【特許請求の範囲】
【請求項１】 多孔質体であって、複数の柱状の孔とそれを取り囲む領域を備え、該領域はＣ、Ｓｉ、Ｇｅあるいはこれらの組み合わせ材料を含み構成される非晶質領域であることを特徴とする多孔質体。
【請求項２】 前記柱状の孔は、分岐していない請求項１記載の多孔質体。
【請求項３】 前記複数の孔同士の平均中心間距離が３０ｎｍ以下である請求項１あるいは２に記載の多孔質体。
【請求項４】 前記柱状の孔の平均径が２０ｎｍ以下である請求項１から３のいずれかに記載の多孔質体。
【請求項５】 前記複数の孔の深さ方向が同一である請求項１から４のいずれかに記載の多孔質体。
【請求項６】 前記領域には、アルミニウムが含まれている請求項１から５のいずれかに記載の多孔質体。
【請求項７】 前記多孔質体は基板上に形成されており、前記柱状の孔の深さ方向が、該基板に対して垂直である請求項１から６のいずれかに記載の多孔質体。
【請求項８】 第１の材料と第２の材料を含み構成される構造体から該第１の材料を除去して得られる多孔質体であって、該構造体は、該第１の材料を含み構成される柱状の部材が、該第２の材料を含み構成される非晶質領域に取り囲まれている構造を有し、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれていることを特徴とする多孔質体。
【請求項９】 前記第１の材料がアルミニウムである請求項８記載の多孔質体。
【請求項１０】 前記第２の材料がＳｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、Ｃあるいは、これらの組み合わせ材料を含む請求項８あるいは９に記載の多孔質体。
【請求項１１】 前記複数の孔同士の平均中心間距離が３０ｎｍ以下である請求項８から１０のいずれかに記載の多孔質体。
【請求項１２】 前記柱状の孔の径が２０ｎｍ以下である請求項８から１１のいずれかに記載の多孔質体。
【請求項１３】 第１の材料と第２の材料を含み構成される構造体であって、該第１の材料を含み構成される柱状の部材が、該第２の材料を含み構成される領域に取り囲まれている構造体を用意する工程、及び該構造体から該柱状の部材を除去する除去工程を有することを特徴とする多孔質体の製造方法。
【請求項１４】 前記構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれている請求項１３に記載の多孔質体の製造方法。
【請求項１５】 前記第１の材料がアルミニウムを含む請求項１４記載の多孔質体の製造方法。
【請求項１６】 前記第２の材料がＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ、あるいはこれらの組み合わせ材料を含む請求項１４に記載の多孔質体の製造方法。
【請求項１７】 前記構造体が、非平衡状態で成膜する成膜法を用いて形成されている請求項１３に記載の多孔質体の製造方法。
【請求項１８】 前記除去工程が、酸あるいはアルカリを用いたウエットエッチングである請求項１３に記載の多孔質体の製造方法。
【請求項１９】 前記除去工程後、当該除去工程により形成される細孔の孔径を広げる工程を有する請求項１３から１８のいずれかに記載の多孔質体の製造方法。
【請求項２０】 前記柱状の部材の径が２０ｎｍ以下であり、前記複数の柱状の部材同士の平均中心間距離が３０ｎｍ以下である請求項１３から１９のいずれかに記載の多孔質体の製造方法。
【請求項２１】 アルミニウムとシリコンを含み構成される構造体であって、アルミニウムを含み構成される柱状の部材と該柱状の部材を取り囲むシリコン領域とを有し、且つアルミニウムとシリコンの全量に対してシリコンを２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下含有する構造体を用意する工程、及び該構造体から該柱状の部材を除去する工程を有することを特徴とする多孔質体の製造方法。
【請求項２２】 前記シリコン領域には、ゲルマニウムが含まれている請求項２１記載の多孔質体の製造方法。
【請求項２３】 請求項１あるいは８に記載の多孔質体を利用したフィルター。
【請求項２４】 請求項１あるいは８に記載の多孔質体を利用したマスク材。
[Claims]
1. A porous body comprising a plurality of columnar holes and a region surrounding the columnar holes, the region being an amorphous region including C, Si, Ge, or a combination thereof. A porous body characterized by the following.
