JP2004227870A - El表示装置 - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 253
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】EL素子が光を発光する際において消費電力のロスが発生しないEL表示装置を提供する。
【解決手段】EL表示装置は、絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、前記絶縁基板の前記EL素子側の表面の一部に形成されたシャドーマスク膜と、前記EL素子を駆動するために前記シャドーマスク膜の上に形成された薄膜トランジスタと、前記EL素子を前記電極から絶縁するために、前記シャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように前記電極と前記EL素子との間に形成された絶縁膜とを具備することを特徴とする。
【選択図】 図3
【解決手段】EL表示装置は、絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、前記絶縁基板の前記EL素子側の表面の一部に形成されたシャドーマスク膜と、前記EL素子を駆動するために前記シャドーマスク膜の上に形成された薄膜トランジスタと、前記EL素子を前記電極から絶縁するために、前記シャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように前記電極と前記EL素子との間に形成された絶縁膜とを具備することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL素子を発光させるための電流をEL素子に供給するための電極とEL素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備えたEL表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子を発光させるための電流をEL素子に供給するための電極とEL素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備えた従来のEL表示装置を説明する。図9は従来のEL表示装置90の等価回路の構成を示す回路図である。EL表示装置90は、絶縁基板15を備えている。絶縁基板15は、例えばガラス基板によって構成されている。絶縁基板15の上には、マトリックス状に配置された略長方体形状をした複数の単位画素99が形成されている。
【0003】
図10はEL表示装置90に形成された単位画素99の構成を示す平面図であり、図11は単位画素99の構成を示すための図10に示す断面XX‘に沿った断面図である。各単位画素99は、絶縁基板15の上に形成されたアンダーコート膜23を有している。アンダーコート膜23の上の一部には、チャネル領域28が形成されている。チャネル領域28は、例えばp−Siによって構成されている。チャネル領域28の両脇にはソース領域27およびドレイン領域29が形成されている。ソース領域27およびドレイン領域29は、例えばp−Siによって構成されている。
【0004】
アンダーコート膜23の上には、ゲート絶縁膜24がチャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、チャネル領域28に対向するようにゲート電極14が形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、層間絶縁膜25がゲート電極14を覆うように形成されている。
【0005】
層間絶縁膜25およびゲート絶縁膜24には、コンタクトホール30がソース領域27に到達するように形成されており、コンタクトホール31がドレイン領域29に到達するように形成されている。層間絶縁膜25には、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12が形成されており、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13が形成されている。ソース電極12とドレイン電極13とゲート電極14とチャネル領域28とソース領域27とドレイン領域29とによって薄膜トランジスタ11が構成されている。
【0006】
層間絶縁膜25の上には、ソースバスライン21と電流供給バスライン17と蓄積容量20とが形成されている。ソースバスライン21は、薄膜トランジスタ40に設けられたソース電極に接続されている。蓄積容量20は、薄膜トランジスタ40に設けられたドレイン電極と電流供給バスライン17とに接続されている。薄膜トランジスタ40に設けられたゲート電極は、ゲートバスライン18に接続されている。
【0007】
層間絶縁膜25の上には、平坦化膜26がソース電極12とドレイン電極13とソースバスライン21とを覆うように形成されている。平坦化膜26は、ドレイン電極13に到達するように形成された開口33を有している。
【0008】
平坦化膜26の上には、画素電極6が開口33の底部においてドレイン電極と接続するように形成されている。画素電極6は、例えばITOによって構成されている。画素電極6の回りには、画素電極6の周縁を覆うように絶縁性保護膜35が形成されている。
【0009】
画素電極6および絶縁性保護膜35の画素電極6側の上には、EL素子95が画素電極6を覆うように形成されている。EL素子95は、例えばETL/EML/HTLによって構成されている。EL素子95の上には、陰極22がEL素子95を覆うように形成されている。
【0010】
このように構成されたEL表示装置90においては、EL素子95を発光させるための電流が電流供給バスライン17、薄膜トランジスタ11および画素電極6を通ってEL素子95に供給されると、EL素子95は絶縁基板15へ向かって光を発光する。EL素子95から発光した光は、図11において下方向へ向かって絶縁基板15を透過する。
【0011】
【特許文献1】
特開2002−83692号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前述した従来技術の構成においては、EL素子95から図11において下方向に向かって、ソース電極12が設けられた領域81、ドレイン電極13が設けられた領域83、ゲート電極14が設けられた領域82およびソースバスライン21が設けられた領域84へ入射する光は、ソース電極12、ドレイン電極13、ゲート電極14およびソースバスライン21によってそれぞれ遮光される。このため、EL素子95による光の発光において、ソース電極12が設けられた領域81、ドレイン電極13が設けられた領域83、ゲート電極14が設けられた領域82およびソースバスライン21が設けられた領域84へ入射する光の分だけ消費電力のロスが発生するという問題がある。
【0013】
本発明は係る問題を解決するためになされたものであり、その目的は、EL素子が光を発光する際において消費電力のロスが発生しないEL表示装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
係る目的を達成するために本発明に係るEL表示装置は、絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、前記絶縁基板の前記EL素子側の表面の一部に形成されたシャドーマスク膜と、前記EL素子を駆動するために前記シャドーマスク膜の上に形成された薄膜トランジスタと、前記EL素子を前記電極から絶縁するために、前記シャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように前記電極と前記EL素子との間に形成された絶縁膜とを具備することを特徴とする。
【0015】
本発明に係る他のEL表示装置は、絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、前記電極と前記絶縁基板との間に形成された金属配線とを具備しており、前記電極は、前記EL素子から発光する光を前記金属配線へ入射させないために、前記金属配線と重ならないように形成されていることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
本実施の形態に係るEL表示装置においては、EL素子を電極から絶縁するために、シャドーマスク膜をEL素子の上に投影した領域を覆うように絶縁膜が電極とEL素子との間に形成されている。このため、EL素子が薄膜トランジスタへ向かって光を発光しないように絶縁膜を形成することができる。その結果、EL素子から発光した光が薄膜トランジスタによって遮光されることによるEL素子の消費電力ロスをなくすことができる。
【0017】
前記薄膜トランジスタは、前記EL素子を発光させるための電流を電流供給バスラインから受け取るように形成されたソース電極と、前記電流を前記EL素子へ供給するために前記電極と接続するように形成されたドレイン電極と、前記EL素子への前記電流の供給を制御するための信号をゲートバスラインから受け取るように形成されたゲート電極とを有していることが好ましい。
【0018】
前記シャドーマスク膜は、前記ソース電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたソースシャドーマスク膜と、前記ドレイン電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたドレインシャドーマスク膜と、前記ゲート電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたゲートシャドーマスク膜とを有していることが好ましい。
