JP2004235370A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】半田接合パッドとこれに接合される半田との間で剥離が発生し、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続することができない。
【解決手段】絶縁基体1上に形成した銅から成る半田接合パッド2a・2bの表面に金めっき層9を直接被着させて成る配線基板であって、半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとした。
【選択図】 図2
【解決手段】絶縁基体1上に形成した銅から成る半田接合パッド2a・2bの表面に金めっき層9を直接被着させて成る配線基板であって、半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとした。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層を複数層積層して成る絶縁基体の内部および表面に、銅箔や銅めっき膜等の銅から成る配線導体を設けて成る。この配線基板においては、絶縁基体表面の配線導体の一部が半導体素子等の電子部品の電極を半田を介して接続するための電子部品接続用の半田接合パッドや、外部電気回路基板に半田を介して接続される外部接続用の半田接合パッドを形成している。
【0003】
そして、この配線基板は、電子部品接続用の半田接合パッドに電子部品の電極を半田を介して接合して電子部品を搭載することにより電子装置となり、また、この電子装置は、外部接続用の半田接合パッドを外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接合することにより外部電気回路基板に実装される。
【0004】
なお、このような配線基板においては、半田接合パッドが酸化腐食するのを防止するとともに半田接合パッドと半田との接合を良好とするために、半田接合パッドの露出表面に厚みが0.01〜0.8μm程度の金めっき層が被着されている。そして、この金めっき層は半田接合パッドと半田との接合時に半田中に拡散吸収されて消滅してしまう。また、半田接合パッドとこれに接合された半田との間には、半田が錫を含有することから銅−錫合金層が形成される。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−220676号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の配線基板によると、これに半導体素子等の電子部品を半田を介して搭載して電子装置となした後、これを外部電気回路基板に半田を介して実装して半導体素子等の電子部品を長期間にわたり作動させると、半導体素子等の電子部品が作動時に発生する熱等に起因する熱応力が半田と半田接合パッドとの間に繰返し印加されることにより、半田接合パッドと半田との間で剥離が生じやすく、そのため、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続することができないという問題点を有していた。
【0007】
そこで、本発明者は、鋭意研究の結果、従来の半田接合パッドはその表面粗さが算術平均粗さで0.3μm程度であり、この半田接合パッドの表面粗さを制御することにより半田接合パッドと半田との接合強度を大きくすることが可能であるということを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、半田接合パッドとこれに接合された半田との間で剥離が発生することがなく、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続することが可能な配線基板および電子装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、内部に配線導体を有する絶縁基体上に、前記配線導体に電気的に接続し、かつ前記絶縁基体に搭載される電子部品の電極と錫を含有する半田を介して電気的に接続される、銅から成る半田接合パッドを設けるとともに、この半田接合パッドの表面に金めっき層を被着させて成る配線基板であって、前記半田接合パッドは、その表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることを特徴とするものである。
【0010】
本発明の配線基板によれば、半田接合パッドの表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとしたことから、半田接合パッドに錫を含有する半田を接合すると、半田接合パッドと半田との間に銅−錫合金層が隙間なく生成され、外部電気回路基板に実装して電子部品を長期間にわたり作動させたとしても、銅から成る半田接合パッドと半田とが半田接合パッド上に隙間なく形成された銅−錫合金層を介して強固に接合され、半田接合パッドと半田との間に剥離が発生するようなことはない。
【0011】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明を添付の図面に基づき詳細に説明する。図1は、本発明を半導体素子を搭載するための配線基板に適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図であり、1は絶縁基体、2は配線導体である。主としてこれらの絶縁基体1と配線導体2とで本発明の配線基板が構成されている。
【0012】
絶縁基体1は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の芯体1aの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bをそれぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にかけては銅箔から成る複数の配線導体2が形成されている。
【0013】