2. The porous body according to claim 1, wherein the columnar holes are not branched .
3. The porous body according to claim 1, wherein the average distance between the centers of the plurality of holes is 30 nm or less.
4. The porous body according to claim 1, wherein an average diameter of the columnar holes is 20 nm or less.
5. The porous body according to claim 1, wherein the plurality of holes have the same depth direction.
6. The porous body according to claim 1, wherein the region contains aluminum.
7. The porous body according to claim 1, wherein the porous body is formed on a substrate, and a depth direction of the columnar holes is perpendicular to the substrate. .
8. A porous body obtained by removing the first material from a structure including a first material and a second material, wherein the structure is formed of the first material. Has a structure surrounded by an amorphous region including and configured of the second material, and the structure includes the first material and the first material. A porous body characterized in that it is contained in a proportion of 20 atomic% or more and 70 atomic% or less with respect to the total amount of the material and the second material.
9. The porous body according to claim 8, wherein said first material is aluminum.
10. The porous body according to claim 8, wherein the second material includes Si, Ge, SiGe, C, or a combination thereof.
11. The porous body according to claim 8, wherein the average distance between the centers of the plurality of holes is 30 nm or less.
12. The porous body according to claim 8, wherein the diameter of the columnar holes is 20 nm or less.
13. A structure including and configured to include a first material and a second material, wherein a columnar member including and configured to include the first material includes and configured to include the second material. A method for producing a porous body, comprising: a step of preparing a structure surrounded by a region; and a step of removing the columnar member from the structure.
14. The structure according to claim 13, wherein the structure contains the second material in a ratio of 20 atomic% to 70 atomic% with respect to the total amount of the first material and the second material. A method for producing a porous body.
15. The method according to claim 14, wherein the first material includes aluminum.
16. The method according to claim 14, wherein the second material includes C, Si, Ge, SiGe, or a combination thereof.
17. The method for manufacturing a porous body according to claim 13, wherein the structure is formed using a film forming method for forming a film in a non-equilibrium state.
18. The method for producing a porous body according to claim 13, wherein the removing step is wet etching using an acid or an alkali.
19. The method for producing a porous body according to claim 13, further comprising, after the removing step, a step of increasing the diameter of the pores formed by the removing step.
20. The production of a porous body according to claim 13, wherein the diameter of the columnar member is 20 nm or less, and the average center-to-center distance between the plurality of columnar members is 30 nm or less. Method.
21. A structure comprising aluminum and silicon, comprising a columnar member composed of aluminum and a silicon region surrounding the columnar member, and comprising a total amount of aluminum and silicon. Preparing a structure containing silicon in an amount of 20 atomic% or more and 70 atomic% or less, and a step of removing the columnar member from the structure.
22. The method according to claim 21, wherein the silicon region contains germanium.
23. A filter using the porous body according to claim 1.
24. A mask material using the porous body according to claim 1.
前記柱状の孔は、分岐していないことが好ましい。
前記複数の孔同士の平均中心間距離が３０ｎｍ以下であったり、前記柱状の孔の径が２０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、前記複数の孔の深さ方向が同一であることが好ましい。
The columnar holes are preferably not branched .
It is preferable that the average center-to-center distance between the plurality of holes is 30 nm or less, and the diameter of the columnar holes is 20 nm or less.
Preferably, the plurality of holes have the same depth direction.
なお、前記領域には、アルミニウムが含まれていてもよい。
なお、前記多孔質体が基板上に形成されている場合には、前記柱状の孔の深さ方向が、該基板に対して垂直である多孔質体が得られる。
Note that the region may contain aluminum.
When the porous body is formed on a substrate, a porous body in which the depth direction of the columnar holes is perpendicular to the substrate is obtained.