【0019】
前記絶縁膜には、前記ソースシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたソース絶縁膜が、前記EL素子が前記ソース電極へ向かって光を発光しないように配置されており、前記ドレインシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたドレイン絶縁膜が、前記EL素子が前記ドレイン電極へ向かって光を発光しないように配置されており、前記ゲートシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜が、前記EL素子が前記ゲート電極へ向かって光を発光しないように配置されていることが好ましい。
【0020】
前記絶縁膜は、前記EL素子がソースバスラインへ向かって光を発光しないように形成されたソースバスライン絶縁膜を有していることが好ましい。
【0021】
前記電極は、ITOによって構成された画素電極であることが好ましい。
【0022】
前記シャドーマスク膜の透過率は、50%以下であることが好ましい。
【0023】
本実施の形態に係る他のEL表示装置においては、EL素子を発光させるための電流をEL素子に供給するためにEL素子に沿ってEL素子の絶縁基板側に形成された電極は、EL素子から発光する光を金属配線へ入射させないために、金属配線と重ならないように形成されている。
【0024】
このため、EL素子から発光する光は金属配線へ入射しない。その結果、EL素子から発光した光が金属配線によって遮光されることによるEL素子の消費電力ロスをなくすことができる。
【0025】
前記EL素子を駆動するために前記電極と前記絶縁基板との間に形成された薄膜トランジスタをさらに具備しており、前記金属配線は、前記薄膜トランジスタに設けられたソース電極にソース電流を供給するために形成されたソースバスラインを含んでいることが好ましい。
【0026】
前記金属配線は、前記薄膜トランジスタに設けられたゲート電極にゲート電流を供給するために形成されたゲートバスラインをさらに含んでいることが好ましい。
【0027】
前記電極は、前記EL素子から発光する光を前記薄膜トランジスタへ入射させないために、前記薄膜トランジスタと重ならないように形成されていることが好ましい。
【0028】
前記EL素子を駆動するために前記電極と前記絶縁基板との間に形成された薄膜トランジスタをさらに具備しており、前記薄膜トランジスタは、前記EL素子を発光させるためのソース電流をソースバスラインから受け取るように形成されたソース電極と、前記ソース電流を前記EL素子へ供給するために前記電極と接続するように形成されたドレイン電極と、前記EL素子への前記ソース電流の供給を制御するためのゲート電流をゲートバスラインから受け取るように形成されたゲート電極とを有しており、前記電極は、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極と重ならないように形成されていることが好ましい。
【0029】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0030】
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係るEL表示装置100の等価回路の構成を示す回路図である。EL表示装置100は、絶縁基板15を備えている。絶縁基板15は、例えばガラス基板によって構成されている。絶縁基板15の上には、マトリックス状に配置された略長方体形状をした複数の単位画素19が形成されている。
【0031】
図2はEL表示装置100に設けられた単位画素19の構成を示す平面図であり、図3は単位画素19の構成を示すための図2に示す断面AA‘に沿った断面図である。各単位画素19は、絶縁基板15の上に形成されたシャドーマスク膜7を備えている。シャドーマスク膜7は、ソースシャドーマスク膜8とドレインシャドーマスク膜9とゲートシャドーマスク膜10とを有している。絶縁基板15の上には、ソースシャドーマスク膜8とドレインシャドーマスク膜9とゲートシャドーマスク膜10とを覆うようにアンダーコート膜23が形成されている。
【0032】
アンダーコート膜23の上の一部には、チャネル領域28がゲートシャドーマスク膜10と対向するように形成されている。チャネル領域28の両脇にはソース領域27およびドレイン領域29が形成されている。チャネル領域28は、例えばp−Siによって構成されている。ソース領域27およびドレイン領域29は、例えばp−Siによって構成されている。
【0033】
アンダーコート膜23の上には、ゲート絶縁膜24がチャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、ゲートシャドーマスク膜10およびチャネル領域28に対向するようにゲート電極14が形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、層間絶縁膜25がゲート電極14を覆うように形成されている。
【0034】
層間絶縁膜25およびゲート絶縁膜24には、コンタクトホール30がソース領域27に到達するように形成されており、コンタクトホール31がドレイン領域29に到達するように形成されている。層間絶縁膜25には、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12が形成されており、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13が形成されている。
【0035】
ソース電極12とドレイン電極13とゲート電極14とチャネル領域28とソース領域27とドレイン領域29とによって薄膜トランジスタ11が構成されている。層間絶縁膜25の上には、ソースバスライン21と電流供給バスライン17と蓄積容量20とが形成されている。ソースバスライン21は、薄膜トランジスタ40に設けられたソース電極に接続されている。蓄積容量20は、薄膜トランジスタ40に設けられたドレイン電極と電流供給バスライン17とに接続されている。薄膜トランジスタ40に設けられたゲート電極は、ゲートバスライン18に接続されている。
【0036】
層間絶縁膜25の上には、平坦化膜26がソース電極12とドレイン電極13とソースバスライン21とを覆うように形成されている。平坦化膜26は、ドレイン電極13に到達するように形成された開口33を有している。
【0037】
平坦化膜26の上には、画素電極6が開口33の底部においてドレイン電極13と接続するように形成されている。画素電極6は、例えばITOによって構成されている。
【0038】
画素電極6の上の一部には、絶縁膜1が形成されている。絶縁膜1は、ソース絶縁膜2とドレイン絶縁膜3とゲート絶縁膜4とソースバスライン絶縁膜16とを有している。
【0039】
平坦化膜26の上には、画素電極6とソース絶縁膜2とドレイン絶縁膜3とゲート絶縁膜4とソースバスライン絶縁膜16とを覆うようにEL素子5が形成されている。EL素子5は、例えばETL/EML/HTLによって構成されている。EL素子5の上には、陰極22が形成されている。
【0040】
ソース電極12は、EL素子5を発光させるための電流を電流供給バスライン17から受け取るように形成されている。ドレイン電極13は、EL素子5へ電流を供給するために画素電極6と接続するように形成されている。ゲート電極14は、EL素子5への電流の供給を制御するための信号をゲートバスライン18から受け取るように形成されている。
【0041】
ソースシャドーマスク膜8は、ソース電極12を絶縁基板15の上に投影した領域を覆うように形成されている。ドレインシャドーマスク膜9は、ドレイン電極13を絶縁基板15の上に投影した領域を覆うように形成されている。ゲートシャドーマスク膜10は、ゲート電極14を絶縁基板15の上に投影した領域を覆うように形成されている。
【0042】
ソース絶縁膜2は、ソースシャドーマスク膜8をEL素子5の上に投影した領域を覆うように形成されている。ドレイン絶縁膜3は、ドレインシャドーマスク膜9をEL素子5の上に投影した領域を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜4は、ゲートシャドーマスク膜10をEL素子5の上に投影した領域を覆うように形成されている。
【0043】
このように、絶縁膜1は、EL素子5を画素電極6から絶縁するために、シャドーマスク膜7をEL素子5の上を投影した領域を覆うように画素電極6とEL素子5との間に形成されている。
【0044】
このように構成されたEL表示装置100においては、EL素子5を発光させるための電流が電流供給バスライン17および薄膜トランジスタ11を通って画素電極6へ供給されると、画素電極6へ供給された電流は、ソース絶縁膜2が設けられた領域、ドレイン絶縁膜3が設けられた領域、ゲート絶縁膜4が向けられた領域およびソースバスライン絶縁膜16が設けられた領域以外の領域におけるEL素子5へ供給される。
【0045】
そして、ソース絶縁膜2が設けられた領域、ドレイン絶縁膜3が設けられた領域、ゲート絶縁膜4が向けられた領域およびソースバスライン絶縁膜16が設けられた領域以外の領域におけるEL素子5は、画素電極6から供給された電流に応じて、図3における下方向へ向かって光を発光する。
【0046】