絶縁基体1を構成する芯体1aは、厚みが0.3〜1.5mm程度であり、その上面から下面にかけて直径が0.2〜1.0mm程度の複数の貫通孔4を有している。そして、その上下面および各貫通孔4の内面には配線導体2の一部が被着されており、上下面の配線導体2が貫通孔4を介して電気的に接続されている。
【0014】
このような芯体1aは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。なお、芯体1a上下面の配線導体2は、芯体1a用のシートの上下全面に厚みが5〜50μm程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、貫通孔4内面の配線導体2は、芯体1aに貫通孔4を設けた後に、この貫通孔4内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが5〜50μm程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
【0015】
さらに、芯体1aは、その貫通孔4の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱5が充填されている。樹脂柱5は、貫通孔4を塞ぐことにより貫通孔4の直上および直下に絶縁層1bを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔4内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そして、この樹脂柱5を含む芯体1aの上下面に絶縁層1bが積層されている。
【0016】
芯体1aの上下面に積層された絶縁層1bは、それぞれの厚みが20〜50μm程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が30〜100μm程度の複数の貫通孔6を有している。これらの絶縁層1bは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものであり、絶縁層1bにはその表面および貫通孔6内に配線導体2の一部が被着されている。そして、上層の配線導体2と下層の配線導体2とを貫通孔6を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。このような絶縁層1bは、厚みが20〜50μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂のフィルムを芯体1a上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工により貫通孔6を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層1bを順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層1b表面および貫通孔6内に被着された配線導体2は、各絶縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面および貫通孔6内に5〜50μm程度の厚みの銅膜を公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【0017】
さらに、最表層の絶縁層1b上にはソルダーレジスト層10が被着されている。ソルダーレジスト層10は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを30〜70質量%程度分散させた絶縁材料から成り、表層の配線導体2同士の電気的絶縁信頼性を高めるとともに、後述する半田接合パッド2a・2bの絶縁基板1への接合強度を大きなものとする作用をなす。
【0018】
このようなソルダーレジスト層10は、その厚みが10〜50μm程度であり、感光性を有するソルダーレジスト層10用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して最表層の絶縁層1b上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって半田接合パッド2a・2bの中央部を露出させる開口部を形成した後、これを熱硬化させることによって形成される。あるいは、ソルダーレジスト層10用の未硬化の樹脂フィルムを最上層の絶縁層1b上に貼着した後、これを熱硬化させ、しかる後、半田接合パッド2a・2bに対応する位置にレーザビームを照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去することによって田接合パッド2a・2bを露出させる開口部を有するように形成される。
【0019】
絶縁基体1の上面から下面にかけて形成された配線導体2は、半導体素子3の各電極を外部電気回路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基体1の上面に露出している部位が半導体素子3の各電極に半田7を介して接続される電子部品接続用の半田接合パッド2aを、絶縁基体1の下面に露出した部位が外部電気回路基板に半田8を介して接続される外部接続用の半田接合パッド2bを形成している。
【0020】
そして、この配線基板においては、電子部品接続用の半田接合パッド2aに半導体素子3の各電極を半田7を介して接続して半導体素子3を搭載することによって電子装置となり、この電子装置における外部接続用の半田接合パッド2bを外部電気回路基板の配線導体に半田8を介して接続することにより電子装置が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【0021】
なお、電子部品接続用の半田接合パッド2aおよび外部接続用の半田接合パッド2bの表面は、その算術平均粗さが0.05〜0.25μmの範囲となるようにソフトエッチング処理されており、その表面には図2に要部拡大断面図で示すように、厚みが0.01〜0.8μm程度の金めっき層9が直接被着されている。
【0022】
