熱は端子部からの熱伝導によるものしかない。一方、チップタイプの電子部品では、リフローソルダリング方式による実装時に赤外線や熱風もしくはその併用で加熱された雰囲気中を電子部品全体が通過するため、電子部品の内部に加わる熱が大きく、電子部品の内部の温度上昇も高いものになる。その熱履歴は、一般的にリフロー温度プロファイルと呼ばれ、図３に示すように時間に対する端子温度にて表される。
【０００５】
しかし、電子部品の中には、リフローソルダリング方式による実装時の耐熱特性に余裕のない電子部品や、耐熱特性の点でリフローソルダリング方式による実装が困難な電子部品もある。
【０００６】
耐熱特性に不利な電子部品の１つとして温度ヒューズが挙げられる。この温度ヒューズは、対象となる物質の異常な温度上昇に伴って可溶体が溶融し電流路を断って保護する保護部品であり、その可溶体の融点は用途により種々存在するが２２０℃以下が一般的である。それに対し、図３に示すように、一般的なリフローソルダリング方式の条件である端子温度のピークが２３０℃〜２７０℃、２２０℃のオーバータイムが２０秒〜５０秒であるため、電子部品の内部もそれに近い温度および時間に達する。そのことは、可溶体が融点以上で所定時間加熱されることになり、実装時において可溶体の溶融断線に至るおそれがある。なお、電流ヒューズにおいても、可溶体の融点を温度ヒューズと同程度に設計することは往々にしてあり、その場合も同様である。
【０００７】
また、環境を配慮した電気機器の鉛フリー化の流れで、電子部品の半田付けに用いられる半田として、半田組成から鉛を除いた鉛フリー半田への移行が進んでいる。徒来使用されていた鉛入り半田は、約４０ｗｔ％の鉛（Ｐｂ）を含むスズ（Ｓｎ）であり、その共晶点は１８３℃であったが、鉛フリー半田は、Ｓｎ・Ａｇ・Ｃｕ系組成のものが一般的であり、その固相点は約２１７℃であり、リフローソルダリング方式による実装時に赤外線や熱風もしくはその併用で加熱する雰囲気温度を上昇させる必要がある。そのため、図３に示すように、鉛フリー半田Ａは、鉛入り半田Ｂに比べて、リフローソルダリング方式による実装時の端子温度が上昇し、電子部品の内部の温度も略それに近く上昇するため、リフローソルダリング方式による実装時の温度プロファイルがより厳しいものとなり、リフローソルダリング方式による実装時の耐熱特性に余裕のない電子部品や、耐熱特性の点でリフローソルダリング方式による実装が困難な電子部品が多くなる。
【０００８】
このようなリフローソルダリング方式による実装時の耐熱特性に余裕のない電子部品や、耐熱特性の点でリフローソルダリング方式による実装が困難な電子部品は、他の電子部品を回路基板にリフローソルダリング方式により実装した後に、別工程となる手作業で実装するなどして対応している。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−１１３８０１号公報（第５頁、図１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来は、リフローソルダリング方式による実装時の耐熱特性に余裕のない電子部品や、耐熱特性の点でリフローソルダリング方式による実装が困難な電子部品を、他の電子部品を回路基板にリフローソルダリング方式により実装した後に、別工程となる手作業で実装しなければならず、電子部品の回路基板への組立効率が低下する問題がある。
【００１１】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能なように、耐熱特性を向上できる電子部品を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の電子部品は、外囲器と、この外囲器に内蔵された電子部品本体と、前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、前記電子部品本体の許容上限温度以下で吸熱作用を有する吸熱物質とを具備しているものである。
【００１３】
そして、この構成では、外囲器に、電子部品本体とともに、電子部品本体の許容上限温度以下で吸熱作用を有する吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上させるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能になる。
【００１４】
請求項２記載の電子部品は、外囲器と、この外囲器に内蔵された電子部品本体と、前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ前記電子部品本体の許容上限温度以下で昇華作用を有する吸熱物質とを具備しているものである。
【００１５】
そして、この構成では、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ電子部品本体の許容上限温度以下で昇華作用を有する吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の昇華による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上させるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能になる。