次に、EL素子5から発光した光は、画素電極6、平坦化膜26、相間絶縁膜25、ゲート絶縁膜24、アンダーコート膜23および絶縁基板15を下方向へ向かって透過する。
【0047】
ソース絶縁膜2が設けられた領域、ドレイン絶縁膜3が設けられた領域、ゲート絶縁膜4が向けられた領域およびソースバスライン絶縁膜16が設けられた領域におけるEL素子5は、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜4およびソースバスライン絶縁膜16によって画素電極6からそれぞれ絶縁されているために、EL素子5を発光させるための電流が画素電極6へ供給されても、光を発光することはない。
【0048】
図4は、実施の形態1に係るEL表示装置100に設けられた単位画素19の製造方法を説明するための断面図である。
【0049】
まず、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を絶縁基板15の上に形成する。そして、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を覆うように絶縁基板15の上にアンダーコート膜23を積層する。次に、アンダーコート膜23の上にゲートシャドーマスク膜10と対向するようにチャネル領域28を形成し、チャネル領域28の両脇にソース領域27およびドレイン領域29をそれぞれ形成する。
【0050】
その後、チャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うようにアンダーコート膜23の上にゲート絶縁膜24を積層する。そして、ゲートシャドーマスク膜10およびチャネル領域28に対向するようにゲート絶縁膜24の上にゲート電極14を形成する。次に、ゲート電極14を覆うようにゲート絶縁膜24の上に層間絶縁膜25を積層する。
【0051】
その後、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してソース領域27へ到達するようにコンタクトホール30を形成し、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してドレイン領域29へ貫通するようにコンタクトホール31を形成する。そして、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12を形成し、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13を形成する。
【0052】
次に、層間絶縁膜25の上にソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を形成する。その後、ソース電極12、ドレイン電極13、ソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を覆うように層間絶縁膜25の上に平坦化膜26を積層する。その後、ドレイン電極13へ到達する開口33を平坦化膜26に形成する。そして、開口33の底面においてドレイン電極13と接続するように画素電極6を平坦化膜26の上にパターニングする。
【0053】
次に、画素電極6を覆うように平坦化膜26の上に感光性樹脂層32を積層する。その後、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9、ゲートシャドーマスク膜10およびソースバスライン21をマスクとして、光34によって感光性樹脂層32を感光し、現像し、ベークして、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜4およびソースバスライン絶縁膜16をそれぞれ形成する。
【0054】
そして、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜4、ソースバスライン絶縁膜16および画素電極6を覆うようにEL素子5を積層する。次に、EL素子5の上に陰極22を積層する。
【0055】
以上のように実施の形態1によれば、EL素子5を画素電極6から絶縁するために、シャドーマスク膜7をEL素子5の上に投影した領域を覆うように絶縁膜1が画素電極6とEL素子5との間に形成されている。このため、EL素子5が薄膜トランジスタ11へ向かって光を発光しないように絶縁膜1を形成することができる。その結果、EL素子5から発光した光が薄膜トランジスタ11によって遮光されることによるEL素子5の消費電力ロスをなくすことができる。
【0056】
また、画素開口部と遮光部とが重なっていても、画素開口部と遮光部とが重なる領域においてはEL素子が発光しないので、遮光部となる薄膜トランジスタ、ソースバスラインおよびゲートバスラインのレイアウトに関係なく画素の開口サイズを決定することができる。従って、画素を設計する際の自由度が向上する。このため、EL素子の開口率を高くすることができる。その結果、長寿命のEL表示装置を得ることができる。
【0057】
なお、実施の形態1においては、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜およびソースバスライン絶縁膜16の断面形状が台形形状である例を示した。断面形状が台形形状であることは、各絶縁膜における段差による陽極と陰極との間のショートを抑制することができる点で好ましい。しかし、本発明はこれに限定されない。各絶縁膜の厚みが非常に薄ければ、各絶縁膜の断面形状は台形でなくてもよい。
【0058】
(実施の形態2)
図5は、実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素19Aの構成を示す断面図である。図1ないし図3を参照して前述した実施の形態1に係るEL表示装置100に設けられた単位画素19の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【0059】
平坦化膜26の上には、画素電極6が開口33の底部においてドレイン電極13と接続するように形成されている。画素電極6は、例えばITOによって構成されている。画素電極6の回りには、画素電極6の周縁を覆うように絶縁性保護膜35が形成されている。
【0060】
画素電極6の上の一部には、絶縁膜1Aが形成されている。絶縁膜1Aは、ソース絶縁膜2Aとドレイン絶縁膜3Aとゲート絶縁膜4Aとソースバスライン絶縁膜16Aとを有している。
【0061】
平坦化膜26の上には、画素電極6とソース絶縁膜2Aとドレイン絶縁膜3Aとゲート絶縁膜4Aとソースバスライン絶縁膜16Aと絶縁性保護膜35とを覆うようにEL素子5が形成されている。
【0062】
EL素子5は、例えばETL/EML/HTLによって構成されている。EL素子5の上には、陰極22が形成されている。
【0063】
ソース絶縁膜2Aとドレイン絶縁膜3Aとゲート絶縁膜4Aとソースバスライン絶縁膜16Aと絶縁性保護膜35は、同一の材料によって構成されている。
【0064】
図6は、実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素19Aの製造方法を説明するための断面図である。
【0065】
まず、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を絶縁基板15の上に形成する。そして、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を覆うように絶縁基板15の上にアンダーコート膜23を積層する。次に、アンダーコート膜23の上にゲートシャドーマスク膜10と対向するようにチャネル領域28を形成し、チャネル領域28の両脇にソース領域27およびドレイン領域29をそれぞれ形成する。
【0066】
その後、チャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うようにアンダーコート膜23の上にゲート絶縁膜24を積層する。そして、ゲートシャドーマスク膜10およびチャネル領域28に対向するようにゲート絶縁膜24の上にゲート電極14を形成する。次に、ゲート電極14を覆うようにゲート絶縁膜24の上に層間絶縁膜25を積層する。
【0067】
その後、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してソース領域27へ到達するようにコンタクトホール30を形成し、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してドレイン領域29へ貫通するようにコンタクトホール31を形成する。そして、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12を形成し、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13を形成する。
【0068】
次に、層間絶縁膜25の上にソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を形成する。その後、ソース電極12、ドレイン電極13、ソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を覆うように層間絶縁膜25の上に平坦化膜26を積層する。その後、ドレイン電極13到達する開口33を平坦化膜26に形成する。そして、開口33の底面においてドレイン電極13と接続するように画素電極6を平坦化膜26の上にパタニングする。
【0069】