半田接合パッド2a・2bの表面に直接被着された金めっき層9は、半田接合パッド2a、2bが酸化腐食するのを防止するとともに半田接合パッド2a・2bと半田7・8との濡れ性を良好なものとする作用をなし、半田接合パッド2a・2b上に半田7・8を接合させると、半田7・8中に拡散吸収されて消滅してしまうとともに半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間には銅−錫合金層が形成される。
【0023】
このような金めっき層9は、半田接合パッド2a・2bが形成された配線基板を例えばシアン化金カリウム5.0g/l,クエン酸カリウム50.0g/l,エチレンジアミンテトラアセティクアシッド5.0g/lから成る温度が50〜90℃の無電解金めっき液中に2〜10分間浸漬することによって半田接合パッド2a・2bの表面に被着され、その後、この配線基板を純水で洗浄した後、乾燥させると本発明の配線基板が完成する。
【0024】
なお、無電解金めっきの前処理として、通常、銅に対する無電解めっき方法において採用される各種の処理、例えば、脱脂処理、ソフトエッチング、酸洗浄処理が行なわれる。
【0025】
脱脂方法については、特に限定はないが、例えば、酸性の脱脂液に浸漬する方法等を例示できる。また、ソフトエッチングについては、例えば、過硫酸ソーダ、過硫酸−硫酸混合液、過酸化水素水−硫酸混合液等に浸漬する方法等を例示でき
る。酸洗浄処理についても、特に限定はなく、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸水溶液に浸漬する方法を例示できる。
【0026】
なお、半田接合パッド2a・2bに被着される金めっき層9の厚みが0.01μm未満であると、半田接合パッド2a・2bを良好に被覆することができずに、半田接合パッド2a・2bの表面に酸化をきたして半田接合パッド2a・2bと半田7・8との接合が弱いものとなる傾向にあり、他方0.8μmを超えると、半田7・8中に金が多量に溶け込んでしまい、半田7・8が脆性化し、外部電気回路基板に実装して半導体素子3を長期間にわたり作動させた際、半導体素子3が作動時に発生する熱等による応力によって半田7・8に破断が発生する。従って、半田接合パッド2a・2bに被着される金めっき層9の厚みは0.01〜0.8μmの範囲が好ましい。
【0027】
そして本発明の配線基板においては、半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることが重要である。このように半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることから、この算術平均粗さが0.05〜0.25μmの半田接合パッド2a・2bの表面に半田7・8を接合させると、半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に厚みが0.5〜5μm程度の銅−錫合金層が隙間なく形成され、そのように隙間なく形成された銅−錫合金層を介して半田接合パッド2a・2bと半田7・8とが強固に接合され、半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に剥離が発生することがなく、搭載する半導体素子3を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続することができる。
【0028】
なお、半田接合パッド2a・2bの表面の算術平均粗さが、0.05μm未満であると凹凸が少なく、半田接合パッド2a・2bに半田7・8を接合させた際に半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に形成される銅−錫合金層と半田7・8との微細な噛合いがないために、半田7・8と銅−錫合金層との間で剥離が発生する場合があり、他方、0.25μmを超えると、半田接合パッド2a・2bの表面に金めっき層9を被着させた際に、金めっき層9が良好に被着されずに、金めっき層9にピンホールが発生して、半田接合パッド2a・2bに半田7・8を接合させた後、半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に応力が印加されると、半田7・8と銅−錫合金層との間で剥離が発生する。また、ピンホールから銅が拡散するために早期に変色を起こすことがある。したがって、半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さは0.05〜0.25μmの範囲に特定される。
【0029】
このように電子部品接続用の半田接合パッド2aおよび外部接続用の半田接合パッド2bの表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとするには、例えば、ソフトエッチング処理液、時間を適宜調整すればよい。ソフトエッチング処理液の純水に対する濃度を高くおよび時間を長くすれば粗さが小さくなる。逆に処理濃度を低く、処理時間が短いと粗さは大きいままである。
【0030】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態の一例では、絶縁基体1はガラス織物に熱硬化性樹脂を含浸させた材料および熱硬化性樹脂から形成されていたが、絶縁基体1は、セラミックス材料等の他の絶縁材料から形成されていてもよい。
【0031】
【実施例】
評価用基板としてガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させて成る一辺が50mmで厚みが1.1mmの正方形状の芯体上にエポキシ樹脂から成る厚みが35μmの絶縁層を2層ずつ積層するとともに、最上層の絶縁層上に厚みが18μmの銅めっき層から成る直径が0.75mmの略円形の試験パッドを格子状の配列に1.0mmのピッチで2401個ずつ形成し、その上にアクリル変性エポキシ樹脂から成り試験パッド上の厚みが20μmのソルダーレジスト層を、試験パッドと同心円状の直径が0.55mmの開口を有するように被着させた評価用基板を準備した。
【0032】