【００１６】
請求項３記載の電子部品は、外囲器と、この外囲器に内蔵された電子部品本体と、前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ沸点が２３０℃以下の吸熱物質とを具備しているものである。
【００１７】
そして、この構成では、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ沸点が２３０℃以下の吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の昇華による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上させるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能になる。
【００１８】
請求項４記載の電子部品は、請求項２または３記載の電子部品において、外囲器は、非密閉構造であるものである。
【００１９】
そして、この構成では、外囲器は非密閉構造であり、昇華した吸熱物質を外囲器の外部に放出させて内部に残存しないようにし、実装後の電子部品本体の通常使用時における影響を防止する。
【００２０】
請求項５記載の電子部品は、請求項２ないし４いずれか記載の電子部品において、吸熱物質は、ＤＬ−カンフル、ナフタレン、ジクロロベンゼンの少なくともいずれか１つであるものである。
【００２１】
そして、この構成では、吸熱物質は、ＤＬ−カンフル、ナフタレン、ジクロロベンゼンの少なくともいずれか１つであり、実装時の所望の温度上昇抑制効果が得られる。
【００２２】
請求項６記載の電子部品は、請求項２ないし５いずれか記載の電子部品において、吸熱物質は、多孔性物質に含浸させたものである。
【００２３】
そして、この構成では、吸熱物質を多孔性物質に含浸させたため、吸熱物質の取扱性が容易になる。
【００２４】
請求項７記載の電子部品は、請求項２ないし５いずれか記載の電子部品において、吸熱物質は、加圧による成形品であるものである。
【００２５】
そして、この構成では、吸熱物質は加圧による成形品であるため、吸熱物質の取扱性が容易になる。
【００２６】
請求項８記載の電子部品は、請求項２ないし７いずれか記載の電子部品において、吸熱物質は、吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂を吸熱物質の表面にコーティングする処理、および吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂製の密閉体に吸熱物質を収納する処理の少なくともいずれかを施して外囲器に内蔵したものである。
【００２７】
そして、この構成では、吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂を吸熱物質の表面にコーティングする処理、および吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂製の密閉体に吸熱物質を収納する処理の少なくともいずれかを施した吸熱物質を外囲器に内蔵したため、実装前の保管期間や保管状態の影響による吸熱物質の昇華を防止し、実装時に所望の温度上昇抑制効果が確実に得られる。
【００２８】
請求項９記載の電子部品は、外囲器と、この外囲器に内蔵された電子部品本体と、前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ前記電子部品本体の許容上限温度以下で融解作用を有する吸熱物質とを具備しているものである。
【００２９】
そして、この構成では、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ電子部品本体の許容上限温度以下で融解作用を有する吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の融解による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上させるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能になる。
【００３０】
請求項１０記載の電子部品は、外囲器と、この外囲器に内蔵された電子部品本体と、前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ融点が２３０℃以下の吸熱物質とを具備しているものである。
【００３１】