次に、画素電極6を覆うように平坦化膜26の上に感光性樹脂層32Aを積層する。その後、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9、ゲートシャドーマスク膜10、ソースバスライン21およびシャドーマスク膜36をマスクとして、光34によって感光性樹脂層32Aを感光し、現像し、ベークして、ソース絶縁膜2A、ドレイン絶縁膜3A、ゲート絶縁膜4A、ソースバスライン絶縁膜16Aおよび感光性樹脂層35をそれぞれ形成する。
【0070】
そして、ソース絶縁膜2A、ドレイン絶縁膜3A、ゲート絶縁膜4A、ソースバスライン絶縁膜16A、画素電極6および感光性樹脂層35を覆うようにEL素子5を積層する。次に、EL素子5の上に陰極22を積層する。
【0071】
以上のように実施の形態2によれば、EL素子5を画素電極6から絶縁するために、シャドーマスク膜7をEL素子5の上に投影した領域を覆うように絶縁膜1Aが画素電極6とEL素子5との間に形成されている。このため、EL素子5が薄膜トランジスタ11へ向かって光を発光しないように絶縁膜1Aを形成することができる。その結果、EL素子5から発光した光が薄膜トランジスタ11によって遮光されることによるEL素子5の消費電力ロスをなくすことができる。
【0072】
なお、実施の形態2においては、ソース絶縁膜2A、ドレイン絶縁膜3A、ゲート絶縁膜4Aおよびソースバスライン絶縁膜16Aの断面形状が台形形状である例を示した。断面形状が台形形状であることは、各絶縁膜における段差による陽極と陰極との間のショートを抑制することができる点で好ましい。しかし、本発明はこれに限定されない。各絶縁膜の厚みが非常に薄ければ、各絶縁膜の断面形状は台形でなくてもよい。
【0073】
(実施の形態3)
図7は実施の形態3に係るEL表示装置に設けられた単位画素19Bの構成を示す断面図であり、図8は単位画素の構成を示す平面図である。図1ないし図3を参照して前述した実施の形態1に係るEL表示装置100に設けられた単位画素19の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【0074】
平坦化膜26の上の一部には、画素電極6Bが開口33の底部においてドレイン電極13と接続するように形成されている。画素電極6Bは、画素電極6Bがソース電極12と重ならないように形成された開口と、画素電極6Bがドレイン電極13と重ならないように形成された開口と、画素電極6Bがゲート電極14と重ならないように形成された開口と、画素電極6Bがソースバスライン21と重ならないように形成された開口とを有している。
【0075】
画素電極6Bに形成された各開口と画素電極6Bの周囲とには、絶縁性保護膜35Bが形成されている。画素電極6Bと絶縁性保護膜35Bとを覆うようにEL素子5Bが積層されている。EL素子5Bの上には、陰極22Bが積層されている。
【0076】
このように構成されたEL表示装置においては、EL素子5Bを発光させるための電流が電流供給バスライン17および薄膜トランジスタ11を通って画素電極6Bへ供給されると、画素電極6Bへ供給された電流は、画素電極6Bに形成された開口をEL素子5Bへ投射した領域以外の領域におけるEL素子5Bへ供給される。
【0077】
そして、画素電極6Bに形成された開口をEL素子5Bへ投射した領域以外の領域におけるEL素子5Bは、画素電極6Bから供給された電流に応じて、図7における下方向へ向かって光を発光する。
【0078】
次に、EL素子5Bから発光した光は、画素電極6B、平坦化膜26、相間絶縁膜25、ゲート絶縁膜24、アンダーコート膜23および絶縁基板15を下方向へ向かって透過する。
【0079】
画素電極6Bに形成された開口をEL素子5Bへ投射した領域におけるEL素子5は、画素電極6Bに開口が設けられているために、EL素子5を発光させるための電流が画素電極6Bへ供給されても、画素電極6Bから電流が供給されないので光を発光することはない。
【0080】
以上のように実施の形態3によれば、EL素子5Bを発光させるための電流をEL素子5Bに供給するためにEL素子5Bに沿ってEL素子5Bの絶縁基板15側に形成された画素電極6Bは、EL素子5Bから発光する光をソースバスライン21へ入射させないために、ソースバスライン21と重ならないように形成されている。
【0081】
このため、EL素子5Bから発光する光はソースバスライン21へ入射しない。その結果、EL素子5Bから発光した光がソースバスライン21によって遮光されることによるEL素子の消費電力ロスをなくすことができる。
【0082】
さらに、画素電極6Bは、EL素子5Bから発光する光を薄膜トランジスタ11へ入射させないために、薄膜トランジスタ11と重ならないように形成されている。このため、EL素子5Bから発光する光が薄膜トランジスタ11へ入射することによる薄膜トランジスタ11の誤動作を防止することができる。
【0083】
なお、画素電極6Bは、EL素子5Bから発光する光をゲートバスラインへ入射させないために、ゲートバスラインと重ならないように形成された開口を有していてもよい。
【0084】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、EL素子が光を発光する際において消費電力のロスが発生しないEL表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係るEL表示装置の等価回路の構成を示す回路図
【図2】実施の形態1に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す平面図
【図3】実施の形態1に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す断面図
【図4】実施の形態1に係るEL表示装置に設けられた単位画素の製造方法を説明するための断面図
【図5】実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す断面図
【図6】実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素の製造方法を説明するための断面図
【図7】実施の形態3に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す断面図
【図8】実施の形態3に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す平面図
【図9】従来のEL表示装置の等価回路の構成を示す回路図
【図10】従来のEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す平面図
【図11】従来のEL表示装置に設けられ単位画素の構成を示す断面図
【符号の説明】
1 絶縁膜
2 ソース絶縁膜
3 ドレイン絶縁膜
4 ゲート絶縁膜
5 EL素子
6 陽極
7 シャドーマスク膜
8 ソースシャドーマスク膜
9 ドレインシャドーマスク膜
10 ゲートシャドーマスク膜
11 薄膜トランジスタ
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14 ゲート電極
15 絶縁基板
16 ソースバスライン絶縁膜
17 電流供給バスライン
18 ゲートバスライン
19 単位画素
20 蓄積容量
21 ソースバスライン
22 陰極
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL素子を発光させるための電流をEL素子に供給するための電極とEL素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備えたEL表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子を発光させるための電流をEL素子に供給するための電極とEL素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備えた従来のEL表示装置を説明する。図9は従来のEL表示装置90の等価回路の構成を示す回路図である。EL表示装置90は、絶縁基板15を備えている。絶縁基板15は、例えばガラス基板によって構成されている。絶縁基板15の上には、マトリックス状に配置された略長方体形状をした複数の単位画素99が形成されている。
【0003】
図10はEL表示装置90に形成された単位画素99の構成を示す平面図であり、図11は単位画素99の構成を示すための図10に示す断面XX‘に沿った断面図である。各単位画素99は、絶縁基板15の上に形成されたアンダーコート膜23を有している。アンダーコート膜23の上の一部には、チャネル領域28が形成されている。チャネル領域28は、例えばp−Siによって構成されている。チャネル領域28の両脇にはソース領域27およびドレイン領域29が形成されている。ソース領域27およびドレイン領域29は、例えばp−Siによって構成されている。
【0004】
アンダーコート膜23の上には、ゲート絶縁膜24がチャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、チャネル領域28に対向するようにゲート電極14が形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、層間絶縁膜25がゲート電極14を覆うように形成されている。
【0005】