次に、この評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を酸性の脱脂処理(例えば、上村工業株式会社のACL009)を温度55℃で5分行なった後、15%の過硫酸ソーダ水溶液から成るソフトエッチング液で8分程度ソフトエッチング処理し、さらに5重量%の硫酸溶液で常温で1分、酸洗浄処理することにより、その算術平均粗さが0.05μmとなるように処理した後、無電解金めっき法により厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上にRMA系のフラックスを塗布後、鉛−錫共晶合金から成る体積が0.28mm3の半田ボールを搭載し、それを150℃〜170℃の温度で120秒間保持して予備加熱した後、ピーク温度220℃で183℃以上の溶融時間が120秒間、窒素ガス雰囲気中でリフローさせることにより溶融させて半田バンプを形成することにより本発明による第一の評価用試料を得た。
【0033】
また、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂を行なった後、上述の場合と同様のソフトエッチング液で5分程度ソフトエッチング処理し、さらに上述の場合と同様にして酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.15μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより本発明による第二の評価用試料を得た。
【0034】
また、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂を行なった後、上述の場合と同様のソフトエッチングで2分程度処理し、さらに酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.25μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより本発明による第三の評価用試料を得た。
【0035】
また、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂をおこなった後、上述の場合と同様のソフトエッチング液で10分程度ソフトエッチング処理し、さらに上述の場合と同様にして酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.04μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより比較のための第四の評価用試料を得た。
【0036】
さらに、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂をおこなった後、上述の場合と同様のソフトエッチング液で1分程度ソフトエッチング処理し、さらに上述の場合と同様にして酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.26μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより比較のための第五の評価用試料を得た。
【0037】
なお、各評価試料における試験パッド表面の算術平均粗さは原子間力顕微鏡(AFM DI D3000)装置のタッピングモードにて、探針としてSiプローブを用い、視野100×100μmを高さ3μmより、試験パッド表面の面平均粗さを各評価用試料について10パッドずつの平均を測定することにより確認した。
【0038】
かくして得られた各評価用試料における半田ボール20個ずつについて、ボールシェア装置にて、ツール高さ50μm、ツール速度100μm/secの条件でボールシェアを行い、シェア強度の最低値と破断の状態を観察した。その結果を表1に示す。尚、表1において本発明による第一の評価用試料は試料番号2、本発明による第二の評価用試料は試料番号3、本発明による第三の評価用試料は試料番号4、比較のための第四の評価用試料は試料番号1、比較のための第五の評価用試料は試料番号5である。
【0039】
【表1】
【0040】
表1に示すように、本発明による評価用試料(試料番号2、3、4)では、ボールシェア強度が53N/mm2以上であるとともに、全ての試験パッドにおいて、半田バンプ中で剥離が発生しており、試験用パッドと半田バンプとは極めて強固に接合していることが確認できた。他方、比較のための評価用試料(試料番号1、5)では、ボールシェア強度がいずれも46N/mm2以下であるとともに、殆どの試験パッドにおいて試験パッドと銅−錫合金との界面で剥離が発生しており、試験パッドと半田との接合強度が弱いことが確認できた。
【0041】
かくして、本発明の配線基板によれば、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続することができる。
【0042】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、半田接合パッドの表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとしたことから、半田接合パッドに半田を接合すると、半田接合パッドと半田との間に銅−錫合金層が隙間なく生成され、外部電気回路基板に実装して電子部品を長期間にわたり作動させたとしても、銅から成る半田接合パッドと半田とが半田接合パッド上に隙間なく形成された銅−錫合金層を介して強固に接合され、半田接合パッドと半田との間に剥離が発生するようなことはない。したがって、搭載する電子部品を長期間にわたり正常に接続することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基体
2・・・・・配線導体
2a,2b・・・・半田接合パッド
3・・・・・電子部品としての半導体素子
7,8・・・半田
9・・・・・金めっき層
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層を複数層積層して成る絶縁基体の内部および表面に、銅箔や銅めっき膜等の銅から成る配線導体を設けて成る。この配線基板においては、絶縁基体表面の配線導体の一部が半導体素子等の電子部品の電極を半田を介して接続するための電子部品接続用の半田接合パッドや、外部電気回路基板に半田を介して接続される外部接続用の半田接合パッドを形成している。