そして、この構成では、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ融点が２３０℃以下の吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の融解による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上させるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能になる。
【００３２】
請求項１１記載の電子部品は、請求項９または１０記載の電子部品において、吸熱物質は、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンの少なくともいずれか１つであるものである。
【００３３】
そして、この構成では、吸熱物質は、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンの少なくともいずれか１つであり、実装時の所望の温度上昇抑制効果が得られる。
【００３４】
請求項１２記載の電子部品は、請求項１ないし１１いずれか記載の電子部品において、電子部品本体は、固相点および融点のいずれかが２５０℃以下の可溶体を有するヒューズであるものである。
【００３５】
そして、この構成では、電子部品本体が固相点および融点のいずれかが２５０℃以下の可溶体を有するヒューズであっても、リフローソルダリング方式による回路基板への実装が可能になる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図１および図２を参照して説明する。
【００３７】
図１に示すように、１１は電子部品としてのヒューズであり、このヒューズ１１は、チップ型の温度ヒューズもしくは電流ヒューズであって、内部に空間１２を有する外囲器１３を備えている。この外囲器１３は、上面を開口したケース１４、およびこのケース１４の上面の開口を閉塞する状態に着脱可能に取り付けられるカバー１５を有し、これらケース１４とカバー１５との間には隙間を有する非密閉構造に形成されている。これらケース１４およびカバー１５は絶縁性を有する合成樹脂などで形成されている。
【００３８】
外囲器１３内には、電子部品本体としてのヒューズ本体１６が収納されている。このヒューズ本体１６は、絶縁体１７で覆われた固相点および融点のいずれかが例えば２５０℃以下である図示しない可溶体を有し、この可溶体の両端に接続された一対の端子１８が絶縁体１７から引き出されるとともにケース１４の外部に引き出され、このケース１４の外部に引き出された各端子１８の先端に回路基板１９に半田付け接続される端子部２０が形成されている。
【００３９】
外囲器１３内には、ヒューズ本体１６とともに、吸熱物質２１が収納されている。この吸熱物質２１は、常温で固体で、かつヒューズ本体１６の可溶体の許容上限温度つまり固相点および融点のいずれか以下で昇華作用（気化作用）もしくは融解作用を有している。
【００４０】
昇華作用を有する吸熱物質２１としては、ｐ−ジクロロベンゼン（融点５３℃〜５４℃、沸点１７３℃〜１７５℃）、ＤＬ−カンフル（融点１７５℃〜１８０℃、沸点２０４℃）、ナフタレン（融点８０℃、沸点２１０℃）などがあり、これらの沸点は１６０℃〜２２０℃で、可溶体の固相点または融点以下である２３０℃以下の範囲にある。
【００４１】
融解作用を有する吸熱物質としては、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンなどがあり、これらの融点は１００℃〜２００℃で、可溶体の固相点または融点以下である２３０℃以下の範囲にある。
【００４２】
そして、ヒューズ１１をリフローソルダリング方式により回路基板１９へ実装する場合には、ヒューズ１１を半田ペースト（ソルダペースト）が印刷された回路基板１９に搭載した状態で、リフロー炉内を通過させて半田ペーストを溶融させ、冷却工程を経て溶融した半田ペーストを凝固させ、ヒューズ１１の端子部２０を回路基板１９に電気的および機械的に接続する。
【００４３】
一般的なリフローソルダリング方式による実装の条件では、端子温度のピーク＝２３０℃〜２７０℃、２２０℃のオーバータイム＝２０秒〜５０秒となる。
【００４４】
このとき、外囲器１３内にはヒューズ本体１６とともに吸熱物質２１を内蔵しているため、リフローソルダリング方式による実装時に外囲器１３の内部温度が吸熱物質２１の沸点もしくは融点に達し、吸熱物質２１が気化もしくは融解し、その際の吸熱反応によって、図２に示すように、端子温度に対して外囲器１３の内部温度をΔＴ分だけ低減できる。
【００４５】
このように、外囲器１３にヒューズ本体１６とともに吸熱物質２１を内蔵したことにより、リフローソルダリング方式による実装時に吸熱物質２１の昇華もしくは融解による吸熱作用によって外囲器１３内の温度上昇つまりヒューズ本体１６の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上できる。そのため、耐熱特性に余裕のないヒューズ１１や、耐熱特性の点で実装が困難なヒューズ１１でも、リフローソルダリング方式による実装を可能にできる。したがって、ヒューズ１１を他の電子部品と一緒にリフローソルダリング方式により回路基板１９に実装でき、回路基板１９への組立効率を向上できる。