層間絶縁膜25およびゲート絶縁膜24には、コンタクトホール30がソース領域27に到達するように形成されており、コンタクトホール31がドレイン領域29に到達するように形成されている。層間絶縁膜25には、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12が形成されており、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13が形成されている。ソース電極12とドレイン電極13とゲート電極14とチャネル領域28とソース領域27とドレイン領域29とによって薄膜トランジスタ11が構成されている。
【0006】
層間絶縁膜25の上には、ソースバスライン21と電流供給バスライン17と蓄積容量20とが形成されている。ソースバスライン21は、薄膜トランジスタ40に設けられたソース電極に接続されている。蓄積容量20は、薄膜トランジスタ40に設けられたドレイン電極と電流供給バスライン17とに接続されている。薄膜トランジスタ40に設けられたゲート電極は、ゲートバスライン18に接続されている。
【0007】
層間絶縁膜25の上には、平坦化膜26がソース電極12とドレイン電極13とソースバスライン21とを覆うように形成されている。平坦化膜26は、ドレイン電極13に到達するように形成された開口33を有している。
【0008】
平坦化膜26の上には、画素電極6が開口33の底部においてドレイン電極と接続するように形成されている。画素電極6は、例えばITOによって構成されている。画素電極6の回りには、画素電極6の周縁を覆うように絶縁性保護膜35が形成されている。
【0009】
画素電極6および絶縁性保護膜35の画素電極6側の上には、EL素子95が画素電極6を覆うように形成されている。EL素子95は、例えばETL/EML/HTLによって構成されている。EL素子95の上には、陰極22がEL素子95を覆うように形成されている。
【0010】
このように構成されたEL表示装置90においては、EL素子95を発光させるための電流が電流供給バスライン17、薄膜トランジスタ11および画素電極6を通ってEL素子95に供給されると、EL素子95は絶縁基板15へ向かって光を発光する。EL素子95から発光した光は、図11において下方向へ向かって絶縁基板15を透過する。
【0011】
【特許文献1】
特開2002−83692号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前述した従来技術の構成においては、EL素子95から図11において下方向に向かって、ソース電極12が設けられた領域81、ドレイン電極13が設けられた領域83、ゲート電極14が設けられた領域82およびソースバスライン21が設けられた領域84へ入射する光は、ソース電極12、ドレイン電極13、ゲート電極14およびソースバスライン21によってそれぞれ遮光される。このため、EL素子95による光の発光において、ソース電極12が設けられた領域81、ドレイン電極13が設けられた領域83、ゲート電極14が設けられた領域82およびソースバスライン21が設けられた領域84へ入射する光の分だけ消費電力のロスが発生するという問題がある。
【0013】
本発明は係る問題を解決するためになされたものであり、その目的は、EL素子が光を発光する際において消費電力のロスが発生しないEL表示装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
係る目的を達成するために本発明に係るEL表示装置は、絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、前記絶縁基板の前記EL素子側の表面の一部に形成されたシャドーマスク膜と、前記EL素子を駆動するために前記シャドーマスク膜の上に形成された薄膜トランジスタと、前記EL素子を前記電極から絶縁するために、前記シャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように前記電極と前記EL素子との間に形成された絶縁膜とを具備することを特徴とする。
【0015】
本発明に係る他のEL表示装置は、絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、前記電極と前記絶縁基板との間に形成された金属配線とを具備しており、前記電極は、前記EL素子から発光する光を前記金属配線へ入射させないために、前記金属配線と重ならないように形成されていることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
本実施の形態に係るEL表示装置においては、EL素子を電極から絶縁するために、シャドーマスク膜をEL素子の上に投影した領域を覆うように絶縁膜が電極とEL素子との間に形成されている。このため、EL素子が薄膜トランジスタへ向かって光を発光しないように絶縁膜を形成することができる。その結果、EL素子から発光した光が薄膜トランジスタによって遮光されることによるEL素子の消費電力ロスをなくすことができる。
【0017】
前記薄膜トランジスタは、前記EL素子を発光させるための電流を電流供給バスラインから受け取るように形成されたソース電極と、前記電流を前記EL素子へ供給するために前記電極と接続するように形成されたドレイン電極と、前記EL素子への前記電流の供給を制御するための信号をゲートバスラインから受け取るように形成されたゲート電極とを有していることが好ましい。
【0018】
前記シャドーマスク膜は、前記ソース電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたソースシャドーマスク膜と、前記ドレイン電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたドレインシャドーマスク膜と、前記ゲート電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたゲートシャドーマスク膜とを有していることが好ましい。
【0019】
前記絶縁膜には、前記ソースシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたソース絶縁膜が、前記EL素子が前記ソース電極へ向かって光を発光しないように配置されており、前記ドレインシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたドレイン絶縁膜が、前記EL素子が前記ドレイン電極へ向かって光を発光しないように配置されており、前記ゲートシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜が、前記EL素子が前記ゲート電極へ向かって光を発光しないように配置されていることが好ましい。
【0020】
前記絶縁膜は、前記EL素子がソースバスラインへ向かって光を発光しないように形成されたソースバスライン絶縁膜を有していることが好ましい。
【0021】
前記電極は、ITOによって構成された画素電極であることが好ましい。
【0022】
前記シャドーマスク膜の透過率は、50%以下であることが好ましい。
【0023】
本実施の形態に係る他のEL表示装置においては、EL素子を発光させるための電流をEL素子に供給するためにEL素子に沿ってEL素子の絶縁基板側に形成された電極は、EL素子から発光する光を金属配線へ入射させないために、金属配線と重ならないように形成されている。
【0024】
このため、EL素子から発光する光は金属配線へ入射しない。その結果、EL素子から発光した光が金属配線によって遮光されることによるEL素子の消費電力ロスをなくすことができる。
【0025】
前記EL素子を駆動するために前記電極と前記絶縁基板との間に形成された薄膜トランジスタをさらに具備しており、前記金属配線は、前記薄膜トランジスタに設けられたソース電極にソース電流を供給するために形成されたソースバスラインを含んでいることが好ましい。
【0026】
前記金属配線は、前記薄膜トランジスタに設けられたゲート電極にゲート電流を供給するために形成されたゲートバスラインをさらに含んでいることが好ましい。
【0027】
前記電極は、前記EL素子から発光する光を前記薄膜トランジスタへ入射させないために、前記薄膜トランジスタと重ならないように形成されていることが好ましい。
【0028】
前記EL素子を駆動するために前記電極と前記絶縁基板との間に形成された薄膜トランジスタをさらに具備しており、前記薄膜トランジスタは、前記EL素子を発光させるためのソース電流をソースバスラインから受け取るように形成されたソース電極と、前記ソース電流を前記EL素子へ供給するために前記電極と接続するように形成されたドレイン電極と、前記EL素子への前記ソース電流の供給を制御するためのゲート電流をゲートバスラインから受け取るように形成されたゲート電極とを有しており、前記電極は、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極と重ならないように形成されていることが好ましい。
【0029】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0030】
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係るEL表示装置100の等価回路の構成を示す回路図である。EL表示装置100は、絶縁基板15を備えている。絶縁基板15は、例えばガラス基板によって構成されている。絶縁基板15の上には、マトリックス状に配置された略長方体形状をした複数の単位画素19が形成されている。
【0031】