【0003】
そして、この配線基板は、電子部品接続用の半田接合パッドに電子部品の電極を半田を介して接合して電子部品を搭載することにより電子装置となり、また、この電子装置は、外部接続用の半田接合パッドを外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接合することにより外部電気回路基板に実装される。
【0004】
なお、このような配線基板においては、半田接合パッドが酸化腐食するのを防止するとともに半田接合パッドと半田との接合を良好とするために、半田接合パッドの露出表面に厚みが0.01〜0.8μm程度の金めっき層が被着されている。そして、この金めっき層は半田接合パッドと半田との接合時に半田中に拡散吸収されて消滅してしまう。また、半田接合パッドとこれに接合された半田との間には、半田が錫を含有することから銅−錫合金層が形成される。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−220676号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の配線基板によると、これに半導体素子等の電子部品を半田を介して搭載して電子装置となした後、これを外部電気回路基板に半田を介して実装して半導体素子等の電子部品を長期間にわたり作動させると、半導体素子等の電子部品が作動時に発生する熱等に起因する熱応力が半田と半田接合パッドとの間に繰返し印加されることにより、半田接合パッドと半田との間で剥離が生じやすく、そのため、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続することができないという問題点を有していた。
【0007】
そこで、本発明者は、鋭意研究の結果、従来の半田接合パッドはその表面粗さが算術平均粗さで0.3μm程度であり、この半田接合パッドの表面粗さを制御することにより半田接合パッドと半田との接合強度を大きくすることが可能であるということを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、半田接合パッドとこれに接合された半田との間で剥離が発生することがなく、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続することが可能な配線基板および電子装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、内部に配線導体を有する絶縁基体上に、前記配線導体に電気的に接続し、かつ前記絶縁基体に搭載される電子部品の電極と錫を含有する半田を介して電気的に接続される、銅から成る半田接合パッドを設けるとともに、この半田接合パッドの表面に金めっき層を被着させて成る配線基板であって、前記半田接合パッドは、その表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることを特徴とするものである。
【0010】
本発明の配線基板によれば、半田接合パッドの表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとしたことから、半田接合パッドに錫を含有する半田を接合すると、半田接合パッドと半田との間に銅−錫合金層が隙間なく生成され、外部電気回路基板に実装して電子部品を長期間にわたり作動させたとしても、銅から成る半田接合パッドと半田とが半田接合パッド上に隙間なく形成された銅−錫合金層を介して強固に接合され、半田接合パッドと半田との間に剥離が発生するようなことはない。
【0011】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明を添付の図面に基づき詳細に説明する。図1は、本発明を半導体素子を搭載するための配線基板に適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図であり、1は絶縁基体、2は配線導体である。主としてこれらの絶縁基体1と配線導体2とで本発明の配線基板が構成されている。
【0012】
絶縁基体1は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の芯体1aの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bをそれぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にかけては銅箔から成る複数の配線導体2が形成されている。
【0013】
絶縁基体1を構成する芯体1aは、厚みが0.3〜1.5mm程度であり、その上面から下面にかけて直径が0.2〜1.0mm程度の複数の貫通孔4を有している。そして、その上下面および各貫通孔4の内面には配線導体2の一部が被着されており、上下面の配線導体2が貫通孔4を介して電気的に接続されている。
【0014】
このような芯体1aは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。なお、芯体1a上下面の配線導体2は、芯体1a用のシートの上下全面に厚みが5〜50μm程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、貫通孔4内面の配線導体2は、芯体1aに貫通孔4を設けた後に、この貫通孔4内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが5〜50μm程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
【0015】
さらに、芯体1aは、その貫通孔4の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱5が充填されている。樹脂柱5は、貫通孔4を塞ぐことにより貫通孔4の直上および直下に絶縁層1bを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔4内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そして、この樹脂柱5を含む芯体1aの上下面に絶縁層1bが積層されている。