【００４６】
なお、一般的なリフローソルダリング方式による実装の条件である端子温度のピーク＝２３０℃〜２７０℃、２２０℃のオーバータイム＝２０秒〜５０秒を考慮すると、吸熱物質２１による吸熱効果が発生する温度、つまり吸熱物質２１の沸点もしくは融点は、ピーク温度より低くすることは当然として、端子温度の２３０℃以下に抑えることが吸熱効果を発揮させるうえで必要であり、望ましくはリフローソルダリング方式による余熱段階からピーク段階に移行する温度である１６０℃〜２３０℃の間にあるのがよい。
【００４７】
また、昇華作用を有し、沸点が２３０℃以下の吸熱物質２１として、ＤＬ−カンフル、ナフタレン、ジクロロベンゼンの少なくともいずれか１つを用いれば、実装時の外囲器１３内における所望の温度上昇抑制効果を得ることができる。なお、ＤＬ−カンフルは環境に対して優れている利点がある。
【００４８】
昇華作用を有する吸熱物質２１の場合、外囲器１３を非密閉構造にすることが望ましい。外囲器１３を密閉構造とした場合には、リフローソルダリング方式による実装時に気化した吸熱物質２１が実装後に凝固して外囲器１３の内部に残留し、温度ヒューズや電流ヒューズのように機能源が熱であるものは残留物が溶断特性に影響するおそれがあり、また、密閉構造の外囲器１３の中に気化する物質を挿入すると、その気化時の体積膨張で外囲器１３が破損することが考えられる。そのため、外囲器１３を非密閉構造にすれば、昇華した吸熱物質２１を外囲器１３の外部に放出させて内部に残存しないようにでき、実装後のヒューズ本体１６の通常使用時における影響や、外囲器１３の破損を防止できる。
【００４９】
昇華作用を有する吸熱物質２１の多くは、形状の不揃いな粉末状で存在するため、生産対応を考慮すると取扱上好ましくない。そこで、吸熱物質２１を加圧成形によって所望の形状に成形した成形品としたり、吸熱物質２１を一旦溶融状態にさせて多孔性物質に含浸させることにより、吸熱物質２１の取扱性を容易にできる。
【００５０】
昇華作用を有する吸熱物質２１は、大気中に放置すると減量する性質を有し、吸熱物質２１の昇華作用は、周囲温度が高いほど促進され、同時に雰囲気の対流にも影響される。このことは、回路基板１９に実装するまでのヒューズ１１の保管期間や保管状態を制限することになる。そこで、吸熱物質２１の昇華温度より低い温度で融解するとともに通気性の低いフッ素樹脂を吸熱物質２１の表面にコーティングするか、または同様のフッ素樹脂製の袋などの密閉体に吸熱物質２１を収納することにより、実装前の保管期間や保管状態に影響されず、吸熱物質２１の昇華を防止でき、実装時の外囲器１３内における所望の温度上昇抑制効果を確実に得ることができる。
【００５１】
また、融解作用を有し、融点が２３０℃以下の吸熱物質２１としては、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンの少なくとも１つを用いれば、実装時の外囲器１３内における所望の温度上昇抑制効果を得ることができる。なお、ポリフッ化ビニリデンは環境に対して優れている利点がある。
【００５２】
融解作用を有する吸熱物質２１の場合には、昇華作用を有する吸熱物質２１と異なり、外囲器１３は非密閉構造に限らず、密閉構造を用いることもできる。
【００５３】
なお、電子部品としては、温度上昇抑制の対象となる温度ヒューズや、低融点合金を用いた電流ヒューズに限らず、耐熱特性に余裕のない各種の電子部品や、耐熱特性の点で実装が困難な各種の電子部品でも、リフローソルダリング方式による実装を可能にできる。
【００５４】
【実施例】
上述した一実施の形態のヒューズ１１における各実施例について説明する。
【００５５】
各実施例のヒューズ１１には、チップ型の電流ヒューズである大東通信機株式会社の商品名ＳＴ０２Ｃを用いた。これは電流ヒューズであるが、可溶体の融点が約２２０℃であり、鉛フリー半田に対応したリフローソルダリング方式による実装に対して耐熱特性に余裕がない。
【００５６】
まず、第１の実施例では、ヒューズ１１の外囲器１３内にヒューズ本体１６とともに昇華作用を有する約３０ｍｇの吸熱物質２１を収納し、リフローソルダリング方式による回路基板１９への実装時において、端子１８の端子温度および外囲器１３の内部温度をそれぞれ測定した。この測定結果を表１に示す。表１には、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１と、吸熱物質２１を収納しないノーマル（比較例）とを示し、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１には各吸熱物質２１の種類毎に示す。
【００５７】
【表１】

【００５８】
表１に示すように、吸熱物質２１を内蔵しないノーマルの場合には、端子温度が２３４℃、内部温度が２２０℃で、端子温度と内部温度との差ΔＴが少なく、内部温度がヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃に達していることが分かる。