図2はEL表示装置100に設けられた単位画素19の構成を示す平面図であり、図3は単位画素19の構成を示すための図2に示す断面AA‘に沿った断面図である。各単位画素19は、絶縁基板15の上に形成されたシャドーマスク膜7を備えている。シャドーマスク膜7は、ソースシャドーマスク膜8とドレインシャドーマスク膜9とゲートシャドーマスク膜10とを有している。絶縁基板15の上には、ソースシャドーマスク膜8とドレインシャドーマスク膜9とゲートシャドーマスク膜10とを覆うようにアンダーコート膜23が形成されている。
【0032】
アンダーコート膜23の上の一部には、チャネル領域28がゲートシャドーマスク膜10と対向するように形成されている。チャネル領域28の両脇にはソース領域27およびドレイン領域29が形成されている。チャネル領域28は、例えばp−Siによって構成されている。ソース領域27およびドレイン領域29は、例えばp−Siによって構成されている。
【0033】
アンダーコート膜23の上には、ゲート絶縁膜24がチャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、ゲートシャドーマスク膜10およびチャネル領域28に対向するようにゲート電極14が形成されている。ゲート絶縁膜24の上には、層間絶縁膜25がゲート電極14を覆うように形成されている。
【0034】
層間絶縁膜25およびゲート絶縁膜24には、コンタクトホール30がソース領域27に到達するように形成されており、コンタクトホール31がドレイン領域29に到達するように形成されている。層間絶縁膜25には、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12が形成されており、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13が形成されている。
【0035】
ソース電極12とドレイン電極13とゲート電極14とチャネル領域28とソース領域27とドレイン領域29とによって薄膜トランジスタ11が構成されている。層間絶縁膜25の上には、ソースバスライン21と電流供給バスライン17と蓄積容量20とが形成されている。ソースバスライン21は、薄膜トランジスタ40に設けられたソース電極に接続されている。蓄積容量20は、薄膜トランジスタ40に設けられたドレイン電極と電流供給バスライン17とに接続されている。薄膜トランジスタ40に設けられたゲート電極は、ゲートバスライン18に接続されている。
【0036】
層間絶縁膜25の上には、平坦化膜26がソース電極12とドレイン電極13とソースバスライン21とを覆うように形成されている。平坦化膜26は、ドレイン電極13に到達するように形成された開口33を有している。
【0037】
平坦化膜26の上には、画素電極6が開口33の底部においてドレイン電極13と接続するように形成されている。画素電極6は、例えばITOによって構成されている。
【0038】
画素電極6の上の一部には、絶縁膜1が形成されている。絶縁膜1は、ソース絶縁膜2とドレイン絶縁膜3とゲート絶縁膜4とソースバスライン絶縁膜16とを有している。
【0039】
平坦化膜26の上には、画素電極6とソース絶縁膜2とドレイン絶縁膜3とゲート絶縁膜4とソースバスライン絶縁膜16とを覆うようにEL素子5が形成されている。EL素子5は、例えばETL/EML/HTLによって構成されている。EL素子5の上には、陰極22が形成されている。
【0040】
ソース電極12は、EL素子5を発光させるための電流を電流供給バスライン17から受け取るように形成されている。ドレイン電極13は、EL素子5へ電流を供給するために画素電極6と接続するように形成されている。ゲート電極14は、EL素子5への電流の供給を制御するための信号をゲートバスライン18から受け取るように形成されている。
【0041】
ソースシャドーマスク膜8は、ソース電極12を絶縁基板15の上に投影した領域を覆うように形成されている。ドレインシャドーマスク膜9は、ドレイン電極13を絶縁基板15の上に投影した領域を覆うように形成されている。ゲートシャドーマスク膜10は、ゲート電極14を絶縁基板15の上に投影した領域を覆うように形成されている。
【0042】
ソース絶縁膜2は、ソースシャドーマスク膜8をEL素子5の上に投影した領域を覆うように形成されている。ドレイン絶縁膜3は、ドレインシャドーマスク膜9をEL素子5の上に投影した領域を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜4は、ゲートシャドーマスク膜10をEL素子5の上に投影した領域を覆うように形成されている。
【0043】
このように、絶縁膜1は、EL素子5を画素電極6から絶縁するために、シャドーマスク膜7をEL素子5の上を投影した領域を覆うように画素電極6とEL素子5との間に形成されている。
【0044】
このように構成されたEL表示装置100においては、EL素子5を発光させるための電流が電流供給バスライン17および薄膜トランジスタ11を通って画素電極6へ供給されると、画素電極6へ供給された電流は、ソース絶縁膜2が設けられた領域、ドレイン絶縁膜3が設けられた領域、ゲート絶縁膜4が向けられた領域およびソースバスライン絶縁膜16が設けられた領域以外の領域におけるEL素子5へ供給される。
【0045】
そして、ソース絶縁膜2が設けられた領域、ドレイン絶縁膜3が設けられた領域、ゲート絶縁膜4が向けられた領域およびソースバスライン絶縁膜16が設けられた領域以外の領域におけるEL素子5は、画素電極6から供給された電流に応じて、図3における下方向へ向かって光を発光する。
【0046】
次に、EL素子5から発光した光は、画素電極6、平坦化膜26、相間絶縁膜25、ゲート絶縁膜24、アンダーコート膜23および絶縁基板15を下方向へ向かって透過する。
【0047】
ソース絶縁膜2が設けられた領域、ドレイン絶縁膜3が設けられた領域、ゲート絶縁膜4が向けられた領域およびソースバスライン絶縁膜16が設けられた領域におけるEL素子5は、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜4およびソースバスライン絶縁膜16によって画素電極6からそれぞれ絶縁されているために、EL素子5を発光させるための電流が画素電極6へ供給されても、光を発光することはない。
【0048】
図4は、実施の形態1に係るEL表示装置100に設けられた単位画素19の製造方法を説明するための断面図である。
【0049】
まず、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を絶縁基板15の上に形成する。そして、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を覆うように絶縁基板15の上にアンダーコート膜23を積層する。次に、アンダーコート膜23の上にゲートシャドーマスク膜10と対向するようにチャネル領域28を形成し、チャネル領域28の両脇にソース領域27およびドレイン領域29をそれぞれ形成する。
【0050】
その後、チャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うようにアンダーコート膜23の上にゲート絶縁膜24を積層する。そして、ゲートシャドーマスク膜10およびチャネル領域28に対向するようにゲート絶縁膜24の上にゲート電極14を形成する。次に、ゲート電極14を覆うようにゲート絶縁膜24の上に層間絶縁膜25を積層する。
【0051】
その後、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してソース領域27へ到達するようにコンタクトホール30を形成し、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してドレイン領域29へ貫通するようにコンタクトホール31を形成する。そして、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12を形成し、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13を形成する。
【0052】
次に、層間絶縁膜25の上にソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を形成する。その後、ソース電極12、ドレイン電極13、ソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を覆うように層間絶縁膜25の上に平坦化膜26を積層する。その後、ドレイン電極13へ到達する開口33を平坦化膜26に形成する。そして、開口33の底面においてドレイン電極13と接続するように画素電極6を平坦化膜26の上にパターニングする。
【0053】
次に、画素電極6を覆うように平坦化膜26の上に感光性樹脂層32を積層する。その後、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9、ゲートシャドーマスク膜10およびソースバスライン21をマスクとして、光34によって感光性樹脂層32を感光し、現像し、ベークして、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜4およびソースバスライン絶縁膜16をそれぞれ形成する。
【0054】
そして、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜4、ソースバスライン絶縁膜16および画素電極6を覆うようにEL素子5を積層する。次に、EL素子5の上に陰極22を積層する。