【0016】
芯体1aの上下面に積層された絶縁層1bは、それぞれの厚みが20〜50μm程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が30〜100μm程度の複数の貫通孔6を有している。これらの絶縁層1bは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものであり、絶縁層1bにはその表面および貫通孔6内に配線導体2の一部が被着されている。そして、上層の配線導体2と下層の配線導体2とを貫通孔6を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。このような絶縁層1bは、厚みが20〜50μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂のフィルムを芯体1a上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工により貫通孔6を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層1bを順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層1b表面および貫通孔6内に被着された配線導体2は、各絶縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面および貫通孔6内に5〜50μm程度の厚みの銅膜を公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【0017】
さらに、最表層の絶縁層1b上にはソルダーレジスト層10が被着されている。ソルダーレジスト層10は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを30〜70質量%程度分散させた絶縁材料から成り、表層の配線導体2同士の電気的絶縁信頼性を高めるとともに、後述する半田接合パッド2a・2bの絶縁基板1への接合強度を大きなものとする作用をなす。
【0018】
このようなソルダーレジスト層10は、その厚みが10〜50μm程度であり、感光性を有するソルダーレジスト層10用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して最表層の絶縁層1b上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって半田接合パッド2a・2bの中央部を露出させる開口部を形成した後、これを熱硬化させることによって形成される。あるいは、ソルダーレジスト層10用の未硬化の樹脂フィルムを最上層の絶縁層1b上に貼着した後、これを熱硬化させ、しかる後、半田接合パッド2a・2bに対応する位置にレーザビームを照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去することによって田接合パッド2a・2bを露出させる開口部を有するように形成される。
【0019】
絶縁基体1の上面から下面にかけて形成された配線導体2は、半導体素子3の各電極を外部電気回路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基体1の上面に露出している部位が半導体素子3の各電極に半田7を介して接続される電子部品接続用の半田接合パッド2aを、絶縁基体1の下面に露出した部位が外部電気回路基板に半田8を介して接続される外部接続用の半田接合パッド2bを形成している。
【0020】
そして、この配線基板においては、電子部品接続用の半田接合パッド2aに半導体素子3の各電極を半田7を介して接続して半導体素子3を搭載することによって電子装置となり、この電子装置における外部接続用の半田接合パッド2bを外部電気回路基板の配線導体に半田8を介して接続することにより電子装置が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【0021】
なお、電子部品接続用の半田接合パッド2aおよび外部接続用の半田接合パッド2bの表面は、その算術平均粗さが0.05〜0.25μmの範囲となるようにソフトエッチング処理されており、その表面には図2に要部拡大断面図で示すように、厚みが0.01〜0.8μm程度の金めっき層9が直接被着されている。
【0022】
半田接合パッド2a・2bの表面に直接被着された金めっき層9は、半田接合パッド2a、2bが酸化腐食するのを防止するとともに半田接合パッド2a・2bと半田7・8との濡れ性を良好なものとする作用をなし、半田接合パッド2a・2b上に半田7・8を接合させると、半田7・8中に拡散吸収されて消滅してしまうとともに半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間には銅−錫合金層が形成される。
【0023】
このような金めっき層9は、半田接合パッド2a・2bが形成された配線基板を例えばシアン化金カリウム5.0g/l,クエン酸カリウム50.0g/l,エチレンジアミンテトラアセティクアシッド5.0g/lから成る温度が50〜90℃の無電解金めっき液中に2〜10分間浸漬することによって半田接合パッド2a・2bの表面に被着され、その後、この配線基板を純水で洗浄した後、乾燥させると本発明の配線基板が完成する。
【0024】
なお、無電解金めっきの前処理として、通常、銅に対する無電解めっき方法において採用される各種の処理、例えば、脱脂処理、ソフトエッチング、酸洗浄処理が行なわれる。
【0025】
脱脂方法については、特に限定はないが、例えば、酸性の脱脂液に浸漬する方法等を例示できる。また、ソフトエッチングについては、例えば、過硫酸ソーダ、過硫酸−硫酸混合液、過酸化水素水−硫酸混合液等に浸漬する方法等を例示でき