【００５９】
それに対し、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１の場合には、端子温度がノーマルの場合と同様であるのに対し、内部温度が２１１℃〜２１５℃に低下し、ヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃より低いことが分かる。そのため、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１では、リフローソルダリング方式による実装時に吸熱物質２１の昇華による吸熱作用によって外囲器１３内の温度上昇を抑制でき、つまりヒューズ本体１６の温度上昇を抑制でき、耐熱特性を向上できる。
【００６０】
次に、第２の実施例では、吸熱物質２１を融点まで昇温させるか溶剤に溶かして液状にし、多孔性物質に含浸させた。多孔質物質には、縦横比が７ｍｍ×１３ｍｍのセラミックペーパー（商品名：カオウールペーパーＴ（厚さ０．５ｍｍ） イソライト工業株式会社製）を用いた。吸熱物質２１の種類毎の含浸量は、ｐ−ジクロロベンゼンは１５０ｍｇ、ＤＬ−カンフルは５０ｍｇとした。
【００６１】
そして、ヒューズ１１の外囲器１３内にヒューズ本体１６とともに吸熱物質２１を含浸したセラミックペーパーを収納し、リフローソルダリング方式による回路基板１９への実装時において、端子１８の端子温度および外囲器１３の内部温度をそれぞれ測定した。この測定結果を表２に示す。表２には、吸熱物質２１を含浸したセラミックペーパーを収納したヒューズ１１と、吸熱物質２１を収納しないノーマル（比較例）とを示し、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１には各吸熱物質２１の種類毎に示す。
【００６２】
【表２】

【００６３】
表２に示すように、吸熱物質２１を収納しないノーマルの場合には、端子温度が２３４℃、内部温度が２２０℃で、端子温度と内部温度との差ΔＴが少なく、内部温度がヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃に達していることが分かる。
【００６４】
それに対し、吸熱物質２１を含浸したセラミックペーパーを収納したヒューズ１１の場合には、端子温度がノーマルの場合と同様であるのに対し、内部温度が２０３℃、２１０℃に低下し、ヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃より低いことが分かる。そのため、吸熱物質２１を含浸したセラミックペーパーを収納したヒューズ１１では、リフローソルダリング方式による実装時に吸熱物質２１の昇華による吸熱作用によって外囲器１３内の温度上昇を抑制でき、つまりヒューズ本体１６の温度上昇を抑制でき、耐熱特性を向上できる。
【００６５】
次に、第３の実施例では、粒状のＤＬ−カンフルを鉄製の型に充填した後に圧力を加えて縦横比が７ｍｍ×１３ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの平板に成形した。成形品の質量は５０ｍｇとした。
【００６６】
そして、ヒューズ１１の外囲器１３内にヒューズ本体１６とともに吸熱物質２１を加圧成形した成形品を収納し、リフローソルダリング方式による回路基板１９への実装時において、端子１８の端子温度および外囲器１３の内部温度をそれぞれ測定した。この測定結果を表３に示す。表３には、吸熱物質２１を加圧成形した成形品を収納したヒューズ１１と、吸熱物質２１を収納しないノーマル（比較例）とを示す。
【００６７】
【表３】

【００６８】
表３に示すように、吸熱物質２１を収納しないノーマルの場合には、端子温度が２３４℃、内部温度が２２０℃で、端子温度と内部温度との差ΔＴが少なく、内部温度がヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃に達していることが分かる。
【００６９】
それに対し、吸熱物質２１を加圧成形した成形品を収納したヒューズ１１の場合には、端子温度がノーマルの場合と同様であるのに対し、内部温度が２１０℃に低下し、ヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃より低いことが分かる。そのため、吸熱物質２１を加圧成形した成形品を収納したヒューズ１１では、リフローソルダリング方式による実装時に吸熱物質２１の昇華による吸熱作用によって外囲器１３内の温度上昇を抑制でき、つまりヒューズ本体１６の温度上昇を抑制でき、耐熱特性を向上できる。
【００７０】
次に、第４の実施の形態では、融解作用を有するポリフッ化ビニリデンを縦横比が７ｍｍ×１３ｍｍに成形した。
【００７１】