【0055】
以上のように実施の形態1によれば、EL素子5を画素電極6から絶縁するために、シャドーマスク膜7をEL素子5の上に投影した領域を覆うように絶縁膜1が画素電極6とEL素子5との間に形成されている。このため、EL素子5が薄膜トランジスタ11へ向かって光を発光しないように絶縁膜1を形成することができる。その結果、EL素子5から発光した光が薄膜トランジスタ11によって遮光されることによるEL素子5の消費電力ロスをなくすことができる。
【0056】
また、画素開口部と遮光部とが重なっていても、画素開口部と遮光部とが重なる領域においてはEL素子が発光しないので、遮光部となる薄膜トランジスタ、ソースバスラインおよびゲートバスラインのレイアウトに関係なく画素の開口サイズを決定することができる。従って、画素を設計する際の自由度が向上する。このため、EL素子の開口率を高くすることができる。その結果、長寿命のEL表示装置を得ることができる。
【0057】
なお、実施の形態1においては、ソース絶縁膜2、ドレイン絶縁膜3、ゲート絶縁膜およびソースバスライン絶縁膜16の断面形状が台形形状である例を示した。断面形状が台形形状であることは、各絶縁膜における段差による陽極と陰極との間のショートを抑制することができる点で好ましい。しかし、本発明はこれに限定されない。各絶縁膜の厚みが非常に薄ければ、各絶縁膜の断面形状は台形でなくてもよい。
【0058】
(実施の形態2)
図5は、実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素19Aの構成を示す断面図である。図1ないし図3を参照して前述した実施の形態1に係るEL表示装置100に設けられた単位画素19の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【0059】
平坦化膜26の上には、画素電極6が開口33の底部においてドレイン電極13と接続するように形成されている。画素電極6は、例えばITOによって構成されている。画素電極6の回りには、画素電極6の周縁を覆うように絶縁性保護膜35が形成されている。
【0060】
画素電極6の上の一部には、絶縁膜1Aが形成されている。絶縁膜1Aは、ソース絶縁膜2Aとドレイン絶縁膜3Aとゲート絶縁膜4Aとソースバスライン絶縁膜16Aとを有している。
【0061】
平坦化膜26の上には、画素電極6とソース絶縁膜2Aとドレイン絶縁膜3Aとゲート絶縁膜4Aとソースバスライン絶縁膜16Aと絶縁性保護膜35とを覆うようにEL素子5が形成されている。
【0062】
EL素子5は、例えばETL/EML/HTLによって構成されている。EL素子5の上には、陰極22が形成されている。
【0063】
ソース絶縁膜2Aとドレイン絶縁膜3Aとゲート絶縁膜4Aとソースバスライン絶縁膜16Aと絶縁性保護膜35は、同一の材料によって構成されている。
【0064】
図6は、実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素19Aの製造方法を説明するための断面図である。
【0065】
まず、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を絶縁基板15の上に形成する。そして、ドレインシャドーマスク膜9およびゲートシャドーマスク膜10を覆うように絶縁基板15の上にアンダーコート膜23を積層する。次に、アンダーコート膜23の上にゲートシャドーマスク膜10と対向するようにチャネル領域28を形成し、チャネル領域28の両脇にソース領域27およびドレイン領域29をそれぞれ形成する。
【0066】
その後、チャネル領域28、ソース領域27およびドレイン領域29を覆うようにアンダーコート膜23の上にゲート絶縁膜24を積層する。そして、ゲートシャドーマスク膜10およびチャネル領域28に対向するようにゲート絶縁膜24の上にゲート電極14を形成する。次に、ゲート電極14を覆うようにゲート絶縁膜24の上に層間絶縁膜25を積層する。
【0067】
その後、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してソース領域27へ到達するようにコンタクトホール30を形成し、層間絶縁膜25とゲート絶縁膜24とを貫通してドレイン領域29へ貫通するようにコンタクトホール31を形成する。そして、コンタクトホール30を通ってソース領域27と接続するようにソース電極12を形成し、コンタクトホール31を通ってドレイン領域29と接続するようにドレイン電極13を形成する。
【0068】
次に、層間絶縁膜25の上にソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を形成する。その後、ソース電極12、ドレイン電極13、ソースバスライン21、電流供給バスライン17および蓄積容量20を覆うように層間絶縁膜25の上に平坦化膜26を積層する。その後、ドレイン電極13到達する開口33を平坦化膜26に形成する。そして、開口33の底面においてドレイン電極13と接続するように画素電極6を平坦化膜26の上にパタニングする。
【0069】
次に、画素電極6を覆うように平坦化膜26の上に感光性樹脂層32Aを積層する。その後、ソースシャドーマスク膜8、ドレインシャドーマスク膜9、ゲートシャドーマスク膜10、ソースバスライン21およびシャドーマスク膜36をマスクとして、光34によって感光性樹脂層32Aを感光し、現像し、ベークして、ソース絶縁膜2A、ドレイン絶縁膜3A、ゲート絶縁膜4A、ソースバスライン絶縁膜16Aおよび感光性樹脂層35をそれぞれ形成する。
【0070】
そして、ソース絶縁膜2A、ドレイン絶縁膜3A、ゲート絶縁膜4A、ソースバスライン絶縁膜16A、画素電極6および感光性樹脂層35を覆うようにEL素子5を積層する。次に、EL素子5の上に陰極22を積層する。
【0071】
以上のように実施の形態2によれば、EL素子5を画素電極6から絶縁するために、シャドーマスク膜7をEL素子5の上に投影した領域を覆うように絶縁膜1Aが画素電極6とEL素子5との間に形成されている。このため、EL素子5が薄膜トランジスタ11へ向かって光を発光しないように絶縁膜1Aを形成することができる。その結果、EL素子5から発光した光が薄膜トランジスタ11によって遮光されることによるEL素子5の消費電力ロスをなくすことができる。
【0072】
なお、実施の形態2においては、ソース絶縁膜2A、ドレイン絶縁膜3A、ゲート絶縁膜4Aおよびソースバスライン絶縁膜16Aの断面形状が台形形状である例を示した。断面形状が台形形状であることは、各絶縁膜における段差による陽極と陰極との間のショートを抑制することができる点で好ましい。しかし、本発明はこれに限定されない。各絶縁膜の厚みが非常に薄ければ、各絶縁膜の断面形状は台形でなくてもよい。
【0073】
(実施の形態3)
図7は実施の形態3に係るEL表示装置に設けられた単位画素19Bの構成を示す断面図であり、図8は単位画素の構成を示す平面図である。図1ないし図3を参照して前述した実施の形態1に係るEL表示装置100に設けられた単位画素19の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【0074】
平坦化膜26の上の一部には、画素電極6Bが開口33の底部においてドレイン電極13と接続するように形成されている。画素電極6Bは、画素電極6Bがソース電極12と重ならないように形成された開口と、画素電極6Bがドレイン電極13と重ならないように形成された開口と、画素電極6Bがゲート電極14と重ならないように形成された開口と、画素電極6Bがソースバスライン21と重ならないように形成された開口とを有している。
【0075】
画素電極6Bに形成された各開口と画素電極6Bの周囲とには、絶縁性保護膜35Bが形成されている。画素電極6Bと絶縁性保護膜35Bとを覆うようにEL素子5Bが積層されている。EL素子5Bの上には、陰極22Bが積層されている。
【0076】
このように構成されたEL表示装置においては、EL素子5Bを発光させるための電流が電流供給バスライン17および薄膜トランジスタ11を通って画素電極6Bへ供給されると、画素電極6Bへ供給された電流は、画素電極6Bに形成された開口をEL素子5Bへ投射した領域以外の領域におけるEL素子5Bへ供給される。
【0077】
そして、画素電極6Bに形成された開口をEL素子5Bへ投射した領域以外の領域におけるEL素子5Bは、画素電極6Bから供給された電流に応じて、図7における下方向へ向かって光を発光する。
【0078】
次に、EL素子5Bから発光した光は、画素電極6B、平坦化膜26、相間絶縁膜25、ゲート絶縁膜24、アンダーコート膜23および絶縁基板15を下方向へ向かって透過する。
【0079】
画素電極6Bに形成された開口をEL素子5Bへ投射した領域におけるEL素子5は、画素電極6Bに開口が設けられているために、EL素子5を発光させるための電流が画素電極6Bへ供給されても、画素電極6Bから電流が供給されないので光を発光することはない。
【0080】
以上のように実施の形態3によれば、EL素子5Bを発光させるための電流をEL素子5Bに供給するためにEL素子5Bに沿ってEL素子5Bの絶縁基板15側に形成された画素電極6Bは、EL素子5Bから発光する光をソースバスライン21へ入射させないために、ソースバスライン21と重ならないように形成されている。
【0081】
このため、EL素子5Bから発光する光はソースバスライン21へ入射しない。その結果、EL素子5Bから発光した光がソースバスライン21によって遮光されることによるEL素子の消費電力ロスをなくすことができる。