る。酸洗浄処理についても、特に限定はなく、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸水溶液に浸漬する方法を例示できる。
【0026】
なお、半田接合パッド2a・2bに被着される金めっき層9の厚みが0.01μm未満であると、半田接合パッド2a・2bを良好に被覆することができずに、半田接合パッド2a・2bの表面に酸化をきたして半田接合パッド2a・2bと半田7・8との接合が弱いものとなる傾向にあり、他方0.8μmを超えると、半田7・8中に金が多量に溶け込んでしまい、半田7・8が脆性化し、外部電気回路基板に実装して半導体素子3を長期間にわたり作動させた際、半導体素子3が作動時に発生する熱等による応力によって半田7・8に破断が発生する。従って、半田接合パッド2a・2bに被着される金めっき層9の厚みは0.01〜0.8μmの範囲が好ましい。
【0027】
そして本発明の配線基板においては、半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることが重要である。このように半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることから、この算術平均粗さが0.05〜0.25μmの半田接合パッド2a・2bの表面に半田7・8を接合させると、半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に厚みが0.5〜5μm程度の銅−錫合金層が隙間なく形成され、そのように隙間なく形成された銅−錫合金層を介して半田接合パッド2a・2bと半田7・8とが強固に接合され、半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に剥離が発生することがなく、搭載する半導体素子3を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続することができる。
【0028】
なお、半田接合パッド2a・2bの表面の算術平均粗さが、0.05μm未満であると凹凸が少なく、半田接合パッド2a・2bに半田7・8を接合させた際に半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に形成される銅−錫合金層と半田7・8との微細な噛合いがないために、半田7・8と銅−錫合金層との間で剥離が発生する場合があり、他方、0.25μmを超えると、半田接合パッド2a・2bの表面に金めっき層9を被着させた際に、金めっき層9が良好に被着されずに、金めっき層9にピンホールが発生して、半田接合パッド2a・2bに半田7・8を接合させた後、半田接合パッド2a・2bと半田7・8との間に応力が印加されると、半田7・8と銅−錫合金層との間で剥離が発生する。また、ピンホールから銅が拡散するために早期に変色を起こすことがある。したがって、半田接合パッド2a・2b表面の算術平均粗さは0.05〜0.25μmの範囲に特定される。
【0029】
このように電子部品接続用の半田接合パッド2aおよび外部接続用の半田接合パッド2bの表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとするには、例えば、ソフトエッチング処理液、時間を適宜調整すればよい。ソフトエッチング処理液の純水に対する濃度を高くおよび時間を長くすれば粗さが小さくなる。逆に処理濃度を低く、処理時間が短いと粗さは大きいままである。
【0030】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態の一例では、絶縁基体1はガラス織物に熱硬化性樹脂を含浸させた材料および熱硬化性樹脂から形成されていたが、絶縁基体1は、セラミックス材料等の他の絶縁材料から形成されていてもよい。
【0031】
【実施例】
評価用基板としてガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させて成る一辺が50mmで厚みが1.1mmの正方形状の芯体上にエポキシ樹脂から成る厚みが35μmの絶縁層を2層ずつ積層するとともに、最上層の絶縁層上に厚みが18μmの銅めっき層から成る直径が0.75mmの略円形の試験パッドを格子状の配列に1.0mmのピッチで2401個ずつ形成し、その上にアクリル変性エポキシ樹脂から成り試験パッド上の厚みが20μmのソルダーレジスト層を、試験パッドと同心円状の直径が0.55mmの開口を有するように被着させた評価用基板を準備した。
【0032】
次に、この評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を酸性の脱脂処理(例えば、上村工業株式会社のACL009)を温度55℃で5分行なった後、15%の過硫酸ソーダ水溶液から成るソフトエッチング液で8分程度ソフトエッチング処理し、さらに5重量%の硫酸溶液で常温で1分、酸洗浄処理することにより、その算術平均粗さが0.05μmとなるように処理した後、無電解金めっき法により厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上にRMA系のフラックスを塗布後、鉛−錫共晶合金から成る体積が0.28mm3の半田ボールを搭載し、それを150℃〜170℃の温度で120秒間保持して予備加熱した後、ピーク温度220℃で183℃以上の溶融時間が120秒間、窒素ガス雰囲気中でリフローさせることにより溶融させて半田バンプを形成することにより本発明による第一の評価用試料を得た。
【0033】
また、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂を行なった後、上述の場合と同様のソフトエッチング液で5分程度ソフトエッチング処理し、さらに上述の場合と同様にして酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.15μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより本発明による第二の評価用試料を得た。