そして、ヒューズ１１の外囲器１３内にヒューズ本体１６とともに融解作用を有する吸熱物質２１を収納し、リフローソルダリング方式による回路基板１９への実装時において、端子１８の端子温度および外囲器１３の内部温度をそれぞれ測定した。この測定結果を表４に示す。表４には、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１と、吸熱物質２１を収納しないノーマル（比較例）とを示す。
【００７２】
【表４】

【００７３】
表４に示すように、吸熱物質２１を収納しないノーマルの場合には、端子温度が２３４℃、内部温度が２２０℃で、端子温度と内部温度との差ΔＴが少なく、内部温度がヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃に達していることが分かる。
【００７４】
それに対し、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１の場合には、端子温度がノーマルの場合と同様であるのに対し、内部温度が２１５℃に低下し、ヒューズ本体１６の可溶体の融点の２２０℃より低いことが分かる。そのため、吸熱物質２１を収納したヒューズ１１では、リフローソルダリング方式による実装時に吸熱物質２１の融解による吸熱作用によって外囲器１３内の温度上昇を抑制でき、つまりヒューズ本体１６の温度上昇を抑制でき、耐熱特性を向上できる。
【００７５】
【発明の効果】
請求項１記載の電子部品によれば、外囲器に、電子部品本体とともに、電子部品本体の許容上限温度以下で吸熱作用を有する吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上できるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装を可能にできる。
【００７６】
請求項２記載の電子部品によれば、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ電子部品本体の許容上限温度以下で昇華作用を有する吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の昇華による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上できるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装を可能にできる。
【００７７】
請求項３記載の電子部品によれば、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ沸点が２３０℃以下の吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の昇華による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上できるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装を可能にできる。
【００７８】
請求項４記載の電子部品によれば、請求項２または３記載の電子部品の効果に加えて、外囲器は非密閉構造であり、昇華した吸熱物質を外囲器の外部に放出させて内部に残存しないようにでき、実装後の電子部品本体の通常使用時における影響を防止できる。
【００７９】
請求項５記載の電子部品によれば、請求項２ないし４いずれか記載の電子部品の効果に加えて、吸熱物質は、ＤＬ−カンフル、ナフタレン、ジクロロベンゼンの少なくともいずれか１つであり、実装時の所望の温度上昇抑制効果を得ることができる。
【００８０】
請求項６記載の電子部品によれば、請求項２ないし５いずれか記載の電子部品の効果に加えて、吸熱物質を多孔性物質に含浸させたため、吸熱物質の取扱性を容易にできる。
【００８１】
請求項７記載の電子部品によれば、請求項２ないし５いずれか記載の電子部品の効果に加えて、吸熱物質は加圧による成形品であるため、吸熱物質の取扱性を容易にできる。
【００８２】
請求項８記載の電子部品によれば、請求項２ないし７いずれか記載の電子部品の効果に加えて、吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂を吸熱物質の表面にコーティングする処理、および吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂製の密閉体に吸熱物質を収納する処理の少なくともいずれかを施した吸熱物質を外囲器に内蔵したため、実装前の保管期間や保管状態の影響による吸熱物質の昇華を防止し、実装時に所望の温度上昇抑制効果を確実に得ることができる。
【００８３】
請求項９記載の電子部品によれば、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ電子部品本体の許容上限温度以下で融解作用を有する吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の融解による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上できるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装を可能にできる。