【0082】
さらに、画素電極6Bは、EL素子5Bから発光する光を薄膜トランジスタ11へ入射させないために、薄膜トランジスタ11と重ならないように形成されている。このため、EL素子5Bから発光する光が薄膜トランジスタ11へ入射することによる薄膜トランジスタ11の誤動作を防止することができる。
【0083】
なお、画素電極6Bは、EL素子5Bから発光する光をゲートバスラインへ入射させないために、ゲートバスラインと重ならないように形成された開口を有していてもよい。
【0084】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、EL素子が光を発光する際において消費電力のロスが発生しないEL表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係るEL表示装置の等価回路の構成を示す回路図
【図2】実施の形態1に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す平面図
【図3】実施の形態1に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す断面図
【図4】実施の形態1に係るEL表示装置に設けられた単位画素の製造方法を説明するための断面図
【図5】実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す断面図
【図6】実施の形態2に係るEL表示装置に設けられた単位画素の製造方法を説明するための断面図
【図7】実施の形態3に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す断面図
【図8】実施の形態3に係るEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す平面図
【図9】従来のEL表示装置の等価回路の構成を示す回路図
【図10】従来のEL表示装置に設けられた単位画素の構成を示す平面図
【図11】従来のEL表示装置に設けられ単位画素の構成を示す断面図
【符号の説明】
1 絶縁膜
2 ソース絶縁膜
3 ドレイン絶縁膜
4 ゲート絶縁膜
5 EL素子
6 陽極
7 シャドーマスク膜
8 ソースシャドーマスク膜
9 ドレインシャドーマスク膜
10 ゲートシャドーマスク膜
11 薄膜トランジスタ
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14 ゲート電極
15 絶縁基板
16 ソースバスライン絶縁膜
17 電流供給バスライン
18 ゲートバスライン
19 単位画素
20 蓄積容量
21 ソースバスライン
22 陰極
Claims (12)
- 絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、
前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、
前記絶縁基板の前記EL素子側の表面の一部に形成されたシャドーマスク膜と、
前記EL素子を駆動するために前記シャドーマスク膜の上に形成された薄膜トランジスタと、
前記EL素子を前記電極から絶縁するために、前記シャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように前記電極と前記EL素子との間に形成された絶縁膜とを具備することを特徴とするEL表示装置。 - 前記薄膜トランジスタは、前記EL素子を発光させるための電流を電流供給バスラインから受け取るように形成されたソース電極と、
前記電流を前記EL素子へ供給するために前記電極と接続するように形成されたドレイン電極と、
前記EL素子への前記電流の供給を制御するための信号をゲートバスラインから受け取るように形成されたゲート電極とを有している、請求項1記載のEL表示装置。 - 前記シャドーマスク膜は、前記ソース電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたソースシャドーマスク膜と、
前記ドレイン電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたドレインシャドーマスク膜と、
前記ゲート電極を前記絶縁基板の上に投影した領域を覆うように形成されたゲートシャドーマスク膜とを有している、請求項2記載のEL表示装置。 - 前記絶縁膜には、前記ソースシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたソース絶縁膜が、前記EL素子が前記ソース電極へ向かって光を発光しないように配置されており、
前記ドレインシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたドレイン絶縁膜が、前記EL素子が前記ドレイン電極へ向かって光を発光しないように配置されており、
前記ゲートシャドーマスク膜を前記EL素子の上に投影した領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜が、前記EL素子が前記ゲート電極へ向かって光を発光しないように配置されている、請求項2記載のEL表示装置。 - 前記絶縁膜は、前記EL素子がソースバスラインへ向かって光を発光しないように形成されたソースバスライン絶縁膜を有している、請求項1記載のEL表示装置。
- 前記電極は、ITOによって構成された画素電極である、請求項1記載のEL表示装置。
- 前記シャドーマスク膜の透過率は、50%以下である、請求項1記載のEL表示装置。
- 絶縁基板に対向するように形成されたEL素子と、
前記EL素子を発光させるための電流を前記EL素子に供給するために前記EL素子に沿って前記EL素子の前記絶縁基板側に形成された電極と、
前記電極と前記絶縁基板との間に形成された金属配線とを具備しており、
前記電極は、前記EL素子から発光する光を前記金属配線へ入射させないために、前記金属配線と重ならないように形成されていることを特徴とするEL表示装置。 - 前記EL素子を駆動するために前記電極と前記絶縁基板との間に形成された薄膜トランジスタをさらに具備しており、
前記金属配線は、前記薄膜トランジスタに設けられたソース電極にソース電流を供給するために形成されたソースバスラインを含んでいる、請求項8記載のEL表示装置。 - 前記金属配線は、前記薄膜トランジスタに設けられたゲート電極にゲート電流を供給するために形成されたゲートバスラインをさらに含んでいる、請求項9記載のEL表示装置。
- 前記電極は、前記EL素子から発光する光を前記薄膜トランジスタへ入射させないために、前記薄膜トランジスタと重ならないように形成されている、請求項9記載のEL表示装置。
- 前記EL素子を駆動するために前記電極と前記絶縁基板との間に形成された薄膜トランジスタをさらに具備しており、
前記薄膜トランジスタは、前記EL素子を発光させるためのソース電流をソースバスラインから受け取るように形成されたソース電極と、
前記ソース電流を前記EL素子へ供給するために前記電極と接続するように形成されたドレイン電極と、
前記EL素子への前記ソース電流の供給を制御するためのゲート電流をゲートバスラインから受け取るように形成されたゲート電極とを有しており、
前記電極は、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極と重ならないように形成されている、請求項8記載のEL表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003012884A JP2004227870A (ja) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | El表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003012884A JP2004227870A (ja) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | El表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004227870A true JP2004227870A (ja) | 2004-08-12 |
Family
ID=32901353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003012884A Pending JP2004227870A (ja) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | El表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004227870A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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- 2003-01-21 JP JP2003012884A patent/JP2004227870A/ja active Pending
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|
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