【0034】
また、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂を行なった後、上述の場合と同様のソフトエッチングで2分程度処理し、さらに酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.25μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより本発明による第三の評価用試料を得た。
【0035】
また、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂をおこなった後、上述の場合と同様のソフトエッチング液で10分程度ソフトエッチング処理し、さらに上述の場合と同様にして酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.04μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより比較のための第四の評価用試料を得た。
【0036】
さらに、上述と同様の評価用基板のソルダーレジスト層の開口から露出した試験パッドの表面を上述の場合と同様にして酸性脱脂をおこなった後、上述の場合と同様のソフトエッチング液で1分程度ソフトエッチング処理し、さらに上述の場合と同様にして酸洗浄処理してその算術平均粗さが0.26μmとなるように処理した後、上述の場合と同様にして厚みが0.05μmの金めっき層を被着させるとともに、その試験パッド上に、上述の場合と同様にして鉛−錫共晶合金から成る半田バンプを形成することにより比較のための第五の評価用試料を得た。
【0037】
なお、各評価試料における試験パッド表面の算術平均粗さは原子間力顕微鏡(AFM DI D3000)装置のタッピングモードにて、探針としてSiプローブを用い、視野100×100μmを高さ3μmより、試験パッド表面の面平均粗さを各評価用試料について10パッドずつの平均を測定することにより確認した。
【0038】
かくして得られた各評価用試料における半田ボール20個ずつについて、ボールシェア装置にて、ツール高さ50μm、ツール速度100μm/secの条件でボールシェアを行い、シェア強度の最低値と破断の状態を観察した。その結果を表1に示す。尚、表1において本発明による第一の評価用試料は試料番号2、本発明による第二の評価用試料は試料番号3、本発明による第三の評価用試料は試料番号4、比較のための第四の評価用試料は試料番号1、比較のための第五の評価用試料は試料番号5である。
【0039】
【表1】
【0040】
表1に示すように、本発明による評価用試料(試料番号2、3、4)では、ボールシェア強度が53N/mm2以上であるとともに、全ての試験パッドにおいて、半田バンプ中で剥離が発生しており、試験用パッドと半田バンプとは極めて強固に接合していることが確認できた。他方、比較のための評価用試料(試料番号1、5)では、ボールシェア強度がいずれも46N/mm2以下であるとともに、殆どの試験パッドにおいて試験パッドと銅−錫合金との界面で剥離が発生しており、試験パッドと半田との接合強度が弱いことが確認できた。
【0041】
かくして、本発明の配線基板によれば、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続することができる。
【0042】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、半田接合パッドの表面の算術平均粗さを0.05〜0.25μmとしたことから、半田接合パッドに半田を接合すると、半田接合パッドと半田との間に銅−錫合金層が隙間なく生成され、外部電気回路基板に実装して電子部品を長期間にわたり作動させたとしても、銅から成る半田接合パッドと半田とが半田接合パッド上に隙間なく形成された銅−錫合金層を介して強固に接合され、半田接合パッドと半田との間に剥離が発生するようなことはない。したがって、搭載する電子部品を長期間にわたり正常に接続することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基体
2・・・・・配線導体
2a,2b・・・・半田接合パッド
3・・・・・電子部品としての半導体素子
7,8・・・半田
9・・・・・金めっき層
Claims (1)
- 内部に配線導体を有する絶縁基体上に、前記配線導体に電気的に接続し、かつ前記絶縁基体に搭載される電子部品の電極と錫を含有する半田を介して電気的に接続される、銅から成る半田接合パッドを設けるとともに、該半田接合パッドの表面に金めっき層を被着させて成る配線基板であって、前記半田接合パッドは、その表面の算術平均粗さが0.05〜0.25μmであることを特徴とする配線基板。
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Cited By (1)
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CN117279218A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-12-22 | 江苏皓越真空设备有限公司 | 一种多层覆铜陶瓷基板的制备方法 |
-
2003
- 2003-01-29 JP JP2003021180A patent/JP2004235370A/ja active Pending
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CN117279218A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-12-22 | 江苏皓越真空设备有限公司 | 一种多层覆铜陶瓷基板的制备方法 |
CN117279218B (zh) * | 2023-10-16 | 2024-05-24 | 江苏皓越真空设备有限公司 | 一种多层覆铜陶瓷基板的制备方法 |
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