【００８４】
請求項１０記載の電子部品によれば、外囲器に、電子部品本体とともに、常温で固体で、かつ融点が２３０℃以下の吸熱物質を内蔵したことにより、例えばリフローソルダリング方式による回路基板への実装時に吸熱物質の融解による吸熱作用によって外囲器内の温度上昇つまり電子部品本体の温度上昇を抑制し、耐熱特性を向上できるため、耐熱特性に余裕のない電子部品や耐熱特性の点で実装が困難な電子部品でもリフローソルダリング方式による回路基板への実装を可能にできる。
【００８５】
請求項１１記載の電子部品によれば、請求項９または１０記載の電子部品の効果に加えて、吸熱物質は、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンの少なくともいずれか１つであり、実装時の所望の温度上昇抑制効果を得ることができる。
【００８６】
請求項１２記載の電子部品によれば、請求項１ないし１１いずれか記載の電子部品の効果に加えて、電子部品本体が固相点および融点のいずれかが２５０℃以下の可溶体を有するヒューズであっても、リフローソルダリング方式による回路基板への実装を可能にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す吸熱物質を内蔵した電子部品の断面図である。
【図２】同上吸熱物質を内蔵した電子部品についてリフローソルダリング方式による実装時における時間に対する端子温度および内部温度の関係を示すグラフである。
【図３】リフローソルダリング方式による実装時における鉛入り半田対応の場合と鉛フリー半田対応の場合とでの時間に対する端子温度の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１１ 電子部品としてのヒューズ
１３ 外囲器
１６ 電子部品本体としてのヒューズ本体
２１ 吸熱物質

Claims (12)

1. 外囲器と、
   この外囲器に内蔵された電子部品本体と、
   前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、前記電子部品本体の許容上限温度以下で吸熱作用を有する吸熱物質と
   を具備していることを特徴とする電子部品。
2. 外囲器と、
   この外囲器に内蔵された電子部品本体と、
   前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ前記電子部品本体の許容上限温度以下で昇華作用を有する吸熱物質と
   を具備していることを特徴とする電子部品。
3. 外囲器と、
   この外囲器に内蔵された電子部品本体と、
   前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ沸点が２３０℃以下の吸熱物質と
   を具備していることを特徴とする電子部品。
4. 外囲器は、非密閉構造である
   ことを特徴とする請求項２または３記載の電子部品。
5. 吸熱物質は、ＤＬ−カンフル、ナフタレン、ジクロロベンゼンの少なくともいずれか１つである
   ことを特徴とする請求項２ないし４いずれか記載の電子部品。
6. 吸熱物質は、多孔性物質に含浸させた
   ことを特徴とする請求項２ないし５いずれか記載の電子部品。
7. 吸熱物質は、加圧による成形品である
   ことを特徴とする請求項２ないし５いずれか記載の電子部品。
8. 吸熱物質は、吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂を吸熱物質の表面にコーティングする処理、および吸熱物質の昇華温度より低い温度で融解するフッ素樹脂製の密閉体に吸熱物質を収納する処理の少なくともいずれかを施して外囲器に内蔵した
   ことを特徴とする請求項２ないし７いずれか記載の電子部品。
9. 外囲器と、
   この外囲器に内蔵された電子部品本体と、
   前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ前記電子部品本体の許容上限温度以下で融解作用を有する吸熱物質と
   を具備していることを特徴とする電子部品。
10. 外囲器と、
    この外囲器に内蔵された電子部品本体と、
    前記外囲器に前記電子部品本体とともに内蔵され、常温で固体で、かつ融点が２３０℃以下の吸熱物質と
    を具備していることを特徴とする電子部品。
11. 吸熱物質は、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデンの少なくともいずれか１つである
    ことを特徴とする請求項９または１０記載の電子部品。
12. 電子部品本体は、固相点および融点のいずれかが２５０℃以下の可溶体を有するヒューズである
    ことを特徴とする請求項１ないし１１いずれか記載の電子部品。

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